JP2014532023A - ナノ構造化電池活性物質およびその生成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2011年7月26日出願の米国仮特許出願第61/511,826号の利益を主張するものであり、参照することによりその全体が本明細書に組み込まれる。
本発明は、ナノテクノロジーの分野に関する。より具体的には、本発明は、電池活性物質として使用するために、銅系触媒物質からナノ構造、具体的には、炭素系基材上にシリコンナノ構造を生成するための方法に関する。本発明は、電池活性物質としての機能を果たし得る、多孔質基材上、具体的には、炭素系基材上にシリコンナノワイヤを含む組成物にも関する。
別途定義されない限り、本明細書で使用されるすべての技術および科学用語は、本発明に関連する当業者に一般的に理解される意味と同様の意味を有する。以下の定義は、当分野におけるそれらを捕捉し、現在の用途を対象とし、いかなる関連する事例または関連しない事例、例えば、いかなる一般的に認められている特許または用途にも帰属されない。本明細書に説明されるそれらに類似の、または同等の任意の方法および物質が、本発明の試験のための実践において使用され得るが、好ましい物質および方法が本明細書に説明される。したがって、本明細書で使用される専門用語は、特定の実施形態を説明する目的のみであり、限定することを意図しない。
リチウムイオン電池を含む従来の電池は、アノード、電解質、カソード、および一般的に分離器を含む。最も市販されているリチウムイオン電池のアノードは、黒鉛粉末およびポリマーブレンドの混合物でコーティングされた銅ホイルである。しかし、これら物質の容量は制限されている。したがって、より大きい蓄積容量をもつ改良されたアノード物質の必要性が存在する。
銅系触媒からのシリコンナノワイヤの成長は、Yao et al.の米国特許第7,825,036号、表題「Method of synthesizing silicon wires」、および、Renard et al.(2010)“Catalyst preparation for CMOS−compatible silicon nanowire synthesis”Nature Nanotech4:654−657で説明されているが、これらの方法は、電池活性物質としての使用に好適ではない、またはナノワイヤの大きい数量の生成のための拡張に適さない平面固体基材上にナノワイヤを生成する。対照的に、本発明の一態様は、多孔質または電池での使用に好適であり、および/もしくは大規模なナノ構造合成を促進する基材を含む粒子状基材上にナノ構造(シリコンナノワイヤを含むがこれに限定されない)を成長する方法を提供する。
本明細書のいずれかの方法によって生成されるか、またはその実行に有用な組成物も本発明の特徴である。例えば、多孔質基材上で銅系触媒から成長したナノ構造は、本発明の特徴である。
銅含有ナノ粒子は、幅広い様々な用途を対象とする。例えば、酸化第一銅(Cu2O)は、太陽エネルギー変換、触媒作用(例えば、CO酸化、ならびにH2およびO2へ分裂する光活性化水)、およびガス検知、ならびにリチウムイオン電池のアノード物質における可能性のある用途をもつp型半導体である。上述の通り、酸化第一銅および他の銅系ナノ粒子はまた、ナノ構造合成の触媒も対象とする。
無電解めっきは、概して、基材の金属塩を含有する溶液への浸漬が必要である。基材の表面上の化学反応が、溶液からの金属の表面上へのめっきをもたらす。反応は、外部の電力なしで生じる。
カソード:Cu[L]x 2++2e-→Cu+xL
アノード:2HCHO+4OH-→2HCOO-+H2+2H2O+2e-
全体:2HCHO+4OH-+Cu[L]x 2+→Cu+2HCOO-+H2+2H2O+xL
反応は、活性化表面の存在下でのみ、または水素が生成されるときに、自己触媒である。堆積速度は、例えば、銅錯化剤、還元剤、pH、溶液槽の温度、およびめっき液(例えば、安定剤、界面活性剤、促進剤等)中に含まれ得る任意の添加剤に左右される。
ナノ粒子は、銅イオンまたは銅錯体の吸着作用によって、基材の表面上に好都合に形成することができる。吸着作用は、概して、1つの相(例えば、液体)に最初に存在する物質を、その相と分離相(例えば、固体)との間の界面での蓄積によって、その相から除去することを介するプロセスと定義される。吸着作用は、吸着させる物質が化学的に変化しない物理的分離プロセスである。吸着作用を介して生成されたナノ粒子は、続くナノ構造成長のための触媒として用いられ得る。
上述の通り、金(Au)ナノ粒子がVLS機構を介したSiナノワイヤ成長に広範に使用されている。この機構において、図4のパネルAに概略的に例示されるように、気相中のシランからのSiを、基材400上に堆積された媒介Auナノ粒子401中に溶解し、Au−Si共晶触媒液滴402を形成する。Au−Si合金液滴中のSiの量が増加すると、Siの濃度は、最終的に飽和状態を超える。次いで、Siは、液滴403から固体404に発達し、Siナノワイヤを形成する。生じるナノワイヤの先端で固化したAuナノ粒子は、したがって、VLS成長ナノワイヤの代表的特性である。Siナノワイヤの直径は、Auナノ粒子の直径によって決定される。
Cu2Oコロイドナノ粒子を、以下のように調製する。18mLの脱イオン水、2mLの0.1M硫酸銅、および30mLの0.01M CTAB(臭化セトリモニウム)を混合することによって、溶液Aを調製する。48mLの脱イオン水、1mLの0.5Mアスコルビン酸ナトリウム、および1mLの5M水酸化ナトリウムを混合することによって、溶液Bを調製する。溶液Bを溶液Aに撹拌しながら添加し、混合物は、ほぼ瞬時に明るい黄色に変わる。合成されたCu2Oコロイドは、少なくとも数時間は安定し、光散乱測定に基づいて約45nmの平均直径を有する。
約10μmの平均直径を有する約10gの合成黒鉛粉末を、ガラスビーカー内で100mLの脱イオン水と混合し、400rpmの速度で磁気撹拌子を用いて、少なくとも5分間撹拌する。0.2Mの硫酸銅および5.3Mのホルムアルデヒドを有する1mLの保存溶液を、黒鉛スラリー内にピペットで取り、一定の撹拌下で約65℃に加熱する。60℃以上で、0.4Mのロッシェル塩および5Mの水酸化ナトリウムを有する1mLの保存溶液を、ピペットで添加する。60〜65℃での反応の30分後、スラリーを、0.2μmの大きさの孔を有する濾過装置を通して、真空下で濾過し、大量の脱イオン水で漱ぐ。任意に、めっき液中の残りのホルムアルデヒドを、濾過ステップの前後いずれかで0.6gの亜硫酸ナトリウムで処理する。黒鉛の固まりをフィルターから取り、次いで、120℃のオーブンで、少なくとも12時間乾燥する。濾過装置内に集められた廃液の銅濃度を分析し、これは典型的には1ppm以下である。黒鉛粉末の銅触媒の量を、0.12重量%であると推定する(廃液中に残った銅の量に基づく)。銅ナノ粒子は、10nm〜100nmの大きさで変動し、黒鉛粒子上に良好に均一に分布される。例えば、この実施例において説明されるものと類似の状態下で生成されたナノ粒子を示す図3のパネルAを参照されたい。
約10μmの平均直径を有する約10gの合成黒鉛粉末を、ガラスビーカー内で100mLの脱イオン水と混合し、400rpmの速度で磁気撹拌子を用いて、少なくとも5分間撹拌する。1mLの0.2M硫酸銅溶液をピペットで黒鉛スラリーに添加し、絶え間ない撹拌下で約65℃まで加熱する。60℃以上で、0.4Mのロッシェル塩および5Mの水酸化ナトリウムを有する1mLの保存溶液を、ピペットで添加する。60〜65℃での反応の30分後、スラリーを、0.2μmの大きさの孔を有する濾過装置を通して、真空下で濾過し、大量の脱イオン水で漱ぐ。黒鉛の固まりをフィルターから取り、次いで、120℃のオーブンで、少なくとも12時間乾燥する。濾過装置内に集められた廃液の銅濃度を分析し、これは典型的に1〜2ppm以下である。黒鉛粉末の銅触媒の量を、0.12重量%であると推定する(廃液中に残った銅の量に基づく)。銅ナノ粒子は、10nm〜50nmの大きさで変動し、黒鉛粒子上に良好に均一に分布される。例えば、この実施例において説明されるものと類似の状態下で生成されたナノ粒子を示す図5のパネルA、列IIを参照されたい。
Claims (82)
- ナノ構造を生成するための方法であって、
触媒粒子が銅、銅化合物、および/または銅合金を含む、上に配置される前記触媒粒子を有する多孔質基材を提供することと、
前記触媒粒子から前記ナノ構造を成長させることと、を含む、方法。 - 前記ナノ構造が、ナノワイヤを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ構造が、シリコンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ構造が、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非結晶シリコン、またはそれらの組み合わせを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記ナノ構造が、単結晶コアおよびシェル層を含み、前記シェル層が、非結晶シリコン、多結晶シリコン、またはそれらの組み合わせを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記ナノ構造が、シリコンナノワイヤを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記ナノワイヤが、約10nm〜約100nmの平均直径を有する、請求項6に記載の方法。
- 前記ナノワイヤが、約30nm〜約50nmの平均直径を有する、請求項6に記載の方法。
- 前記基材が、炭素系基材である、請求項1に記載の方法。
- 前記基材が、その上に配置される前記触媒粒子を有する粒子の集団を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基材が、黒鉛粒子の集団を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記ナノ構造が、シリコンナノワイヤを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記基材が、複数のシリカ粒子、複数のカーボンシート、炭素粉末、黒鉛、グラフェン、グラフェン粉末、炭素繊維、カーボンナノ構造体、カーボンナノチューブ、カーボンブラック、メッシュ、または織物を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記触媒粒子が、約5nm〜約100nmの平均直径を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記触媒粒子が、約20nm〜約50nmの平均直径を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記触媒粒子が、酸化銅を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化銅が、酸化銅(I)(Cu2O)、酸化銅(II)(CuO)、またはそれらの組み合わせを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記触媒粒子が、元素銅(Cu)、酸化銅(I)(Cu2O)、酸化銅(II)(CuO)、またはそれらの組み合わせを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記触媒粒子が、酢酸銅、硝酸銅、またはキレート剤を含む銅錯体を含む、請求項1に記載の方法。
- 上に配置される触媒粒子を有する多孔質基材を提供することが、銅および/または銅化合物を含むコロイドナノ粒子を合成し、次いで、前記基材上に前記ナノ粒子を堆積させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ粒子が、元素銅(Cu)、酸化銅(I)(Cu2O)、酸化銅(II)(CuO)、またはそれらの組み合わせを含む、請求項20に記載の方法。
- 前記基材が、黒鉛粒子の集団を含む、請求項20に記載の方法。
- 上に配置される触媒粒子を有する多孔質基材を提供することが、前記基材上の銅の無電解堆積を介して、前記基材上に離散粒子を合成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基材が、黒鉛粒子の集団を含む、請求項23に記載の方法。
- 前記基材上での銅の無電解堆積を介して、前記基材上に離散粒子を合成することが、最大10ミリモルの銅イオンを含む無電解めっき液中に前記基材を浸漬することを含む、請求項24に記載の方法。
- 上に配置される触媒粒子を有する多孔質基材を提供することが、銅イオンおよび/または銅錯体を含む溶液中に前記多孔質基材を浸漬し、それによって、前記銅イオンおよび/または前記銅錯体が、前記基材の表面上に吸着し、それによって、前記基材の前記表面上に離散ナノ粒子を形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記溶液が、アルカリ性水溶液である、請求項26に記載の方法。
- 前記基材が、黒鉛粒子の集団を含む、請求項26に記載の方法。
- 前記ナノ構造を成長させることが、VSSまたはVLS合成技術を介してシリコンナノワイヤを成長させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ構造を成長させた後、前記基材および前記ナノ構造を電池スラリーに組み込むことを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ構造を成長させた後、前記基材および前記ナノ構造を電池アノードに組み込むことを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ構造を成長させた後、前記基材および前記ナノ構造を電池に組み込むことを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基材が、黒鉛粒子の集団を含み、前記ナノ構造が、シリコンナノワイヤを含み、ナノ構造成長が終了したときに、シリコンが、前記ナノ構造および前記黒鉛粒子の総重量の2%〜20%を成す、請求項1に記載の方法。
- シリコンナノワイヤを生成するための方法であって、
銅および/または銅化合物を含むコロイドナノ粒子を合成することと、
前記ナノ粒子を基材上に堆積させることと、
前記ナノ粒子から前記ナノワイヤを成長させることと、を含む、方法。 - 前記銅化合物が、酸化銅である、請求項34に記載の方法。
- 前記ナノ粒子が、元素銅(Cu)、酸化銅(I)(Cu2O)、酸化銅(II)(CuO)、またはそれらの組み合わせを含む、請求項34に記載の方法。
- 前記ナノ粒子が、約5nm〜約100nmの平均直径を有する、請求項34に記載の方法。
- 前記ナノ粒子が、約20nm〜約50nmの平均直径を有する、請求項34に記載の方法。
- 多孔質基材と、そこに付着されるシリコンナノワイヤの集団と、を含む、組成物であって、ナノワイヤ部材の一方の端が、前記基材に付着され、前記ナノワイヤ部材の他方の端が、銅、銅化合物、および/または銅合金を含む、組成物。
- 前記ナノワイヤが、約10nm〜約100nmの平均直径を有する、請求項39に記載の組成物。
- 前記ナノワイヤが、約30nm〜約50nmの平均直径を有する、請求項39に記載の組成物。
- 前記基材が、炭素系基材である、請求項39に記載の組成物。
- 前記基材が、粒子の集団を含む、請求項39に記載の組成物。
- 前記基材が、黒鉛粒子の集団を含む、請求項39に記載の組成物。
- 前記基材が、複数のシリカ粒子、複数のカーボンシート、炭素粉末、黒鉛、グラフェン、グラフェン粉末、炭素繊維、カーボンナノ構造体、カーボンナノチューブ、カーボンブラック、メッシュ、または織物を含む、請求項39に記載の組成物。
- 前記ナノワイヤ部材の前記他方の端が、ケイ化銅を含む、請求項39に記載の組成物。
- 前記ナノワイヤが、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非結晶シリコン、またはそれらの組み合わせを含む、請求項39に記載の組成物。
- 前記ナノワイヤが、単結晶コアおよびシェル層を含み、前記シェル層が、非結晶シリコン、多結晶シリコン、またはそれらの組み合わせを含む、請求項39に記載の組成物。
- 前記基材が、黒鉛粒子の集団を含み、シリコンが、ナノ構造および前記黒鉛粒子の総重量の2%〜20%を成す、請求項39に記載の組成物。
- ポリマー結合剤を含む、請求項39に記載の組成物。
- 前記ポリマー結合剤が、カルボキシメチルセルロースである、請求項50に記載の組成物。
- 請求項39に記載の組成物を含む、電池スラリー。
- 請求項39に記載の組成物を含む、電池アノード。
- 請求項39に記載の組成物を含む、電池。
- ナノ粒子を生成する方法であって、
基材を提供することと、
最大10ミリモルの銅イオンを含む無電解めっき液を提供することと、
前記めっき液が実質的に完全に銅イオンを枯渇するまで、前記めっき液中に前記基材を浸漬し、それによって、前記めっき液からの前記銅イオンが、銅および/または銅化合物を含む離散ナノ粒子を前記基材上に形成することと、を含む、方法。 - 前記基材が、粒子の集団を含む、請求項55に記載の方法。
- 前記基材が、黒鉛粒子の集団を含む、請求項56に記載の方法。
- 前記めっき液中に前記基材を浸漬する前に、前記基材を40℃以上に加熱することによって活性化することを含む、請求項57に記載の方法。
- 前記めっき液が実質的に完全に銅イオンを枯渇した後、前記溶液から前記基材粒子を回収するために前記めっき液を濾過することを含む、請求項56に記載の方法。
- 前記めっき液中に前記基材を浸漬する前に、前記基材を活性化することを含む、請求項55に記載の方法。
- 前記めっき液が、銅(II)塩を含む、請求項55に記載の方法。
- 前記めっき液が、ロッシェル塩、EDTA、およびN,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレン−ジアミンのうち1つ以上を含む、請求項55に記載の方法。
- 前記めっき液が、ホルムアルデヒドを含む、請求項55に記載の方法。
- 前記めっき液が、銅(II)塩、ロッシェル塩、およびホルムアルデヒドを含み、かつアルカリ性pHを有する、請求項55に記載の方法。
- 前記銅化合物が、酸化銅を含む、請求項55に記載の方法。
- 前記ナノ粒子が、元素銅(Cu)、酸化銅(I)(Cu2O)、酸化銅(II)(CuO)、またはそれらの組み合わせを含む、請求項55に記載の方法。
- 前記めっき液が実質的に完全に銅イオンを枯渇した後、前記めっき液から前記基材を取り出し、次いで、前記基材上に前記ナノ粒子からナノワイヤを成長させることを含む、請求項55に記載の方法。
- 前記ナノ粒子が、約5nm〜約100nmの平均直径を有する、請求項55に記載の方法。
- 前記ナノ粒子が、約20nm〜約50nmの平均直径を有する、請求項55に記載の方法。
- 前記めっき液が、ホルムアルデヒドを含み、前記方法が、前記めっき液が実質的に完全に銅イオンを枯渇した後、前記溶液の廃棄の前に、亜硫酸ナトリウムを前記めっき液に添加することを含む、請求項55に記載の方法。
- 前記めっき液が実質的に完全に銅イオンを枯渇した後、前記めっき液から前記基材を取り出し、次いで、銅イオンを前記めっき液に添加し、次いで、前記めっき液中に第2の基材を浸漬することを含む、請求項55に記載の方法。
- 銅イオンを前記めっき液に添加することは、銅(II)塩を前記めっき液に添加することを含む、請求項71に記載の方法。
- 前記銅イオンの添加後、前記めっき液が、この場合もやはり、最大10ミリモルの銅イオンを含む、請求項71に記載の方法。
- ナノワイヤを生成するための方法であって、
基材を提供することと、
銅イオンを含む無電解めっき液を提供することと、
前記基材を前記めっき液中に浸漬し、それによって、前記めっき液からの前記銅イオンが、銅および/または銅化合物を含む離散ナノ粒子を前記基材上に形成することと、
前記基材上に前記ナノ粒子から前記ナノワイヤを成長させることと、を含む、方法。 - シリコンナノワイヤを生成するための方法であって、
基材を提供することと、
銅イオンおよび/または銅錯体を含む溶液を提供することと、
前記溶液中に前記基材を浸漬し、それによって、前記銅イオンおよび/または前記銅錯体が、前記基材の表面上に吸着し、それによって、前記基材の前記表面上に離散ナノ粒子を形成することと、
前記基材上に前記ナノ粒子から前記ナノワイヤを成長させることと、を含む、方法。 - 前記ナノ粒子が、約5nm〜約100nmの平均直径を有する、請求項75に記載の方法。
- 前記溶液が、銅(II)塩を含む、請求項75に記載の方法。
- 前記溶液が、水溶液である、請求項75に記載の方法。
- 前記溶液が、アルカリ性pHを有する、請求項78に記載の方法。
- 前記溶液が、キレート剤を含む銅錯体を含む、請求項75に記載の方法。
- 前記溶液が、酒石酸銅(II)、またはエチレンジアミン四酢酸銅を含む、請求項80に記載の方法。
- 前記基材が、黒鉛粒子の集団を含む、請求項75に記載の方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105552339A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-05-04 | 南通彩都新能源科技有限公司 | 一种锂离子电池用硅-碳负极材料的制备方法及其电池 |
KR20180021360A (ko) * | 2016-08-19 | 2018-03-02 | 한양대학교 산학협력단 | 그래핀 섬유 복합체 및 그 제조 방법 |
JP2019026551A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 本田技研工業株式会社 | 銅/酸化銅ナノ結晶の合成のための方法 |
JP2019527187A (ja) * | 2016-07-15 | 2019-09-26 | ワンディー マテリアル エルエルシー | 電池における使用のために炭素系粉末上にシリコンナノワイヤを作るための製造装置および方法 |
JP2021517712A (ja) * | 2018-03-30 | 2021-07-26 | ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・リーランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティ | 高性能電池アノード材料用のシリコン封止 |
US11616225B2 (en) | 2011-07-26 | 2023-03-28 | Oned Material, Inc. | Nanostructured battery active materials and methods of producing same |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130056668A (ko) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | 삼성전자주식회사 | 복합 음극 활물질, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 |
US10483532B2 (en) | 2012-08-07 | 2019-11-19 | Cornell University | Binder-free and carbon-free nanoparticle containing component, methods and applications |
ITVI20130119A1 (it) * | 2013-04-26 | 2014-10-27 | Rosalinda Inguanta | Metodo per l¿accrescimento di nanostrutture in silicio e dispositivo elettrico comprendente tali nanostrutture |
CN106063016A (zh) * | 2014-02-18 | 2016-10-26 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于锂离子电池的石墨烯/he‑ncm复合物、制备所述复合物的方法以及包含所述复合物的电极材料和锂离子电池 |
US10879503B2 (en) * | 2014-07-21 | 2020-12-29 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Methods for the manufacture of flexible microbatteries |
WO2016122006A1 (en) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | Duksan Hi-Metal Co., Ltd. | Core-shell nanowire, method for synthesizing the core-shell nanowire, and transparent electrode and organic light emitting diode including the core-shell nanowire |
KR102441585B1 (ko) * | 2015-02-12 | 2022-09-07 | 삼성전자주식회사 | 광검출 소자 및 그 제조방법과, 이미지 센서 및 그 제조방법 |
FR3034782B1 (fr) * | 2015-04-10 | 2020-07-31 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un produit a nanoelements |
EP3323507B1 (en) | 2015-07-15 | 2021-04-14 | Furukawa Electric Co. Ltd. | Catalyst comprising an integrated base material and a nanocrystalline metal oxide composite, production method therefor, and catalyst component |
EP3323506A4 (en) | 2015-07-15 | 2019-05-08 | Furukawa Electric Co. Ltd. | CATALYST OF A NANOCRYSTAL COMPOUNT FOR HYDROGEN STORAGE / SUPPLY, CATALYST MIXTURE OF A NANOCRYSTAL COMPLEX FOR HYDROGEN STORAGE / SUPPLY AND METHOD OF SUPPLEMENTING HYDROGEN |
WO2017142522A1 (en) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | Daramic, Llc | Improved battery separators which reduce water loss in lead acid batteries and improved lead acid batteries including such improved battery separators |
RU2648329C2 (ru) * | 2016-06-14 | 2018-03-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ получения нитевидных нанокристаллов кремния |
CN106238747A (zh) * | 2016-07-12 | 2016-12-21 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种多级铜/氧化亚铜纳米线材料的制备方法和基于该材料的葡萄糖传感器电极 |
US10312081B2 (en) | 2016-07-15 | 2019-06-04 | University Of Kentucky Research Foundation | Synthesis of metal oxide surfaces and interfaces with crystallographic control using solid-liquid-vapor etching and vapor-liquid-solid growth |
CN106601996B (zh) * | 2017-01-19 | 2023-11-21 | 华南理工大学 | 一种用于锂离子电池的多层纳米复合电极及其制备方法 |
CN106848268A (zh) * | 2017-04-11 | 2017-06-13 | 深圳市贝特瑞新能源材料股份有限公司 | 一种碳‑硅复合材料、其制备方法及用途 |
KR102374121B1 (ko) * | 2017-08-02 | 2022-03-14 | 삼성전자주식회사 | 나노입자형 구조체에 내장된 위상구조 양자 프레임워크, 이를 포함하는 복합음극활물질, 음극, 리튬전지, 반도체, 소자 및 이의 제조 방법 |
GB201803983D0 (en) | 2017-09-13 | 2018-04-25 | Unifrax I Llc | Materials |
WO2019060503A2 (en) * | 2017-09-20 | 2019-03-28 | eChemion, Inc. | FABRICATION OF IMPROVED MATERIALS OF BIPOLAR METALLIC PLATE BASED ON GRAPHITE |
KR20200083536A (ko) * | 2017-10-31 | 2020-07-08 | 테크놀로지 이노베이션 모멘텀 펀드 (이스라엘) 리미티드 파트너쉽 | 나노 구조화된 복합 전극 및 이의 제조방법 |
RU2666857C1 (ru) * | 2017-11-08 | 2018-09-12 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ") | Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе нанокристаллической целлюлозы и сегнетовой соли |
KR102267872B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2021-06-24 | 지오라 토파즈 파우더 코팅 (2007) 엘티디. | 용액 내 실리콘 나노와이어 및 플레이트의 무전해 제조 |
CN109494371B (zh) * | 2018-11-15 | 2021-04-09 | 合肥国轩高科动力能源有限公司 | 一种锂离子电池纳米管状LiFePO4薄膜材料的制备方法 |
CN110556535A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-10 | 上海理工大学 | 一种柔性三维金属锂负极材料的制备方法 |
TWI740400B (zh) | 2020-03-02 | 2021-09-21 | 力哲科技股份有限公司 | 電池材料及其製備方法 |
CN111807314A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-10-23 | 南开大学 | 快速杀菌大接触表面的氧化铜纳米晶须材料 |
CA3224061A1 (en) | 2021-05-28 | 2022-12-01 | Olga Burchak | Process for the production of silicon-carbon composite materials |
WO2023139100A1 (en) | 2022-01-21 | 2023-07-27 | Enwires | Method for the preparation of a material comprising silicon nanowires and copper |
CN114540802B (zh) * | 2022-01-27 | 2023-12-01 | 江阴纳力新材料科技有限公司 | 低能耗制备复合集流体的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007186416A (ja) * | 2006-01-14 | 2007-07-26 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | シリコンワイヤの製造方法 |
JP2008523565A (ja) * | 2004-12-09 | 2008-07-03 | ナノシス・インク. | 燃料電池用のナノワイヤベースの膜電極接合体 |
JP2010260170A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-18 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | シリコン及び/又はゲルマニウムナノワイヤの組立方法 |
US20100297502A1 (en) * | 2009-05-19 | 2010-11-25 | Nanosys, Inc. | Nanostructured Materials for Battery Applications |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4136216A (en) | 1975-08-26 | 1979-01-23 | Surface Technology, Inc. | Non-precious metal colloidal dispersions for electroless metal deposition |
US4171225A (en) | 1976-01-23 | 1979-10-16 | U.S. Philips Corporation | Electroless copper plating solutions |
JPS54156553A (en) | 1978-05-30 | 1979-12-10 | Takashi Mori | Sash window for collecting solar light |
US4400436A (en) | 1980-06-30 | 1983-08-23 | Ppg Industries, Inc. | Direct electroless deposition of cuprous oxide films |
JPS6077793A (ja) | 1983-10-06 | 1985-05-02 | 株式会社日立製作所 | 洗濯機の稼動方法 |
JPS6142362U (ja) | 1985-07-18 | 1986-03-18 | 日本精工株式会社 | 緊急ロツク解除機構付シ−トベルト巻取装置 |
JPS6345834U (ja) | 1986-09-12 | 1988-03-28 | ||
US6036774A (en) | 1996-02-26 | 2000-03-14 | President And Fellows Of Harvard College | Method of producing metal oxide nanorods |
US5897945A (en) | 1996-02-26 | 1999-04-27 | President And Fellows Of Harvard College | Metal oxide nanorods |
US5677082A (en) | 1996-05-29 | 1997-10-14 | Ucar Carbon Technology Corporation | Compacted carbon for electrochemical cells |
US5997832A (en) | 1997-03-07 | 1999-12-07 | President And Fellows Of Harvard College | Preparation of carbide nanorods |
US6479030B1 (en) | 1997-09-16 | 2002-11-12 | Inorganic Specialists, Inc. | Carbon electrode material |
US6303266B1 (en) | 1998-09-24 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin useful for resist, resist composition and pattern forming process using the same |
US6306736B1 (en) | 2000-02-04 | 2001-10-23 | The Regents Of The University Of California | Process for forming shaped group III-V semiconductor nanocrystals, and product formed using process |
US6225198B1 (en) | 2000-02-04 | 2001-05-01 | The Regents Of The University Of California | Process for forming shaped group II-VI semiconductor nanocrystals, and product formed using process |
US7301199B2 (en) | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
MXPA03001605A (es) | 2000-08-22 | 2005-06-20 | Harvard College | Semiconductores alargado impurificados, desarrollo de tales semiconductores, dispositivos que los incluyen y fabricacion de dichos dispositivos. |
US6882051B2 (en) | 2001-03-30 | 2005-04-19 | The Regents Of The University Of California | Nanowires, nanostructures and devices fabricated therefrom |
US20040026684A1 (en) | 2002-04-02 | 2004-02-12 | Nanosys, Inc. | Nanowire heterostructures for encoding information |
US6872645B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-03-29 | Nanosys, Inc. | Methods of positioning and/or orienting nanostructures |
US7067867B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-06-27 | Nanosys, Inc. | Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
CN1150997C (zh) | 2002-12-27 | 2004-05-26 | 浙江大学 | 在碳纳米管表面负载纳米单金属粒子的方法 |
CN1249276C (zh) * | 2003-07-11 | 2006-04-05 | 华中师范大学 | 化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜晶须的方法 |
JP4298704B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2009-07-22 | ハリマ化成株式会社 | 乾燥粉末状の金属微粒子ならびに金属酸化物微粒子とその用途 |
US20110039690A1 (en) | 2004-02-02 | 2011-02-17 | Nanosys, Inc. | Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production |
US7553371B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-06-30 | Nanosys, Inc. | Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production |
KR20070011550A (ko) | 2004-04-30 | 2007-01-24 | 나노시스, 인크. | 나노와이어 성장 및 획득 시스템 및 방법 |
US7842432B2 (en) | 2004-12-09 | 2010-11-30 | Nanosys, Inc. | Nanowire structures comprising carbon |
US20080312070A1 (en) * | 2005-05-12 | 2008-12-18 | Peter Cade Talbot | Method for Making a Material |
JP2008544529A (ja) | 2005-06-17 | 2008-12-04 | イルミネックス コーポレーション | 光発電ワイヤ |
KR101390619B1 (ko) | 2005-11-21 | 2014-04-30 | 나노시스, 인크. | 탄소를 포함하는 나노배선 구조체 |
KR100778011B1 (ko) | 2005-12-06 | 2007-11-28 | 한국과학기술원 | 자기조립 초분자체를 이용한 금속 나노와이어 어레이의제조방법 |
WO2007133271A2 (en) | 2005-12-29 | 2007-11-22 | Nanosys, Inc. | Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates |
JP2008019461A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Fujifilm Corp | 金属ナノ粒子の製造方法、金属ナノ粒子及び金属ナノ粒子分散物 |
KR20090087467A (ko) | 2006-11-07 | 2009-08-17 | 나노시스, 인크. | 나노와이어 성장 시스템 및 방법 |
US20080135089A1 (en) | 2006-11-15 | 2008-06-12 | General Electric Company | Graded hybrid amorphous silicon nanowire solar cells |
GB0713898D0 (en) * | 2007-07-17 | 2007-08-29 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silcon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
KR20100072184A (ko) * | 2007-08-14 | 2010-06-30 | 유니베르시테 리브레 드 브룩크젤즈 | 지지체에 나노입자를 퇴적시키는 방법 |
KR101073853B1 (ko) | 2008-12-29 | 2011-10-17 | 도레이첨단소재 주식회사 | 기재 상에 나노 구조체로 이루어진 망상 필름의 제조 방법 및 그에 따라 제조된 나노 구조체 망상 필름이 구비된 기재 |
JP5686988B2 (ja) | 2009-05-04 | 2015-03-18 | シャープ株式会社 | 燃料電池用膜電極複合体に用いられる触媒層、それを用いる燃料電池用膜電極複合体、燃料電池、およびその製造方法 |
US20100285358A1 (en) * | 2009-05-07 | 2010-11-11 | Amprius, Inc. | Electrode Including Nanostructures for Rechargeable Cells |
US8623288B1 (en) | 2009-06-29 | 2014-01-07 | Nanosys, Inc. | Apparatus and methods for high density nanowire growth |
US9138965B2 (en) * | 2009-10-30 | 2015-09-22 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Conductive fibrous materials |
WO2011060024A2 (en) | 2009-11-11 | 2011-05-19 | Amprius, Inc. | Open structures in substrates for electrodes |
CN101791538A (zh) | 2010-03-17 | 2010-08-04 | 上海大学 | 用负载氧化铜介孔碳材料去除水溶液中酚的方法 |
EP2736837B1 (en) | 2011-07-26 | 2021-09-29 | OneD Material, Inc. | Method for producing silicon nanowires |
KR20130037091A (ko) * | 2011-10-05 | 2013-04-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극 활물질 및 이를 채용한 리튬 전지 |
CN102530931B (zh) * | 2011-12-14 | 2014-04-02 | 天津大学 | 基于石墨烯的纳米复合材料及其制备方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008523565A (ja) * | 2004-12-09 | 2008-07-03 | ナノシス・インク. | 燃料電池用のナノワイヤベースの膜電極接合体 |
JP2007186416A (ja) * | 2006-01-14 | 2007-07-26 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | シリコンワイヤの製造方法 |
JP2010260170A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-18 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | シリコン及び/又はゲルマニウムナノワイヤの組立方法 |
US20100297502A1 (en) * | 2009-05-19 | 2010-11-25 | Nanosys, Inc. | Nanostructured Materials for Battery Applications |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11616225B2 (en) | 2011-07-26 | 2023-03-28 | Oned Material, Inc. | Nanostructured battery active materials and methods of producing same |
US11967707B2 (en) | 2011-07-26 | 2024-04-23 | Oned Material, Inc. | Nanostructured battery active materials and methods of producing same |
CN105552339A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-05-04 | 南通彩都新能源科技有限公司 | 一种锂离子电池用硅-碳负极材料的制备方法及其电池 |
JP2019527187A (ja) * | 2016-07-15 | 2019-09-26 | ワンディー マテリアル エルエルシー | 電池における使用のために炭素系粉末上にシリコンナノワイヤを作るための製造装置および方法 |
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US11728477B2 (en) | 2016-07-15 | 2023-08-15 | Oned Material, Inc. | Manufacturing apparatus and method for making silicon nanowires on carbon based powders for use in batteries |
KR20180021360A (ko) * | 2016-08-19 | 2018-03-02 | 한양대학교 산학협력단 | 그래핀 섬유 복합체 및 그 제조 방법 |
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JP2019026551A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 本田技研工業株式会社 | 銅/酸化銅ナノ結晶の合成のための方法 |
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