JP2014229779A5 - - Google Patents

Description

前記金属層を含む凸部は、任意の形状に湾曲又は屈曲して形成されてもよい。これによい、製作がより容易になる。
前記金属層を含む凸部は、不規則に形成された柱状の形状であってもよい。
前記凸部を有する有機半導体は、結晶成長させることによって形成されるとよい。

前記半導体は、フタロシアニン系、チオフェン系、Ａｌｑ３、シリコンのいずれかとしてもよい。
前記前記有機半導体上に付加された金属層は、局在プラズモン共鳴を促進してもよい。

Claims (18)

1. 凸部を有する有機半導体と、
   前記有機半導体上に付加され、検出光の照射により電子が励起される局在プラズモン共鳴及び表面プラズモン共鳴の少なくとも一方のプラズモン共鳴を促進する金属層と、
   前記金属層に接合され、前記プラズモン共鳴により励起される電子を前記金属層との接合部において通過させる半導体と、
   を備える光検出器。
2. 請求項１に記載の光検出器において、
   前記金属層を含む凸部の高さは、前記検出光の波長以下の寸法で、該凸部の太さの最大寸法が前記検出光の波長以下の寸法である、ことを特徴とする光検出器。
3. 請求項１又は２に記載の光検出器において、
   前記半導体は有機半導体である、ことを特徴とする光検出器。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の光検出器において、
   前記半導体を支持する基板をさらに備える、ことを特徴とする光検出器。
5. 請求項４に記載の光検出器において、
   前記基板は半導体基板である、ことを特徴とする光検出器。
6. 請求項４に記載の光検出器において、
   前記基板は導電性基板である、ことを特徴とする光検出器。
7. 請求項４に記載の光検出器において、
   前記基板は絶縁性基板である、ことを特徴とする光検出器。
8. 請求項１又は２に記載の光検出器において、
   前記半導体は無機半導体である、ことを特徴とする光検出器
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の光検出器において、
   前記金属層を含む凸部の高さが２０ｎｍ以上である、ことを特徴とする光検出器。
10. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の光検出器において、
    前記金属層を含む凸部の高さが５０ｎｍ以上である、ことを特徴とする光検出器。
11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光検出器において、
    前記金属層は、凸部と該凸部に隣接する凹部とを有する凹凸構造であって、
    前記凹凸構造の凸部の高さは、前記検出光の波長以下の寸法で、かつ該凸部の太さの最大寸法が前記検出光の波長以下の寸法である、ことを特徴とする光検出器。
12. 請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光検出器において、
    前記金属層を含む凸部は、任意の形状に湾曲又は屈曲して形成されている、ことを特徴とする光検出器。
13. 請求項１に記載の光検出器において、
    前記金属層を含む凸部は、不規則に形成された柱状の形状である、ことを特徴とする光検出器。
14. 請求項１に記載の光検出器において、
    前記凸部を有する有機半導体は、結晶成長させることによって形成される、ことを特徴とする光検出器。
15. 請求項１に記載の光検出器において、
    前記有機半導体は、フタロシアニン系、チオフェン系、Ａｌｑ３のいずれかからなる、ことを特徴とする光検出器。
16. 請求項１に記載の光検出器において、
    前記金属層は、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｇのいずれかからなる、ことを特徴とする光検出器。
17. 請求項１に記載の光検出器において、
    前記半導体は、フタロシアニン系、チオフェン系、Ａｌｑ３、シリコンのいずれかからなる、ことを特徴とする光検出器。
18. 請求項１に記載の光検出器において、
    前記有機半導体上に付加された金属層は、局在プラズモン共鳴を促進する、ことを特徴とする光検出器。