JP2014524139A - 酸化物表面でなくベアシリコンへのポリマー膜の選択的堆積 - Google Patents
酸化物表面でなくベアシリコンへのポリマー膜の選択的堆積 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014524139A JP2014524139A JP2014514466A JP2014514466A JP2014524139A JP 2014524139 A JP2014524139 A JP 2014524139A JP 2014514466 A JP2014514466 A JP 2014514466A JP 2014514466 A JP2014514466 A JP 2014514466A JP 2014524139 A JP2014524139 A JP 2014524139A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- substrate
- gas
- region
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 77
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 34
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims 2
- -1 carbon ions Chemical class 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 62
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/3115—Doping the insulating layers
- H01L21/31155—Doping the insulating layers by ion implantation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
シリコン基板に形成されたベアシリコンの領域と酸化物の領域とを有するシリコン基板への選択的堆積の方法。この方法は、基板を処理チャンバの内部のウエハ支持体に載置することと、炭素含有ガスをリアクタに導入することと、バイアスを基板に印加することと、炭化含有ガスからプラズマを発生させることと、プラズマドーピングプロセスによって炭素イオンを基板上の酸化物の領域に注入することと、炭素含有膜をベアシリコン領域に堆積させることとを含む。
Description
本発明の実施形態は、一般に、基板への選択的堆積に関する。
より速い集積回路を可能にするために集積回路の形状寸法が減少されるにつれて、膜の高度に選択的な堆積の必要性が増大している。時には、形状寸法が非常に減少されることがあるので、マスキング層のエッチングを実行できないことがある。そのような場合、マスキング層の選択的堆積が、マスキング層をエッチングする必要性を減少させるために望ましい。
いくつかの状況では、例えば、下準備処理を受けたデバイス（メモリまたは論理デバイスなど）は、その表側に形成された酸化物領域およびシリコン領域を有することがある。酸化物領域は、ゲート、ビア、コンタクト孔、または相互接続ラインを形成するために後続のエッチングを必要とすることがあり、一方、シリコン領域はエッチング液からマスクされる必要があることがある。典型的には、ポリマー膜を堆積し、次に、エッチングして、基板のシリコン領域の上にマスキング層を形成することができる。しかし、小さい形状寸法が含まれている場合、エッチングは、時には、実行することができない。それ故に、基板上にポリマー被覆のマスク化層を直接製作する必要があり、ポリマーはマスクされる必要がある区域にのみ選択的に堆積され、その結果、堆積の後のポリマー層のエッチングは必要でなくなる。理想的には、ある領域はポリマーで覆うことができ、基板の他の領域はむき出しのままとすることができる。
本発明の実施形態は、一般に、基板への選択的堆積に関する。１つの実施形態では、ポリマー膜の選択的堆積の方法が提供され、この方法は、基板の表面にシリコンの領域と酸化物の領域とを有する基板を用意することと、基板を処理チャンバに載置することと、炭化水素ガスを処理チャンバに導入することと、プラズマ浸漬イオン注入などのプラズマドーピングプロセスを使用して炭素含有層を基板のシリコンの領域に堆積させることとを含む。
１つの実施形態では、選択的堆積の方法は、基板の表面にシリコン領域と酸化物領域とを有する基板を含むことができる。基板は、処理チャンバ内の基板支持体に載置することができ、その後、基板は電気的にバイアスされうる。基板が所望のレベルにバイアスされると、炭化水素ガスを処理チャンバに導入することができる。次に、炭化水素ガスは、プラズマ浸漬イオン注入などのプラズマドーピングプロセスを使用して、シリコン領域に炭素含有層として堆積され、基板の酸化物領域に注入されうる。
別の実施形態では、基板の非酸化物含有領域への選択的堆積の方法は、基板の表面にシリコンの領域と酸化物の領域とを有することができる基板を用意することを含むことができる。基板は、電気的にバイアスをかけることができる処理チャンバに載置することができる。炭化水素ガスを処理チャンバに導入することによって、基板におけるバイアスの増加により、炭素含有層を露出したシリコンの領域上および中に堆積させながら、同時に酸化物領域中に堆積させることができる。
本発明の上述で列挙した特徴を詳細に理解できるように、上述で簡単に要約した本発明のより詳細な説明を実施形態を参照して行うことができ、実施形態のいくつかを添付図面に示す。
理解を容易にするために、図に共通である同一の要素を指定するのに可能ならば同一の参照番号が使用されている。ある実施形態の要素および特徴は、さらなる詳説なしに他の実施形態に有利に組み込むことができると考えられる。
しかし、添付図面は本発明の例示的な実施形態のみを示し、それ故に、本発明は他の同等に有効な実施形態を認めてもよいので添付図面が本発明の範囲を限定すると考えるべきでないことに留意されるべきである。
本発明の実施形態は、一般に、シリコン基板に形成されたベアシリコンの領域と酸化物の領域とを有するシリコン基板へのポリマー膜の選択的堆積の方法に関する。１つの実施形態では、この方法は、基板を処理チャンバの内部のウエハ支持体に載置することと、炭素含有ガス（ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ６、またはＣ３Ｈ８などの）をリアクタに導入することと、バイアスを基板に印加することと、炭化水素ガスからプラズマを発生させることと、プラズマドーピングプロセスによって炭素イオンを基板に注入することであり、炭素含有膜が酸化物領域ではなくベアシリコン領域に堆積される、注入することとを含む。
図１Ａは、本発明の１つの実施形態によるイオン注入プロセスを実施するために利用することができる処理チャンバ１００を示す。プラズマ浸漬イオン注入プロセスを実施することができる１つの好適なリアクタは、カリフォルニア州、サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．から入手可能なＰ３ｉ（登録商標）リアクタである。本明細書で説明する方法は、他の製造業者からのものを含めて他の好適に適合されたプラズマリアクタで実施することができることが考えられる。
処理チャンバ１００は、プロセス領域１０４を囲む底部１２４、上部１２６、および側壁１２２を有するチャンバ本体１０２を含む。基板支持アセンブリ１２８は、チャンバ本体１０２の底部１２４から支持され、処理のために基板１０６を受け取るように構成される。基板は、適宜、静電チャック上に支持することができる。ガス分配プレート１３０は、基板支持アセンブリ１２８に面するチャンバ本体１０２の上部１２６に結合される。排出口１３２はチャンバ本体１０２に画定され、真空ポンプ１３４に結合される。真空ポンプ１３４は、絞り弁１３６を通して排出口１３２に結合される。プロセスガス源１５２はガス分配プレート１３０に結合されて、基板１０６上で行われるプロセスのためのガス状前駆体化合物を供給する。
図１Ａに示した処理チャンバ１００はプラズマソース１９０をさらに含み、プラズマソース１９０は図１Ｂの斜視図に最もよく示される。プラズマソース１９０は、チャンバ本体１０２の上部１２６の外側に取り付けられ、互いに交差して配置された（すなわち、図１Ｂに示した例示的な実施形態のように互いに直交した）１対の別個の外部内曲導管（第１の外部内曲導管１４０、第２の外部内曲導管１４０’）を含む。第１の外部内曲導管１４０は、上部１２６に形成された開口１９８を通って、チャンバ本体１０２のプロセス領域１０４の第１の側に結合された第１の端部１４０ａを有する。第２の端部１４０ｂは、プロセス領域１０４の第２の側に結合された開口１９６を有する。第２の外部内曲導管１４０’は、プロセス領域１０４の第３の側に結合された開口１９４を有する第１の端部１４０ａ’と、プロセス領域１０４の第４の側に結合された開口１９２を有する第２の端部１４０ｂ’とを有する。１つの実施形態では、第１の外部内曲導管１４０および第２の外部内曲導管１４０’は互いに直交するように構成され、それによって、チャンバ本体１０２の上部１２６の周辺のまわりに約９０度の間隔で配置された、それぞれ、第１の外部内曲導管１４０および第２の外部内曲導管１４０’の各々の第１の端部１４０ａ、第２の端部１４０ｂ、および第１の端部１４０ａ’、第２の端部１４０ｂ’を備える。第１の外部内曲導管１４０および第２の外部内曲導管１４０’の直交構成により、プラズマソースはプロセス領域１０４の端から端まで均一に分配することができる。第１の外部内曲導管１４０および第２の外部内曲導管１４０’は、プロセス領域１０４への均一プラズマ分配を行うのに利用される他の分配として構成することができることが考えられる。
透磁性トロイダル磁心１４２、１４２’が、第１の外部内曲導管１４０および第２の外部内曲導管１４０’の対応するものの一部分を囲む。導電性コイル１４４、１４４’は、それぞれのインピーダンス整合回路または素子１４８、１４８’を通してそれぞれのＲＦプラズマソース電力ジェネレータ１４６、１４６’に結合される。第１の外部内曲導管１４０および第２の外部内曲導管１４０’の１つずつは、それぞれ、それぞれの第１の外部内曲導管１４０および第２の外部内曲導管１４０’の第１の端部１４０ａおよび第２の端部１４０ｂ（ならびに第１の端部１４０ａ’および第２の端部１０４ｂ’）の間の普通なら連続的であるはずの電気経路を遮断する絶縁環状リング１５０、１５０’によって遮断された中空導電性管である。基板表面のイオンエネルギーは、インピーダンス整合回路または素子１５６を通して基板支持アセンブリ１２８に結合されたＲＦプラズマバイアス電力ジェネレータ１５４によって制御される。
図１Ａに戻って参照すると、プロセスガス源１５２から供給されるガス状化合物を含むプロセスガスが、ガス分配プレート１３０を通してプロセス領域１０４に導入される。透磁性トロイダル磁心１４２、１４２’の一方が導電性コイル１４４、１４４’の一方と結合して、電力アプリケータを形成する。ＲＦプラズマソース電力ジェネレータ１４６は、電力アプリケータ（透磁性トロイダル磁心１４２および導電性コイル１４４）から、第１の外部内曲導管１４０に供給されるガスに結合され、それにより、第１の外部内曲導管１４０およびプロセス領域１０４を含む第１の閉じたトロイダル経路に循環プラズマ電流が生成される。さらに、ＲＦプラズマソース電力ジェネレータ１４６’は、他の電力アプリケータ（透磁性トロイダル磁心１４２’および導電性コイル１４４’）から、第２の外部内曲導管１４０’内のガスに結合され、それにより、第１のトロイダル経路と交差する（例えば、直交する）第２の閉じたトロイダル経路に循環プラズマ電流が生成される。第２の閉じたトロイダル経路には、第２の外部内曲導管１４０’およびプロセス領域１０４が含まれる。経路の各々のプラズマ電流は、互いに同じであるかまたはわずかにオフセットされることがあるそれぞれのＲＦプラズマソース電力ジェネレータ１４６、１４６’の周波数で振動する（例えば逆方向）。
１つの実施形態では、プロセスガス源１５２は、基板１０６に注入されるイオンを支給するのに利用することができるプロセス混合ガスを支給することができる。本明細書で開示する方法のために、プロセスガスの好適な例には、数ある中で、メタン（ＣＨ４）、エテン（Ｃ２Ｈ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、およびプロパン（Ｃ３Ｈ８）などの炭素含有ガスが含まれる。いくつかの実施形態では、プロセス混合ガスは、Ｈ２、Ｈｅ、またはＡｒなどの希釈ガスをさらに含むことができる。各ＲＦプラズマソース電力ジェネレータ１４６、１４６’の電力は、それらの組合せ効果がプロセスガス源１５２から供給されるプロセスガスを効率的に解離し、基板１０６の表面に所望のイオンフラックスを生じさせるように操作される。ＲＦプラズマバイアス電力ジェネレータ１５４の電力は、プロセスガスから解離されたイオンが基板表面の方に加速され、基板１０６の上面の下方に所望の深さに所望のイオン濃度で注入されうる選択したレベルに制御される。例えば、約５００Ｗ未満などの相対的に低いＲＦ電力では、イオンは相対的に低いエネルギーで励起される。低いエネルギーのイオンは、基板表面から約１００Å未満の浅い深さに注入されうる。代替として、約３０００Ｗよりも高いなどの高いバイアスＲＦ電力から支給かつ発生された高エネルギーをもつイオンは、基板表面から１００Åを実質的に超える深さを有するように基板に注入することができる。
制御されたＲＦプラズマソース電力およびＲＦプラズマバイアス電力の組合せにより、処理チャンバ１００内で十分な運動量と所望のイオン分布とを有する混合ガス中の炭素イオンが解離される。イオンはバイアスをかけられ、基板表面に向けて動かされ、それによって、イオンは、基板の平坦面および側壁面の両方の酸化物領域に所望のイオン濃度、分布、および基板表面からの深さで注入される。注入された炭素イオンの深さおよび濃度は基板表面に印加されたエネルギーの量で制御され、エネルギーの量はバイアス電力で制御することができる。
図２は、本明細書で説明する選択的堆積の前後の基板の表層の簡単化した垂直断面図を示す。図３は、プラズマドーピングプロセスによって、基板のベアシリコン領域に炭素含有層を堆積し、炭素イオンを基板の酸化物領域に注入するための方法３００のプロセス流れ図を示す。方法３００は、図１Ａおよび１Ｂで説明したように、処理チャンバ１００などのプラズマ浸漬イオン注入処理チャンバ内で行うことができる。方法３００は、ステップ３０２において、基板の表面にベアシリコン領域（図２の２１１を参照）および酸化物領域（図２の２１０を参照）を有する基板を浸漬イオン注入処理チャンバ内に導入することによって始まる。基板は、結晶シリコン、ストレインドシリコン（ＩＢＭが開発したもの）、シリコンゲルマニウム、ドープもしくはアンドープポリシリコン、ドープもしくはアンドープシリコンウエハ、またはドープシリコンなどの材料とすることができる。基板は、２００ｍｍまたは３００ｍｍ直径ウエハなどの様々な寸法、ならびに長方形または正方形区画を有することができる。特に言及しない限り、本明細書で説明する実施形態および例は、３００ｍｍ直径を有する基板に対して行われる。
１つの実施形態では、基板１０６は化学機械研磨（ＣＭＰ）適用などの下準備処理を受けたウエハとすることができ、酸化物層が、当技術分野で既知の技法を使用して、ベアシリコンウエハに堆積され、パターニングまたはエッチングされており、その結果、ウエハはその表側にベアシリコン領域２１１および酸化物領域２１０を有する。酸化物は、例えば、酸化ケイ素または酸化ゲルマニウムを含むことができる。簡単にするために、ウエハの最上層のみが図２に示されており、下層は、たとえあっても、示されていない。
ステップ３０４において、後続の堆積および注入プロセス用のイオン種を支給するために、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ６、およびＣ３Ｈ８などの炭素含有ガスが処理チャンバ１００に供給される。１つの実施形態では、炭素含有ガスは１分子当たり５つ以下の炭素原子を有する炭化水素とすることができる。炭素含有ガスは、プロセスガス源１５２からガス分配プレート１３０に、図１Ａで説明したように、または他の好適な手段で供給することができる。炭素含有ガスは、堆積されるべき炭素を基板のベアシリコン領域に、および注入されるべき所望のイオンを基板の酸化物領域に支給する。１つの実施形態では、処理チャンバ１００に供給されるガスは、炭素堆積プロファイルをより良好に制御するためにＨ２、Ｈｅ、またはＡｒなどの希釈ガスをさらに含むことができる。処理チャンバ１００内の希釈ガスは、より良好な炭素堆積プロファイル制御をもたらし、混合ガス中のイオン衝撃を促進し、それによって、プロセスガス衝突の可能性を効率的に増加させ、その結果、イオン種の再結合の減少をもたらすことができる。
ステップ３０６において、プラズマドーピングプロセスを行って、図２に示すように、ステップ３０４において混合ガスから発生されたイオンを基板の酸化物領域２１０に注入し、炭素含有膜２１３を基板のベアシリコン領域２１１に堆積させる。ＲＦソース電力を印加して、処理チャンバ１００内で混合ガスからプラズマを発生させる。発生したプラズマは、処理チャンバ１００内で混合ガスをイオン種として解離する。ＲＦバイアス電力を、プラズマソースに印加されるＲＦソース電力と一緒に基板に印加して、解離されるイオン種を混合ガスから解離し、酸化物領域において基板表面から所望の深さの方におよびその中に動かすことができる。
一般に、基板に供給されるバイアス電力がない場合、炭素含有層は、露出したシリコン表面および酸化物表面の両方に同様に堆積することができる。ある実施形態では、プラズマ浸漬（注入）エネルギーが、３０００〜４０００Ｗの電力にバイアスされた基板に対応する６ｋＶ〜８ｋＶであった場合の一定のプロセス時間において、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）画像の示すところによれば、Ｓｉ表面は少なくとも４０Åの厚さをもつポリマー層を有していたが、酸化物表面はその上に堆積されたポリマーを有していなかった。別の実施形態では、試料がより高いエネルギーおよびより長い処理時間で処理された場合のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）の測定の下で、ベアシリコン表面は１００Åを超える炭素含有層形成を有していたが、一方、酸化物表面は依然として検出可能なポリマー形成を有していなかった。すべての他の条件を一定のままにした状態で処理時間を４倍に増加してさえ、炭素含有層は酸化物層上に検出されなかった。
処理チャンバ１００に印加されるＲＦソース電力およびバイアス電力を所望のエネルギーレベルに制御することができ、それによって、イオン種を解離させ、基板の酸化物領域に所望の濃度および深さでドープさせることができる。ＲＦソース電力を増加させると、一般に、プロセスガスのイオン化の増加により堆積または注入に利用可能な炭素の量が増加する。ＲＦバイアス電力を増加させると、一般に、基板の酸化物領域への炭素の注入深さが増加する。減少したＲＦバイアスを使用するか、またはＲＦバイアスを使用しない場合、炭素は、酸化物領域への注入ではなく酸化物領域上に単に堆積することができることに留意されたい。加えて、相対的により大きいＲＦバイアス下で、炭素は、ベアシリコン領域への堆積に加えてまたは代替として、ベアシリコン領域に注入することができる。図２に示すように、本明細書で説明する選択的堆積方法に由来する基板はベアシリコン領域２１１に炭素含有膜２１３を有することになり、酸化物領域２１２は露出されることになる。
１つの実施形態では、ソースＲＦ電力は、約１３．５６ＭＨｚの周波数で約１００ワットと約１０００ワットとの間に維持することができる。１つの実施形態では、バイアスＲＦをオンにした後、ソースＲＦをオフ（０Ｗの電力）にすることができ、安定したプラズマを達成することができる。バイアスＲＦ電力は、約２ＭＨｚの周波数で約１００ワットと約５０００ワットとの間に維持することができる。１つの実施形態では、ソースＲＦ電力は４００Ｗ（１３．５６ＭＨｚで）とすることができ、かつバイアス電力は４０００Ｗ（２ＭＨｚで）とすることができる。
いくつかのプロセスパラメータは、ステップ３０６におけるプラズマドーピングプロセス中に調整することもできる。１つの実施形態では、チャンバ圧力は、約５ｍＴｏｒｒと約１５ｍＴｏｒｒとの間に維持することができる。チャンバ圧力が高いほど、基板のベアシリコン領域に堆積される炭素含有膜は厚くなりうる。チャンバ温度は、摂氏約５０度と摂氏約９０度との間に維持することができる。ウエハ温度は、静電チャックを使用して制御することができ、摂氏約０度と摂氏約１００度との間に維持することができる。１つの実施形態では、チャンバ圧力は７ｍＴｏｒｒとすることができ、チャンバ温度は摂氏６５度とすることができ、かつウエハ温度は摂氏３０度とすることができる。
ステップ３０４において供給された反応ガスと希釈ガスとの間の混合ガス流量および／または混合ガス流量比は、各タイプのガス間の解離したイオン種の相対量を制御するように選択することができる。選択された混合ガス流量および／または流量比により、混合ガスは、異なる種類のイオン種間で所定の量および／または比で解離することができ、それによって、処理チャンバ内に過剰量のあるタイプのイオンが発生し、その結果、不要な副反応および／または基板への望ましくない膜の形成がもたらされることが防止される。例えば、水素、ヘリウム、またはアルゴンイオンなどの過剰量のあるタイプのイオン種は基板表面をスパッタし衝撃を与え、それによって、基板表面を損傷および粗化することがある。
１つの実施形態では、炭素含有ガスと希釈ガスとの流量比は、約１：２０と約１：０．５との間に制御することができる。１つの実施形態では、炭素含有ガスは、約１０ｓｃｃｍと約５０ｓｃｃｍとの間などの約２ｓｃｃｍと約１００ｓｃｃｍとの間のレートで処理チャンバに流れ込むことができる。希釈ガスは、約５０ｓｃｃｍと約１００ｓｃｃｍとの間などの約２０ｓｃｃｍと約２００ｓｃｃｍとの間のレートで処理チャンバに流れ込むことができる。
本発明の例示的な実施形態では、混合ガスはＣＨ４およびＨ２を含むことができる。１つの実施形態では、ＣＨ４ガスとＨ２ガスとは約１：９の流量比を有することができる。ＣＨ４ガスは１０ｓｃｃｍのレートで供給することができ、かつＨ２ガスは９０ｓｃｃｍのレートで供給することができる。本発明の別の例示的な実施形態では、混合ガスはＣＨ４およびＨｅを含むことができる。１つの実施形態では、ＣＨ４ガスとＨｅガスとは、１：９などの約１：２０と約１：１との間の流量比を有することができる。３００ｍｍの基板では、ＣＨ４ガスは１０ｓｃｃｍのレートで供給することができ、かつＨｅガスは９０ｓｃｃｍのレートで供給することができる。いずれの実施形態のソースＲＦ電力も約１００ワットと約１０００ワットとの間に制御することができ、かつバイアスＲＦ電力は約１００ワットと約５０００ワットとの間に制御することができる。
本発明による別の例示的な実施形態では、炭素含有ガスのみを供給することができる。例えば、５０ｓｃｃｍのＣＨ４を希釈ガスなしで供給することができる。ソースＲＦ電力は約１００ワット、および約５０ワットと約１０００ワットとの間に制御することができ、かつバイアスＲＦ電力は約１００ワットと約５０００ワットとの間に制御することができる。
図４は、本明細書で開示した方法を使用して処置された基板の酸化物領域における元素の濃度対深さを示す二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）プロファイルである。酸化物層が結晶シリコン基板上に形成された。次に、基板は本明細書で説明した方法を使用してメタンに曝された。図４に示すように、炭素が酸化物層と基板とに注入された。炭素含有膜は酸化物層の上に堆積されなかった。さらに、酸化物層とのインターフェースの近くの結晶シリコンのいくらかは注入された水素に起因してアモルファスになった。
図５は、本明細書で説明した選択的堆積方法を受けたベアシリコン基板（酸化物領域を有していない）に対するＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定されたときの元素の原子パーセントのグラフである。堆積の後、ケイ素信号は検出されていない。代わりに、基板表面は、高い原子パーセント（約８０％）の炭素を有しており、それは、厚さが少なくとも５０Åの厚さを有する炭素含有膜がベアシリコン基板の表面に堆積されたことを示している。２０％の原子パーセントの酸化物は、シリコンに以前から存在している自然酸化物の結果（例えば、周囲空気に基板を曝した結果）である。
限られたデータが示すところによれば、ベアシリコン領域上の堆積対酸化物領域上の堆積の比は１：１から約２０：１であった。バイアスＲＦ電力（プラズマ浸漬エネルギー）は、選択性を最適化する主要基準である。ソース電力を増加すると、シリコン領域および酸化物領域の両方への侵入が増加すると考えられるので、ソースＲＦ電力は、やはり、選択性変更に影響を及ぼすことができる。
このように、ベアシリコン領域および酸化物領域を有する基板の上へのプラズマドーピングプロセスによる炭素含有膜の選択的堆積の方法が行われる。改善した方法は、有利には、炭素含有膜を、それが最終的に望まれる区域にのみ選択的に堆積させ、その結果、堆積の後のポリマー層のパターニングは必要でない。これは、時にはパターニングを実行することができない小さい形状寸法を有する集積回路の製作に有用である。基板上のベアシリコンの領域は、ポリマーで覆い、さらなる処理から保護することができ、一方、基板上の酸化物領域は露出したままとすることができる。
前述は本発明の実施形態に関するが、本発明の基本範囲から逸脱することなく本発明の他のおよびさらなる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
Claims (15)
- 炭素含有ガスから発生された炭素含有イオンから基板のシリコン領域に炭素含有層を選択的に堆積させることであり、前記基板が少なくとも１つのシリコン領域と少なくとも１つの酸化物領域とを含む、選択的に堆積させることと、
前記基板の前記酸化物領域に炭素含有イオンを選択的に注入することと
を含む堆積の方法。 - 前記炭素含有ガスが、５つ以下の炭素原子を有する分子を含む、請求項１に記載の方法。
- チャンバ圧力が、約５ｍＴｏｒｒと約１５ｍＴｏｒｒとの間に維持される、請求項１に記載の方法。
- 前記炭素含有ガスを希釈ガスで希釈することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
- 炭素含有ガス対希釈ガスの比が、約１：２０と約１：０．５との間にある、請求項４に記載の方法。
- 前記基板に電気的にバイアスをかけることをさらに含み、前記電気バイアスが、前記炭素含有イオンの前記酸化物層への注入の深さを増加させるように増加される、請求項１に記載の方法。
- 炭素含有ガスから発生された炭素含有イオンから基板のシリコン領域に炭素含有層を選択的に堆積させることであり、前記基板が少なくとも１つのシリコン領域と少なくとも１つの酸化物領域とを含む、選択的に堆積させることと、
前記炭素含有イオンの少なくとも一部分を前記シリコン領域および前記酸化物領域の両方に注入することと
を含む堆積の方法。 - 前記炭素含有ガスが、５つ以下の炭素原子を有する分子を含む、請求項７に記載の方法。
- チャンバ圧力が、約５ｍＴｏｒｒと約１５ｍＴｏｒｒとの間に維持されうる、請求項７に記載の方法。
- 前記基板に電気的にバイアスをかけることをさらに含む、請求項７に記載の方法。
- 前記電気バイアスがＲＦ電源を使用する、請求項１０に記載の方法。
- 前記電気バイアスは、プロセスガスから解離されたイオンが前記基板表面の方に加速され、基板の上面の下方に所望の深さに所望のイオン濃度で注入されるレベルに制御される、請求項１１に記載の方法。
- 前記炭素含有ガスを希釈ガスで希釈することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
- 炭素含有ガス対希釈ガスの比が、約１：２０と約１：０．５との間にある、請求項１３に記載の方法。
- プラズマドーピングプロセスのＲＦソース電力を変更して、炭素の堆積または注入の量を制御することをさらに含み、前記ＲＦソース電力の増加が堆積または注入される炭素の量の増加につながる、請求項１３に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161495850P | 2011-06-10 | 2011-06-10 | |
| US61/495,850 | 2011-06-10 | ||
| US13/456,524 | 2012-04-26 | ||
| US13/456,524 US8664126B2 (en) | 2011-06-10 | 2012-04-26 | Selective deposition of polymer films on bare silicon instead of oxide surface |
| PCT/US2012/037529 WO2012170150A2 (en) | 2011-06-10 | 2012-05-11 | Selective deposition of polymer films on bare silicon instead of oxide surface |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014524139A true JP2014524139A (ja) | 2014-09-18 |
| JP5992513B2 JP5992513B2 (ja) | 2016-09-14 |
Family
ID=47293537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014514466A Expired - Fee Related JP5992513B2 (ja) | 2011-06-10 | 2012-05-11 | 酸化物表面でなくベアシリコンへのポリマー膜の選択的堆積 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8664126B2 (ja) |
| JP (1) | JP5992513B2 (ja) |
| KR (1) | KR101516648B1 (ja) |
| CN (1) | CN103620740B (ja) |
| TW (1) | TWI510669B (ja) |
| WO (1) | WO2012170150A2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018142651A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140273524A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Victor Nguyen | Plasma Doping Of Silicon-Containing Films |
| CN106663632B (zh) * | 2014-07-03 | 2020-09-22 | 应用材料公司 | 用于选择性沉积的方法与设备 |
| US9780250B2 (en) | 2016-01-14 | 2017-10-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Self-aligned mask for ion implantation |
| US9935004B2 (en) * | 2016-01-21 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Process and chemistry of plating of through silicon vias |
| US10566242B2 (en) * | 2016-12-13 | 2020-02-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Minimization of plasma doping induced fin height loss |
| US10176984B2 (en) | 2017-02-14 | 2019-01-08 | Lam Research Corporation | Selective deposition of silicon oxide |
| US10242866B2 (en) | 2017-03-08 | 2019-03-26 | Lam Research Corporation | Selective deposition of silicon nitride on silicon oxide using catalytic control |
| US10043656B1 (en) * | 2017-03-10 | 2018-08-07 | Lam Research Corporation | Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide |
| US9911595B1 (en) | 2017-03-17 | 2018-03-06 | Lam Research Corporation | Selective growth of silicon nitride |
| US10559461B2 (en) | 2017-04-19 | 2020-02-11 | Lam Research Corporation | Selective deposition with atomic layer etch reset |
| WO2018222680A1 (en) * | 2017-05-30 | 2018-12-06 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition and etching of metal pillars using aacvd and an electrical bias |
| US10460930B2 (en) | 2017-11-22 | 2019-10-29 | Lam Research Corporation | Selective growth of SiO2 on dielectric surfaces in the presence of copper |
| WO2019169335A1 (en) | 2018-03-02 | 2019-09-06 | Lam Research Corporation | Selective deposition using hydrolysis |
| JP7101551B2 (ja) * | 2018-07-02 | 2022-07-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 選択的に対象膜を形成する方法およびシステム |
| JP7110034B2 (ja) * | 2018-08-24 | 2022-08-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
| US11738366B2 (en) | 2019-01-25 | 2023-08-29 | The Regents Of The University Of California | Method of coating an object |
| KR102224128B1 (ko) * | 2019-08-05 | 2021-03-09 | 한양대학교 산학협력단 | 탄소 함유 박막의 증착방법 |
| US11761080B2 (en) | 2021-01-05 | 2023-09-19 | Applied Materials, Inc. | Method for processing a substrate by oscillating a boundary layer of the flow of one or more process gases over a surface of a substrate and systems for processing a substrate using the method |
| CN113936984A (zh) * | 2021-09-14 | 2022-01-14 | 长江存储科技有限责任公司 | 碳离子产生方法、组件及离子注入设备 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0323296A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド薄膜堆積用基板の製造方法 |
| JPH03115194A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-16 | Shimadzu Corp | 多結晶ダイヤモンド薄膜の製造方法 |
| JPH03215392A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-09-20 | Shimadzu Corp | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
| JPH0912398A (ja) * | 1995-05-01 | 1997-01-14 | Kobe Steel Ltd | 電極を使用したダイヤモンド膜の形成方法及び装置 |
| JPH09501612A (ja) * | 1994-04-08 | 1997-02-18 | マーク エー． レイ， | 選択的プラズマ成長 |
| JP2010503202A (ja) * | 2006-08-31 | 2010-01-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高い吸光係数を有する光吸収層を堆積させるための低温ｈｄｐｃｖｄ過程による注入ドーパントの動的表面アニーリング法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300227B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-10-09 | Silicon Genesis Corporation | Enhanced plasma mode and system for plasma immersion ion implantation |
| US7223676B2 (en) * | 2002-06-05 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer |
| US6780700B2 (en) | 2000-08-28 | 2004-08-24 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of fabricating deep sub-micron CMOS source/drain with MDD and selective CVD silicide |
| KR100558011B1 (ko) | 2004-07-12 | 2006-03-06 | 삼성전자주식회사 | 전체실리사이드 금속게이트전극을 갖는 모스 트랜지스터의제조방법 |
| US7018901B1 (en) | 2004-09-29 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a semiconductor device having a strained channel and a heterojunction source/drain |
| US7312162B2 (en) * | 2005-05-17 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Low temperature plasma deposition process for carbon layer deposition |
| US7465642B2 (en) | 2005-10-28 | 2008-12-16 | International Business Machines Corporation | Methods for forming semiconductor structures with buried isolation collars |
| KR20080089403A (ko) | 2005-12-22 | 2008-10-06 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 도핑된 반도체 물질들의 에피택시 증착 |
| JP2009535859A (ja) | 2006-05-01 | 2009-10-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 炭素を混合したｓｉ膜を使用した極浅接合形成の方法 |
| US7935618B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-05-03 | Micron Technology, Inc. | Sputtering-less ultra-low energy ion implantation |
| US20090203197A1 (en) | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Hiroji Hanawa | Novel method for conformal plasma immersed ion implantation assisted by atomic layer deposition |
| US8207023B2 (en) | 2009-08-06 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | Methods of selectively depositing an epitaxial layer |
| CN102031501B (zh) * | 2009-09-28 | 2012-10-24 | 复旦大学 | 一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法 |
| US8592915B2 (en) * | 2011-01-25 | 2013-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Doped oxide for shallow trench isolation (STI) |
| US9478437B2 (en) * | 2011-06-01 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Methods for repairing low-k dielectrics using carbon plasma immersion |
-
2012
- 2012-04-26 US US13/456,524 patent/US8664126B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-11 KR KR1020147000506A patent/KR101516648B1/ko active IP Right Grant
- 2012-05-11 CN CN201280025601.7A patent/CN103620740B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-11 WO PCT/US2012/037529 patent/WO2012170150A2/en active Application Filing
- 2012-05-11 JP JP2014514466A patent/JP5992513B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-14 TW TW101117123A patent/TWI510669B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0323296A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド薄膜堆積用基板の製造方法 |
| JPH03115194A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-16 | Shimadzu Corp | 多結晶ダイヤモンド薄膜の製造方法 |
| JPH03215392A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-09-20 | Shimadzu Corp | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
| JPH09501612A (ja) * | 1994-04-08 | 1997-02-18 | マーク エー． レイ， | 選択的プラズマ成長 |
| JPH0912398A (ja) * | 1995-05-01 | 1997-01-14 | Kobe Steel Ltd | 電極を使用したダイヤモンド膜の形成方法及び装置 |
| JP2010503202A (ja) * | 2006-08-31 | 2010-01-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高い吸光係数を有する光吸収層を堆積させるための低温ｈｄｐｃｖｄ過程による注入ドーパントの動的表面アニーリング法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JPN6016010439; Ｓ．Ｃ． Ｈａ， 外５名: 'Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｇａｔｅｄ ｄｉａｍｏｎｄ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｔｔｅｒ ａｒｒａｙ ｕｓｉｎｇ ａ ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｄｉａｍｏｎｄ ｇｒｏｗｔｈ ｐｒｏｃｅｓｓ' Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ Ｖｏｌ． ３４１, 1999, ｐｐ． ２１６-２２０ * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018142651A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びプラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8664126B2 (en) | 2014-03-04 |
| KR20140037202A (ko) | 2014-03-26 |
| JP5992513B2 (ja) | 2016-09-14 |
| US20120315740A1 (en) | 2012-12-13 |
| TWI510669B (zh) | 2015-12-01 |
| CN103620740A (zh) | 2014-03-05 |
| KR101516648B1 (ko) | 2015-05-04 |
| TW201250050A (en) | 2012-12-16 |
| WO2012170150A3 (en) | 2013-04-04 |
| WO2012170150A2 (en) | 2012-12-13 |
| CN103620740B (zh) | 2016-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5992513B2 (ja) | 酸化物表面でなくベアシリコンへのポリマー膜の選択的堆積 | |
| US10566209B2 (en) | Etching method and workpiece processing method | |
| EP3007208B1 (en) | Method of processing target object | |
| US9607811B2 (en) | Workpiece processing method | |
| US11637025B2 (en) | Apparatus for selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide | |
| KR20160102356A (ko) | 10ｎｍ 이하의 패터닝을 달성하기 위한 물질 처리 | |
| KR20190014123A (ko) | 전자 빔 플라즈마 프로세스에 의해 형성된 다이아몬드상 탄소 층 | |
| US9911622B2 (en) | Method of processing target object | |
| US11145518B2 (en) | Method and apparatus for etching target object | |
| JP7366072B2 (ja) | 薄膜の応力を軽減するためのインシトゥ高電力注入 | |
| US20140273461A1 (en) | Carbon film hardmask stress reduction by hydrogen ion implantation | |
| TW201639000A (zh) | 利用掩模及方向性電漿處理之選擇性沉積 | |
| US10707088B2 (en) | Method of processing target object | |
| US20210202233A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| KR20230007289A (ko) | 질화 실리콘으로 형성된 제 1 영역을 산화 실리콘으로 형성된 제 2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 방법 | |
| US20220005700A1 (en) | Method and apparatus for etching target object | |
| US20220246440A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| WO2018084255A1 (ja) | 被処理体を処理する方法 | |
| US11361973B2 (en) | Etching method and etching apparatus | |
| US11859275B2 (en) | Techniques to improve adhesion and defects for tungsten carbide film | |
| JP3172340B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2022161940A (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP2020177958A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JPH07142450A (ja) | 反応性イオンエッチング装置及び方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150507 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160304 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160322 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160622 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160719 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160817 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5992513 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |