JP2014229821A - ガスフィルターのライフ管理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記ガスラインから前記チャンバー内に前記ガスを供給した後に前記チャンバー内にてウェーハを熱処理する熱処理工程と、
その熱処理工程で熱処理したウェーハの、前記フィルターが除去対象とする不純物による汚染量を測定する測定工程と、
その測定工程で得られた汚染量に基づき前記フィルターのライフエンドが到来したか否かを判断する判断工程と、
を実施することを特徴とする。
前記熱処理工程は、前記チャンバー内に前記ガスを供給して前記チャンバー内をエッチングするエッチング工程を実施した後に、前記チャンバー内にてウェーハを熱処理する工程とすることができる。
前記エッチング工程及び前記熱処理工程を複数回繰り返した後に前記測定工程を実施するのが好ましい。
2、3 チャンバー
16 第2のガス供給管(塩化水素ガスのガスライン)
17 フィルター
18 ランプ
Claims (8)
- ウェーハに対する処理が行われるチャンバー内に供給するガスが流れるガスラインに設けられた前記ガス中の不純物を除去するフィルターのライフを管理する方法であって、
前記ガスラインから前記チャンバー内に前記ガスを供給した後に前記チャンバー内にてウェーハを熱処理する熱処理工程と、
その熱処理工程で熱処理したウェーハの、前記フィルターが除去対象とする不純物による汚染量を測定する測定工程と、
その測定工程で得られた汚染量に基づき前記フィルターのライフエンドが到来したか否かを判断する判断工程と、
を実施することを特徴とするガスフィルターのライフ管理方法。 - 前記ガスは前記チャンバー内に堆積した堆積物をエッチングするガスであり、
前記熱処理工程は、前記チャンバー内に前記ガスを供給して前記チャンバー内をエッチングするエッチング工程を実施した後に、前記チャンバー内にてウェーハを熱処理する工程であることを特徴とする請求項1に記載のガスフィルターのライフ管理方法。 - 前記エッチング工程及び前記熱処理工程を複数回繰り返すとともに、前記熱処理工程では各回同じウェーハを熱処理し、
前記エッチング工程及び前記熱処理工程を複数回繰り返した後に前記測定工程を実施することを特徴とする請求項2に記載のガスフィルターのライフ管理方法。 - 前記ガスは塩化水素ガスであり、
前記フィルターは、塩化水素ガス中の不純物を除去する塩化水素ガス用フィルターであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のガスフィルターのライフ管理方法。 - 前記塩化水素ガス用フィルターは、塩化水素ガス中の水分及び金属塩化物を除去するフィルターであることを特徴とする請求項4に記載のガスフィルターのライフ管理方法。
- 前記測定工程は、前記熱処理工程で熱処理したウェーハのTi濃度を測定する工程であることを特徴とする請求項4又は5に記載のガスフィルターのライフ管理方法。
- 前記判断工程は、前記測定工程で得られたTi濃度が1×108atoms/cm2以上となった場合に前記フィルターのライフエンドが到来したと判断する工程であることを特徴とする請求項6に記載のガスフィルターのライフ管理方法。
- 前記チャンバーは、シリコン単結晶基板上に単結晶薄膜を気相成長させる気相成長装置のチャンバーであることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載のガスフィルターのライフ管理方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6477854B1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-03-06 | 株式会社Sumco | 気相成長装置の汚染管理方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
WO2021124693A1 (ja) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04307930A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-10-30 | Nissan Motor Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH04354327A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
WO1993006619A1 (en) * | 1991-09-27 | 1993-04-01 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Apparatus for introducing gas, and apparatus and method for epitaxial growth |
JPH08306599A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-22 | Nikon Corp | 空気浄化装置及び露光装置 |
JPH10208989A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および気中濃度管理システム |
JP2002255696A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
US6514313B1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-02-04 | Aeronex, Inc. | Gas purification system and method |
US20060211248A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-21 | Brabant Paul D | Purifier for chemical reactor |
WO2011033752A1 (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法および製造装置 |
-
2013
- 2013-05-24 JP JP2013109891A patent/JP6024595B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04307930A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-10-30 | Nissan Motor Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH04354327A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
WO1993006619A1 (en) * | 1991-09-27 | 1993-04-01 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Apparatus for introducing gas, and apparatus and method for epitaxial growth |
EP0605725A1 (en) * | 1991-09-27 | 1994-07-13 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd | Apparatus for introducing gas, and apparatus and method for epitaxial growth |
JPH08306599A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-22 | Nikon Corp | 空気浄化装置及び露光装置 |
JPH10208989A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および気中濃度管理システム |
JP2002255696A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
US6514313B1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-02-04 | Aeronex, Inc. | Gas purification system and method |
US20060211248A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-21 | Brabant Paul D | Purifier for chemical reactor |
WO2011033752A1 (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法および製造装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6477854B1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-03-06 | 株式会社Sumco | 気相成長装置の汚染管理方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
WO2019124061A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社Sumco | 気相成長装置の汚染管理方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2019114656A (ja) * | 2017-12-22 | 2019-07-11 | 株式会社Sumco | 気相成長装置の汚染管理方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
CN111542911A (zh) * | 2017-12-22 | 2020-08-14 | 胜高股份有限公司 | 气相生长装置的污染管理方法和外延晶片的制备方法 |
US11214863B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-01-04 | Sumco Corporation | Method of controlling contamination of vapor deposition apparatus and method of producing epitaxial wafer |
CN111542911B (zh) * | 2017-12-22 | 2024-05-24 | 胜高股份有限公司 | 气相生长装置的污染管理方法和外延晶片的制备方法 |
WO2021124693A1 (ja) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
JP2021100011A (ja) * | 2019-12-19 | 2021-07-01 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
KR20220103150A (ko) * | 2019-12-19 | 2022-07-21 | 가부시키가이샤 사무코 | 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 |
TWI775211B (zh) * | 2019-12-19 | 2022-08-21 | 日商Sumco股份有限公司 | 磊晶矽晶圓的製造方法 |
JP7205455B2 (ja) | 2019-12-19 | 2023-01-17 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
KR102649400B1 (ko) | 2019-12-19 | 2024-03-19 | 가부시키가이샤 사무코 | 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 |
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Publication number | Publication date |
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