JP2014209446A - 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ロールツーロール方式を用いた製造方法であって、湾曲し難く且つ耐久性に優れた有機ＥＬ装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】ロールツーロール方式を用い、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された帯状の支持基板２１に張力を加えながらその基板を長手方向に搬送する途中で、張力を加えながら搬送される帯状の封止基板５を、前記支持基板２１上に貼着する工程を有し、前記支持基板２１又は封止基板５の何れか一方の基板が、他方の基板よりも引張弾性率が大きく、前記工程において、前記引張弾性率の小さい基板に、１７０Ｎ／ｍ以下の張力を加え、且つ、前記引張弾性率の大きい基板に、前記引張弾性率の小さい基板に加える張力よりも大きい張力を加える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【選択図】図５

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。

以下、有機エレクトロルミネッセンスを「有機ＥＬ」と記す。
従来、支持基板と、前記支持基板上に設けられた有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子上に設けられた封止基板と、を有する有機ＥＬ装置が知られている。前記有機ＥＬ素子は、第１電極と、第２電極と、前記両電極の間に設けられた有機層と、を有する。

前記有機ＥＬ装置の製造方法として、ロールツーロール方式が知られている。
かかるロールツーロール方式を用いた製造方法は、例えば、ロール状に巻かれた帯状の支持基板を繰り出す工程と、帯状の支持基板上に有機ＥＬ素子を複数形成する工程と、前記複数の有機ＥＬ素子上に、接着層を介して帯状の封止基板を貼着する工程と、前記支持基板と有機ＥＬ素子と封止基板を有する帯状の積層体をロール状に巻き取る巻取り工程と、を有する（特許文献１）。
ロールツーロール方式においては、複数の有機ＥＬ素子が設けられた帯状の支持基板に張力を加えながらそれを長手方向に搬送する途中で、張力を加えながら搬送されてくる帯状の封止基板を、前記支持基板に重ね合わせて、封止基板を支持基板上に貼り付けることにより、支持基板と有機ＥＬ素子と封止基板がこの順で積層された有機ＥＬ装置が得られる。

ところで、前記支持基板や封止基板としては、様々な基板が用いられる。例えば、支持基板と封止基板として、互いに引張弾性率が異なる基板が用いられることもある。
しかしながら、ロールツーロール方式を用いて、引張弾性率が異なる基板をそれぞれ張力を加えながら搬送すると、それぞれの基材の変形量が異なる結果、基板の内部応力が増加する。そのため、有機ＥＬ素子が損傷したり、或いは、封止基板が剥離するという問題がある。また、得られた有機ＥＬ装置が湾曲するおそれがあるので、有機ＥＬ装置の保管、運搬及び加工などの取り扱いが煩雑となる。

特開２０１０−０９７８０３

本発明の目的は、ロールツーロール方式を用い、湾曲し難く且つ耐久性に優れた有機ＥＬ装置を製造する方法を提供することである。

本発明の第１の有機ＥＬ装置の製造方法は、ロールツーロール方式を用い、有機ＥＬ素子が形成された帯状の支持基板に張力を加えながらその基板を長手方向に搬送する途中で、張力を加えながら搬送される帯状の封止基板を、前記支持基板の上に貼着する工程を有し、前記支持基板又は封止基板の何れか一方の基板が、他方の基板よりも引張弾性率が大きく、前記工程において、前記引張弾性率の小さい基板に、１７０Ｎ／ｍ以下の張力を加え、且つ、前記引張弾性率の大きい基板に、前記引張弾性率の小さい基板に加える張力よりも大きい張力を加える。
本発明の第２の有機ＥＬ装置の製造方法は、ロールツーロール方式を用い、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された帯状の支持基板に張力を加えながらその基板を長手方向に搬送する途中で、張力を加えながら搬送される帯状の封止基板を、前記支持基板上に貼着する工程を有し、前記支持基板又は封止基板の何れか一方の基板が、他方の基板よりも引張弾性率が大きく、前記工程において、前記引張弾性率の小さい基板に、その引張弾性率（ＧＰａ）の数値の４３倍以下の数値の張力（Ｎ／ｍ）を加え、且つ、前記引張弾性率の大きい基板に、前記引張弾性率の小さい基板に加える張力よりも大きい張力を加える。

本発明の好ましい有機ＥＬ装置は、前記引張弾性率の大きい基板に加える張力が、２００Ｎ／ｍ以上である。
本発明の好ましい有機ＥＬ装置は、前記支持基板と封止基板の引張弾性率の差が、３０ＧＰａ以上である。
本発明の好ましい有機ＥＬ装置の製造方法は、前記支持基板が、前記引張弾性率の大きい基板であり、前記封止基板が、前記引張弾性率の小さい基板である。
本発明の他の好ましい有機ＥＬ装置の製造方法は、前記支持基板が、前記引張弾性率の小さい基板であり、前記封止基板が、前記引張弾性率の大きい基板である。

本発明の好ましい他の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記引張弾性率の大きい基板が、金属シートを含み、前記引張弾性率の小さい基板が、樹脂シートを含む。
本発明の他の好ましい有機ＥＬ装置の製造方法は、前記引張弾性率の大きい基板が、ガラスシートを含み、前記引張弾性率の小さい基板が、樹脂シートを含む。
好ましくは、前記樹脂シートにバリア層が積層されている。

本発明の好ましい有機ＥＬ装置は、前記封止基板を、接着層を介して前記支持基板上に貼着する。

本発明の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、湾曲し難く且つ耐久性に優れた有機ＥＬ装置を得ることができる。この有機ＥＬ装置は、封止基板が剥がれ難く、又、有機ＥＬ素子が損傷し難い。かかる本発明の有機ＥＬ装置は、比較的長寿命であり、また、その取り扱いが煩雑となることはない。

本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ装置の平面図。 図１のＩＩ−ＩＩ線で切断した拡大断面図（有機ＥＬ装置を厚み方向で切断した拡大断面図）。 本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置を厚み方向で切断した拡大断面図。 枚葉状の有機ＥＬ装置の平面図。 本発明の１つ実施形態に係る製造方法における製造装置の模式図。 図５のＶＩ−ＶＩ線断面図。

以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。ただし、各図における厚み及び長さなどの寸法は、実際のものとは異なっていることに留意されたい。
また、本明細書において、用語の頭に、「第１」、「第２」を付す場合があるが、この第１などは、用語を区別するためだけに付加されたものであり、その順序や優劣などの特別な意味を持たない。「帯状」とは、一方向における長さが他方向における長さよりも十分に長い略長方形状を意味する。前記帯状は、例えば、前記一方向における長さが他方向における長さの１０倍以上の略長方形状であり、好ましくは３０倍以上であり、より好ましくは１００倍以上である。「長手方向」は、前記帯状の一方向（帯状の長辺と平行な方向）であり、「短手方向」は、前記帯状の他方向（帯状の短辺と平行な方向）である。「ＰＰＰ〜ＱＱＱ］という表記は、「ＰＰＰ以上ＱＱＱ以下」を意味する。

［有機ＥＬ装置の構成］
本発明の有機ＥＬ装置１は、図１及び図２に示すように、帯状の支持基板２と、前記帯状の支持基板２の上に設けられた有機ＥＬ素子３と、前記有機ＥＬ素子３の上に接着層４を介して貼着された帯状の封止基板５と、を有する。前記有機ＥＬ素子３は、帯状の支持基板２の長手方向に所要間隔を開けて複数並んで形成されている。
前記有機ＥＬ素子３は、端子３１ａを有する第１電極３１と、端子３２ａを有する第２電極３２と、前記両電極３１，３２の間に設けられた有機層３３と、を有する。
前記有機ＥＬ素子３は、前記有機層３３を基準にして、第１電極３１の端子３１ａが第１側に配設され、且つ、第２電極３２の端子３２ａが第２側に配設されている。前記第１側と第２側は、相反する側であり、第１側は、例えば、前記支持基板２の短手方向の一方側であり、第２側は、前記支持基板２の短手方向の他方側である。
前記帯状の封止基板５は、これらの端子３１ａ，３２ａを除いて、有機ＥＬ素子３の表面を被覆するように、支持基板２の表面上に積層接着されている。

有機ＥＬ装置１の層構成は、図２に示すように、帯状の支持基板２と、帯状の支持基板２上に設けられた第１電極３１と、第１電極３１上に設けられた有機層３３と、有機層３３上に設けられた第２電極３２と、第２電極３２上に設けられた封止基板５と、を有する積層構造である。
支持基板２が導電性を有する場合には、電気的な短絡を防止するため、支持基板２と第１電極３１の間に絶縁層（図示せず）が設けられる。

前記有機ＥＬ素子３は、例えば、平面略長方形状に形成されている。もっとも、有機ＥＬ素子３の平面形状は、略長方形状に限られず、例えば、略正方形状又は円形状などに形成されていてもよい。
前記有機ＥＬ素子３の有機層３３は、発光層を含み、必要に応じて、正孔輸送層及び電子輸送層などの各種機能層を有する。有機層３３の層構成は、後述する。
第１電極３１の端子３１ａを形成するため、有機層３３は、第１電極３１の第１側の端部（端子３１ａ）を除いて、第１電極３１の表面上に設けられている。
また、有機層３３の表面上には、有機層３３の表面を被覆するように第２電極３２が設けられている。第２電極３２の端部は、第２電極３２の端子３２ａを形成するため、有機層３３の端部から第２側に延出されている。

前記第１電極３１及び第２電極３２の各端子３１ａ，３２ａは、外部に接続する部分である。第１電極３１の端子３１ａは、第１電極３１の露出した表面からなり、第２電極３２の端子３２ａは、第２電極３２の露出した表面からなる。
前記封止基板５は、第１電極３１及び第２電極３２の各端子３１ａ，３２ａを被覆しないように、有機ＥＬ素子３（第２電極３２）の表面上に接着層４を介して接着されている。

前記封止基板５は、有機ＥＬ素子３に、酸素や水蒸気などが浸入することを防止するための層である。
封止基板５は、前記各端子３１ａ，３２ａを除いて、有機ＥＬ素子３の全体を気密的に覆っている。詳しくは、封止基板５は、各端子３１ａ，３２ａを除いて、接着層４を介して第２電極３２の表面に接着され、さらに、図２に示すように、有機ＥＬ素子３の周端面に接着されている。また、封止基板５の周縁部は、支持基板２の表面、第１電極３１の表面及び第２電極３２の表面にそれぞれ接着されている。

なお、図３に示すように、必要に応じて、封止基板５の裏面に、バリア層５９が積層されていてもよい。前記封止基板５の裏面は、有機ＥＬ素子３に対面する側の面である。従って、前記バリア層５９は、封止基板５と第２電極３２の間に介在されている。
また、図２に示す例では、封止基板５は有機ＥＬ素子３の周端面にまで接着されているが、例えば、図３に示すように、封止基板５が有機ＥＬ素子３の周端面を覆わずに接着されていてもよい（この場合、封止基板５は有機ＥＬ素子３の表面側のみに接着されている）。

前記帯状の有機ＥＬ装置１は、使用時に、隣接する有機ＥＬ素子３の境界部において適宜切断される。図１に、切断箇所を矢印で示している。帯状の有機ＥＬ装置１を、前記のように加工することにより、図４に示すような、枚葉状の有機ＥＬ装置１０が得られる。
前記有機ＥＬ装置１，１０は、その１つ又は複数を組み合わせて、照明装置や画像表示装置などの発光パネルとして利用できる。
以下、有機ＥＬ装置の形成材料及び製造方法などを具体的に説明する。

［支持基板及び封止基板］
前記帯状の支持基板及び帯状の封止基板は、いずれもフレキシブルなシート状物である。前記帯状の支持基板及び封止基板の長さ（長手方向の長さ）は、それぞれ特に限定されないが、例えば、１０ｍ〜１０００ｍである。また、前記支持基板の幅（短手方向の長さ）も特に限定されないが、例えば、１０ｍｍ〜３００ｍｍであり、好ましくは１０ｍｍ〜１００ｍｍである。なお、図１に示す有機ＥＬ装置１は、支持基板２の短手方向の両側に端子３１ａ，３２ａが配置されているので、前記封止基板５の幅は、支持基板２の幅よりも少し小さい。
前記支持基板及び封止基板は、両方の基板が不透明でないことを条件として、何れか一方の基板が透明で且つ他方の基板が不透明でもよく、或いは、両方の基板が透明でもよい。なお、前記透明は、無色透明又は有色透明を意味する。前記透明の指標としては、例えば、全光線透過率７０％以上、好ましくは８０％以上が例示できる。ただし、前記全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ７１０５（プラスチックの光学的特性試験方法）に準拠した測定法によって測定される。ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を形成する場合には、透明な支持基板が用いられ、トップエミッション型の有機ＥＬ装置を形成する場合には、透明な封止基板が用いられる。

本発明においては、支持基板及び封止基板は、互いに引張弾性率が異なる基板であることを条件として、その材質及び厚みなどは特に限定されない。
例えば、支持基板が、封止基板よりも引張弾性率の大きい基板でもよい（この場合、封止基板は引張弾性率の小さい基板である）。或いは、支持基板が、封止基板よりも引張弾性率の小さい基板でもよい（この場合、封止基板は引張弾性率の大きい基板である）。
以下、本明細書において、引張弾性率の大きい基板を「大弾性基板」と記し、その大弾性基板よりも引張弾性率の小さい基板を「小弾性基板」と記す場合がある。
前記大弾性基板の引張弾性率は、例えば、前記小弾性基板の引張弾性率の３倍〜４０００倍であり、好ましくは５倍〜３００倍であり、より好ましくは１０倍〜１００倍である。
また、前記大弾性基板の引張弾性率は、特に限定されないが、例えば、３０ＧＰａ〜４００ＧＰａであり、好ましくは４０ＧＰａ〜３５０ＧＰａであり、より好ましくは５０ＧＰａ〜３００ＧＰａである。
前記小弾性基板の引張弾性率は、特に限定されないが、例えば、０．１ＧＰａ〜３０ＧＰａであり、好ましくは１ＧＰａ〜２０ＧＰａであり、より好ましくは２ＧＰａ〜１０ＧＰａである。
前記大弾性基板の引張弾性率と小弾性基板の引張弾性率の差（大弾性基板−小弾性基板）は、特に限定されないが、例えば、３０ＧＰａ以上であり、好ましくは５０ＧＰａ以上であり、より好ましくは１２０ＧＰａ以上である。
ただし、前記引張弾性率は、例えば、金属材料の基板についてはＪＩＳ Ｚ ２２８０（金属材料のヤング率の試験方法）に準じて測定でき、樹脂材料の基板についてはＪＩＳ Ｋ ７１２７（プラスチックの引張特性の試験方法）に準じて測定できる。

前記支持基板及び封止基板としては、例えば、金属シート、樹脂シート、ガラスシート、セラミックシート、金属シート又はガラスシートなどに樹脂層が積層された積層シートなどを適宜選択して用いることができる。なお、本明細書において、シートとは、一般にフィルムと呼ばれるものを含む。
前記金属シートは、特に限定されないが、例えば、ステンレス、銅、チタン、アルミニウム、合金などからなるフレキシブルな薄板が挙げられる。前記金属シートの厚みは、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。
前記樹脂シートは、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル系樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のα−オレフィンをモノマー成分とするオレフィン系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；酢酸ビニル系樹脂；ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリイミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などからなるフレキシブルな合成樹脂シートが挙げられる。前記樹脂シートの厚みは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ〜２００μｍである。
なお、一般に、金属シート、樹脂シート及びガラスシートの各引張弾性率は、金属シートの引張弾性率＞ガラスシートの引張弾性率＞樹脂シートの引張弾性率、である。

また、駆動時に有機ＥＬ装置の温度上昇を防止するため、前記支持基板及び封止基板は、放熱性に優れていることが好ましい。また、有機ＥＬ素子に酸素や水蒸気が浸入することを防止するため、前記支持基板及び封止基板は、ガス及び水蒸気バリア性を有することが好ましい。このようなバリア性を付与するため、前記樹脂シートの少なくとも一方面に前記バリア層が積層されていてもよい。前記バリア層の形成材料は、特に限定されないが、金属酸化物膜、酸化窒化膜、窒化膜、酸化炭化窒化膜などが挙げられる。前記金属酸化物としては、例えば、ＭｇＯ、ＳｉＯ、Ｓｉ_ｘＯ_ｙ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、ＴｉＯ_２などが挙げられる。前記バリア層は、酸化炭化窒化ケイ素膜（ＳｉＯＣＮ）、酸化窒化ケイ素膜（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素膜（ＳｉＮ）が好ましい。前記バリア層の厚みは、特に限定されないが、例えば、５０ｎｍ〜１０μｍである。
なお、支持基板及び封止基板として、導電性基板（金属シートなど）を用いる場合には、対面する電極に対して絶縁するため、前記支持基板の表面又は封止基板の裏面に絶縁層が設けられる。

１つの好ましい実施形態では、前記支持基板として、ステンレス薄板などの金属シート（上述のように、表面に絶縁層が設けられた金属シート）が用いられ、前記封止基板として、ポリエチレンテレフタレートシートなどの樹脂シート（好ましくは、バリア層が積層されている樹脂シート）、又は、両面に合成樹脂層が設けられているガラス板などのガラスシートが用いられる。
他の好ましい実施形態では、前記支持基板として、ポリエチレンテレフタレートシートなどの樹脂シート（好ましくは、バリア層が積層されている樹脂シート）、又は、両面に合成樹脂層が設けられているガラス板などのガラスシートが用いられ、封止基板として、ステンレス薄板などの金属シート（上述のように、裏面に絶縁層が設けられた金属シート）が用いられる。
前記金属シート及び樹脂シートには、それらのシートに所望の機能を付与するため、任意の層が積層されていてもよい。

［第１電極、有機層及び第２電極を有する有機ＥＬ素子］
前記第１電極は、例えば、陽極である。
前記第１電極（陽極）の形成材料は、特に限定されないが、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）；酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）；アルミニウム；金；白金；ニッケル；タングステン；銅；合金；などが挙げられる。ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を形成する場合には、透明な第１電極が用いられる。
第１電極の厚みは、特に限定されないが、通常、０．０１μｍ〜１．０μｍである。

有機層は、少なくとも２つの層からなる積層構造である。有機層の構造としては、例えば、（Ａ）正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の、３つの層からなる構造、（Ｂ）正孔輸送層及び発光層の、２つの層からなる構造、（Ｃ）発光層及び電子輸送層、の２つの層からなる構造、などが挙げられる。
前記（Ｂ）の有機層は、発光層が電子輸送層を兼用している。前記（Ｃ）の有機層は、発光層が正孔輸送層を兼用している。
本発明に用いられる有機層は、前記（Ａ）〜（Ｃ）の何れの構造であってもよい。
以下、前記（Ａ）の構造を有する有機層について説明する。

正孔輸送層は、第１電極の表面に設けられる。もっとも、有機ＥＬ素子の発光効率を低下させないことを条件として、第１電極と正孔輸送層の間にこれら以外の任意の機能層が介在されていてもよい。
例えば、正孔注入層が、第１電極の表面に設けられ、その正孔注入層の表面に正孔輸送層が設けられていてもよい。正孔注入層は、陽極層から正孔輸送層へ正孔の注入を補助する機能を有する層である。

正孔輸送層の形成材料は、正孔輸送機能を有する材料であれば特に限定されない。正孔輸送層の形成材料としては、４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）−トリフェニルアミン（略称：ＴｃＴａ）などの芳香族アミン化合物；１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼンなどのカルバゾール誘導体；Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９’−スピロビスフルオレン（略称：Ｓｐｉｒｏ−ＮＰＢ）などのスピロ化合物；高分子化合物；などが挙げられる。正孔輸送層の形成材料は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。また、正孔輸送層は、２層以上の多層構造であってもよい。
正孔輸送層の厚みは、特に限定されないが、駆動電圧を下げるという観点から、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。

発光層は、正孔輸送層の表面に設けられる。
発光層の形成材料は、発光性を有する材料であれば特に限定されない。発光層の形成材料としては、例えば、低分子蛍光発光材料、低分子燐光発光材料などの低分子発光材料を用いることができる。

低分子発光材料としては、例えば、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）などの芳香族ジメチリデン化合物；５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾールなどのオキサジアゾール化合物；３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼンなどのスチリルベンゼン化合物；ベンゾキノン誘導体；ナフトキノン誘導体；アントラキノン誘導体；フルオレノン誘導体；アゾメチン亜鉛錯体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）などの有機金属錯体；などが挙げられる。

また、発光層の形成材料として、ホスト材料中に発光性のドーパント材料をドープしたものを用いてもよい。
前記ホスト材料としては、例えば、上述の低分子発光材料を用いることができ、これ以外に、１，３，５−トリス（カルバゾ−９−イル）ベンゼン（略称：ＴＣＰ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、２，６−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ピリジン、９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（略称：ＣＰＦ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチル−フルオレン（略称：ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）などのカルバゾール誘導体などを用いることができる。

前記ドーパント材料としては、例えば、スチリル誘導体；ペリレン誘導体；トリス（２−フェニルピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）_３）、ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））などの有機イリジウム錯体などの燐光発光性金属錯体；などを用いることができる。
さらに、発光層の形成材料には、上述の正孔輸送層の形成材料、後述の電子輸送層の形成材料、各種添加剤などが含まれていてもよい。
発光層の厚みは、特に限定されないが、例えば、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。

電子輸送層は、発光層の表面に設けられる。もっとも、有機ＥＬ素子の発光効率を低下させないことを条件として、第２電極と電子輸送層の間にこれら以外の任意の機能層が介在されていてもよい。
例えば、電子注入層が、電子輸送層の表面に設けられ、電子注入層の表面に、第２電極が設けられていてもよい。電子注入層は、前記第２電極から電子輸送層へ電子の注入を補助する機能を有する層である。

電子輸送層の形成材料は、電子輸送機能を有する材料であれば特に限定されない。電子輸送層の形成材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）などの金属錯体；２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン（略称：Ｂｐｙ−ＦＯＸＤ）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、２，２’,２’'−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（略称：ＴＰＢｉ）などの複素芳香族化合物；ポリ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰｙ）などの高分子化合物；などが挙げられる。電子輸送層の形成材料は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。また、電子輸送層は、２層以上の多層構造であってもよい。
電子輸送層の厚みは、特に限定されないが、駆動電圧を下げるという観点から、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。

第２電極は、例えば、陰極である。
前記第２電極の形成材料は、特に限定されないが、トップエミッション型の有機ＥＬ素子を形成する場合には、透明な第２電極が用いられる。透明及び導電性を有する第２電極の形成材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）；酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）；アルミニウムなどの導電性金属を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）；マグネシウム−銀合金などが挙げられる。第２電極の厚みは、特に限定されないが、通常、０．０１μｍ〜１．０μｍである。

［有機ＥＬ装置の製造方法］
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、帯状の支持基板に複数の有機ＥＬ素子を形成する素子形成工程と、前記複数の有機ＥＬ素子を含んで前記帯状の支持基板の上に、フレキシブルな帯状の封止基板を貼着する積層工程と、前記帯状の支持基板と有機ＥＬ素子と封止基板を有する帯状の積層体をロール状に巻き取る巻取り工程と、を有する。
有機ＥＬ装置の製造方法においては、少なくとも上記積層工程がロールツーロール方式を用いて行われるが、素子形成工程及び積層工程が一連にロールツーロール方式を用いて行われてもよい。

（素子形成工程）
有機ＥＬ素子の形成工程は、従来と同様にして行われる。
簡単に説明すると、ロール状に巻かれた帯状の支持基板を繰り出し、支持基板を、必要に応じて洗浄槽にて洗浄し乾燥する。洗浄乾燥後、その支持基板の表面上に第１電極を形成する。
第１電極の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法などが挙げられる。例えば、金属によって陽極を形成する場合には、蒸着法が用いられる。なお、予め第１電極がパターニングされた支持基板を用いてもよい。予め第１電極が形成された支持基板を用いる場合には、それを繰り出し、洗浄乾燥する。

前記第１電極の表面上に、その端子を除いて、有機層を形成する。前記第１電極の表面に、例えば、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を順に形成することによって、有機層を形成できる。正孔輸送層及び電子輸送層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法、コート法などが挙げられる。発光層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、通常、蒸着法によって形成される。
続いて、有機層の表面に、第２電極を形成する。第２電極は、第１電極の端子に重ならないように形成される。第２電極の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法などが挙げられる。
このようにして帯状の支持基板の長手方向に、所要間隔を開けて複数の有機ＥＬ素子を順に形成していく。なお、必要に応じて、第２電極の表面にバリア層を設けてもよい。
前記複数の有機ＥＬ素子の間隔は、特に限定されず、適宜設定できる。例えば、前記間隔は、０．５ｍｍ〜５ｍｍである。
得られた有機ＥＬ素子が形成された支持基板（以下、素子形成済み支持基板という）は、必要に応じて、有機ＥＬ素子を外側にしてロール状に巻き取られる。

（積層工程）
積層工程は、前記帯状の素子形成済み支持基板に張力を加えながらその基板を長手方向に搬送する途中で、張力を加えながら搬送される帯状の封止基板を、前記基板の上に貼着する工程である。
図５において、前記素子形成済み支持基板２１は、ローラ６１に巻かれている。このローラ６１には駆動モーター（図示せず）が備えられ、前記駆動用モーターにより素子形成済み支持基板２１が搬送される。この素子形成済み支持基板２１をローラ６１から繰り出し、それをラインの長手方向に搬送する。ラインの途中には、封止基板５を素子形成済み支持基板２１上に貼着ながら押圧する積層用ニップローラ６２，６２が設けられている。素子形成済み支持基板２１は、封止基板５と共に積層用ニップローラ６２，６２の間を通過する。
また、ローラ６１と積層用ニップローラ６２の間には、搬送される素子形成済み支持基板２１の張力を検知するセンサ６３を備える第１張力検出ローラ６４が設けられている。第１張力検出ローラ６４によって、封止基板５が積層されるときの、素子形成済み支持基板２１に加わっている張力が検知される。前記第１張力検出ローラ６４による張力検出値は、制御部（図示せず）に送られる。制御部は、素子形成済み支持基板２１に加わる張力が略設定値となるように、前記ローラ６１に具備されたモーターの回転速度を調整する。

また、封止基板５は、ローラ７１に巻かれている。このローラ７１には駆動モーター（図示せず）が備えられ、前記駆動用モーターにより封止基板が積層用ニップローラ６２へと搬送される。
前記積層用ニップローラ６２に導入される前の封止基板５の裏面には、それを素子形成済み支持基板２１に接着させるための、未硬化の接着層５２が設けられている。
本実施形態では、封止基板５の裏面に予め未硬化の接着層５２が塗布され、且つ、それがセパレータ５３に仮貼付されたセパレータ付き封止基板５１が用いられている。
従って、本実施形態では、封止基板５、未硬化の接着層５２及びセパレータ５３からなるセパレータ付き封止基板５１が、前記ローラ７１に巻かれている。

図６は、前記セパレータ付き封止基板５１の断面図である。図６において、封止基板５の裏面には、未硬化の接着層５２が塗布されている。なお、前記封止基板５には、バリア層が積層されていてもよい（図６に不図示）。前記未硬化の接着層５２を帯状のセパレータ５３に仮貼付することにより、セパレータ５３、接着層５２及び封止基板５が積層されたセパレータ付き封止基板５１が構成されている。セパレータ５３としては、未硬化の接着層５２と容易に剥離するように、表面に離型処理が施された帯状のシート状物が用いられる。
前記接着層５２を構成する接着剤は、熱硬化型又は光硬化型の接着剤を用いることができる。前記熱硬化型の接着剤としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂などを主成分とする接着剤が挙げられる。前記光硬化型の接着剤としては、代表的には、紫外線硬化型の接着剤を用いることができる。紫外線硬化型の接着剤としては、紫外線硬化性アクリル樹脂、紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、紫外線硬化性ポリエステルアクリレート樹脂、紫外線硬化性ポリウレタン樹脂、紫外線硬化性エポキシアクリレート樹脂、紫外線硬化性イミドアクリレート樹脂などを主成分とする接着剤が挙げられる。前記接着層の厚みは、例えば、５μｍ〜１００μｍである。

前記ローラ７１からセパレータ付き封止基板５１を繰り出す。それを積層用ニップローラ６２に導入する前に、そのセパレータ付き封止基板５１からセパレータ５３のみを反転ローラ７９にて反転させて引き剥がす。剥がされたセパレータ５３は、回収ローラ７２に回収される。セパレータ５３の引き剥がしにより、封止基板５に設けられた未硬化の接着層５２が露出する。
また、反転ローラ７９と積層用ニップローラ６２の間には、搬送される封止基板５の張力を検知するセンサ７３を備える第２張力検出ローラ７４が設けられている。第２張力検出ローラ７４によって、素子形成済み支持基板２１に積層するときの、封止基板５に加わっている張力が検知される。前記第２張力検出ローラ７４による張力検出値は、制御部（図示せず）に送られる。制御部は、封止基板５に加わる張力が略設定値となるように、前記ローラ７１に具備されたモーターの回転速度を調整する。

張力を加えながらそれぞれ搬送される素子形成済み支持基板２１と封止基板５が、前記積層用ニップローラ６２，６２の間に導入されることにより、封止基板５の裏面が未硬化の接着層５２を介して素子形成済み支持基板２１に貼着される。

積層工程においては、小弾性基板に１７０Ｎ／ｍ以下の張力を加え、且つ、大弾性基板に、前記小弾性基板に加える張力よりも大きい張力を加えながら、それぞれの基板を搬送する。
例えば、前記支持基板２として、前記封止基板５よりも引張弾性率の大きい基板が用いられている場合（このように支持基板２が大弾性基板である場合、封止基板５は小弾性基板である）、前記素子形成済み支持基板２１に加えられる張力は、封止基板５に加えられる張力よりも大きくなるように設定され、且つ、前記封止基板５に加えられる張力は、１７０Ｎ／ｍ以下に設定される。
他方、前記支持基板２として、前記封止基板５よりも引張弾性率の小さい基板が用いられている場合（このように支持基板２が小弾性基板である場合、封止基板５は大弾性基板である）、前記素子形成済み支持基板２１に加えられる張力は、１７０Ｎ／ｍ以下に設定され、且つ、封止基板２に加えられる張力は、前記素子形成済み支持基板２１に加えられる張力よりも大きくなるように設定される。
好ましくは、前記小弾性基板に加える張力は、１６０Ｎ／ｍ以下に設定され、より好ましくは、１５０Ｎ／ｍ以下に設定され、特に好ましくは、１２０Ｎ／ｍ以下に設定される。小弾性基板に加える張力の下限は、特に限定されず、理論上、零を超え、好ましくは５Ｎ／ｍ以上である。
また、前記小弾性基板に加える張力は、小弾性基板の引張弾性率（ＧＰａ）の数値の４３倍以下の数値の張力（Ｎ／ｍ）を加えることが好ましく、さらに、その弾性率の数値の３０倍以下の数値の張力を加えることがより好ましく、２８倍以下の数値の張力を加えることが特に好ましい。例えば、小弾性基板の引張弾性率が４ＧＰａである場合、小弾性基板に加える張力は、上述のように約１７０Ｎ／ｍ以下（４×４３倍以下）である。
他方、前記大弾性基板に加える張力は、小弾性基板に加える張力よりも大きいことを条件として、特に限定されない。好ましくは、前記大弾性基板に加える張力は、２００Ｎ／ｍ以上であり、より好ましくは、２３０Ｎ／ｍ以上であり、特に好ましくは、２５０Ｎ／ｍ以上である。前記大弾性基板に加える張力の上限は、特に限定されず、理論上、その基板が破断しないまであり、例えば、１５００Ｎ／ｍ以下である。
なお、素子形成済み支持基板２１に加わる張力は、上述のように第１張力検出ローラ６４によって検知され、その張力は、前記ローラ６４と積層用ニップローラ６２との間の張力に相当する。封止基板５に加わる張力は、上述のように第２張力検出ローラ７４によって検知され、その張力は、前記ローラ７４と積層用ニップローラ６２との間の張力に相当する。

積層用ニップローラ６２の下流側には、前記接着層５２を硬化させるため、接着剤硬化装置７８が設けられている。前記接着剤硬化装置７８は、接着層を構成する接着剤の種類に応じて、適宜選定される。接着剤が熱硬化型である場合には、前記硬化装置７８として加熱装置が用いられる。接着剤が光硬化型である場合には、前記硬化装置７８として紫外線照射装置などの光照射装置が用いられる。
接着層を硬化させることにより、図１に示すような、帯状の有機ＥＬ装置１が得られる。

（巻取り工程）
前記帯状の有機ＥＬ装置１は、ローラ６５に巻き取られる。

本発明の製造方法によれば、大弾性基板を大きな力で引っ張り且つ小弾性基板をこれよりも小さい１７０Ｎ／ｍ以下で引っ張りながら両基板を積層接着している。このため、両基板（支持基板及び封止基板）の歪み差が大きくならず、前記張力を解除された後の、両基板の内部応力が比較的小さくなると考えられる。よって、前記製法で得られた有機ＥＬ装置は、湾曲し難く、ほぼ平坦状態に保たれる。
かかる有機ＥＬ装置は、封止基板が剥がれ難く、又、有機ＥＬ素子が損傷し難い。このような有機ＥＬ装置は、比較的長期間発光しうる。

［有機ＥＬ装置の製造方法の他の実施形態］
本発明の製造方法は、上記実施形態に限られず、本発明の意図する範囲で様々に設計変更できる。
上記実施形態の製造方法においては、前記素子形成済み支持基板を一旦巻き取った後、その支持基板を再び繰り出して積層工程を行っているが、これに限定されない。例えば、素子形成工程後、（素子形成済み支持基板を巻き取らず）引き続いて積層工程を行ってもよい（図示せず）。

さらに、上記実施形態の製造方法においては、セパレータ付き封止基板が用いられているが、セパレータに仮貼付されていない封止基板を用いてもよい。この場合、封止基板に予め未硬化の接着層が塗布されていると、ロール状に巻き取られた封止基板がブロッキングする。このため、封止基板のみをローラに巻き、封止基板を積層用ニップローラに導入する直前で、その封止基板の裏面に未硬化の接着剤を塗布することが好ましい。
また、上記実施形態の製造方法においては、接着層を硬化させた後に帯状の有機ＥＬ装置を巻き取っているが、これに変えて、接着層の硬化前に有機ＥＬ装置を巻き取った後、その未硬化の接着層を硬化させてもよい。

以下、実施例及び比較例を示し、本発明をさらに詳述する。ただし、本発明は、下記実施例に限定されるわけではない。

［使用した基板］
（Ａ）金属シート含有基板
金属シート含有基板として、厚み５０μｍのＳＵＳ３０４箔（東洋製箔（株）製）の上に、厚み３μｍの絶縁層を積層したものを用いた。前記絶縁層は、アクリル樹脂（ＪＳＲ（株）製、商品名「ＪＥＭ−４７７」）を用い、その樹脂を前記ステンレス箔の一方面に塗布することによって形成した。
（Ｂ）金属シート基板
金属シート基板として、厚み５０μｍのＳＵＳ３０４箔（東洋製箔（株）製）をそのまま用いた。

（Ｃ）ガラスシート含有基板
シリコーン処理の施された２枚の剥離フィルム間に、下記化学式で表されるエポキシ系樹脂（式（１）：式（２）＝５０：５０（重量比））を主成分とする樹脂組成物を挟み込み、５０μｍ間隔に固定された金属ロールの間に通して、厚み３０μｍのエポキシ系樹脂層を含む積層体を得た。次に、紫外線照射装置（コンベア速度：２．５ｍ／分）を用いて、前記積層体の一方の側から、紫外線を照射（照射エネルギー：２５０ｍＪ／ｃｍ^２）し、エポキシ系樹脂層を半硬化させて半硬化層を形成した。次に、一方の剥離フィルムを除去し、ラミネータを用いて、前記積層体の半硬化層を無機ガラス（松浪硝子工業（株）製の硼珪酸ガラス、厚み：３０μｍ）の一方の面に貼着した。前記無機ガラスのもう一方の面についても同様の操作を行い、前記半硬化層を貼着した。次いで、残っていた剥離フィルムを取り除いた後、紫外線を再照射（照射エネルギー：５０００ｍＪ／ｃｍ^２以上）した。その後、１３０℃以上で加熱処理を１０分以上施し、前記無機ガラスの両面の半硬化層を完全硬化させた。このようにして、１０μｍの樹脂層／３０μｍの無機ガラス／１０μｍの樹脂層の積層構造を有するガラス含有基板を得た。

（Ｄ）樹脂シート含有基板
樹脂シート含有基板として、厚み５０μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人・デュポン社製）の一方面上に、スパッタ法によって厚み０．３μｍのＳｉＯ_２層（バリア層）を積層したものを用いた。なお、この樹脂シート含有基板を、封止基板として用いる場合には、後述するように、前記バリア層上に接着層を設けた。

［基板の引張弾性率］
前記金属シート含有基板、金属シート基板、ガラスシート含有基板、及び樹脂シート含有基板の引張弾性率を表１に示す。
なお、金属シート含有基板及び金属シート基板の引張弾性率は、ＪＩＳ Ｚ ２２８０（金属材料のヤング率の試験方法）に準じて測定し、ガラスシート含有基板及び樹脂シート含有基板の引張弾性率は、ＪＩＳ Ｋ ７１２７（プラスチックの引張特性の試験方法）に準じて測定した。

［実施例１］
実施例１では、支持基板として、上記金属シート含有基板を用い、封止基板として、上記樹脂シート含有基板を用いた。なお、表１の通り、金属シート含有基板の引張弾性率は、樹脂シート含有基板のそれよりも大きい。従って、実施例１では、支持基板が、大弾性基板であり、封止基板が、小弾性基板である。
（素子形成工程）
ロール状に巻かれた帯状の金属シート含有基板（幅４０ｍｍ、長さ１００ｍ）を繰り出し、前記金属シート含有基板の絶縁層上に、第１電極として厚み１００ｎｍのＡｌ層、有機層のうち、正孔注入層として厚み１０ｎｍのＨＡＴ−ＣＮ（１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル）層、正孔輸送層として厚み５０ｎｍのＮＰＢ層、発光層及び電子輸送層として厚み４５ｎｍのＡｌｑ_３層、電子注入層として厚み０．５ｎｍのＬｉＦ層をこの順に加熱蒸着した後、第２電極として、厚み５／１５ｎｍのＭｇ／Ａｇ層を共蒸着し、さらに、スパッタリングによって厚み５０ｎｍのＩＴＯ層を成膜することにより、素子形成済み支持基板を作製した。その素子形成済み基板をロール状に巻き取った。
（積層工程及び巻取り工程）
積層工程では、図５に示すような貼付け装置を用いた。
封止基板として、バリア層上に厚み１０μｍの未硬化のエポキシ系熱硬化型接着剤層（未硬化の接着層）が設けられ且つその層の上にセパレータが設けられた帯状の樹脂シート含有基板（幅３５ｍｍ、長さ１００ｍ）を用いた。
前記素子形成済み支持基板をローラ６１から繰り出し、積層用ニップローラ６２，６２間に搬送した。他方、前記封止基板をローラ７１から繰り出し、途中でセパレータを剥がしながら、未硬化の接着層を有する封止基板を積層用ニップローラ６２，６２間に搬送した。
前記積層用ニップローラ６２，６２に導入する前の前記素子形成済み支持基板と前記封止基板の張力をそれぞれ２５０Ｎ／ｍ、６０Ｎ／ｍに設定した。ニップローラ６２，６２間において、前記封止基板を、前記未硬化の接着層を介して前記素子形成済み支持基板に貼着した後、それを加熱して接着層を熱硬化させた。
このようにして帯状のトップエミッション型の有機ＥＬ装置を作製した後、それをローラ６５で巻き取った。

［実施例２乃至６、比較例１乃至６］
素子形成済み支持基板に加える張力及び封止基板に加える張力を、それぞれ表２に示す値に設定したこと以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ装置を作製した。

［実施例７乃至１２、比較例７乃至１２］
支持基板として、ガラスシート含有基板を用いたこと、及び、各張力を表３に示す値に設定したこと以外は、実施例１と同様にして、有機ＥＬ装置を作製した。

［実施例１３］
実施例１３では、支持基板として、上記樹脂シート含有基板を用い、封止基板として、上記金属シート含有基板を用いた。なお、表１の通り、樹脂シート含有基板の引張弾性率は、金属シート含有基板のそれよりも小さい。従って、実施例１３では、支持基板が、小弾性基板であり、封止基板が、大弾性基板である。
（素子形成工程）
ロール状に巻かれた帯状の樹脂シート含有基板（幅４０ｍｍ、長さ１００ｍ）を繰り出し、前記樹脂シート含有基板のバリア層上に、第１電極として厚み１００ｎｍのＩＴＯをスパッタリング法にて製膜した。この第１電極の上に、有機層のうち、正孔注入層として厚み１０ｎｍのＨＡＴ−ＣＮ（１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル）層、正孔輸送層として厚み５０ｎｍのＮＰＢ層、発光層及び電子輸送層として厚み４５ｎｍのＡｌｑ_３層、電子注入層として厚み０．５ｎｍのＬｉＦ層、第２電極として、厚み１００ｎｍのＡｌ層をこの順に加熱蒸着することにより、素子形成済み支持基板を作製した。その素子形成済み基板をロール状に巻き取った。
（積層工程及び巻取り工程）
積層工程では、図５に示すような貼付け装置を用いた。
封止基板として、裏面に厚み１０μｍの未硬化のエポキシ系熱硬化型接着剤層（未硬化の接着層）が設けられ且つその層の上にセパレータが設けられた帯状の金属シート基板（幅３５ｍｍ、長さ１００ｍ）を用いた。
前記素子形成済み支持基板をローラ６１から繰り出し、積層用ニップローラ６２，６２間に搬送した。他方、前記封止基板をローラ７１から繰り出し、途中でセパレータを剥がしながら、未硬化の接着層を有する封止基板を積層用ニップローラ６２，６２間に搬送した。
前記積層用ニップローラ６２，６２に導入する前の前記素子形成済み支持基板と前記封止基板の張力をそれぞれ６０Ｎ／ｍ、２５０Ｎ／ｍに設定した。ニップローラ６２，６２間において、前記封止基板を、前記未硬化の接着層を介して前記素子形成済み支持基板に貼着した後、それを加熱して接着層を熱硬化させた。
このようにして帯状のボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を作製した後、それをローラ６５で巻き取った。

［実施例１４乃至１８、比較例１３乃至１８］
素子形成済み支持基板に加える張力及び封止基板に加える張力を、それぞれ表４に示す値に設定したこと以外は、実施例１３と同様にして、有機ＥＬ装置を作製した。

［実施例１９乃至２４、比較例１９乃至２４］
封止基板として、ガラスシート含有基板を用いたこと、及び、各張力を表５に示す値に設定したこと以外は、実施例１３と同様にして、有機ＥＬ装置を作製した。

［有機ＥＬパネルの評価］
上記実施例１乃至２４及び比較例１乃至２４で得られた帯状の有機ＥＬ装置をそれぞれ、大気雰囲気下で、隣接する有機ＥＬ素子の境界部で切断することによって、有機ＥＬパネル（長さ１００ｍｍ、幅４０ｍｍ）を得た。得られた各実施例及び各比較例の有機ＥＬパネルについて、下記に示す輝度半減寿命を測定した。それらの結果を各表に示す。

［輝度半減寿命の測定］
輝度半減寿命は、各有機ＥＬパネルの初期輝度が１０００ｃｄ／ｍ^２となるように印加電圧を決定し、その電流値において、パネルの輝度が初期から半減するまでの時間を計測した。実施例２乃至１２及び比較例１乃至１２のトップエミッション型の有機ＥＬパネルの輝度半減寿命の値は、実施例１の有機ＥＬパネルの輝度半減寿命を１００としたときの相対値とした。また、実施例１４乃至２４及び比較例１３乃至２４のボトムエミッション型の有機ＥＬパネルの輝度半減寿命の値は、実施例１３の有機ＥＬパネルの輝度半減寿命を１００としたときの相対値とした。

実施例１乃至１２は、封止基板が小弾性基板で且つ支持基板が大弾性基板であり、実施例１３乃至２４は、支持基板が小弾性基板で且つ封止基板が大弾性基板である。そして、小弾性基板に加える張力を１５０Ｎ／ｍ以下に設定した実施例１乃至２４の有機ＥＬパネルは、小弾性基板に加える張力を１８０Ｎ／ｍ以上に設定した比較例１乃至２４の有機ＥＬパネルに比べ、輝度半減寿命が長いことが分かる。これは、支持基板に封止基板を貼着した後に発生する、基板の内部応力が小さかったためと推定される。
また、実施例及び比較例の結果から、小弾性基板に加える張力を概ね１７０Ｎ／ｍ以下に設定することにより、本願の効果を奏する有機ＥＬ装置を得ることができると推定される。
なお、各実施例で使用した小弾性基板の引張弾性率は、いずれも６ＧＰａであり、これらに加えた張力は１５０Ｎ／ｍ以下なので、各小弾性基板には、その引張弾性率の数値の２５倍以下の張力が加えられていた（１５０÷６）。引張弾性率が６ＧＰａの小弾性基板に加える張力を、その弾性率の数値の概ね２８倍以下に設定することにより、本願の効果を奏する有機ＥＬ装置を得ることができると推定される。

本発明の有機ＥＬ装置は、例えば、照明装置、画像表示装置などとして利用できる。

１，１０…有機ＥＬ装置、２…支持基板、３…有機ＥＬ素子、４…接着層、５…封止基板、５９…バリア層

Claims (10)

1. 有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された帯状の支持基板に張力を加えながらその基板を長手方向に搬送する途中で、張力を加えながら搬送される帯状の封止基板を、前記支持基板上に貼着する工程を有し、
   前記支持基板又は封止基板の何れか一方の基板が、他方の基板よりも引張弾性率が大きく、
   前記工程において、前記引張弾性率の小さい基板に、１７０Ｎ／ｍ以下の張力を加え、且つ、前記引張弾性率の大きい基板に、前記引張弾性率の小さい基板に加える張力よりも大きい張力を加える、ロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
2. 有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された帯状の支持基板に張力を加えながらその基板を長手方向に搬送する途中で、張力を加えながら搬送される帯状の封止基板を、前記支持基板上に貼着する工程を有し、
   前記支持基板又は封止基板の何れか一方の基板が、他方の基板よりも引張弾性率が大きく、
   前記工程において、前記引張弾性率の小さい基板に、その引張弾性率（ＧＰａ）の数値の４３倍以下の数値の張力（Ｎ／ｍ）を加え、且つ、前記引張弾性率の大きい基板に、前記引張弾性率の小さい基板に加える張力よりも大きい張力を加える、ロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
3. 前記引張弾性率の大きい基板に加える張力が、２００Ｎ／ｍ以上である、請求項１または２に記載のロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
4. 前記支持基板と封止基板の引張弾性率の差が、３０ＧＰａ以上である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
5. 前記支持基板が、前記引張弾性率の大きい基板であり、前記封止基板が、前記引張弾性率の小さい基板である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
6. 前記支持基板が、前記引張弾性率の小さい基板であり、前記封止基板が、前記引張弾性率の大きい基板である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
7. 前記引張弾性率の大きい基板が、金属シートを含み、前記引張弾性率の小さい基板が、樹脂シートを含む、請求項１乃至６の何れか一項に記載のロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
8. 前記引張弾性率の大きい基板が、ガラスシートを含み、前記引張弾性率の小さい基板が、樹脂シートを含む、請求項１乃至６の何れか一項に記載のロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
9. 前記樹脂シートにバリア層が積層されている、請求項７または８に記載のロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
10. 前記封止基板を、接着層を介して前記支持基板上に貼着する、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のロールツーロール方式を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。

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