JP2014216420A - 光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光電変換装置における光電変換効率を向上する。
【解決手段】 光電変換装置11は、下部電極層2と、下部電極層2上に設けられた光電変換層Cと、光電変換層C上に設けられた、不純物金属を含む半導体からなるとともに不純物金属の濃度が厚み方向に増減を繰り返すように変化している上部電極層5とを具備する。
【選択図】 図3
【解決手段】 光電変換装置11は、下部電極層2と、下部電極層2上に設けられた光電変換層Cと、光電変換層C上に設けられた、不純物金属を含む半導体からなるとともに不純物金属の濃度が厚み方向に増減を繰り返すように変化している上部電極層5とを具備する。
【選択図】 図3
Description
本発明は、透光性の上部電極層を有する光電変換装置に関する。
太陽光発電などに使用される光電変換装置として、基板の上に複数の光電変換セルが設けられたものがある。
このような光電変換装置は、ガラスなどの基板の上に、金属電極などの下部電極層と、I−III−VI族化合物等の多元化合物半導体層と、イオウ含有亜鉛混晶化合物等の混晶化
合物半導体層と、酸化亜鉛等の透光性導電膜から成る上部電極層とが、この順に積層されている(例えば、特許文献1など)。
合物半導体層と、酸化亜鉛等の透光性導電膜から成る上部電極層とが、この順に積層されている(例えば、特許文献1など)。
光電変換装置には、光電変換効率の向上が常に要求される。この光電変換効率は、光電変換装置において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示し、例えば、光電変換装置から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて、100が乗じられることで導出される。本発明の一つの目的は、光電変換装置の光電変換効率を向上させることにある。
本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、下部電極層と、該下部電極層上に設けられた光電変換層と、該光電変換層上に設けられた、不純物金属を含む半導体からなるとともに前記不純物金属の濃度が厚み方向に増減を繰り返すように変化している上部電極層とを具備する。
本発明によれば、光電変換装置における光電変換効率が向上する。
以下に本発明の一実施形態に係る光電変換装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。
<光電変換装置の構造>
図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の一例を示す斜視図であり、図2はその断面図である。光電変換装置11は、基板1上に複数の光電変換セル10が並べられて互いに電気的に接続されている。なお、図1においては図示の都合上、2つの光電変換セ
ル10のみを示しているが、実際の光電変換装置11においては、図面左右方向、あるいはさらにこれに垂直な方向に、多数の光電変換セル10が平面的に(二次元的に)配設されていてもよい。
図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の一例を示す斜視図であり、図2はその断面図である。光電変換装置11は、基板1上に複数の光電変換セル10が並べられて互いに電気的に接続されている。なお、図1においては図示の都合上、2つの光電変換セ
ル10のみを示しているが、実際の光電変換装置11においては、図面左右方向、あるいはさらにこれに垂直な方向に、多数の光電変換セル10が平面的に(二次元的に)配設されていてもよい。
図1、図2において、基板1上に複数の下部電極層2が平面配置されている。図1、図2において、複数の下部電極層2は、一方向に間隔をあけて並べられた下部電極層2a〜2cを具備している。この下部電極層2a上から基板1上を経て下部電極層2b上にかけて、光電変換層Cが設けられている。なお、本実施例では、光電変換層Cは一方導電型の第1の半導体層3と、一方導電型とは異なる導電型の第2の半導体層4との積層体から成る例を示している。また、光電変換層C上には上部電極層5が設けられている。さらに、下部電極層2b上において、接続導体7が、光電変換層Cの側面に沿って、または第1の半導体層3を貫通して設けられている。この接続導体7は、上部電極層5と下部電極層2bとを電気的に接続している。これら下部電極層2、光電変換層Cおよび上部電極層5によって、1つの光電変換セル10が構成され、隣接する光電変換セル10同士が接続導体7を介して直列接続されることによって、高出力の光電変換装置11となる。なお、本実施形態における光電変換装置11は、上部電極層5側から第2の半導体層を経て第1の半導体層3へ光が入射されるものを想定している。
基板1は、光電変換セル10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。基板1としては、例えば、厚さ1〜3mm程度の青板ガラス(ソーダライムガラス)を用いることができる。
下部電極層2(下部電極層2a、2b、2c)は、基板1上に設けられた、Mo、Al、TiまたはAu等の導電体である。下部電極層2は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、0.2μm〜1μm程度の厚みに形成される。
第1の半導体層3は、例えば1μm〜3μm程度の厚みを有する半導体層である。第1の半導体層3としては、II−VI族化合物、I−III−VI族化合物およびI−II−IV−VI族
化合物等の化合物半導体や非晶質シリコン等が挙げられる。
化合物等の化合物半導体や非晶質シリコン等が挙げられる。
II−VI族化合物とは、II−B族(12族元素ともいう)とVI−B族元素(16族元素ともいう)との化合物半導体である。II−VI族化合物としては、例えば、CdTe等が挙げられる。
I−III−VI族化合物とは、I−B族元素(11族元素ともいう)とIII−B族元素(13族元素ともいう)とVI-B族元素との化合物である。I−III−VI族化合物としては、例えば、CuInSe2(二セレン化銅インジウム、CISともいう)、Cu(In,Ga)Se2(二セレン化銅インジウム・ガリウム、CIGSともいう)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、CIGSSともいう)が挙げられる。あるいは、第1の半導体層3は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。
I−II−IV−VI族化合物とは、I−B族元素とII−B族元素とIV−B族元素(14族元素ともいう)とVI−B族元素との化合物である。I−II−IV−VI族化合物としては、例えば、Cu2ZnSnS4(CZTSともいう)、Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSeともいう)、およびCu2ZnSnSe4(CZTSeともいう)が挙げられる。
第1の半導体層3は、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって
形成可能であるほか、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスは、第1の半導体層3の構成元素の錯体溶液やナノ粒子溶液を下部電極層2の上に塗布し、その後、乾燥・熱処理を行うプロセスである。
形成可能であるほか、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスは、第1の半導体層3の構成元素の錯体溶液やナノ粒子溶液を下部電極層2の上に塗布し、その後、乾燥・熱処理を行うプロセスである。
第2の半導体層4は、第1の半導体層3とは異なる導電型を有する半導体層である。第1の半導体層3および第2の半導体層4が電気的に接合することにより、電荷を良好に取り出すことが可能な光電変換層Cが形成される。例えば、第1の半導体層3がp型であれば、第2の半導体層4はn型である。第1の半導体層3がn型で、第2の半導体層4がp型であってもよい。
第2の半導体層4は、第1の半導体層3とは異なる材料が第1の半導体層3上に積層されたものであってもよく、あるいは第1の半導体層3の表面部が他の元素のドーピングによって改質されたものであってもよい。
第2の半導体層4としては、CdS、ZnS、ZnO、In2S3、In2Se3、In(OH,S)、(Zn,In)(Se,OH)、および(Zn,Mg)O等が挙げられる。この場合、第2の半導体層4は、例えばケミカルバスデポジション(CBD)法等で3〜200nmの厚みで形成される。なお、In(OH,S)とは、Inが水酸化物および硫化物として含まれる混晶化合物をいう。また、(Zn,In)(Se,OH)とは、ZnおよびInがセレン化物および水酸化物として含まれる混晶化合物をいう。(Zn,Mg)Oとは、ZnおよびMgが酸化物として含まれる化合物をいう。
上部電極層5は、光電変換層Cで生じた電荷を良好に取り出すためのものであり、0.05〜3.0μm程度の厚みの導電膜である。例えば、上部電極層5全体の電気抵抗率は1Ω・cm未満であり、シート抵抗は50Ω/□以下であってもよい。また、上部電極層5は、光電変換層Cで光電変換される光に対して透光性を有している。そして、上部電極層5は、不純物金属を含む半導体からなり、この不純物金属の濃度が厚み方向に増減を繰り返すように変化している。
このような構成によって、光電変換装置11の光電変換効率を高めることができる。つまり、上部電極層2の不純物金属の濃度を高めた場合、キャリア濃度が高くなるものの、キャリアの移動度は低くなる傾向があり、光電変換効率の向上には限界がある。一方、上記のように上部電極層5の不純物金属の濃度が厚み方向に増減を繰り返すことによって、キャリア濃度の高い部分とキャリア移動度の高い部分とを厚み方向に分散させることができる。その結果、上部電極層2全体としては、キャリア濃度およびキャリア移動度がともに高くなり、光電変換効率が向上する。
具体的には、上部電極層5の厚み方向に沿って不純物金属の濃度(原子百分率)を測定した場合に、不純物金属の濃度の極大値および極小値がそれぞれ少なくとも2つ以上存在し、極大値同士の間隔あるいは極小値同士の間隔が20nm〜400nm程度であればよい。
また、結晶性を良好に維持しながらキャリア濃度およびキャリア移動度をさらに高めるという観点からは、上部電極層5の厚み全体における不純物金属の濃度の極大値の平均値は、極小値の平均値の5〜100倍程度であってもよい。
なお、上部電極層5の不純物金属の濃度は、二次イオン質量分析法(SIMS)を用いて測定できる。上部電極層5の厚み全体における不純物金属の平均濃度は1017〜1022atms/cm3程度であればよい。
図3のグラフは上部電極層5の厚み方向の組成分布の一例である。図3の上部電極層5は、酸化亜鉛に不純物金属としてホウ素を含む半導体である。X軸は、上部電極層5の光電変換層Cとは反対側の主面(受光面側)からの深さを示しており、Y軸の左軸は、上部電極層5におけるホウ素元素の濃度を示している。また、Y軸の右軸は、酸化亜鉛の二次イオン強度を示しており、これにより酸化亜鉛の存在範囲を確認することができる。つまり、X軸の深さ0〜0.8μmの部位が上部電極層5であり、深さ0.8〜1μmの部位は光電変換層Cの一部(上部部分)である。図3における実線はホウ素元素の濃度分布であり、これより、ホウ素元素の濃度が厚み方向に増減を繰り返すように変化していることがわかる。
上部電極層5は、例えば、酸化亜鉛に不純物金属としてアルミニウム、ホウ素、ガリウム、インジウム、ふっ素およびスズのうちの少なくとも1つが含まれた半導体や、酸化インジウムに不純物金属として亜鉛およびスズのうちの少なくとも1つが含まれた半導体等が用いられ得る。
特に、上部電極層5は、不純物金属としてアルミニウム、ホウ素およびガリウムのうちの少なくとも1つを含む酸化亜鉛である場合、アルミニウムやホウ素、ガリウムは比較的拡散係数が大きいため、不純物金属の濃度を厚み方向に増減させても適度に拡散して応力が集中し難い構造と成りやすい。
上記のように不純物金属の濃度が厚み方向に増減を繰り返すように変化する上部電極層5は、例えば、化学気相成長法(CVD法)を用いて、原料の混合比を変えて成膜を行なうことによって作製可能である。また、組成の異なる原料溶液を用いて塗布を行なうことによって原料組成の異なる複数の皮膜の積層体を形成し、これを加熱処理することによって作製することもできる。
また、上部電極層5は、図3に示すように、光電変換層C側の部位における不純物金属の濃度の平均の増減幅よりも、光電変換層Cとは反対側の部位における不純物金属の濃度の平均の増減幅の方が大きくてもよい。なお、不純物金属の濃度の増減幅とは、上部電極層5の厚み方向に対する不純物金属の濃度のグラフにおいて、隣接する極大値と極小値の濃度差のことである。そして、光電変換層C側の部位における不純物金属の濃度の平均の増減幅は、上部電極層5を厚み方向に2等分したときの光電変換層C側の部位における不純物金属の濃度の増減幅を平均した値である。同様に、光電変換層Cとは反対側の部位における不純物金属の濃度の平均の増減幅は、上部電極層5を厚み方向に2等分したときの光電変換層Cとは反対側の部位における不純物金属の濃度の増減幅を平均した値である。
このような構成であると、光電変換層C側において、不純物金属の濃度変化が比較的小さくなるため、上部電極層5の光電変換層C側の部位に歪が生じるのを低減でき、上部電極層光電変換層Cとの接合を良好に維持することができる。例えば、上部電極層5の光電変換層Cとは反対側の部位における不純物金属の濃度の平均の増減幅は、光電変換層C側の部位における不純物金属の濃度の平均の増減幅の1.5〜10倍であってもよい。
また、上部電極層5は、光電変換層C側の部位における不純物金属の濃度の平均値よりも、光電変換層Cとは反対側の部位における不純物金属の濃度の平均値の方が小さくてもよい。なお、光電変換層C側の部位における不純物金属の濃度の平均値は、上部電極層5を厚み方向に2等分したときの光電変換層C側の部位における不純物金属の濃度の平均値である。同様に、光電変換層Cとは反対側の部位における不純物金属の濃度の平均値は、上部電極層5を厚み方向に2等分したときの光電変換層Cとは反対側の部位における不純物金属の濃度の平均値である。
このような構成であると、上部電極層5の透光性を良好にしながら光電変換層Cから上部電極層5へのキャリア移動を良好にすることができる。例えば、上部電極層5の光電変換層C側の部位における不純物金属の濃度の平均値は、光電変換層Cとは反対側の部位における不純物金属の濃度の平均値の1.5〜10倍であってもよい。
また、図1、図2に示すように、上部電極層5上にさらに集電電極8が形成されていてもよい。集電電極8は、光電変換層Cで生じた電荷をさらに良好に取り出すためのものである。集電電極8は、例えば、図1に示すように、光電変換セル10の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、光電変換層Cで生じた電流が上部電極層5を介して集電電極8に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換セル10に良好に通電される。
集電電極8は、光電変換層Cへの光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、50〜400μmの幅を有していてもよい。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。
集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。
図1、図2において、接続導体7は、第1の半導体層3、第2の半導体層4および上部電極層5を分断する溝内に設けられた導体である。接続導体7は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図1、図2においては、集電電極8を延伸して接続導体7が形成されているが、これに限定されない。例えば、上部電極層5が延伸したものであってもよい。
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
1:基板
2、2a、2b、2c:下部電極層
C:光電変換層
3:第1の半導体層
4:第2の半導体層
5:上部電極層
7:接続導体
10:光電変換セル
11:光電変換装置
2、2a、2b、2c:下部電極層
C:光電変換層
3:第1の半導体層
4:第2の半導体層
5:上部電極層
7:接続導体
10:光電変換セル
11:光電変換装置
Claims (5)
- 下部電極層と、
該下部電極層上に設けられた光電変換層と、
該光電変換層上に設けられた、不純物金属を含む半導体からなるとともに前記不純物金属の濃度が厚み方向に増減を繰り返すように変化している上部電極層と
を具備する光電変換装置。 - 前記上部電極層は、前記光電変換層側の部位における前記不純物金属の濃度の平均の増減幅よりも前記光電変換層とは反対側の部位における前記不純物金属の濃度の平均の増減幅の方が大きい、請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記上部電極層は、前記光電変換層側の部位における前記不純物金属の濃度の平均値よりも前記光電変換層とは反対側の部位における前記不純物金属の濃度の平均値の方が小さい、請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 前記上部電極層は、不純物金属としてアルミニウム、ホウ素、ガリウム、インジウム、ふっ素およびスズのうちの少なくとも1つが含まれた酸化亜鉛、または、不純物金属として亜鉛およびスズのうちの少なくとも1つが含まれた酸化インジウムからなる、請求項1乃至3のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記上部電極層は、前記不純物金属としてアルミニウム、ホウ素およびガリウムのうちの少なくとも1つを含む酸化亜鉛からなる、請求項1乃至3のいずれかに記載の光電変換装置。
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