JP2014187215A - 光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光電変換装置の光電変換効率を向上させる。
【解決手段】 光電変換装置11は、電極層2と、電極層2上に配置された、I−III−VI族化合物を含む第1の半導体層3と、第1の半導体層3上に配置された、第1の半導体
層3とpn接合を形成する第2の半導体層4とを備えており、第1の半導体層3はVI−B族元素として硫黄およびセレンを含んでおり、硫黄とセレンとの原子濃度の合計に対する硫黄の原子濃度の比率を硫黄比率としたときに、硫黄比率が、第1の半導体層3の厚み方向における内側の部位から電極層2側の第1表面に近づくほど高くなっている。
【選択図】 図3
【解決手段】 光電変換装置11は、電極層2と、電極層2上に配置された、I−III−VI族化合物を含む第1の半導体層3と、第1の半導体層3上に配置された、第1の半導体
層3とpn接合を形成する第2の半導体層4とを備えており、第1の半導体層3はVI−B族元素として硫黄およびセレンを含んでおり、硫黄とセレンとの原子濃度の合計に対する硫黄の原子濃度の比率を硫黄比率としたときに、硫黄比率が、第1の半導体層3の厚み方向における内側の部位から電極層2側の第1表面に近づくほど高くなっている。
【選択図】 図3
Description
本発明は、I−III−VI族化合物を含む光電変換装置に関する。
太陽光発電などに使用される光電変換装置として、光吸収係数が高いCIGSなどのI−III−VI族化合物を光吸収層として用いたものがある。このような光電変換装置は、例
えば、特許文献1に記載されている。I−III−VI族化合物は光吸収係数が高く、光電変
換装置の薄膜化や大面積化や低コスト化に適しており、これを用いた次世代太陽電池の研究開発が進められている。
えば、特許文献1に記載されている。I−III−VI族化合物は光吸収係数が高く、光電変
換装置の薄膜化や大面積化や低コスト化に適しており、これを用いた次世代太陽電池の研究開発が進められている。
かかるI−III−VI族化合物を含む光電変換装置は、ガラスなどの基板の上に、金属電
極などの下部電極層と、光吸収層と、バッファ層と、透明導電膜とをこの順に積層した光電変換セルを、平面的に複数並設した構成を有することによって構成されている。複数の光電変換セルは、隣り合う一方の光電変換セルの透明導電膜と他方の下部電極層とを接続導体で接続することで、電気的に直列接続されている。
極などの下部電極層と、光吸収層と、バッファ層と、透明導電膜とをこの順に積層した光電変換セルを、平面的に複数並設した構成を有することによって構成されている。複数の光電変換セルは、隣り合う一方の光電変換セルの透明導電膜と他方の下部電極層とを接続導体で接続することで、電気的に直列接続されている。
I−III−VI族化合物を含む光電変換装置には、光電変換効率の向上が常に要求される
。この光電変換効率は、光電変換装置において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示し、例えば、光電変換装置から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて100が乗じられることで導出される。
。この光電変換効率は、光電変換装置において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示し、例えば、光電変換装置から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて100が乗じられることで導出される。
本発明の1つの目的は、光電変換装置の光電変換効率を向上させることにある。
本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、電極層と、該電極層上に配置された、I−III−VI族化合物を含む第1の半導体層と、該第1の半導体層上に配置された、該第1の
半導体層とpn接合を形成する第2の半導体層とを備えており、前記第1の半導体層はVI−B族元素として硫黄およびセレンを含んでおり、硫黄とセレンとの原子濃度の合計に対する硫黄の原子濃度の比率を硫黄比率としたときに、該硫黄比率が、前記第1の半導体層の厚み方向における内側の部位から前記電極層側の第1表面に近づくほど高くなっている。
半導体層とpn接合を形成する第2の半導体層とを備えており、前記第1の半導体層はVI−B族元素として硫黄およびセレンを含んでおり、硫黄とセレンとの原子濃度の合計に対する硫黄の原子濃度の比率を硫黄比率としたときに、該硫黄比率が、前記第1の半導体層の厚み方向における内側の部位から前記電極層側の第1表面に近づくほど高くなっている。
本発明によれば、光電変換装置における光電変換効率が向上する。
以下に本発明の一実施形態に係る光電変換装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。
<光電変換装置の第1例>
図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の一例を示す斜視図であり、図2はそのXZ断面図である。なお、図1および図2には、光電変換セル10の配列方向(図1の図面視左右方向)をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。光電変換装置11は、基板1上に複数の光電変換セル10が並べられて互いに電気的に接続されている。なお、図1においては図示の都合上、2つの光電変換セル10のみを示しているが、実際の光電変換装置11においては、図面左右方向(X軸方向)、あるいはさらにこれに垂直な方向(Y軸方向)に、多数の光電変換セル10が平面的に(二次元的に)配設されていてもよい。
図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の一例を示す斜視図であり、図2はそのXZ断面図である。なお、図1および図2には、光電変換セル10の配列方向(図1の図面視左右方向)をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。光電変換装置11は、基板1上に複数の光電変換セル10が並べられて互いに電気的に接続されている。なお、図1においては図示の都合上、2つの光電変換セル10のみを示しているが、実際の光電変換装置11においては、図面左右方向(X軸方向)、あるいはさらにこれに垂直な方向(Y軸方向)に、多数の光電変換セル10が平面的に(二次元的に)配設されていてもよい。
図1、図2において、基板1上に複数の下部電極層2が平面配置されている。図1、図2において、複数の下部電極層2は、一方向(X軸方向)に間隔をあけて並べられた下部電極層2a〜2cを具備している。この下部電極層2a上から基板1上を経て下部電極層2b上にかけて、第1の半導体層3が設けられている。また、第1の半導体層3上には、第1の半導体層3とは異なる導電型の第2の半導体層4が設けられている。さらに、下部電極層2b上において、接続導体7が、第1の半導体層3の表面(側面)に沿って、または第1の半導体層3を貫通(分断)して設けられている。この接続導体7は、第2の半導体層4と下部電極層2bとを電気的に接続している。これら下部電極層2、第1の半導体層3、第2の半導体層4および上部電極層5によって1つの光電変換セル10が構成され、隣接する光電変換セル10同士が接続導体7を介して直列接続されることによって高出力の光電変換装置11となる。なお、本実施形態における光電変換装置11は、第2の半導体層4側から光が入射されるものを想定しているが、これに限定されず、基板1側から光が入射されるものであってもよい。
基板1は、光電変換セル10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。基板1としては、例えば、厚さ1〜3mm程度の青板ガラス(ソーダライムガラス)を用いることができる。
下部電極層2(下部電極層2a、2b、2c)は、基板1上に設けられた、Mo、Al、TiまたはAu等の導電体である。下部電極層2は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、0.2μm〜1μm程度の厚みに形成される。
第1の半導体層3は、例えば1μm〜3μm程度の厚みを有し、I−III−VI族化合物
を主に有している。I−III−VI族化合物とは、I−B族元素(11族元素ともいう)とIII−B族元素(13族元素ともいう)とVI−B族元素(16族元素ともいう)との化合物である。なお、I−III−VI族化合物を主に有しているとは、I−III−VI族化合物を70mol%以上有することをいう。
を主に有している。I−III−VI族化合物とは、I−B族元素(11族元素ともいう)とIII−B族元素(13族元素ともいう)とVI−B族元素(16族元素ともいう)との化合物である。なお、I−III−VI族化合物を主に有しているとは、I−III−VI族化合物を70mol%以上有することをいう。
また、第1の半導体層3は、VI−B族元素として硫黄およびセレンを含んでいる。このようなI−III−VI族化合物としては、CuIn(Se,S)2、CuGa(Se,S)
2、Cu(In,Ga)(Se,S)2(以下では、Cu(In,Ga)(Se,S)2
のことをCIGSSともいう)等が挙げられる。
2、Cu(In,Ga)(Se,S)2(以下では、Cu(In,Ga)(Se,S)2
のことをCIGSSともいう)等が挙げられる。
そして、第1の半導体層3は、硫黄の原子濃度とセレンの原子濃度との合計に対する硫黄の原子濃度の比率を硫黄比率としたときに、この硫黄比率が、第1の半導体層3の厚み方向における内側の部位から第1の半導体層3の下部電極層2側の第1表面(すなわち、第1表面は下部電極層2と第1の半導体層3との界面である)に近づくほど高くなっている。言い換えれば、硫黄の原子濃度をMSで表わし、セレンの原子濃度をMSeで表わしたときに、硫黄比率はMS/(MS+MSe)で表わすことができ、この硫黄比率が第1表面から第1の半導体層3の厚み方向の内側に向かうほど低くなるように傾斜している。
このような構成によって、第1の半導体層3の伝導帯のエネルギー位置を第1表面から第2の半導体層4側に向かって正電位側に傾斜させることができ、光電変換によって生じた電子を第2の半導体層4側へ良好に導くことができる。その結果、光電変換装置11の光電変換効率が向上する。
このような第1の半導体層3の硫黄比率の一例を図3に示す。図3は、厚みが600nmの第1の半導体層3の厚み方向の硫黄比率の分布を示すグラフである。図3のグラフにおいて、X軸は第1の半導体層3の厚み方向における第2の半導体層4側からの距離を表わしている。また、Y軸は硫黄比率MS/(MS+MSe)を表わしている。
また、第1の半導体層3は、厚み方向の中央よりも第2の半導体層4側に位置する部位から、厚み方向の中央を経て、下部電極層2側の第1表面まで連続して硫黄比率が高くなっていてもよい。この場合、第1の半導体層3の大部分において伝導帯のエネルギー位置を傾斜させることができ、より光電変換効率が高くなる。図3のグラフでは、第1の半導体層3の第2の半導体層4側の第2表面(すなわち、第2表面は第2の半導体層4と第1の半導体層3との界面である)から下部電極層2側の第1表面にかけて硫黄比率が高くなるように傾斜している。この場合、第1の半導体層3の全体において伝導帯のエネルギー位置を傾斜させることができ、光電変換効率がより高くなる。
光電変換効率をより高めるという観点からは、第1の半導体層3の第1表面での硫黄比率が、第1の半導体層3の厚み方向において硫黄比率が極小値となる部位(図3の場合は第2表面に相当する)での硫黄比率の2〜4倍程度であってもよい。
なお、第1の半導体層3における硫黄やセレンの原子濃度は、例えば、スパッタリングで第1の半導体層3を深さ方向に削りながら、X線光電子分光(XPS:X-ray Photoelectron Spectroscopy)あるいはオージェ電子分光法(AES:Auger Electron Spectroscopy)
を用いることにより測定できる。
を用いることにより測定できる。
第2の半導体層4は、第1の半導体層3とは異なる第2導電型を有する半導体層である。第1の半導体層3および第2の半導体層4が電気的に接合することにより、電荷を良好に取り出すことが可能な光電変換層が形成される。例えば、第1の半導体層3がp型であれば、第2の半導体層4はn型である。第1の半導体層3がn型で、第2の半導体層4がp型であってもよい。なお、第2の半導体層4は、複数層から成るものであってもよく、複数層のうち少なくとも1層が高抵抗層であってもよい。
第2の半導体層4としては、CdS、ZnS、ZnO、In2S3、In2Se3、In(OH,S)、(Zn,In)(Se,OH)、および(Zn,Mg)O等が挙げられる。第2の半導体層4は、例えばケミカルバスデポジション(CBD)法等で10〜200nmの厚みで形成される。なお、In(OH,S)とは、Inが水酸化物および硫化物として含まれる混晶化合物をいう。(Zn,In)(Se,OH)は、ZnおよびInがセレン化物および水酸化物として含まれる混晶化合物をいう。(Zn,Mg)Oは、ZnおよびMgが酸化物として含まれる化合物をいう。
図1、図2に示す例のように、第2の半導体層4上にさらに上部電極層5が設けられていてもよい。上部電極層5は第2の半導体層4よりも抵抗率の低い層であり、第1の半導体層3および第2の半導体層4で生じた電荷を良好に取り出すことが可能となる。光電変換効率をより高めるという観点からは、上部電極層5の抵抗率が1Ω・cm未満でシート抵抗が50Ω/□以下であってもよい。
上部電極層5は、例えばITO、ZnO等の0.05〜3μmの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、上部電極層5は第2の半導体層4と同じ導電型の半導体で構成されてもよい。上部電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長(CVD)法等で形成され得る。
また、図1、図2に示すように、上部電極層5上にさらに集電電極8が形成されていてもよい。集電電極8は、第1の半導体層3および第2の半導体層4で生じた電荷をさらに良好に取り出すためのものである。集電電極8は、例えば、図1に示すように、光電変換セル10の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、第1の半導体層3および第4の半導体層4で生じた電流が上部電極層5を介して集電電極8に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換セル10に良好に通電される。
集電電極8は、第1の半導体層3への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、50〜400μmの幅を有していてもよい。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。
集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。
図1、図2において、接続導体7は、第1の半導体層3、第2の半導体層4および第2の電極層5を貫通(分断)する溝内に設けられた導体である。接続導体7は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図1、図2においては、集電電極8を延伸して接続導体7が形成されているが、これに限定されない。例えば、上部電極層5が延伸したものであってもよい。
<光電変換装置の第2例>
また、第1の半導体層3の硫黄比率の分布は、上記第1例の分布に限定されず、変更が可能である。例えば、第1の半導体層3の硫黄比率は、第1の半導体層3の厚み方向における内側の部位から第1表面に近づくほど高くなっているとともに、この厚み方向における内側の部位から第2表面に近づくほど高くなっていてもよい。すなわち、第1の半導体層3の厚み方向の内側の部位において硫黄比率の極小値を有し、この部位から第1表面および第2表面に向かって硫黄比率が高くなっていてもよい。このような構成であれば、第1の半導体層3の下部電極層2側の部位で電子移動を高めることができるとともに、第1の半導体層3の第2の半導体層4側の表面部でバンドギャップが大きくなるため、光電変換装置11の出力電圧をより高くすることができる。
また、第1の半導体層3の硫黄比率の分布は、上記第1例の分布に限定されず、変更が可能である。例えば、第1の半導体層3の硫黄比率は、第1の半導体層3の厚み方向における内側の部位から第1表面に近づくほど高くなっているとともに、この厚み方向における内側の部位から第2表面に近づくほど高くなっていてもよい。すなわち、第1の半導体層3の厚み方向の内側の部位において硫黄比率の極小値を有し、この部位から第1表面および第2表面に向かって硫黄比率が高くなっていてもよい。このような構成であれば、第1の半導体層3の下部電極層2側の部位で電子移動を高めることができるとともに、第1の半導体層3の第2の半導体層4側の表面部でバンドギャップが大きくなるため、光電変換装置11の出力電圧をより高くすることができる。
特に、上記構成の場合、硫黄比率は、第1の半導体層3の厚み方向における中央と第2表面との間の部位に極小値を有していると、電子の再結合を低減して光電変換効率をより高めることができる。
このような第1の半導体層4の硫黄比率の例を図4に示す。図4は、図3と同様に、厚
みが600nmの第1の半導体層3の厚み方向の硫黄比率の分布を示している。図4において、第1の半導体層3の厚み方向における中央(X軸が300nmの部位)と第2表面(X軸が0nmの部位)との間の部位(X軸が70nmの部位)に硫黄比率の極小値を有している。
みが600nmの第1の半導体層3の厚み方向の硫黄比率の分布を示している。図4において、第1の半導体層3の厚み方向における中央(X軸が300nmの部位)と第2表面(X軸が0nmの部位)との間の部位(X軸が70nmの部位)に硫黄比率の極小値を有している。
<光電変換装置の第3例>
また、第1の半導体層3は、上記のような種々の硫黄分布に加えて、以下のような構成を有していてもよい。例えば、第1の半導体層3はIII−B族元素としてインジウムおよ
びガリウムを含んでおり、インジウムとガリウムとの原子濃度の合計に対するガリウムの原子濃度の比率をガリウム比率としたときに、このガリウム比率が、第1の半導体層の厚み方向における内側の部位から第1表面に近づくほど高くなっていてもよい。言い換えれば、ガリウムの原子濃度をMGaで表わし、インジウムの原子濃度をMInで表わしたときに、ガリウム比率はMGa/(MGa+MIn)で表わすことができ、このガリウム比率が第1表面から第1の半導体層3の厚み方向の内側に向かうほど低くなるように傾斜している。
また、第1の半導体層3は、上記のような種々の硫黄分布に加えて、以下のような構成を有していてもよい。例えば、第1の半導体層3はIII−B族元素としてインジウムおよ
びガリウムを含んでおり、インジウムとガリウムとの原子濃度の合計に対するガリウムの原子濃度の比率をガリウム比率としたときに、このガリウム比率が、第1の半導体層の厚み方向における内側の部位から第1表面に近づくほど高くなっていてもよい。言い換えれば、ガリウムの原子濃度をMGaで表わし、インジウムの原子濃度をMInで表わしたときに、ガリウム比率はMGa/(MGa+MIn)で表わすことができ、このガリウム比率が第1表面から第1の半導体層3の厚み方向の内側に向かうほど低くなるように傾斜している。
このような構成によって、上記硫黄比率の分布の場合と同様、第1の半導体層3の伝導帯のエネルギー位置を第1表面から第2の半導体層4側に向かって正電位側に傾斜させることができる。その結果、硫黄比率の分布とガリウム比率の分布との両方によって、伝導帯のエネルギー位置をさらに傾斜させることができ、光電変換装置11の光電変換効率がさらに向上する。
このような第1の半導体層4のガリウム比率の例を図5に示す。図5は、厚みが600nmの第1の半導体層3の厚み方向のガリウム比率の分布を示している。図5において、X軸は第1の半導体層3の厚み方向における第2の半導体層4側からの距離を表わしている。また、Y軸はガリウム比率MGa/(MGa+MIn)を表わしている。
また、第1の半導体層3は、厚み方向の中央よりも第2の半導体層4側に位置する部位から、厚み方向の中央を経て、下部電極層2側の第1表面まで連続してガリウム比率が高くなっていてもよい。この場合、第1の半導体層3の大部分において伝導帯のエネルギー位置を傾斜させることができ、より光電変換効率が高くなる。図5のグラフでは、第1の半導体層3の第2の半導体層4側の第2表面(すなわち、第2表面は第2の半導体層4と第1の半導体層3との界面である)から下部電極層2側の第1表面にかけてガリウム比率が高くなるように傾斜している。この場合、第1の半導体層3の全体において伝導帯のエネルギー位置を傾斜させることができ、光電変換効率がより高くなる。
なお、この第3例に示すガリウム比率の分布は、上記第1例と組み合わせてもよく、第2例と組み合わせてもよい。いずれの場合も伝導帯のエネルギー位置をより傾斜させることができ、光電変換効率が高くなる。
<光電変換装置の製造方法>
次に、上記構成を有する光電変換装置11の製造方法について説明する。ここでは第1の半導体層3がCIGSSの場合について説明する。まず、ガラス等から成る基板1の主面に、スパッタリング法等を用いてMo等から成る下部電極層2を所望のパターンに形成する。
次に、上記構成を有する光電変換装置11の製造方法について説明する。ここでは第1の半導体層3がCIGSSの場合について説明する。まず、ガラス等から成る基板1の主面に、スパッタリング法等を用いてMo等から成る下部電極層2を所望のパターンに形成する。
そして、この下部電極層2の上に、I−III−VI族化合物(CIGSS)を構成する金
属元素(Cu、InおよびGa)およびS元素を含む原料溶液を塗布法等を用いて皮膜成形することによって、第1の皮膜を形成する。上記原料溶液としては、金属元素にチオールが配位した有機錯体等を有機溶媒等に溶解したものを用いることができる。
属元素(Cu、InおよびGa)およびS元素を含む原料溶液を塗布法等を用いて皮膜成形することによって、第1の皮膜を形成する。上記原料溶液としては、金属元素にチオールが配位した有機錯体等を有機溶媒等に溶解したものを用いることができる。
そして、この第1の皮膜をSe元素を含む雰囲気中で、例えば400〜600℃で加熱することによって、各種金属元素とS元素およびSe元素が反応してCIGSSが生成する。なお、Se元素を含む雰囲気とは、Se元素をSe蒸気やH2Se等として含んだ雰囲気であり、水素ガスや窒素ガス等との混合雰囲気であってもよい。
この第1の皮膜の加熱工程において、第1の皮膜の上側表面部(下部電極層2とは反対側の表面部)は、雰囲気中のSe元素と良好に接触するため、第1の皮膜中のS元素がSe元素に置換され、Se元素の比率が高いCIGSSになる傾向がある。一方、第1の皮膜の下側表面部(下部電極層2側の表面部)は、雰囲気中のSe元素と接触し難いため、第1の皮膜中に存在するS元素が金属元素と反応し、S元素の比率が高いCIGSSになる傾向がある。このようにして、第1例に示すような硫黄比率の分布を有する第1の半導体層3を形成することができる。
また、この硫黄比率の分布を有する第1の半導体層3をさらに硫黄元素をS蒸気やH2S等として含む雰囲気(水素ガスや窒素ガス等との混合雰囲気であってもよい)で、例えば400〜600℃で加熱すれば、第1の半導体層3の上側表面部のSe元素をS元素に置換することができる。その結果、第2例に示すような硫黄比率の分布を有する第1の半導体層3を形成することができる。
また、第1の皮膜の形成のときに、Ga元素とIn元素の比率を変えた複数の原料溶液を用いて、層ごとにGa元素とIn元素との比率が異なる皮膜の積層体を形成してもよい。このような第1の皮膜を加熱することによって、第3例に示すようなガリウム比率の分布を有する第1の半導体層3を形成することができる。
第1の半導体層3を形成した後、第1の半導体層3の上に、第2の半導体層4および上部電極層5をCBD法やスパッタリング法等で順次形成する。そして、第1の半導体層3、第2の半導体層4および上部電極層5をメカニカルスクライブ加工等によって加工し、接続導体7用の溝を形成する。
その後、上部電極層5上および溝内に、例えば、Agなどの金属粉を樹脂バインダーなどに分散させた導電ペーストをパターン状に印刷し、これを加熱硬化させることで集電電極8および接続導体7を形成する。
最後に、接続導体7からずれた位置で第1の半導体層3〜集電電極8をメカニカルスクライブ加工により除去して複数の光電変換セル10に分割することによって、図1および図2で示された光電変換装置11を得ることができる。
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
1:基板
2、2a、2b、2c:下部電極層
3:第1の半導体層
4:第2の半導体層
7:接続導体
10:光電変換セル
11:光電変換装置
2、2a、2b、2c:下部電極層
3:第1の半導体層
4:第2の半導体層
7:接続導体
10:光電変換セル
11:光電変換装置
Claims (4)
- 電極層と、
該電極層上に配置された、I−III−VI族化合物を含む第1の半導体層と、
該第1の半導体層上に配置された、該第1の半導体層とpn接合を形成する第2の半導体層とを備えており、
前記第1の半導体層はVI−B族元素として硫黄およびセレンを含んでおり、硫黄とセレンとの原子濃度の合計に対する硫黄の原子濃度の比率を硫黄比率としたときに、該硫黄比率が、前記第1の半導体層の厚み方向における内側の部位から前記電極層側の第1表面に近づくほど高くなっている光電変換装置。 - 前記硫黄比率は、さらに前記第1の半導体層の厚み方向における内側の部位から前記第2の半導体層側の第2表面に近づくほど高くなっている、請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記硫黄比率は、前記第1の半導体層の厚み方向における中央と前記第2表面との間の部位に極小値を有している、請求項2に記載の光電変換装置。
- 前記第1の半導体層はIII−B族元素としてインジウムおよびガリウムを含んでおり、
インジウムとガリウムとの原子濃度の合計に対するガリウムの原子濃度の比率をガリウム比率としたときに、該ガリウム比率が、前記第1の半導体層の厚み方向における内側の部位から前記第1表面に近づくほど高くなっている、請求項1乃至3のいずれかに記載の光電変換装置。
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US20100154872A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-06-24 | Jun Gug-Il | Solar cell and method of fabricating the same |
JP2011521463A (ja) * | 2008-05-19 | 2011-07-21 | サン−ゴバン グラス フランス エス アー | 太陽電池用層システム |
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