TW201448311A - 有機電致發光裝置之製造方法 - Google Patents

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Satoru Yamamoto
Yusuke Komoto
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Abstract

本發明之使用輥對輥方式製造有機電致發光裝置之方法中，具有一在對於形成有有機電致發光元件之帶狀支撐基板施加張力且將該基板往長向運送之途中，將被施加張力並運送之帶狀密封基板貼附於前述支撐基板上之步驟；前述支撐基板或密封基板中任一基板之拉伸彈性率大於另一基板，此外在前述步驟中，於前述拉伸彈性率小的基板施加170N/m以下之張力，且於前述拉伸彈性率大的基板施加比施加於前述拉伸彈性率小的基板之張力還要更大之張力。

Description

有機電致發光裝置之製造方法 發明領域
本發明係有關於一種有機電致發光裝置之製造方法。
發明背景
以下，有機致電發光將以「有機EL」表示。
以往，已知具有支撐基板、設於前述支撐基板上之有機EL元件、設於前述有機EL元件上之密封基板之有機EL裝置。前述有機EL元件具有第1電極、第2電極、與設於前述兩電極間之有機層。
作為前述有機EL裝置之製造方法，已知有輥對輥方式。
作為使用該輥對輥方式之製造方法，舉例來說具有：將捲成卷狀之帶狀支撐基板送出之步驟、將有機EL元件複數形成於帶狀之支撐基板上之步驟、在前述複數之有機EL元件上隔著接著層貼附帶狀之密封基板之步驟、以及將具有前述支撐基板與有機EL元件與密封基板之帶狀積層體回捲成卷狀之回捲步驟(專利文獻1)。
輥對輥方式中，在對於設有複數有機EL元件之帶狀支 撐基板施加張力且將其往長向運送之途中，將被施加張力並運送而來之帶狀密封基板疊合於前述支撐基板，藉由將密封基板貼附於支撐基板上，可獲得依序積層有支撐基板、有機EL元件、密封基板之有機EL裝置。
然而，作為前述支撐基板與密封基板，會使用各種基板。例如，作為支撐基板與密封基板，會有使用拉伸彈性率彼此相異之基板。
但是，若使用輥對輥方式，將拉伸彈性率彼此相異之基板施加張力並運送時，因基材各自的變形量相異，結果基板之內部應力會增加。因此，會有有機EL元件損傷、或密封基板剝離之問題。又，所獲得之有機EL裝置會有彎曲之虞，故有機EL裝置之保管、搬運及加工等之處理會變得煩雜。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2010-097803
發明概要
本發明之目的為提供一種使用輥對輥方式，製造難以彎曲且耐久性優異之有機EL裝置之方法。
本發明之第1有機EL裝置之製造方法，係具有一使用輥對輥方式，在對於形成有有機EL元件之帶狀支撐基 板施加張力且將該基板往長向運送之途中，將被施加張力並運送之帶狀密封基板貼附於前述支撐基板上之步驟；前述支撐基板或密封基板中任一基板之拉伸彈性率大於另一基板，此外在前述步驟中，於前述拉伸彈性率小的基板施加170N/m以下之張力，且於前述拉伸彈性率大的基板施加比施加於前述拉伸彈性率小的基板之張力還要更大之張力。
本發明之第2有機EL裝置之製造方法，係具有一使用輥對輥方式，在對於形成有有機電致發光元件之帶狀支撐基板施加張力且將該基板往長向運送之途中，將被施加張力並運送之帶狀密封基板貼附於前述支撐基板上之步驟；前述支撐基板或密封基板中任一基板之拉伸彈性率大於另一基板，此外在前述步驟中，於前述拉伸彈性率小的基板施加其拉伸彈性率(GPa)數值之43倍以下之數值的張力(N/m)，且於前述拉伸彈性率大的基板施加比施加於前述拉伸彈性率小的基板之張力還要更大之張力。
就本發明之較佳有機EL裝置而言，施加於前述拉伸彈性率大之基板的張力為200N/m以上。
就本發明之較佳有機EL裝置而言，前述支撐基板與密封基板的拉伸彈性率之差為30GPa以上。
就本發明之較佳有機EL裝置之製造方法而言，前述支撐基板係前述拉伸彈性率大之基板，前述密封基板係前述拉伸彈性率小之基板。
就本發明之其他較佳有機EL裝置之製造方法而言，前 述支撐基板係前述拉伸彈性率小之基板，前述密封基板係前述拉伸彈性率大之基板。
就本發明較佳之其他有機EL裝置之製造方法而言，前述拉伸彈性率大之基板含有金屬薄片，前述拉伸彈性率小之基板含有樹脂薄片。
就本發明之其他較佳有機EL裝置之製造方法而言，前述拉伸彈性率大之基板含有玻璃薄片，前述拉伸彈性率小之基板含有樹脂薄片。
且，前述樹脂薄片宜積層有阻隔層。
就本發明之較佳有機EL裝置而言，係將前述密封基板隔著接著層貼附於前述支撐基板上。
藉由本發明之有機EL裝置之製造方法，可獲得難以彎曲且耐久性優異之有機EL裝置。該有機EL裝置之密封基板難以剝離，且有機EL元件不容易受損傷。本發明之有機EL裝置相對壽命較長，且其處理不會變得煩雜。
1、10‧‧‧有機EL裝置
2‧‧‧支撐基板
21‧‧‧已形成元件支撐基板
3‧‧‧有機EL元件
31‧‧‧第1電極
32‧‧‧第2電極
31a‧‧‧端子
32a‧‧‧端子
33‧‧‧有機層
4‧‧‧接著層
5‧‧‧密封基板
51‧‧‧附有分離件之密封基板
52‧‧‧未硬化之接著層
53‧‧‧分離件
59‧‧‧阻隔層
61‧‧‧輥
62‧‧‧積層用軋輥
63‧‧‧感應器
64‧‧‧第1張力檢測輥
65‧‧‧輥
71‧‧‧輥
72‧‧‧回收輥
73‧‧‧感應器
74‧‧‧第2張力檢測輥
78‧‧‧接著劑硬化裝置
79‧‧‧反轉輥
Ⅱ-Ⅱ‧‧‧剖面線
Ⅵ-Ⅵ‧‧‧剖面線
圖1係本發明之1個實施型態之有機EL裝置之平面圖。
圖2係圖1中按Ⅱ-Ⅱ線切斷之放大剖面圖(將有機EL裝置沿著厚度方向切斷之放大剖面圖)。
圖3係本發明之其他實施型態之有機EL裝置沿著厚度方向切斷之放大剖面圖。
圖4係單片狀之有機EL裝置之平面圖。
圖5係本發明之1個實施型態之有機EL裝置的製造方法中，製造裝置之模式圖。
圖6係圖5之Ⅵ-Ⅵ線剖面圖。
用以實施發明之形態
以下將參照圖式並對於本發明進行說明。然而，需留意各圖中之厚度及長度等尺寸會與實際物品相異。
又，本說明書中，用語的前頭會有附上「第1」、「第2」等之狀況，該第1等等係僅用來區別用語而附加之，並不含有順序或優劣等特別之意義。而所謂「帶狀」意指一方向上的長度比起另一方向的長度長很多之略長方形。前述帶狀係例如前述一方向上的長度為另一方向的長度之10倍以上之略長方形，較佳為30倍以上，更佳為100倍以上。「長向」係前述帶狀之一方向(與帶狀之長邊平行之方向)，「短向」係前述帶狀之另一方向(與帶狀之短邊平行之方向)。「PPP~QQQ」之記述意指「PPP以上QQQ以下」。
[有機EL裝置之構成]
本發明之有機EL裝置1係如圖1及圖2所示，具有帶狀之支撐基板2、設於前述帶狀支撐基板2上之有機EL元件3、及隔著接著層4貼附於前述有機EL元件3上之帶狀密封基板5。前述有機EL元件3係沿著帶狀之支撐基板2之長向上隔著所需間隔複數排列而形成。
前述有機EL元件3包含具有端子31a之第1電極31、具有端子32a之第2電極32、及設置於前述兩電極31、32間之有 機層33。
前述有機EL元件3係以前述有機層33為基準，於第1側設置有第1電極31之端子31a、且於第2側設置有第2電極32之端子32a。前述第1側與第2側係相反之側，例如第1側係前述支撐基板2之短向之一方向側，則第2側係前述支撐基板2之短向之另一方向側。
前述帶狀之密封基板5係以覆蓋除了該等端子31a、32a以外之有機EL元件3的表面之方式，積層接著於支撐基板2之表面上。
有機EL裝置1之層構成係如圖2所示，為具有帶狀之支撐基板2、設置於帶狀支撐基板2上之第1電極31、設置於第1電極31上之有機層33、設置於有機層33上之第2電極32、及設置於第2電極32上之密封基板5的積層構造。
若支撐基板2具有導電性之情況，為了防止電性短路，支撐基板2與第1電極31之間會設置絕緣層(無圖示)。
前述有機EL元件3形成為例如平面略長方形。基本上，有機EL元件3之平面形狀並不限於略長方形狀，亦可形成為例如略正方形狀或圓形狀。
前述有機EL元件3之有機層33含有發光層，因應需要而具有電洞傳輸層及電子傳輸層等各種機能層。有機層33之層構造於後述之。
為形成第1電極31之端子31a，有機層33係設置於除了第1電極31之第1側之端部(端子31a)以外的第1電極31之表面上。
又，有機層33之表面上係以覆蓋有機層33之表面的方式設有第2電極32。第2電極32之端部係為了形成第2電極32之端子32a而從有機層33之端部向第2側延伸而出。
前述第1電極31及第2電極32之各端子31a、32a係連接至外部之部份。第1電極31之端子31a係由第1電極31外露的表面構成，而第2電極32之端子32a係由第2電極32外露的表面構成。
前述密封基板5係以不覆蓋第1電極31及第2電極32之各端子31a、32a之方式，隔著接著層4接著於有機EL元件3(第2電極32)之表面上。
前述密封基板5係用於防止氧氣或水蒸氣等浸透入有機EL元件3之層。
密封基板5係氣密地覆蓋住除了前述各端子31a、32a以外之有機EL元件3整體。詳細地說，密封基板5係隔著接著層4接著於除了各端子31a、32a以外之第2電極32表面，此外，如圖2所示，還接著於有機EL元件3之周端面。又，密封基板5之周緣部係分別接著於支撐基板2之表面、第1電極31之表面及第2電極32之表面。
此外，如圖3所示，密封基板5之內面可因應需要而積層有阻隔層59。前述密封基板5之內面係與有機EL元件3面對之側的面。據此，前述阻隔層59係隔於密封基板5與第2電極32之間。
又，圖2所示之例中，密封基板5甚至接著於有機EL元件3之周端面，然而例如圖3所示，密封基板5亦可以不覆蓋 有機EL元件3之周端面的方式來接著(在此情況，密封基板5僅接著於有機EL元件3之表面側)。
前述帶狀之有機EL裝置1在要使用時，會在相鄰接之有機EL元件3之邊界部作適宜切斷。圖1中，切斷處係以箭頭標示。藉由將帶狀之有機EL裝置1依前述加工，如圖4所示，可獲得單片狀之有機EL裝置10。
前述有機EL裝置1、10可將其1個或複數個作組合，作為照明裝置或影像顯示裝置等之發光面板來利用。
以下，將具體地說明有機EL裝置之形成材料及製造方法等。
[支撐基板及密封基板]
前述帶狀之支撐基板及帶狀之密封基板皆為可撓之薄片狀物。前述帶狀之支撐基板及密封基板之長度(長向之長度)並無特別限制，例如可為10m~1000m。又，前述支撐基板之寬度(短向之長度)亦無特別限制，例如可為10mm~300mm，較佳為10mm~100mm。此外，圖1所示之有機EL裝置1係於支撐基板2之短向的兩側配置有端子31a、32a，故前述密封基板5之寬度比支撐基板2之寬度略小。
前述支撐基板及密封基板係以兩方之基板皆非不透明作為條件，但可為任一方之基板透明且另一方之基板不透明，或者兩方之基板皆透明亦可。此外，前述透明意指無色透明或有色透明。作為前述透明之指標，可舉例如全光線穿透率70%以上，較佳為80%以上。惟，前述全光線穿透率係以JIS K7105(塑膠之光學性特性試驗方法)為準據之測 定法來測定。形成底部發光型之有機EL裝置時，係使用透明之支撐基板；形成頂部發光型之有機EL裝置時，係使用透明之密封基板。
本發明中，係以支撐基板與密封基板彼此為拉伸彈性率相異之基板為條件，而其材質及厚度等並無特別限定。
例如，支撐基板亦可為拉伸彈性率比密封基板更大之基板(在此情況，密封基板為拉伸彈性率小的基板)。或者，支撐基板亦可為拉伸彈性率比密封基板更小之基板(在此情況，密封基板為拉伸彈性率大的基板)。
以下，本說明書中，會有將拉伸彈性率大之基板表記為「大彈性基板」，拉伸彈性率比該大彈性基板還小的基板表記為「小彈性基板」之情況。
前述大彈性基板之拉伸彈性率為例如前述小彈性基板之拉伸彈性率之3倍~4000倍，較佳為5倍~300倍，更佳為10倍~100倍。
又，前述大彈性基板之拉伸彈性率並無特別限定，可為例如30GPa~400GPa，較佳為40GPa~350GPa，更佳為50GPa~300GPa。
前述小彈性基板之拉伸彈性率並無特別限定，可為例如0.1GPa~30GPa，較佳為1GPa~20GPa，更佳為2GPa~10GPa。
前述大彈性基板之拉伸彈性率與小彈性基板之拉伸彈性率之差(大彈性基板-小彈性基板)並無特別限定，可為例 如30GPa以上，較佳為50GPa以上，更佳為120GPa以上。
惟，關於前述拉伸彈性率，例如對於金屬材料之基板係以JIS Z 2280(金屬材料之楊氏係數之試驗方法)為基準來測定，對於樹脂材料之基板係以JIS K 7127(塑膠之拉伸特性之試驗方法)為基準來測定。
作為前述支撐基板及密封基板，可適宜選擇使用例如金屬薄片、樹脂薄片、玻璃薄片、陶瓷薄片、於金屬薄片或樹脂薄片上積層有樹脂層之積層薄片等。又，本說明書中，所謂薄片亦包含通常被稱為薄膜者。
前述金屬薄片並無特別限定，可舉出例如不鏽鋼、銅、鈦、鋁、合金等構成之可撓薄板。前述金屬薄片之厚度為例如10μm~100μm。
前述樹脂薄片並無特別限定，可舉出例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丁烯對苯二酸酯(PBT)等聚酯系樹脂；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚甲基戊烯(PMP)、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)等以α-烯烴作為單體成份之烯烴系樹脂；聚氯乙烯(PVC)；醋酸乙烯系樹脂；聚碳酸酯(PC)；聚苯硫醚(PPS)；聚醯胺(尼龍)、全芳香族聚醯胺(芳綸)等醯胺系樹脂；聚醯亞胺系樹脂；聚醚醚酮(PEEK)等所構成之可撓合成樹脂薄片。前述樹脂薄片之厚度並無特別限定，可為例如10μm~200μm。
此外，通常來說，金屬薄片、樹脂薄片及玻璃薄片各別之拉伸彈性率係為金屬薄片之拉伸彈性率>玻璃薄片之 拉伸彈性率>樹脂薄片之拉伸彈性率。
又，為防止驅動時有機EL裝置之溫度上升，前述支撐基板及密封基板係以散熱性優異為佳。又，為防止氧氣或水蒸氣浸透入有機EL元件，前述支撐基板及密封基板係以具有氣體及水蒸氣阻隔性為佳。為賦予此種阻隔性，亦可於前述樹脂薄片之至少一側之面上積層有前述阻隔層。前述阻隔層之形成材料並無特別限定，可舉出金屬氧化物膜、氮氧化膜、氮化膜、碳氮氧化膜等。作為前述金屬氧化物，可舉出例如MgO、SiO、SixOy、Al2O3、GeO、TiO2等。前述阻隔層係以氮碳氧化矽膜(SiOCN)、氮氧化矽膜(SiON)、氮化矽膜(SiN)為佳。前述阻隔層之厚度並無特別限定，可為例如50nm~10μm。
此外，作為支撐基板及密封基板，使用導電性基板時，為了與相面對之電極呈絕緣，會在前述支撐基板之表面或密封基板之內面設有絕緣層。
在1個較佳實施型態中，作為前述支撐基板，使用不鏽鋼薄板等金屬薄片(如上述，表面設有絕緣層之金屬薄片)，而作為前述密封基板，係使用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄片等樹脂薄片(較佳為積層有阻隔層之樹脂薄片)，或者使用在雙面設有合成樹脂層之玻璃板等玻璃薄片。
在其他較佳實施型態中，作為前述支撐基板，係使用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄片等樹脂薄片(較佳為積層有阻隔層之樹脂薄片)，或者使用在雙面設有合成樹脂層之玻璃板等玻璃薄片，而作為密封基板，使用不鏽鋼薄板等金屬 薄片(如上述，內面設有絕緣層之金屬薄片)。
關於前述金屬薄片及樹脂薄片，為了對該等薄片賦予所需之機能，亦可積層有任選之層。
[具有第1電極、有機層及第2電極之有機EL元件]
前述第1電極可為例如陽極。
前述第1電極(陽極)之形成材料並無特別限定，可舉例如銦錫氧化物(ITO)；含氧化矽之銦錫氧化物(ITSO)；鋁；金；白金；鎳；鎢；銅；合金；等。形成底部發光型之有機EL裝置時，使用透明之第1電極。
第1電極之厚度並不特別受限定，通常為0.01μm~1.0μm。
有機層係至少由2個層所構成之積層構造。作為有機層之構造，可舉例如(A)電洞傳輸層、發光層、及電子傳輸層之3個層所構成的構造；(B)電洞傳輸層及發光層之2個層所構成的構造；(C)發光層及電子傳輸層之2個層所構成的構造等。
前述(B)之有機層中，係由發光層兼用電子傳輸層。前述(C)之有機層中，係由發光層兼用電洞傳輸層。
本發明所使用的有機層係上述(A)~(C)之任一構造皆可。
以下，對於前述(A)之構造進行說明。
電洞傳輸層係設於第1電極之表面。基本上，以不降低有機EL元件之發光效率作為條件，在第1電極與電洞傳輸層之間亦可間隔有該等以外之任選的機能層。
例如，亦可將電洞注入層設於第1電極之表面，並將電洞傳輸層設於該電洞注入層之表面。電洞注入層係具有輔助由陽極層往電洞傳輸層的電洞注入之機能的層。
作為電洞傳輸層之形成材料，只要是具有電洞傳輸機能之材料即不特別限定。作為電洞傳輸層之形成材料，可舉出4,4',4"-參(咔唑-9-基)-三苯胺(簡稱：TcTa)等芳香族胺化合物；1,3-雙(N-咔唑基)苯等咔唑衍生物；N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-雙(苯基)-9,9'-旋環雙茀(簡稱：Spiro-NPB)等旋環化合物；高分子化合物；等。電洞傳輸層之形成材料可使用單獨1種或2種以上併用亦可。又，電洞傳輸層亦可為2層以上之多層構造。
電洞傳輸層之厚度並不特別限定，而從降低驅動電壓的觀點來看，係以1nm~500nm為佳。
發光層設於電洞傳輸層之表面。
作為發光層之形成材料，只要是具有發光性之材料即不特別限定。作為發光層之形成材料，可使用例如低分子螢光發光材料、低分子燐光發光材料等低分子發光材料。
作為低分子發光材料，可舉出4,4'-雙(2,2'-二苯乙烯基)-聯苯(簡稱：DPVBi)等芳香族二亞甲基化合物；5-甲基-2-[2-[4-(5-甲基-2-苯并噁唑基)苯基]乙烯基]苯并噁唑等之苯并噁唑化合物；3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-t-丁苯基-1,2,4-三唑等之三唑衍生物；1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯等之苯乙烯基苯化合物；苯醌衍生物；萘醌衍生物；蒽醌衍生物；茀酮衍生物；甲亞胺鋅錯合物、參(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等 有機金屬錯合物；等。
又，作為發光層之形成材料，可使用在基礎材料中摻雜有發光性之摻雜材料者。
作為前述基礎材料，可使用例如上述之低分子發光材料，此外，還可使用1,3,5-參(咔唑-9-基)苯(簡稱：TCP)、1,3-雙(N-咔唑基)苯(簡稱：mCP)、2,6-雙(N-咔唑基)砒啶、9,9-二(4-二咔唑-苄基)茀(簡稱：CPF)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基-茀(簡稱：DMFL-CBP)等之咔唑衍生物等。
作為前述摻雜材料，可使用例如苯乙烯基衍生物；苝衍生物；參(2-苯基啶基)銥(III)(Ir(ppy)3)、參(1-苯基異喹啉)銥(III)(Ir(piq)3)、雙(1-苯基異喹啉)(乙醯丙酮)銥(III)(簡稱：Ir(piq)2(acac))等有機銥錯合物等之燐光發光性金屬錯合物等。
此外，在發光層之形成材料中，亦可包含上述之電洞傳輸層的形成材料、後述之電子傳輸層的形成材料、各種添加劑等。
發光層之厚度並無特別限定，以例如2nm-500nm為佳。
電子傳輸層設於發光層之表面。基本上，以不降低有機EL元件之發光效率作為條件，在第2電極與電子傳輸層之間亦可間隔有該等以外之任選的機能層。
例如，亦可將電子注入層設於電子傳輸層之表面，並將第2電極設於電子注入層之表面。電子注入層係具有輔助由前述第2電極往電子傳輸層的電子注入之機能的層。
作為電子傳輸層之形成材料，只要是具有電子傳 輸機能之材料即不特別限定。作為電子傳輸層之形成材料，可舉出參(8-羥基喹啉)鋁(簡稱：Alq3)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(簡稱：BAlq)等金屬錯合物；2,7-雙[2-(2,2'-聯砒啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基茀(簡稱：Bpy-FOXD)、2-(4-聯苯基)-5-(4-tert-丁苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(p-tert-丁苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、2,2',2"-(1,3,5-伸苯基)-參(1-苯基-1H-苯並咪唑)(簡稱：TPBi)等錯合芳香族化合物；聚(2,5-吡啶-二基)(簡稱：PPy)等高分子化合物；等。電子傳輸層之形成材料可使用單獨1種或2種以上併用亦可。又，電子傳輸層可為2層以上之多層構造。
電子傳輸層之厚度並不特別限定，而從降低驅動電壓的觀點來看，係以1nm~500nm為佳。
第2電極可為例如陰極。
前述第2電極之形成材料並無特別限定，若形成頂部發光型之有機EL元件時，使用透明之第2電極。透明且具有導電性之第2電極之形成材料可舉例如銦錫氧化物(ITO)；含氧化矽之銦錫氧化物(ITSO)；添加鋁等導電性金屬之氧化鋅(ZnO：Al)；鎂-銀合金等。第2電極之厚度並不特別受限定，通常為0.01μm~1.0μm。
[有機EL裝置之製造方法]
本發明之有機EL裝置之製造方法具有：在帶狀支撐基板形成複數有機EL元件之元件形成步驟、在含有前述複數有機EL元件之前述帶狀支撐基板上，貼附上可撓之帶狀密 封基板之積層步驟、及將具有前述帶狀支撐基板與有機EL元件與密封基板之帶狀積層體回捲成卷狀之回捲步驟。
有機EL裝置之製造方法中，至少上述積層步驟係使用輥對輥方式來進行，然而元件形成步驟及積層步驟亦可連續地使用輥對輥方式進行。
(元件形成步驟)
有機EL元件之形成步驟係與以往同樣地進行。
簡單地說明之，將捲成卷狀之帶狀支撐基板送出，因應需要在洗淨槽將支撐基板洗淨並乾燥。洗淨乾燥後，在該支撐基板之表面上形成第1電極。
第1電極之形成方法可採用依據其形成材料最適宜之方法，例如濺鍍法、蒸鍍法、噴墨法等。例如，以金屬來形成陽極時，會使用蒸鍍法。此外，亦可使用已預先圖案化第1電極之支撐基板。若使用已預先圖案化第1電極之支撐基板時，將其送出並洗淨乾燥。
在前述第1電極之除了其端子以外的表面上形成有機層。在前述第1電極的表面上依序形成例如電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層，藉此可形成有機層。電洞傳輸層及電子傳輸層之形成方法可採用依據其形成材料最適宜之方法，可舉例如濺鍍法、蒸鍍法、噴墨法、塗佈法等。發光層之形成方法可採用依據其形成材料最適宜之方法，通常係以蒸鍍法形成。
接著，在有機層之表面形成第2電極。第2電極係以不與第1電極之端子重疊之方式來形成。第2電極之形成方法 可採用依據其形成材料最適宜之方法，可舉例如濺鍍法、蒸鍍法、噴墨法等。
如此，在帶狀之支撐基板之長向上，隔著所需間隔依序形成複數有機EL元件。此外，可因應需要而在第2電極之表面設置阻隔層。
前述複數有機EL元件之間隔並無特別限制，可作適宜設定。例如前述間隔可為0.5mm~5mm。
所獲得之已形成有機EL元件之支撐基板(以下，稱為已形成元件支撐基板)可因應需要，以將有機EL元件置於外側之方式回捲成卷狀。
(積層步驟)
積層步驟係在對前述帶狀之已形成元件支撐基板施加張力並將該基板往長向運送之途中，將施加張力並運送之帶狀密封基板貼附於前述基板上之步驟。
在圖5中，前述已形成元件支撐基板21係回捲於輥61。該輥61具備有驅動馬達(圖未示)，藉由前述驅動馬達運送已形成元件支撐基板21。將該已形成元件支撐基板21從輥61送出，將其往線之長向運送，在線之途中，設置有用於將密封基板5貼附並軋壓於已形成元件支撐基板21之積層用軋輥62,62。已形成元件支撐基板21係與密封基板5一起通過積層用軋輥62,62之間。
又，輥61與積層用軋輥62之間設置有第1張力檢測輥64，其具備有用於檢測運送而來的已形成元件支撐基板21之張力的感應器63。藉由第1張力檢測輥64，可以檢測出在 密封基板5積層時，施加於已形成元件支撐基板21之張力。前述第1張力檢測輥64所得之張力檢測值會送至控制部(圖未示)。控制部會調整前述輥61所具備之馬達的迴轉速度，以使施加於已形成元件支撐基板21之張力成為約略設定值。
又，密封基板5係回捲於輥71。該輥71具備有驅動馬達(圖未示)，藉由前述驅動馬達將密封基板往積層用軋輥62運送。
在導入前述積層用軋輥62之前的密封基板5之內面，設有用於將其接著至已形成元件支撐基板21之未硬化接著層52。
在本實施型態中係使用附有分離件之密封基板51，該附有分離件之密封基板51係在密封基板5之內面預先塗佈有未硬化之接著層52，且其暫時貼附有分離件53。
因此，本實施型態中，回捲於前述輥71的是由密封基板5、未硬化之接著層52及分離件53所構成之附有分離件之密封基板51。
圖6係前述附有分離件之密封基板51之剖面圖。圖6中，在密封基板5之內面塗佈有未硬化之接著層52。此外，前述密封基板5亦可積層有阻隔層(於圖6中未示)。藉由將前述未硬化之接著層52暫時貼附於分離件53，構成了積層有分離件53、未硬化之接著層52及密封基板5之附有分離件之密封基板51。作為分離件53，為了要容易與未硬化之接著層52剝離，係使用表面施加有脫模處理之帶狀薄片狀 物。
構成前述接著層52之接著劑，可使用熱硬化型或光硬化型之接著劑。作為前述熱硬化型之接著劑，可舉出以環氧樹脂、苯酚樹脂、聚胺甲酸乙酯樹脂、三聚氰胺樹脂等作為主成份之接著劑。作為前述光硬化型之接著劑，可以紫外線硬化型之接著劑作為代表來使用。作為紫外線硬化型之接著劑，可舉出以紫外線硬化性丙烯酸樹脂、紫外線硬化性胺甲酸乙酯丙烯酸酯樹脂、紫外線硬化性聚酯丙烯酸酯樹脂、紫外線硬化性聚胺甲酸乙酯樹脂、紫外線硬化性環氧丙烯酸酯樹脂、紫外線硬化性醯亞胺丙烯酸酯樹脂等作為主成份之接著劑。前述接著層之厚度可為例如5μm~100μm。
由前述輥71將附有分離件之密封基板51送出。在將其導入積層用軋輥62之前，以反轉輥79從該附有分離件之密封基板51僅將分離件53反轉並剝除。被剝除之分離件53由回收輥72回收。藉由分離件53之剝除，設於密封基板5之未硬化接著層52會露出。
又，反轉輥79與積層用軋輥62之間，設置有具備檢測運送而來的密封基板5之張力的感應器73之第2張力檢測輥74。藉由第2張力檢測輥74，可以檢測出在積層於已形成元件支撐基板21時，施加於密封基板5之張力。前述第2張力檢測輥74所得之張力檢測值會送至控制部(圖未示)。控制部會調整前述輥71所具備之馬達的迴轉速度，以使施加於密封基板5之張力成為約略設定值。
被施加張力並分別運送之已形成元件支撐基板21及密封基板5會被導入前述積層用軋輥62,62之間，藉此，密封基板5內面會隔著未硬化接著層52貼附於已形成元件支撐基板21。
在積層步驟中，對小彈性基板施加170N/m以下之張力，且對大彈性基板施加比對前述小彈性基板施加之張力更大的張力，並分別將基板進行運送。
例如，作為前述支撐基板2，若使用比前述密封基板5之拉伸彈性率更大的基板時(如此，支撐基板2為大彈性基板時，密封基板5為小彈性基板)，對前述已形成元件支撐基板21所施加的張力會設定成比對密封基板5施加的張力更大，且對前述密封基板5施加的張力會設定為170N/m以下。
另一方面，作為前述支撐基板2，若使用比前述密封基板5之拉伸彈性率更小的基板時(如此，支撐基板2為小彈性基板時，密封基板5為大彈性基板)，對前述已形成元件支撐基板21所施加的張力會設定為170N/m以下，且對密封基板2施加的張力會設定成比對前述已形成元件支撐基板21施加的張力更大。
較佳地，施加於前述小彈性基板的張力係設定為160N/m以下，以設定為150N/m以下為更佳，以設定為120N/m以下為特佳。施加於小彈性基板之張力的下限並無特別限定，理論上為超過零，較佳為5N/m以上。
又，關於施加在前述小彈性基板的張力，係以施加小 彈性基板的拉伸彈性率(GPa)數值的43倍以下數值之張力(N/m)為佳，進一步地，係以施加其彈性率數值的30倍以下數值之張力(N/m)為更佳，以施加28倍以下數值之張力(N/m)為特佳。例如，小彈性基板之拉伸彈性率為4GPa時，施加在前述小彈性基板的張力係如上述，為約170N/m以下(4×43倍以下)。
另一方面，施加在前述大彈性基板的張力，係以比施加在前述小彈性基板的張力更大作為條件，並無特別限定。較佳地，施加於前述大彈性基板的張力係設定為200N/m以上，以設定為230N/m以上為更佳，以設定為250N/m以上為特佳。施加於前述大彈性基板之張力的上限並無特別限定，理論上該基板不斷裂即可，例如為1500N/m以下。
此外，施加於已形成元件支撐基板21之張力係由如上述之第1張力檢測輥64來檢測，其張力與在前述輥64與積層用軋輥62之間的張力相當。施加於密封基板5之張力係由如上述之第2張力檢測輥74來檢測，其張力與在前述輥74與積層用軋輥62之間的張力相當。
在積層用軋輥62之下游側設有用於使前述接著層52硬化之接著劑硬化裝置78。前述接著劑硬化裝置78可依據構成接著層之接著劑種類而作適宜選擇。若接著劑為熱硬化型之情況，使用加熱裝置作為前述硬化裝置78。若接著劑為光硬化型之情況，使用紫外線照射裝置作為前述硬化裝置78。
藉由使接著層硬化，可獲得如圖1所示之帶狀有機EL裝 置1。
(回捲步驟)
前述帶狀之有機EL裝置1被回捲至輥65。
透過本發明之製造方法，將大彈性基板以較大力量拉伸、且將小彈性基板以比其小之170N/m以下拉伸並將兩基板積層接著。因此，可想知兩基板(支撐基板及密封基板)之應變差不會變大，在解除前述張力後之兩基板內部應力會變得較小。故，以前述製法獲得之有機EL裝置難以彎曲，可保持幾乎平坦之狀態。
關於該有機EL裝置，其密封基板難以剝離，又，有機EL元件不容易受損。此種有機EL裝置可相對地長時間發光。
[有機EL裝置之製造方法之其他實施型態]
本發明之製造方法並不限於上述實施型態，可在本發明意圖之範圍內作各種設計變更。
上述實施型態之製造方法中，係將前述已形成元件支撐基板先回捲後，再將該支撐基板送出進行積層步驟，但不限定於此。例如，在元件形成步驟後，(不將已形成元件支撐基板回捲)接著進行積層步驟亦可(圖未示)。
此外，上述實施型態之製造方法中使用附有分離件之密封基板51，然而亦可使用無暫時貼附分離件之密封基板。此時，此時，若密封基板預先塗佈有未硬化之接著層，則回捲成卷狀之密封基板會卡住。因此，較佳為僅將密封基板捲於輥上，在密封基板快要導入到積層用軋輥之 前，才將其密封基板之內側塗佈上未硬化之接著劑。
又，上述實施型態之製造方法中，在使接著劑硬化後才將帶狀之有機EL裝置回捲，亦可將其變更，在使接著劑硬化前將有機EL裝置回捲後，才使其未硬化之接著層硬化。
實施例
以下，將出示實施例及比較例以進一步說明本發明。又，本發明並非僅限定於下述實施例者。
[所使用之基板]
(A)含有金屬薄片之基板
作為含有金屬薄片之基板，使用於厚度50μm之SUS304箔(東洋製箔(株)製)上積層有厚度3μm之絕緣層者。前述絕緣層係藉由使用丙烯酸樹脂(JSR(株)製，商品名「JEM-477」)，將該樹脂塗佈於前述不鏽鋼箔之一邊的面而形成。
(B)金屬薄片基板
作為金屬薄片基板，直接使用厚度50μm之SUS304箔(東洋製箔(株)製)。
(C)含有玻璃薄片之基板
在經施以聚矽氧處理之2枚剝離薄膜之間，挾入以下述化學式表示之環氧系樹脂(式(1)：式(2)=50：50(重量比))為主成份之樹脂組成物，通過固定為50μm間隔之金屬輥之間，獲得厚度30μm之含有環氧系樹脂層之積層體。接著，使用紫外線照射裝置(輸送帶速度：2.5m/分鐘)，自前述積層體之一邊之側照射(照射能量：250mJ/cm2)紫外線，使環 氧系樹脂層半硬化而形成半硬化層。其次，將一邊的剝離薄膜除去，使用積層器將前述積層體之半硬化層貼附於無機玻璃(松浪硝子工業(株)製之硼矽酸玻璃，厚度：30μm)之一邊的面。對於前述無機玻璃另一邊的面也進行同樣的操作，將前述半硬化層貼附上。其次，除去剩下的剝離薄膜後，將紫外線再照射(照射能量：5000mJ/cm2以上)。其後，在130℃以上施加加熱處理10分鐘以上，使前述無機玻璃之兩面的半硬化層完全硬化。如此，可獲得具有10μm樹脂層/30μm無機玻璃/10μm樹脂層之積層構造的含有玻璃之基板。
(D)含有樹脂薄片之基板
作為含有樹脂薄片之基板，係使用在厚度50μm之聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂(帝人．杜邦社製)之一邊的面上，以濺鍍法積層有厚度0.3μm之SiO2層(阻隔層)者。此外，若將該含有樹脂薄片之基板作為密封基板使用時，係如後述，在前述阻隔層上設有接著層。
[基板之拉伸彈性率]
將前述含有金屬薄片之基板、金屬薄片基板、含有玻 璃薄片之基板、及含有樹脂薄片之基板的拉伸彈性率表示於表1。
此外，含有金屬薄片之基板及金屬薄片基板的拉伸彈性率係以JIS Z 2280(金屬材料之楊氏係數之試驗方法)為基準來測定，含有玻璃薄片之基板及含有樹脂薄片之基板的拉伸彈性率係以JIS K 7127(塑膠之拉伸特性之試驗方法)為基準來測定。
[實施例1]
實施例1中，使用上述含有金屬薄片之基板作為支撐基板，使用上述含有樹脂薄片之基板作為密封基板。此外，如表1，含有金屬薄片之基板的拉伸彈性率比含有樹脂薄片之基板的大。據此，在實施例1中，支撐基板為大彈性基板，密封基板為小彈性基板。
(元件形成步驟)
將捲成卷狀之帶狀含有金屬薄片之基板(寬40mm，長100m)送出，將厚度100nm之Al層作為第1電極，有機層當中，厚度10nm之HAT-CN(1,4,5,8,9,12-六氮雜聯伸三苯六甲腈)層作為電洞注入層；厚度50nm之NPB層作為電洞傳輸 層；厚度45nm之Alq3層作為發光層及電子傳輸層；厚度0.5nm之LiF層作為電子注入層並依上述順序加熱蒸鍍在前述含有金屬薄片之基板之絕緣層上之後，將厚度5/15nm之Mg/Ag層進行共蒸鍍作為第2電極，且更以濺鍍法將厚度50nm之ITO層成膜，以製作出已形成元件支撐基板。將該已形成元件支撐基板回捲成卷狀。
(積層步驟及回捲步驟)
積層步驟中，使用了如圖5所示之貼附裝置。
作為密封基板，使用在阻隔層上設有厚度10μm之未硬化環氧系熱硬化型接著劑層(未硬化之接著層)且於該層上設有分離件的帶狀之含有樹脂薄片之基板(寬35mm，長100m)。
將前述已形成元件支撐基板從輥61送出，運送往積層用軋輥62,62之間。另一方面，將前述密封基板從輥71送出，在途中將分離件剝除，並將具有未硬化之接著層的密封基板運送往積層用軋輥62,62之間。
導入前述積層用軋輥62,62之前的前述已形成元件支撐基板與前述密封基板之張力分別設定為250N/m、60N/m。在軋輥62,62之間，將前述密封基板隔著前述未硬化之接著層貼附於前述已形成元件支撐基板後，將其加熱使接著層熱硬化。
如此製作出帶狀的頂部發光型有機EL裝置後，以輥65將其回捲。
[實施例2至6、比較例1至6]
對已形成元件支撐基板所施加的張力及對密封基板所施加的張力分別設定成表2所示之值，除此以外與實施例1同樣地進行，製作出有機EL裝置。
[實施例7至12、比較例7至12]
除了使用含有玻璃薄片之基板作為支撐基板，以及將各張力設定成表3所示之值以外，與實施例1同樣地進行，製作出有機EL裝置。
[實施例13]
實施例13中，使用上述含有樹脂薄片之基板作為支撐基板，使用上述含有金屬薄片之基板作為密封基板。此外，如表1，含有樹脂薄片之基板的拉伸彈性率比含有金屬薄片之基板的小。據此，在實施例13中，支撐基板為小彈性基板，密封基板為大彈性基板。
(元件形成步驟)
將捲成卷狀之帶狀含有樹脂薄片之基板(寬40mm，長 100m)送出，在前述含有樹脂薄片之基板之阻隔層上，將厚度100nm之ITO以濺鍍法製膜作為第1電極。有機層當中，厚度10nm之HAT-CN(1,4,5,8,9,12-六氮雜聯伸三苯六甲腈)層作為電洞注入層；厚度50nm之NPB層作為電洞傳輸層；厚度45nm之Alq3層作為發光層及電子傳輸層；厚度0.5nm之LiF層作為電子注入層，與厚度100nm之Al層作為第2電極並依上述順序加熱蒸鍍在該第1電極上，以製作出已形成元件支撐基板。將該已形成元件支撐基板回捲成卷狀。
(積層步驟及回捲步驟)
積層步驟中，使用了如圖5所示之貼附裝置。
作為密封基板，使用在內面上設有厚度10μm之未硬化環氧系熱硬化型接著劑層(未硬化之接著層)且於該層上設有分離件的帶狀之金屬薄片基板(寬35mm，長100m)。
將前述已形成元件支撐基板從輥61送出，運送往積層用軋輥62,62之間。另一方面，將前述密封基板從輥71送出，在途中將分離件剝除，並將具有未硬化之接著層的密封基板運送往積層用軋輥62,62之間。
導入前述積層用軋輥62,62之前的前述已形成元件支撐基板與前述密封基板之張力分別設定為60N/m、250N/m。在軋輥62,62之間，將前述密封基板隔著前述未硬化之接著層貼附於前述已形成元件支撐基板後，將其加熱使接著層熱硬化。
如此製作出帶狀的底部發光型有機EL裝置後，以輥65將其回捲。
[實施例14至18、比較例13至18]
對已形成元件支撐基板所施加的張力及對密封基板所施加的張力分別設定成表4所示之值，除此以外與實施例13同樣地進行，製作出有機EL裝置。
[實施例19至24、比較例19至24]
除了使用含有玻璃薄片之基板作為密封基板，以及將各張力設定成表5所示之值以外，與實施例13同樣地進行，製作出有機EL裝置。
[有機EL面板之評價]
在大氣氣體環境下，將上述實施例1至24以及比較例1至24所獲得之帶狀有機EL裝置分別於相鄰接之有機EL元件之邊界部進行切斷，藉此獲得有機EL面板(長100mm，寬40mm)。對於所獲得的各實施例以及各比較例之有機EL面板測定了下述所示之亮度減半壽命。將其結果表示於各表。
[亮度減半壽命之測定]
關於亮度減半壽命，係以各有機EL面板之初期亮度成 為1000cd/m2之方式決定施加電壓，在其電流值中，測量面板亮度從初期到減半為止之時間。實施例2至12以及比較例1至12的頂部發光型有機EL面板之亮度減半壽命值，係將實施例1之有機EL面板之亮度減半壽命值當作100時之相對值。又，實施例14至24以及比較例13至24的底部發光型有機EL面板之亮度減半壽命值，係將實施例13之有機EL面板之亮度減半壽命值當作100時之相對值。
實施例1至12中，密封基板為小彈性基板且支撐基板為大彈性基板。實施例13至24中，支撐基板為小彈性基板且密封基板為大彈性基板。將施加於小彈性基板之張力設定為150N/m以下的實施例1至24之有機EL面板，相較於將施加於小彈性基板之張力設定為180N/m以上的比較例1至24之有機EL面板，可知其亮度減半壽命較長。此可推論為起因於將密封基板貼附於支撐基板後所發生的基板內部應力較小。
又，由實施例及比較例的結果來看，可推論出藉由將小彈性基板之張力設定為大約170N/m以下，可獲得達到本發明之效果的有機EL裝置。
此外，各實施例所使用的小彈性基板之拉伸彈性率皆為6GPa，而施加於該等之張力為150N/m以下，故在各小彈性基板施加了其拉伸彈性率之數值的25倍以下之張力(150÷6)。可推論出藉由將拉伸彈性率為6GPa之小彈性基板所施加的張力設定為其彈性率之大約28倍以下，可獲得達到本發明之效果的有機EL裝置。
產業上之可利用性
本發明之有機EL裝置可利用作為例如照明裝置、影像顯示裝置等。
1‧‧‧有機EL裝置
2‧‧‧支撐基板
3‧‧‧有機EL元件
31a‧‧‧端子
32a‧‧‧端子
5‧‧‧密封基板
Ⅱ-Ⅱ‧‧‧剖面線

Claims (10)

  1. 一種使用輥對輥方式之有機電致發光裝置之製造方法，其特徵在於：具有一在對於形成有有機電致發光元件之帶狀支撐基板施加張力且將該基板往長向運送之途中，將被施加張力並運送之帶狀密封基板貼附於前述支撐基板上之步驟，前述支撐基板或密封基板中任一基板之拉伸彈性率大於另一基板，在前述步驟中，於前述拉伸彈性率小的基板施加170N/m以下之張力，且於前述拉伸彈性率大的基板施加比施加於前述拉伸彈性率小的基板之張力還要更大之張力。
  2. 一種使用輥對輥方式之有機電致發光裝置之製造方法，其特徵在於：具有一在對於形成有有機電致發光元件之帶狀支撐基板施加張力且將該基板往長向運送之途中，將被施加張力並運送之帶狀密封基板貼附於前述支撐基板上之步驟，前述支撐基板或密封基板中任一基板之拉伸彈性率大於另一基板，在前述步驟中，於前述拉伸彈性率小的基板施加其拉伸彈性率(GPa)數值之43倍以下之數值的張力 (N/m)，且，於前述拉伸彈性率大的基板施加比施加於前述拉伸彈性率小的基板之張力還要更大之張力。
  3. 如請求項1或2之使用輥對輥方式之有機電致發光裝置之製造方法，其中施加於前述拉伸彈性率大之基板的張力為200N/m以上。
  4. 如請求項1或2之使用輥對輥方式之有機電致發光裝置之製造方法，其中前述支撐基板與密封基板的拉伸彈性率之差為30GPa以上。
  5. 如請求項1或2之使用輥對輥方式之有機電致發光裝置之製造方法，其中前述支撐基板係前述拉伸彈性率大之基板，前述密封基板係前述拉伸彈性率小之基板。
  6. 如請求項1或2之使用輥對輥方式之有機電致發光裝置之製造方法，其中前述支撐基板係前述拉伸彈性率小之基板，前述密封基板係前述拉伸彈性率大之基板。
  7. 如請求項1或2之使用輥對輥方式之有機電致發光裝置之製造方法，其中前述拉伸彈性率大之基板含有金屬薄片，前述拉伸彈性率小之基板含有樹脂薄片。
  8. 如請求項1或2之使用輥對輥方式之有機電致發光裝置之製造方法，其中前述拉伸彈性率大之基板含有玻璃薄片，前述拉伸彈性率小之基板含有樹脂薄片。
  9. 如請求項7之使用輥對輥方式之有機電致發光裝置之製造方法，其中前述樹脂薄片積層有阻隔層。
  10. 如請求項1或2之使用輥對輥方式之有機電致發光裝置之製造方法，其係將前述密封基板隔著接著層貼附於前 述支撐基板上。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017004747A (ja) * 2015-06-10 2017-01-05 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌ表示装置
WO2016208597A1 (ja) * 2015-06-22 2016-12-29 住友化学株式会社 有機電子素子の製造方法及び有機薄膜の形成方法
JP6728982B2 (ja) * 2016-05-27 2020-07-22 三菱ケミカル株式会社 ガラス積層体の製造方法
JP6739390B2 (ja) * 2017-03-30 2020-08-12 富士フイルム株式会社 有機ｅｌ画像表示装置の製造方法
KR102452801B1 (ko) * 2022-05-23 2022-10-12 율촌화학 주식회사 유기전자장치 봉지재 필름 및 이를 이용한 유기전자장치 봉지 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5142846B2 (ja) * 2008-06-17 2013-02-13 株式会社日立製作所 有機発光装置
JP2010097803A (ja) 2008-10-16 2010-04-30 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロニクス素子の作製方法、有機エレクトロニクス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5418505B2 (ja) * 2009-02-03 2014-02-19 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法
JP5540669B2 (ja) * 2009-11-27 2014-07-02 日本ゼオン株式会社 ロール状巻回体
US10038111B2 (en) * 2010-07-02 2018-07-31 3M Innovative Properties Company Barrier assembly with encapsulant and photovoltaic cell
JP5447244B2 (ja) * 2010-07-12 2014-03-19 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP5991803B2 (ja) * 2010-10-29 2016-09-14 住友化学株式会社 偏光板の製造方法

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