JP6163483B2 - 有機ｅｌ装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置に関するものである。また、有機ＥＬ装置の製造方法に関するものである。

近年、白熱灯や蛍光灯に代わる照明装置として有機ＥＬ装置が注目され、多くの研究がなされている。

ここで、有機ＥＬ装置は、ガラス基板や透明樹脂フィルム等の透明基板に、有機ＥＬ素子を積層したものである。
また、有機ＥＬ素子は、一方又は双方が透光性を有する２つの電極を対向させ、この電極の間に有機化合物からなる発光層を積層したものである。有機ＥＬ装置は、電気的に励起された電子と正孔との再結合のエネルギーによって発光する。
有機ＥＬ装置は、自発光デバイスであり、発光層の材料を適宜選択することにより、種々の波長の光を発光することができる。また、白熱灯や蛍光灯に比べて厚さが極めて薄く、且つ面状に発光するので、設置場所の制約が少ない。

ところで、有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ素子への水分や酸素（以下、水等ともいう）の進入を防止するために有機ＥＬ素子を外部の雰囲気から遮断する封止構造を備えている。しかしながら、有機ＥＬ素子の封止機能が不十分な場合には、有機ＥＬ装置を長期間使用すると、ダークスポットと呼ばれる非発光点が発生する。
このダークスポットについて詳説すると、有機ＥＬ素子の封止が不十分な場合、水等が封止構造内に進入し、有機ＥＬ素子が水等に曝された状態となる。この状態で使用（点灯）すると、有機ＥＬ素子を構成する電極の一部が酸化され、電極の表面に絶縁性の酸化被膜が形成される。この酸化被膜が形成されると、形成箇所は部分的に絶縁化される。そのため、点灯時に当該箇所が発光せず、非発光点（ダークスポット）が形成される。
すなわち、有機ＥＬ装置のダークスポットの形成を防止するためには、有機ＥＬ素子への水等の進入を確実に防止することが必要となる。

また、使用初期におけるダークスポットは、一般的に、使用初期に形成されたときには、肉眼では見えない程度の大きさであり、さらに使用を続けることで、使用初期に形成されたものを核として成長していくことが知られている。
このダークスポットは、成長し拡大化すると、有機ＥＬ装置の耐久性や品質に悪影響を及ぼす。そして、このダークスポットの成長は、一般的に点灯時に有機ＥＬ素子内で発生する熱によって加速度的に促進されることが知られている。
すなわち、形成したダークスポットの成長を抑制するためには、点灯時の熱を有機ＥＬ素子内部に留めず、外部に効率良く逃がすことが必要である。

そこで、有機ＥＬ素子への水等の進入及び点灯時の熱の滞留を防ぐ技術として、特許文献１が開示されている。
特許文献１の有機ＥＬ装置は、基材上に順次、第１電極（電極）と有機化合物層（発光層）と第２電極（電極）とを積層した構造を有する有機ＥＬ素子を有したものである。また、特許文献１の有機ＥＬ装置は、当該第２電極の上に、無機防湿層と、金属製の導電性封止部材を設けている。そして、特許文献１の有機ＥＬ装置は、当該無機防湿層と導電性封止部材との間に絶縁性接着材層を介在させている。さらに、特許文献１の有機ＥＬ装置は、導電性封止部材として、封止性能（バリア性）及び伝熱性能（伝熱性）に優れている導電性封止材料を用いている。
この特許文献１の有機ＥＬ装置は、この導電性封止材料の封止性能及び伝熱性能を活用して、有機ＥＬ素子への水等の進入を防止するとともに、点灯時における発光する面（発光面）内の熱の滞留を防止している。

特開２０１０−２４５０２６号公報

特許文献１の有機ＥＬ装置は、上記したように一定の封止性能と伝熱性能を有している。また、特許文献１の有機ＥＬ装置は、無機防湿層と導電性封止部材との間に絶縁性接着材層を介在させることによって、導電性封止材料を封止材料とすることに伴う電極との短絡の問題に対処している。
しかしながら、特許文献１の有機ＥＬ装置は、導電性封止材料を有機ＥＬ素子が実際に発光する領域（以下、発光領域ともいう）のみに載置している。そのため、結果的に点灯時に発生する熱の大部分は、当該発光領域内に留まっている。
また、特許文献１の有機ＥＬ装置は、発光領域内の有機ＥＬ素子の電極に電圧を印加させるために、封止構造の外部に第１電極及び第２電極を延伸させ、取出電極を形成している。これらの取出電極は、第１電極及び第２電極がともに基材上で直接接触されており、経時的な封止性や伝熱性に支障があり、信頼性に欠けるという問題があった。
このように、特許文献１の有機ＥＬ装置は、封止性能と伝熱性能を効果的に両立させる構造として不十分であり、未だ改善の余地が残っている。

そこで、本発明は、上記した問題点を解決するものであり、有機ＥＬ素子への水分や酸素の進入を防止するとともに使用時に有機ＥＬ素子内で発生する熱を効率的に均熱化することが可能な有機ＥＬ装置を提供するものである。

本発明者らは、特許文献１の構造を踏まえて、点灯時に実際に発光する有機ＥＬ素子が位置する発光領域に加えて、当該発光領域内の発光素子に給電するための給電領域の一部においても、有機ＥＬ素子の上に無機封止層を積層し、当該封止層上に均熱性能及び封止性能を有する金属箔を、熱伝導性を有する接着材で接着した。
このことによって、発光領域内の発光素子で発生した熱を、均熱できる面積を大きくするとともに封止面積を増やし、より確実に水等の進入を防止することを試みた。
この構造について実験を繰り返し模索した結果、発明者らは、給電領域において有機発光層の一部を除くことで封止性や伝熱性が各段に向上するということを見出した。

この知見に基づいて開発された本発明の一つの様相は、多角形状の透明基板上に、第１電極層と、有機発光層と、第２電極層が積層された有機ＥＬ素子を有した有機ＥＬ装置であって、前記透明基板を平面視したときに、駆動時に発光する発光領域を有する有機ＥＬ装置において、少なくとも発光領域の有機ＥＬ素子に、無機封止層と、接着材層と、伝熱封止層が積層されており、さらに、前記透明基板を平面視したときに、発光領域の外側であって発光領域の外縁の一部又は全部に沿って配される通電領域を有し、通電領域において、発光領域から延伸した第１電極層と、第１電極層よりも熱伝導率の大きい導電層と、前記無機封止層と、前記接着材層と、前記伝熱封止層がこの順に互いに接触するように積層された伝熱封止積層構造が形成されており、当該伝熱封止積層構造は、線状又は面状であって、透明基板の各辺のいずれか又は全部の近傍に位置し、対応する各辺に沿って延伸していることを特徴とする。

本様相の有機ＥＬ装置は、駆動時に発光する発光領域に属する有機ＥＬ素子（以下、発光素子ともいう）は、第１電極層、有機発光層、及び第２電極層の重畳部位であり、第１電極層と第２電極層との間で電圧を印加することによって有機発光層が面状に発光する。
本様相によれば、少なくとも発光素子上に、無機封止層と、接着材層と、伝熱封止層が積層されている。すなわち、発光素子上を無機封止層と接着材層と伝熱封止層が覆うことによって、部材厚方向の発光素子への水等の進入を防いでいる。また、発光素子の部材厚方向の投影面上に伝熱性を有する伝熱封止層が位置することによって、使用時に発光素子から生じる熱の大部分を伝熱封止層で放熱及び均熱することに成功している。
さらに、本発明の様相によれば、発光領域の外側であって発光領域の外縁の一部又は全部に沿って配される通電領域を有し、通電領域において、発光領域から延伸した第１電極層と、第１電極層よりも熱伝導率の大きい導電層と、前記無機封止層と、前記接着材層と、前記伝熱封止層がこの順に互いに接触するように積層された伝熱封止積層構造が形成されている。すなわち、使用時に発光素子から発生する熱を、通電領域に属する第１電極層を経由して発光領域の外側の通電領域に逃がし、さらに通電領域内で導電層を介して伝熱封止層に伝えることによって、伝熱封止層全体で放熱及び均熱することに成功している。そのため、均熱面積及び放熱面積を大きく確保することができる。
そして、本発明の様相によれば、この伝熱封止積層構造は、線状又は面状であって、透明基板の各辺のいずれか又は全部の近傍に位置し、対応する各辺に沿って延伸している。そのため、通電領域において第１電極層から伝熱封止層に逃がすための最低限の伝熱面積を確保でき、効率的に熱を逃がすことに成功している。
このように本発明の様相によれば、使用時に発光素子内で発生する熱を発光素子の上方だけでなく発光素子のまわりの部位によっても熱を逃がす経路をして使用することができる。そのため、使用時に有機ＥＬ素子内で発生する熱を効率的に均熱化し、放熱することができる。それ故に、発光領域内の輝度むらを抑制することができる。
また、本様相の有機ＥＬ装置は、伝熱封止積層構造の封止機能によって、発光素子への水分の進入を防止することで、水等による経時的なダークスポットの発生や成長が抑えることもできる。さらに、本様相の有機ＥＬ装置は、伝熱封止積層構造の均熱機能によって、熱によるダークスポットの成長を抑制できるとともに輝度むらの発生も抑制できる、それ故に、本様相によれば、従来の有機ＥＬ装置に比べて信頼性及び外観に優れた有機ＥＬ装置となる。

好ましい様相は、前記伝熱封止積層構造の延伸長さは、少なくとも前記対応する各辺の長さの半分以上の長さであることである。

本様相によれば、前記伝熱封止積層構造の延伸長さは、少なくとも前記対応する各辺の長さの半分以上の長さであるため、第１電極層から伝熱封止層への熱の伝達においても均等に熱を伝達することができ、十分に均熱することができる。

好ましい様相は、前記伝熱封止層は、少なくとも絶縁性樹脂膜と金属箔を有し、当該絶縁性樹脂膜は、前記接着材層と当該金属箔の間に介在していることである。

本様相によれば、伝熱封止層として絶縁性樹脂膜と金属箔を使用しているので、有機ＥＬ装置の薄いという特長が損なわれにくい。

この様相によれば、絶縁性樹脂膜は、接着材層と金属箔の間に介在しているため、接着材層の導電性の有無にかかわらず、接着することができる。

好ましい様相は、前記伝熱封止層は、２層の絶縁性樹脂膜と金属箔を有し、当該金属箔は、前記２層の絶縁性樹脂膜の間に介在していることである。

この様相によれば、金属箔が２層の絶縁性樹脂膜によってコーティングされているため、封止性能が高い。

より好ましい様相は、前記絶縁性樹脂膜は、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニリデン、及びポリテトラフルオロエチレンからなる群より選ばれた少なくとも１種によって形成されていることである。

好ましい様相は、前記通電領域は、外部電源と電気的に接続可能な給電領域を有し、前記給電領域は、少なくとも透明基板の一辺側にあって、発光領域の第１電極層と電気的に接続された第１電極連通部と、発光領域の第２電極層と電気的に接続された第２電極連通部が位置していることである。

この様相によれば、一辺側に発光領域の第１電極層及び第２電極層への給電可能部位が集中しているため、発光領域の有機ＥＬ素子に給電しやすい。すなわち、一辺側に外部電源に接続された電源端子を接続するだけで、給電ができる。

好ましい様相は、前記通電領域は、外部電源と電気的に接続可能な給電領域を有し、前記給電領域は、少なくとも透明基板の一辺側にあって、発光領域の第１電極層と電気的に接続された２つの第１電極連通部と、発光領域の第２電極層と電気的に接続された第２電極連通部が位置しており、さらに、前記透明基板の一辺に沿って、第１電極連通部、第２電極連通部、第１電極連通部の順に並列していることである。

この様相によれば、発光領域の第１電極層への給電電極たる第１電極連通部が２つ、発光領域の第２電極層への給電電極たる第２電極連通部が１つ存在し、前記透明基板の一辺側において、第２電極連通部の両側を第１電極連通部が挟む構造となっている。そのため、前記一辺方向において、均等に発光領域の有機ＥＬ素子に給電することができ、輝度むらを抑制することができる。

好ましい様相は、前記通電領域は、外部電源と電気的に接続可能な給電領域を有し、前記給電領域は、第１電極層の一部であって発光領域の第１電極層と物理的に分離された島状の孤立部が位置しており、前記給電領域において、前記孤立部と発光領域から延びた第２電極層が物理的に接続される電極固定部を備えることである。

この様相によれば、孤立部と発光領域から延びた第２電極層が有機発光層を介さずに直接接続されているため、透明基板から第２電極層が剥離しにくい。

好ましい様相は、前記通電領域は、外部電源と電気的に接続可能な給電領域を有し、当該給電領域は、透明基板の一辺側に位置する第１給電領域と、透明基板の一辺と対辺側に位置する第２給電領域からなり、前記第１給電領域は、発光領域の第１電極層と電気的に接続された第１電極連通部と、発光領域の第２電極層と電気的に接続された第２電極連通部が位置しており、さらに、前記第２給電領域にも、発光領域の第１電極層と電気的に接続された第１電極連通部と、発光領域の第２電極層と電気的に接続された第１電極連通部が位置していることである。

この様相によれば、一辺側及び対辺側のいずれからでも発光領域の有機ＥＬ素子に給電することができるため、設置環境に適応しやすい。

より好ましい様相は、前記通電領域は、第１電極層内の電気伝導を補助する補助電極領域を有し、前記補助電極領域は、前記第１給電領域と前記第２給電領域を結ぶように延伸しており、前記伝熱封止積層構造は、補助電極領域の延伸方向に延びていることである。

この様相によれば、第１電極層内の電気伝導を補助する補助電極領域内を伝熱封止積層構造が延びているため、電気・熱の観点からより輝度むらを抑制することができる。

好ましい様相は、前記通電領域は、外部電源と電気的に接続可能な給電領域と、第１電極層内の電気伝導を補助する補助電極領域から形成されており、前記給電領域は、透明基板の一辺側に、第１電極層と電気的に接続された第１電極連通部と、第２電極層と電気的に接続された第２電極連通部を有し、前記補助電極領域は、前記透明基板の一辺に対して直交する方向に延伸し、かつ、前記発光領域及び当該給電領域に隣接するものであり、発光領域から延びて補助電極領域に位置する第１電極層が、積層体の積層方向で導電層と直接接触することによって伝熱封止積層構造が形成されるものであることである。

この様相によれば、補助電極領域に位置する第１電極層が、積層体の積層方向で第１電極層よりも電気伝導性の優れた導電層と直接接触することによって伝熱封止積層構造が形成するものであるため、導電層によって給電領域の第１電極連通部から第１電極層への電気伝導、又は第２電極層から給電領域の第２電極連通部への電気伝導を補助することができる。

より好ましい様相は、前記無機封止層は、酸素、炭素、窒素の中から選ばれた１種類以上の元素と、ケイ素元素とからなるシリコン合金により形成される無機合金層を有していることである。

より好ましい様相は、前記無機封止層は、湿式法によって形成されてなる第１無機封止層と、乾式法によって形成されてなる第２無機封止層から形成されていることである。

この様相によれば、第１無機封止層と第２無機封止層が互いに補完して封止性の高い無機封止層となる。

好ましい様相は、前記接着材層は、エポキシ樹脂であることである。

好ましい様相は、透明基板の他方の主面に駆動時に発光する発光面を有し、当該発光面の面内の熱分布は、９５パーセント以上に収まっていることである。

この様相によれば、輝度むらの少ない有機ＥＬ装置が実現できる。

本発明の一つの様相は、四角形状の透明絶縁基板の一方の主面上に、透明酸化物電極層と、有機発光層と、金属電極層が積層された有機ＥＬ素子を有した有機ＥＬ装置であって、前記透明絶縁基板を平面視したときに、駆動時に発光する発光領域を有する有機ＥＬ装置において、少なくとも発光領域の有機ＥＬ素子に、無機封止層と、接着材層と、伝熱封止層が積層されており、さらに、前記透明絶縁基板を平面視したときに、発光領域の外側であって発光領域の外縁の一部又は全部に沿って配される通電領域を有し、通電領域において、発光領域から延伸した前記透明酸化物電極層と、前記金属電極層と、前記無機封止層と、前記接着材層と、前記伝熱封止層がこの順に互いに接触するように積層された伝熱封止積層構造が形成されており、当該伝熱封止積層構造は、線状又は面状であって、透明絶縁基板の各辺のいずれか又は全部の近傍に位置し、対応する各辺に沿って延伸していることである。

この様相の有機ＥＬ装置は、透明基板側から光を取り出すいわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置である。すなわち、透明酸化物電極層の第１電極層は陽極電極となり、金属電極層は陰極電極となる。
この様相によれば、有機ＥＬ素子への水分の進入を防止するとともに使用時に有機ＥＬ素子内で発生する熱を効率的に均熱化することが可能である。

本様相の製造方法は、透明基板上に有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、無機封止層を形成する無機封止層形成工程と、接着材層によって無機封止層に伝熱封止層を接着する伝熱封止層接着工程を含んでおり、前記有機ＥＬ素子形成工程は、第１電極層より上方の積層体を部分的に除去する第１除去工程と、当該除去部位上に第２電極層を積層する第２電極積層工程を含んでいることが望ましい。

この様相によれば、伝熱封止積層構造を容易に形成できる。

好ましい様相は、前記導電層は、第２電極層であり、前記除去部位上に積層した第２電極層は、伝熱封止積層構造の一部を形成することである。

この様相によれば、導電層が第２電極層であるため、新たに導電層を形成しなくても伝熱封止積層構造を形成できる。

より好ましい様相は、前記有機ＥＬ素子形成工程は、発光領域の第１電極層と物理的に分離された孤立部を形成する孤立部形成工程と、少なくとも孤立部上に有機発光層を積層する有機発光層積層工程と、有機発光層を部分的に除去する有機発光層除去工程と、当該除去部位上に第２電極層を積層する第２電極積層工程を含んでいることである。

本様相の製造方法は、透明基板上に有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、無機封止層を形成する無機封止層形成工程と、接着材層によって無機封止層に伝熱封止層を接着する伝熱封止層接着工程を含んでおり、前記無機封止層形成工程は、ＣＶＤ法によって第１無機封止層を形成する工程と、シリカ転化によって第２無機封止層を形成する工程を有することであることが望ましい。

本様相の製造方法によれば、封止性の高い無機封止層を形成できる。

さらに好ましい様相は、前記第２無機封止層は、ポリシラザンを原料とすることである。

本発明の様相の構成によれば、使用時に有機ＥＬ素子内で発生する熱を効率的に均熱化可能なので発光領域内の輝度分布を小さくすることができ、かつ、有機ＥＬ素子への水分の進入を効果的に防止可能なので発光欠陥の発生を抑制できる。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置を裏面側から観察し、概念的に示した斜視図である。 図１の有機ＥＬ装置の伝熱封止層を取り外した分解斜視図であり、接着材層を除いた図である。 図２の有機ＥＬ装置からさらに無機封止層を取り除いた斜視図である。 図３の状態の有機ＥＬ装置の平面図である。 図３の状態の有機ＥＬ装置の各領域の説明図である。 図１の有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面図であり、理解を容易にするため、ハッチングを省略している。 図１の有機ＥＬ装置のＢ−Ｂ断面図であり、理解を容易にするため、ハッチングを省略している。 図１の有機ＥＬ装置のＣ−Ｃ断面図であり、理解を容易にするため、ハッチングを省略している。 図３の透明基板から有機ＥＬ素子を形成する第２電極層と機能層をそれぞれ分解した斜視図である。 図１の有機ＥＬ装置に用いられる電流回路を表す説明図である。 図１の有機ＥＬ素子の電気の流れを表す説明図であり、電流の流れを矢印で示している。 図１の有機ＥＬ装置の各製造工程を表す説明図であり、（ａ）〜（ｈ）は各工程の平面図を表す。 本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置を裏面側から観察し、概念的に示した分解斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る有機ＥＬ装置の模式図であり、電流の流れを矢印で示している。 図１の有機ＥＬ装置の層構造を模式的に表す断面図であり、理解を容易にするため、ハッチングを省略している。 実施例及び比較例の有機ＥＬ装置において温度分布の測定点を表す説明図である。 実施例及び比較例の有機ＥＬ装置における経過時間に対するダークスポットの成長率を表すグラフである。

本発明は、有機ＥＬ装置に係るものである。図１は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１を示している。以下、上下左右の位置関係は、特に断りのない限り、図１の姿勢を基準に説明する。すなわち、使用時における光取り出し側が下である。
また、下記に記載する物性は、特に断りの無い限り、標準状態での物性を表す。

本実施形態の有機ＥＬ装置１は、図１，図２，図６のように長方形状の透明基板２の主面上に有機ＥＬ素子１０を積層し、その上から無機封止層７を積層して封止したものである。また、有機ＥＬ装置１では、無機封止層７上に、さらに伝熱封止層１５を載置し、接着材層８を介して、接着している。
有機ＥＬ素子１０は、図６のように透光性を有した透明基板２（透明絶縁基板）側から順に第１電極層３（透明酸化物電極層）と、機能層５（有機発光層）と、第２電極層６（金属電極層）が積層されたものである。

また、本実施形態の有機ＥＬ装置１では、図３のように透明基板２上の有機ＥＬ素子１０を複数の溝によって、複数の領域に分けられている。
具体的には、有機ＥＬ装置１は、図３，図５のように、その面内において、使用時に実際に発光する発光領域３０と、通電領域５２とに分けられる。
さらに通電領域５２は、使用時（駆動時）の給電に寄与する給電領域３１，３２と、電通を補助する補助電極領域３３，３５に分かれている。
通電領域５２は、図５のように発光領域３０の外側に位置しており、発光領域３０の外縁の一部又は全部に沿って配されている。換言すると、通電領域５２は、発光領域３０の外側を囲むように配されている。本実施形態では、通電領域５２は、発光領域３０の外縁全体に沿って配されている。

説明の都合上、まず本実施形態の特徴的構成及びその位置関係について説明し、有機ＥＬ装置１の各層構成の詳細については、後述する。

発光領域３０は、図５のように幅方向ｗ及び長さ方向ｌ（幅方向ｗに対して直交する方向であって、部材厚方向に対しても直交する方向）において、有機ＥＬ装置１の中央に位置している。給電領域３１，３２及び補助電極領域３３，３５は、発光領域３０の周囲であって、発光領域３０の縁に沿って隣接するように配されている。

発光領域３０は、図３，図６のように、領域分離溝２３，２４によって分離された領域である。
発光領域３０の有機ＥＬ素子１０は、第１電極層３と、機能層５と、第２電極層６が重畳して形成されている。有機ＥＬ装置１を使用時（駆動時）には、発光領域３０内の第１電極層３と第２電極層６の間で電圧が印加されて、機能層５が面状に広がりをもって発光する。
以下の説明においては、発光領域３０に位置する有機ＥＬ素子１０を発光素子２５と称する。

発光領域３０には、上記したように発光素子２５が位置しており、透明基板２の有機ＥＬ素子１０が積層された主面と反対側の主面（光取出面）に実際に発光する発光面３４を有している。すなわち、この発光面３４は、光を取り出す面であって、使用時に使用者が発光を視認できる面である。

給電領域３１，３２は、外部電源からの供給電力を受ける領域である。また、給電領域３１，３２は、図５のように領域分離溝２３，２４よりも長さ方向ｌ（長手方向）外側に位置する領域である。言い換えると、給電領域３１（第１給電領域）と給電領域３２（第２給電領域）は、長さ方向ｌにおいて発光領域３０を挟んで互いに対向する関係となっている。
また、給電領域３１，３２は、それぞれ透明基板２の対向する２辺（本実施形態では対向する短辺）近傍に位置している。言い換えると、給電領域３１，３２は、それぞれ長さ方向ｌの両端部近傍に位置している。
そして、給電領域３１，３２は、透明基板２の短辺から長手方向ｌ中央側に向かって延びている。
図４に示される給電領域３１，３２の幅Ｌ１（長さ方向ｌの延伸長さ）は、ともに透明基板２の幅（長さ方向ｌの全体長さ）の１／４以下の幅となっている。

また、給電領域３１，３２は、図５のように、２本の領域分離溝２３，２４によって、それぞれ３つの領域に分割されている。
具体的には、給電領域３１，３２は、外部から電流が供給される陽極側給電領域１６，１８と、外部へ電流が流れる陰極側給電領域１７に分割されている。
そして、陰極側給電領域１７は、有機ＥＬ装置１の幅方向ｗの中央に位置しており、陽極側給電領域１６，１８は、陰極側給電領域１７の幅方向ｗの両外側に位置している。
すなわち、給電領域３１，３２は、幅方向ｗにおいて、それぞれ陽極側給電領域１６、陰極側給電領域１７、陽極側給電領域１８の順に交互に配されている。

陽極側給電領域１６，１６に位置する第２電極層６，６は、図５，図８から読み取れるように発光領域３０の第１電極層３と電気的に接続されており、当該第１電極層３に給電可能な陽極給電部２０，２０（第１電極連通部）として機能する。
陰極側給電領域１７，１７に位置する第２電極層６は、発光領域３０の第２電極層６と電気的に接続されており（本実施形態では、発光領域３０の第２電極層６と連続しており）、当該発光領域３０の第２電極層６に給電可能な陰極給電部２１，２１（第２電極連通部）として機能する。
陽極側給電領域１８，１８に位置する第２電極層６，６は、陽極側給電領域１６の第２電極層６と同様、発光領域３０の第１電極層３と電気的に接続されており、当該第１電極層３に給電可能な陽極給電部２２，２２（第１電極連通部）として機能する。
すなわち、給電領域３１，３２では、幅方向ｗに陽極給電部２０，陰極給電部２１，陽極給電部２２の順に並列している。
以下の説明においては、陽極側給電領域１６の第２電極層６を陽極給電部２０（第１電極連通部）とも称し、陰極側給電領域１７の第２電極層６を陰極給電部２１（第２電極連通部）とも称し、陽極側給電領域１８の第２電極層６を陽極給電部２２（第１電極連通部）とも称する。

有機ＥＬ装置１は、図５のように、発光領域３０の幅方向ｗの両側の縁に沿って補助電極領域３３，３５が設けられている。すなわち、補助電極領域３３，３５は、発光領域３０を挟むように発光領域３０の幅方向ｗの両外側に設けられている。

補助電極領域３３，３５は、それぞれ透明基板２の対向する２辺近傍であって、給電領域３１，３２に対応する辺以外の２辺の近傍に位置している。
本実施形態では、補助電極領域３３，３５は、透明基板２の長辺に沿って形成されており、短手方向ｗ端部近傍に位置している。
補助電極領域３３，３５は、透明基板２の長辺から中央に向かって延びている。図４に示される補助電極領域３３，３５の幅Ｗ１（長手方向ｌの長さ）は、ともに透明基板２の幅の１／４以下の領域となっている。

補助電極領域３３，３５に位置する第２電極層６，６は、図６のように補助電極領域３３，３５内の第１電極層３，３と直接接触することによって電気的に接続されており、当該第１電極層３への給電を補助する補助電極層４１，４２として機能する。
なお、以下の説明においては、補助電極領域３３の第２電極層６を補助電極層４１とも称し、補助電極領域３５の第２電極層６を補助電極層４２とも称する。

以上のように、発光領域３０は、幅方向ｗに延びる２つの給電領域３１，３２及び長手方向ｌに延びる２つの補助電極領域３３，３５によって囲まれている。

また、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、上記したように深さの異なる複数の溝によって、複数の区画に分離されて区切られている。
具体的には、有機ＥＬ装置１は、図９のように部分的に第１電極層３を除去した取出電極分離溝２６と、部分的に第２電極層６と機能層５の双方を除去した領域分離溝２３，２４と、部分的に機能層５を除去した電極接続溝２７，２８及び取出電極固定溝２９と、を有しており、これらの溝によって複数の区画に分離されている。

これらの各溝について詳説すると、取出電極分離溝２６は、図９のように透明基板２上に積層された第１電極層３を３つの領域に分離する溝である。取出電極分離溝２６は、給電領域３１，３２の陰極側給電領域１７，１７をそれぞれ発光領域３０から分離する溝である。
また、取出電極分離溝２６内には、図７のように機能層５の一部が進入しており、機能層５は取出電極分離溝２６の底部で透明基板２と直接接触している。すなわち、発光領域３０の第１電極層３と陰極側給電領域１７，１７の第１電極層３，３（孤立部４８，４８）をそれぞれ機能層５によって電気的に切り離している。

領域分離溝２３，２４は、図９のように透明基板２の長手方向ｌ全体に亘って延伸した溝であり、機能層５と第２電極層６の双方を複数の領域に分離する溝である。領域分離溝２３，２４は、図５のように有機ＥＬ装置内を発光領域３０、給電領域３１，３２、補助電極領域３３，３５に区分けする溝である。
すなわち、領域分離溝２３，２４は、図５のように発光領域３０の縁のほぼ全体に沿って形成されている。また、領域分離溝２３，２４は、発光領域３０と給電領域３１，３２とのそれぞれの境界部位、発光領域３０と補助電極領域３３，３５とのそれぞれの境界部位、給電領域３１，３２と補助電極領域３３，３５とのそれぞれの境界部位に跨がって形成されている。

また、領域分離溝２３，２４内には、図６，図８のように、絶縁性を有した無機封止層７の一部が進入しており、無機封止層７は領域分離溝２３，２４の底部で第１電極層３と接触している。すなわち、無機封止層７によって、発光領域３０と給電領域３１，３２と補助電極領域３３，３５のそれぞれの機能層５及び第２電極層６を、互いに電気的に切り離している。

領域分離溝２３，２４の外側に位置する電極接続溝２７，２８は、図９のように長手方向ｌ全体に亘って延伸した溝であり、機能層５のみを複数の領域に分離する溝である。
具体的には、電極接続溝２７，２８は、領域分離溝２３，２４を内側に挟むように形成されている。
電極接続溝２７は、図５のように給電領域３１，３２の陽極側給電領域１６，１６及び補助電極領域３３に跨がって、長手方向ｌに縦断するように形成されている。同様に、電極接続溝２８は、給電領域３１，３２の陽極側給電領域１８，１８及び補助電極領域３５に跨がって、長手方向ｌに縦断するように形成されている。

また、電極接続溝２７，２８は、領域分離溝２３，２４と略同一の形状をしており、領域分離溝２３，２４と平行に形成されている。

陽極側給電領域１８に位置する電極接続溝２８内には、図８のように陽極給電部２２の一部が進入しており、電極接続溝２８の底部で第１電極層３と接触して電極接続部３７を形成している。すなわち、電極接続溝２８を形成した直後には、電極接続溝２８の底部は第１電極層３が露出した状態となっており、電極接続溝２８の底部に露出する第１電極層３は陽極給電部２０と接触している。
また、補助電極領域３５に位置する電極接続溝２８内には、図６のように補助電極層４２の一部が進入しており、電極接続溝２８の底部で第１電極層３と接触し、電極接続部３９を形成している。

同様に、陽極側給電領域１６に位置する電極接続溝２７内には、陽極給電部２０の一部が進入しており、電極接続溝２７の底部で第１電極層３と接触して電極接続部３６を形成している。すなわち、電極接続溝２７を形成した直後には、電極接続溝２７の底部は第１電極層３が露出した状態となっており、電極接続溝２７の底部に露出する第１電極層３は陽極給電部２０と接触している。
また、補助電極領域３３に位置する電極接続溝２７内には、図６のように補助電極層４１の一部が進入しており、電極接続溝２７の底部で第１電極層３と接触し、電極接続部３８を形成している。

したがって、図５に示される陽極給電部２０，２２及び補助電極層４１，４２は、外部から給電された電力を、電極接続部３６〜３９を介して第１電極層３に伝達することで電通を補助する機能を有する。すなわち、陽極給電部２０，２２及び補助電極層４１，４２は、長手方向ｌに延伸する辺に沿って設けられており、第１電極層３の陽極給電部２０，２２及び補助電極層４１，４２との接触する部位を同電位にすることが可能となっている。
電極接続溝２７，２８の溝幅は、３０μｍ以上８０μｍ以下であり、４０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましく、４５μｍ以上６０μｍ以下であることが特に好ましい。

第１電極層３側からみると、第１電極層３は、図６のように電極接続溝２７，２８を経由して、熱伝導性の高い第２電極層６と直接接触している。言い換えると、熱伝導性が極めて低い機能層５を介さずに、第１電極層３と第２電極層６が直接接触している。そのため、使用時に発光素子２５内で発生した熱を、第１電極層３を介して発光領域３０の外側の領域に逃がし、第２電極層６を介して外部に逃がすことができる。

取出電極固定溝２９は、図５，図７のように幅方向ｗに延伸した溝であり、孤立部４８上の機能層５を除去する溝である。
取出電極固定溝２９内には、陰極給電部２１の一部が進入しており、取出電極固定溝２９の底部で孤立部４８と接触して電極固定部４０を形成している。すなわち、取出電極固定溝２９を形成した直後には、取出電極固定溝２９の底部は孤立部４８の一部が露出した状態となっており、取出電極固定溝２９の底部に露出する孤立部４８は陰極給電部２１と接触している。

以上のように、有機ＥＬ装置１は、図５のように陽極側給電領域１６，１６及び補助電極領域３３に電極接続溝２７と領域分離溝２３が配されており、陽極側給電領域１８，１８及び補助電極領域３５に電極接続溝２８が配されている。
さらに、陰極側給電領域１７に取出電極分離溝２６及び取出電極固定溝２９が配されている。一方、発光領域３０には、溝が形成されていない。

有機ＥＬ素子１０を覆う無機封止層７に目を移すと、無機封止層７は、図１，図２，図５から読み取れるように、幅方向ｗにおいて、少なくとも発光領域３０の発光素子２５全面を覆っており、さらにその両側に位置する給電領域３１，３２の有機ＥＬ素子１０の一部又は端部まで至っている。
また、無機封止層７は、長さ方向ｌにおいて、少なくとも発光領域３０の発光素子２５全面を覆っており、さらにその両外側に位置する給電領域３１，３２の有機ＥＬ素子１０の一部まで至っている。
すなわち、有機ＥＬ装置１は、図２のように有機ＥＬ素子１０上に無機封止層７が被覆した被覆領域４５と、被覆領域４５の長手方向ｌ外側であって陽極給電部２０，２２及び陰極給電部２１の一部が露出した露出領域４６，４７を有している。また、露出領域４６と露出領域４７は、長手方向ｌにおいて被覆領域４５を挟んで対向する位置にある。また、無機封止層７は、領域分離溝２３の内部で第１電極層３と直接接続されている。
そして、有機ＥＬ装置１は、図２に示される露出領域４６，４７において、外部電源と電気的に接続することで、露出領域４６，４７内の陽極給電部２０，２２及び陰極給電部２１を介して被覆領域４５内に位置する発光領域３０の発光素子２５に給電することが可能となっている。

続いて、有機ＥＬ装置１の各層構成について説明する。
有機ＥＬ装置１は、上記したように透明基板２上に有機ＥＬ素子１０が積層し、その上に、無機封止層７、接着材層８、伝熱封止層１５の順に積層したものである。

透明基板２は、透光性及び絶縁性を有した透明絶縁基板である。
透明基板２の材質については特に限定されるものではなく、例えば、フレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板などから適宜選択され用いられる。特にガラス基板や透明なフィルム基板は透明性や加工性の良さの点から好適である。
透明基板２は、面状に広がりを有しており、具体的には、多角形状となっている。本実施形態では、四角形状となっている。

第１電極層３の素材は、透明であって、導電性を有していれば、特に限定されるものではなく、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電性酸化物などが採用される。機能層５内の発光層から発生した光を効果的に取り出せる点では、透明性が高いＩＴＯあるいはＩＺＯが特に好ましい。本実施形態では、ＩＴＯを採用している。

機能層５は、第１電極層３と第２電極層６との間に設けられ、少なくとも一つの発光層を有している層である。機能層５は、主に有機化合物からなる複数の層から構成されている。この機能層５は、一般な有機ＥＬ装置に用いられている低分子系色素材料や、共役系高分子材料などの公知のもので形成することができる。また、この機能層５は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの複数の層からなる積層多層構造であってもよい。
本実施形態では、機能層５は、図１５に示すように、第２電極層６側から順に、電子注入層５４、電子輸送層５５、発光層５６、正孔輸送層５７、正孔注入層５８がこの順番に積層された構造を有している。
電子注入層５４、電子輸送層５５、発光層５６、正孔輸送層５７、正孔注入層５８は、いずれも公知の材料を採用している。

また、これらの機能層５の構成層は真空蒸着法やスパッタ法、ＣＶＤ法、ディッピング法、ロールコート法（印刷法）、スピンコート法、バーコート法、スプレー法、ダイコート法、フローコート法など適宜公知の方法によって成膜できる。

第２電極層６の材料は、特に限定されるものではなく、例えば銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）などの金属が挙げられる。本実施形態の第２電極層６は、Ａｌで形成されている。また、これらの材料はスパッタ法又は真空蒸着法によって堆積されることが好ましい。
第２電極層６の電気伝導率及び熱伝導率は、第１電極層３よりも大きい。言い換えると、第２電極層６は、第１電極層３よりも電気伝導性及び熱伝導性が高い。

無機封止層７の材質は、絶縁性及び封止性を有していれば、特に限定されるものではないが、酸素、炭素、窒素の中から選ばれた１種類以上の元素と、ケイ素元素とからなるシリコン合金により形成されている無機合金層であることが好ましく、Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈ等の結合を含む窒化珪素や酸化珪素、および両者の中間固溶体である酸窒化珪素であることが特に好ましい。本実施形態では、これらの構造を有した多層構造の無機封止層を使用している。
具体的には、無機封止層７は、図６のように有機ＥＬ素子１０側から乾式法によって形成される第１無機封止層５０と、湿式法によって形成される第２無機封止層５１がこの順に積層されて形成されている。
第１無機封止層５０は、化学気相蒸着によって形成される層であり、さらに詳細にはシランガスやアンモニアガス等を原料としてプラズマＣＶＤ法で成膜される層である。
第１無機封止層５０は、後述するように有機ＥＬ装置１の製造工程において、水分含量が少ない雰囲気下で、有機ＥＬ素子１０の形成工程に連続して成膜できるため、空気や水蒸気に晒さずに成膜でき、使用直後の初期ダークスポットの発生を低減することができる。

第２無機封止層５１は、液体状又はゲル状の原料を塗布した後、化学反応を介して成膜される層である。第２無機封止層５１は、より詳細には、緻密性を有したシリカを素材としている。また、第２無機封止層５１はポリシラザン誘導体を原料とするのが好ましい。ポリシラザン誘導体を用いてシリカ転化によって第２無機封止層を成膜した場合、シリカ転化時に重量増加を生じ、体積収縮が小さい。また、シリカ膜転化時（固化時）に樹脂の耐え得る温度で十分にしかもクラックを生じ難くすることができるという利点を有する。
なお、ここでいうポリシラザン誘導体は、珪素−窒素結合を持つポリマーであり、Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈ等からなるＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、および両者の中間固溶体ＳｉＯｘＮｙ等のセラミック前駆体ポリマーである。また、このポリシラザン誘導体は、Ｓｉと結合する水素部分が一部アルキル基等で置換された誘導体も含む。
ポリシラザン誘導体の中でも特に側鎖が全て水素であるペルヒドロポリシラザンや、珪素と結合する水素部分が一部メチル基に置換された誘導体が好ましい。

また、このポリシラザン誘導体は、有機溶媒に溶解した溶液状態で塗布し使用することが好ましい。
この溶解する有機溶媒としては、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類が使用できる。

第２無機封止層５１は、第１無機封止層５０に比べて緻密な層で形成されているため、封止性が高く、経時的な新たなダークスポットの発生を防止したり、発生したダークスポットの拡大化を抑制したりすることができる。

また、無機封止層７の成膜位置は、上記したように透明基板２の幅方向ｗの少なくとも電極接続溝２７，２８の外側まで形成している。本実施形態の無機封止層７の成膜位置は、図２のようにさらに幅方向ｗの全体に亘って成膜されている。言い換えると、無機封止層７は、少なくとも発光領域３０及び補助電極領域３３，３５の全面に成膜されている。

無機封止層７の平均厚みは、１μｍから１０μｍであることが好ましく、２μｍから５μｍであることがより好ましい。
無機封止層７の一部を担う第１無機封止層５０の厚みは、１μｍから５μｍであることが好ましく、１μｍから２μｍであることがより好ましい。
また、無機封止層７の一部を担う第２無機封止層５１の厚みは、好ましくは１μｍから５μｍであることが好ましく、１μｍから３μｍであることがより好ましい。

伝熱封止層１５と無機封止層７を接着する接着材層８に目を移すと、接着材層８は、絶縁性を有した樹脂を主成分とする接着材が硬化したものである。接着材の材質は、接着材層８形成後において、接着性及び熱伝導性を有していれば、特に限定されるものではないが、加工の容易さの観点から熱硬化性樹脂が好ましく、その中でもエポキシ樹脂であることが特に好ましい。なお本実施形態では、接着材層としてエポキシ樹脂を採用している。

無機封止層７の上方に載置される伝熱封止層１５に目を移すと、伝熱封止層１５は、伝熱性能および封止性能を有する層であり、伝熱封止層１５を無機封止層７上に載置することによって、放熱及び均熱、並びに封止機能を充足させるものである。すなわち、伝熱封止層１５は、使用時に発光素子２５内で生じる熱を有機ＥＬ装置１全体に亘って均熱化し、さらに、外部に放熱する機能を有する。また、伝熱封止層１５は、有機ＥＬ素子１０への水等の進入を防止する封止手段としての機能も備えている。

伝熱封止層１５についてさらに詳説すると、伝熱封止層１５は、図６のように金属箔１１と、金属箔１１の少なくとも接着材層８側の片面全体をコーティングする絶縁性樹脂膜１２から形成されている。本実施形態では、金属箔１１の両面に絶縁性樹脂膜１２，１３がコーティングされている。
金属箔１１の表面は、絶縁性樹脂膜１２、１３によってあらかじめラミネート加工されている。
金属箔１１の平均厚みは６μｍから２００μｍであり、４０μｍから１００μｍであることが好ましい。
金属箔１１の材質は、均熱性又は放熱性と、水蒸気バリア性を有していれば特に限定されるものではなく、例えば、銅やアルミニウムなどが採用でき、その中でもアルミニウムで形成されていることが好ましい。また、アルミニウムは、耐腐食性があり、伝熱性が高いので伝熱機能が高く、かつ、水分の透過性が低いので封止機能も高い。そのため、本実施形態では金属箔１１としてアルミニウムを採用している。

絶縁性樹脂膜１２，１３の材質は、絶縁性を有していれば特に限定されるものではないが、封止性が高い観点からポリエチレンテレフタレートとポリ塩化ビニリデンとポリテトラフルオロエチレンのうちいずれかであることが好ましい。本実施形態では、無機封止層側の絶縁性樹脂膜１２にポリエチレンテレフタレートを採用し、反対側の絶縁性樹脂膜１３にポリテトラフルオロエチレンを採用している。
絶縁性樹脂膜１２，１３の平均厚みは、５μｍから１００μｍであり、１０μｍから５０μｍであることが好ましい。

伝熱封止層１５の設置領域は、少なくとも発光領域３０全体に設置されており、さらに、電極接続溝２７，２８の外側まで延在している。すなわち、伝熱封止層１５は、少なくとも発光領域３０及び補助電極領域３３，３５の一部を覆っている。
そのため、発光領域３０全体の熱を均等にすることができ、発光素子２５の輝度ムラを防止することができる。また、電極接続溝２７，２８の外側に延在しているため、外部と、発光素子２５との距離を遠くすることができ、発光素子２５内への水等の進入を効果的に防止することができる。

本実施形態では、伝熱封止層１５の設置領域は、図６のように領域分離溝２３，２４のさらに外側に位置する電極接続溝２７，２８の外側にまで延在している。本実施形態の伝熱封止層１５は、図２のように無機封止層７の全面を覆っている。すなわち、有機ＥＬ装置１の給電領域３１，３２の一部（露出領域４６，４７）を除いて全面を覆っている。具体的には、発光領域３０及び補助電極領域３３，３５の全面、並びに給電領域３１，３２の一部（露出領域４６，４７）に跨がって覆っている。そのため、発光素子２５内への水等の進入をさらに効果的に防止することができる。

以上のように、給電領域３１，３２及び補助電極領域３３，３５において、発光素子２５の一部たる第１電極層３と、当該第１電極層３よりも熱伝導率の大きい第２電極層６と、無機封止層７と、接着材層８と、伝熱封止層１５とが、この順で互いに直接接触する伝熱封止積層構造６０（図６参照）が形成されている。具体的には、伝熱封止積層構造６０は、電極接続溝２７，２８の部材厚方向（積層方向）の投影面上に存在している。すなわち、第１電極層３と電極接続部３６〜３９（導電層）と、無機封止層７と、接着材層８と、伝熱封止層１５が積層することによって形成されている。
この伝熱封止積層構造６０は、透明基板２の４辺の近傍に位置しており、透明基板２の４辺と対応する位置にある。そして、伝熱封止積層構造６０の延伸長さは、この対応する各辺の長さの半分以上の長さまで延伸している。伝熱封止積層構造６０の延伸長さは、この対応する各辺の長さの２／３以上９／１０以下の長さまで延伸していることが好ましく、３／４以上９／１０以下の長さまで延伸していることが特に好ましい。

続いて、一般的に想定される電流の流れについて説明する。
本実施形態で使用する電気回路は、図１０のような回路を用いている。
ここで、上記した定義について再度説明すると、発光領域３０に位置する有機ＥＬ素子１０（第１電極層３と機能層５と第２電極層６の重畳部分）を発光素子２５とも称している。また、陽極側給電領域１６の第２電極層６を陽極給電部２０、陽極側給電領域１８の第２電極層６を陽極給電部２２、陰極側給電領域１７の第２電極層６を陰極給電部２１とも称している。さらに補助電極領域３３，３５の第２電極層６を補助電極層４１，４２とも称している。

このことを踏まえて想定される電流の流れについて説明すると、まず、外部から供給される電流は、図１１に示すように、露出領域４７（図１参照）に位置する陽極給電部２０，２２から補助電極領域３３，３５内の補助電極層４１，４２に伝わる。また、陽極給電部２０，２２及び補助電極層４１，４２から電極接続溝２７，２８内の電極接続部３６，３７（図５参照）及び電極接続部３８，３９を介して、陽極側給電領域１６，１８及び補助電極領域３３，３５内の第１電極層３に伝わる。
これらの領域の第１電極層３に伝わった電流は、第１電極層３内で全体に拡散して、発光領域３０の発光素子２５の第１電極層３まで至る。発光素子２５内で第１電極層３から機能層５を介して第２電極層６に至る。
このとき、発光素子２５内の機能層５が発光し、発光領域３０全体が発光する。
発光領域３０の第２電極層６に伝わった電流は、第２電極層６内を拡散し、発光領域３０の第２電極層６から陰極側給電領域１７の第２電極層６（陰極給電部２１）に伝わり、陰極側給電領域１７の陰極給電部２１から外部に至る。
このように、有機ＥＬ装置１では、外部から供給される電流が陽極側給電領域１６，１８から入り、補助電極領域３３，３５、発光領域３０を介して、陰極側給電領域１７に流れる構成とされており、発光素子２５内で機能層５に電圧が印加され発光する。
また、領域分離溝２３，２４の内側には、絶縁性の無機封止層７が充填されているため、発光領域３０側から補助電極領域３３，３５側に電流が流れることはない。同様の理由から、陰極側給電領域１７側から陽極側給電領域１６，１８側に電流が流れることもない。

一方、使用時に発生する熱の想定される流れについて説明する。
発光素子２５内で発生した熱の大半は、発光素子２５内の第２電極層６に伝わる。また、第２電極層６に伝わった熱は、無機封止層７及び接着材層８を介して伝熱封止層１５に至る。そして、伝熱封止層１５内部で、均熱され、外部に放熱される。
発光素子２５内で発生した熱の一部は、発光領域３０の第１電極層３に伝わり、第１電極層３を介して、補助電極領域３３，３５に伝わる。補助電極領域３３，３５に伝わった熱は、電極接続溝２７，２８内で、電極接続部３６〜３９を経由して補助電極層４１，４２、陽極給電部２０，２２及び陰極給電部２１に伝わる。補助電極層４１，４２、陽極給電部２０，２２及び陰極給電部２１に伝わった熱は、無機封止層７及び接着材層８を介して伝熱封止層１５に至る。そして、伝熱封止層１５内部で、均熱され、外部に放熱される。
このように、熱の発生源たる発光領域３０からの直接的な伝熱封止層１５への熱伝導だけではなく、伝熱封止積層構造６０によっても伝熱封止層１５に熱伝導させることができる。すなわち、伝熱封止層１５が設置された部位全体で均熱化できるため、局所的に高温となることを防止することができるとともに、発光する面（発光面）全体の温度を下げることができる。また、放熱面積が大きいため、従来に比べて放熱効率がよい。

次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。
有機ＥＬ装置１は、図示しない真空蒸着装置及びＣＶＤ装置によって成膜し、図示しないパターニング装置、本実施形態では、レーザースクライブ装置を使用してパターニングを行い、製造される。

まず、透明基板２上に有機ＥＬ素子１０を積層する有機ＥＬ素子形成工程を行う。具体的には、スパッタ法やＣＶＤ法によって透明基板２の一部又は全部に第１電極層３を成膜する（図１２（ａ）から図１２（ｂ））（第１電極形成工程）。
このとき、形成される第１電極層３の平均厚さは、５０ｎｍから８００ｎｍであることが好ましく、１００ｎｍから４００ｎｍであることがより好ましい。

その後、第１電極層３が成膜された基板（以下、透明基板２及び透明基板２上に積層した層を含めて基板ともいう）に対して、レーザースクライブ装置によって取出電極分離溝２６を形成する（図１２（ｂ）から図１２（ｃ））（第１電極除去工程，孤立部形成工程）。
このとき、取出電極分離溝２６は、平面視して「コ」の字状に形成されており、基板の短辺と取出電極分離溝２６によって島状の取出領域５９が形成されている。すなわち、取出領域５９に位置する第１電極層（孤立部４８）と、その他の第１電極層は、取出電極分離溝２６によって物理的に分離されている。
また、この基板上には取出電極分離溝２６を除いて第１電極層３が存在している。そのため、レーザースクライブによって取出電極分離溝２６を形成することが可能であり、前記第１電極層３を成膜する際に、成膜を行わない被成膜面を隠すマスクプロセスを省略できる。

次に、真空蒸着装置によって、この基板にホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの機能層５を順次成膜する（図１２（ｃ）から図１２（ｄ））（機能層積層工程，有機発光層積層工程）。
このとき、取出電極分離溝２６内に機能層５が積層され、取出電極分離溝２６内に機能層５が満たされるとともに、この基板全面に機能層５が積層される。

その後、機能層５が成膜された基板に対して、レーザースクライブ装置によって、本発明の特徴たる電極接続溝２７，２８及び取出電極固定溝２９をそれぞれ形成する。本実施形態では、２本の電極接続溝２７，２８と取出電極固定溝２９を形成する（図１２（ｄ）から図１２（ｅ））（機能層除去工程，有機発光層除去工程，第１除去工程）。
このとき、電極接続溝２７，２８の大部分は、基板の各辺に平行になるように配されており、電極接続溝２７，２８の残りの部分は、短辺に対して直交する方向に延びている。すなわち、電極接続溝２７，２８は基板の長手方向全体に亘って形成されており、機能層５を少なくとも３つの領域に分離している。具体的には、電極接続溝２７，２８は、有機ＥＬ装置１が完成したときにおいて、補助電極領域３３，３５の中央を通り、補助電極領域３３，３５を均等に２分割するように設けられている。取出電極固定溝２９は、陰極側給電領域１７を長手方向に均等に２分割するように設けられている。具体的には、取出領域５９内を長手方向に均等に２分割するように設けられている。
この基板上には、電極接続溝２７，２８及び取出電極固定溝２９を除いて機能層５が存在している。そのため、レーザースクライブによって電極接続溝２７，２８及び取出電極固定溝２９を形成することが可能であり、前記機能層５を成膜する際に、成膜を行わない被成膜面を隠すマスクプロセスを省略できる。

次に、真空蒸着装置によって、この基板に第２電極層６を成膜する（図１２（ｅ）から図１２（ｆ））（第２電極積層工程）。
このとき、電極接続溝２７，２８及び取出電極固定溝２９内に第２電極層６が積層され、電極接続溝２７，２８及び取出電極固定溝２９内に第２電極層６が満たされるとともに、この基板全面に第２電極層６が積層され電極接続部３７，３８が形成される。すなわち、電極接続溝２７，２８及び取出電極固定溝２９の底部で第１電極層３と第２電極層６が接触した状態で固着し、第１電極層３と第２電極層６が電気的に接続される。
そのため、第１電極層３と第２電極層６の間に機能層５が介在する場合に比べて、剥離強度を向上させることができる。

その後、第２電極層６が成膜された基板に対して、レーザースクライブ装置によって、機能層５及び第２電極層６に亘って延伸した領域分離溝２３，２４を形成する（図１２（ｆ）から図１２（ｇ））。
このとき、領域分離溝２３，２４は、電極接続溝２７，２８と平行に形成されており、第２電極層６が積層された領域の長手方向全体に亘って形成されている。領域分離溝２３，２４は、有機ＥＬ装置１が形成された際に給電領域３１，３２と発光領域３０との境界部位に形成されている。すなわち、領域分離溝２３，２４は、幅方向において、機能層５及び第２電極層６を３つの領域に分割している。
具体的には、領域分離溝２３，２４は、第２電極層６を、発光素子２５の一部を形成する第２電極層６と、補助電極層４１，４２とに分割している。また、領域分離溝２３，２４は、基板の長手方向両端では、第２電極層６を、中央の陰極給電部２１と、両端の２つの陽極給電部２０，２２とに分割している。
また、この基板上には領域分離溝２３，２４を除いて第２電極層６が存在している。そのため、レーザースクライブによって領域分離溝２３，２４を形成することが可能であり、前記第２電極層６を成膜する際に、成膜を行わない被成膜面を隠すマスクプロセスを省略できる。

続いて、無機封止層７を形成する無機封止層形成工程を行う。具体的には、まず、この基板の一部をマスクで覆い、ＣＶＤ装置によって、第１無機封止層５０を成膜する。
このとき、第１無機封止層５０は、少なくとも発光領域３０内の第２電極層６を覆っており、さらに領域分離溝２３，２４も覆っている。すなわち、領域分離溝２３，２４内に第１無機封止層５０が積層され、領域分離溝２３，２４内に第１無機封止層５０が満たされる。そのため、封止機能を十分に確保することができる。
さらに、本実施形態の第１無機封止層５０は、電極接続溝２７，２８の部材厚方向の投影面上を含んでおり、幅方向においては、基板の長辺まで至っている。そして本実施形態の第１無機封止層５０は、有機ＥＬ装置１の完成時において、露出領域４６，４７を除く透明基板２の全面を覆っている。そのため、伝熱性及び封止性をさらに向上させることができる。

その後、第１無機封止層５０を成膜した基板をＣＶＤ装置から取り出して、第２無機封止層５１の原料を塗布し、第２無機封止層５１を形成し、無機封止層７が形成される（図１２（ｇ）から図１２（ｈ））。
このとき、第１無機封止層５０上の全面を第２無機封止層５１が覆っている。

その後、無機封止層７に伝熱封止層を接着する伝熱封止層接着工程を行う。具体的には、伝熱封止層１５を無機封止層７上に接着材によって接着する。
このとき、接着材が塗布され接着材層８が形成された伝熱封止層１５を、無機封止層７上に載置した後、真空ラミネーターで接着している。
また、接着材が塗布される領域は、電極接続溝２７，２８の部材厚方向の投影面上を含み、さらに幅方向においては透明基板２の端部まで至っている。言い換えると、露出領域４６，４７を除く透明基板２の全面を接着材層８が覆っている。
接着材の塗布量は、固化後に形成される接着材層８の厚みが５００ｎｍ以上５０μｍ以下となっており、１μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが特に好ましい。

このようにして有機ＥＬ装置１が完成する。

有機ＥＬ装置１の物性について説明する。
有機ＥＬ装置１は、後述する発光面３４の輝度の面内分布の値（面内輝度分布）が、９０パーセント以上９８パーセント以内に収まっており、９４パーセント以上９６パーセント以内に収まっていることが好ましい。
有機ＥＬ装置１は、後述する発光面３４の均熱性評価の面内分布の値（発光面３４の面内の熱分布）が、９０パーセント以上９８パーセント以内に収まっており、９５パーセント以上９７パーセント以内に収まっていることが好ましい。
有機ＥＬ装置１は、後述する成長率の値が、１以上２以内に収まっており、１以上１．８以内に収まっていることが好ましい。

有機ＥＬ装置１によれば、その４辺の概ね全長に亘って発光素子２５を取り囲むように、透明基板２と第１電極層３と電極接続部３６〜３９と無機封止層７と接着材層８と伝熱封止層１５からなる伝熱封止積層構造６０を有する。そのため、その機械的耐久性や伝熱性、封止性により伝熱封止層１５の機能を効果的に発揮させることができる。
また、有機ＥＬ装置１によれば、伝熱封止層１５によって発光領域３０に位置する発光素子２５内で発生した熱が効果的に均熱化されるため、温度分布にバラツキが生じず、均等でかつ高温とならない。
それ故に、発光領域３０に位置する発光素子２５の輝度分布が良好となり、たとえ２１７５Ｗ／ｍ²以上といった大きな電力印加時の使用であっても、熱の発生を抑制され、かつ、水等の進入が効果的に防止されるので、外観に優れ、かつ、耐久性の高い有機ＥＬ装置となる。

また、有機ＥＬ装置１によれば、給電領域３１，３２及び補助電極領域３３，３５において、機能層５を介さずに第１電極層３と第２電極層６が直接接続された伝熱封止積層構造６０が形成されるため、第１電極層３と第２電極層６との間に機能層５が介在する場合に比べて剥離強度が高い。そのため、層間に隙間が形成されにくく、水等が層間を介して進入することを防止できる。

また、有機ＥＬ装置１によれば、伝熱封止積層構造６０の一部を形成する電極接続部３６〜３９が補助電極として機能するため、内部抵抗による電圧降下を小さくすることができ、発電効率を向上させることができる。

有機ＥＬ装置１によれば、陰極側給電領域１７内に取出電極分離溝２６によって島状に隔離された取出領域５９が形成されているため、使用時に取出領域５９の外部から第１電極層３を介して電気が流れ込むことがない。それ故に、電気的に安定して発光させることができる。

上記した実施形態では、一度に第２電極層６を全面に形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電極接続溝２７，２８及び取り出し溝を含む領域に導電性材料を別途成膜して第２電極層６の一部を形成したり、発光領域３０内の第２電極層６と、発光領域３０以外の領域の第２電極層６とを、マスクを用いて別々に成膜すること電極接続溝２７，２８を幅広の第２電極層６の分離帯として形成したりしてもよい。

上記した実施形態では、主にレーザースクライブ処理によって、溝を形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、エッチングによって溝を形成してもよいし、成膜時にマスクを設けて溝を形成してもよい。

上記した実施形態では、対向する２辺に給電領域３１，３２を有するものであったが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１３のような、給電領域が一辺のみにあるものであってもよい。

上記した実施形態では、印加電圧が直接発光領域の有機ＥＬ素子に加わる構造であったが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１４のような、印加電圧が有機ＥＬ素子内で集積される構造に加わる構造のものであってもよい。すなわち、いわゆる集積型の有機ＥＬ装置であってもよい。

上記した実施形態では、伝熱封止積層構造は、線状の電極接続溝を形成することによって線状に形成されたが、本発明はこれに限定されるものではなく、面状の電極接続溝を形成することによって、伝熱封止積層構造を面状に形成してもよい。

上記した実施形態では、長方形状の基板を用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板の形状は問わない。例えば、正方形状であってもよいし、円形状であってもよい。

以下に、実施例をもって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

本発明の具体的な実施例及び実施例に対する比較例の有機ＥＬ装置の作製手順と、これらの評価結果を説明する。

〔実施例１〕
有機ＥＬ装置を形成するための透明基板としては、縦８０ｍｍ×横８０ｍｍの透明絶縁基板を用い、片面である一方の面の全面に第１電極層３としてＩＴＯ（インジウム・錫酸化物、膜厚１５０ｎｍ）が積層されている無アルカリガラス（厚さ０．７ｍｍ）を用いた。
この基板に第１電極層３側からＹＡＧレーザーの基本波（１０６４ｎｍ）のレーザー光を照射して溝幅４０μｍで取出電極分離溝２６を形成した。
次に、この基板を界面括性剤によりブラシを用いて洗浄し、純水にて超音波洗浄した後、基板をオーブン中で乾燥した。この基板を真空蒸着装置に移動させ、真空中で以下のように材料を成膜した。

第１電極層３上に、一方の面の全面に亘って、正孔注入層として４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（以下、ＮＰＢと略す）と三酸化モリブデンの混合層を用い、真空蒸着法にて１０ｎｍの膜厚で成膜した。正孔注入層のＮＰＢと三酸化モリブデンは共蒸着法にて膜厚比率で９：１となるように成膜した。

次いで、正孔輸送層としてＮＰＢを、真空蒸着法により５０ｎｍ（蒸着速度０．０８ｎｍ／ｓｅｃ．〜０．１２ｎｍ／ｓｅｃ．）の膜厚で成膜した。

次いで、発光層兼電子輸送層としてトリス（８−キノリノラート）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３と略す）を、真空蒸着法により、７０ｎｍ（蒸着速度０．２４ｎｍ／ｓｅｃ．〜０．２８ｎｍ／ｓｅｃ．）の膜厚で成膜した。

次いで、電子注入層としてＬｉＦを用い、真空蒸着法にて１ｎｍ（蒸着速度０．０３ｎｍ／ｓｅｃ．〜０．０５ｎｍ／ｓｅｃ．）の膜厚で成膜した。

この電子注入層上に機能層５の一部としてアルミニウム（Ａｌ）を真空蒸着法にて３００ｎｍ（蒸着速度０．３ｎｍ／ｓｅｃ．〜０．５ｎｍ／ｓｅｃ．）の膜厚で成膜した。
このように機能層５を形成した。
この基板にレーザースクライブ装置を用いて、電極接続溝２７，２８を形成した。具体的には、基板の他方の面側からＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）のレーザー光を照射して溝幅６０μｍで電極接続溝２７，２８を形成した。また同時に溝幅６０μｍで取出電極固定溝２９も形成した。

続いて、第２電極層６としてＡｌを真空蒸着法にて１５０ｎｍ（蒸着速度０．３ｎｍ／ｓｅｃ．〜０．５ｎｍ／ｓｅｃ．）の膜厚で成膜した。
この基板にレーザースクライブ装置を用いて、領域分離溝２３，２４を形成した。具体的には、基板の他方の面側からＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）のレーザー光を照射して溝幅４０μｍで領域分離溝２３，２４を形成した。

その後、基板をプラズマＣＶＤ装置に移動させて、第１無機封止層５０として２μｍの窒化珪素膜を形成し、そして、この基板を真空雰囲気から窒素雰囲気で満たされたグローブボックスに移動させて、ポリシラザン誘導体であるクラリアント社製アクアミカＮＬ１２０Ａ−０５を固化時の膜厚が１μｍとなるように塗布して固化して第２無機封止層５１を形成し、合計厚み３μｍの無機封止層７を形成することで１次封止を行った。

その後、接着材として熱硬化型エポキシ樹脂が塗布され、厚み２０μｍの接着材層８が形成された伝熱封止層１５を、無機封止層７上に載置した後、真空ラミネーターで接着した。ここで用いた伝熱封止層１５は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂膜（厚み１６μｍ）とポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂膜（厚み１６μｍ）とに挟まれた圧延アルミニウム箔（厚み５０μｍ）であり、また、ポリエチレンテレフタレート樹脂膜を接着材層８に隣接させた。こうして２次封止を行い、伝熱封止積層構造６０を有した有機ＥＬ装置を作製し実施例１とした。

〔実施例２〕
実施例１において、第２無機封止層５１の形成を実施せず、また、伝熱封止層１５を、２枚のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂膜（厚み１６μｍ）で挟んだ圧延アルミニウム箔（厚み５０μｍ）としたこと以外は同様にして有機ＥＬ装置を作製した。こうして２次封止を行い、伝熱封止積層構造を有した有機ＥＬ装置を作製し実施例２とした。

〔比較例１〕
実施例１において、接着材としてアクリル系接着剤を使用し、伝熱封止層１５の代わりに、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂シート（厚み５０μｍ）を貼り付けて有機ＥＬ装置を作製した。言い換えると、無機封止層７上に接着材が塗布された絶縁性樹脂膜１２を貼り付けただけの有機ＥＬ装置を作製した。こうして２次封止を行い、伝熱封止積層構造を有さない有機ＥＬ装置を作製し比較例１とした。

〔比較例２〕
実施例１において、第２無機封止層５１の形成を実施せず、また、伝熱封止層１５の代わりに、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂膜（厚み１２μｍ）とポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂膜（厚み４０μｍ）とに挟まれた蒸着シリカアルミナ（ＳｉＡｌＯＮ）層（厚み９μｍ）からなるシートを用い、ポリエチレンテレフタレート樹脂膜を接着材層８に隣接させたこと以外は同様にして有機ＥＬ装置を作製した。こうして２次封止を行い、伝熱封止積層構造を有さない有機ＥＬ装置を作製し比較例２とした。

このようにして作製した４水準（実施例１，２、並びに比較例１，２）について、ダークスポットの個数およびサイズを観察し、さらに、６０℃、相対湿度８５％、通電有りの加速試験時の経時変化と、均熱性と、発光領域（発光面）の輝度分布とを評価した。
なお、ダークスポットの個数及びサイズの評価方法、加速試験の方法、均熱性の評価方法、並びに、発光領域（発光面）の輝度分布の評価方法、は以下の通りである。

（ダークスポットの個数およびサイズの評価方法）
作製した有機ＥＬ装置を、下記（加速試験の方法）により１、１５、１００、２００、３００、５００時間加速試験した後のダークスポットの個数及びサイズをＮｉｋｏｎ顕微鏡Ｅｃｌｉｐｓｅ Ｌ３００にて測定した。

（加速試験の方法）
作製した有機ＥＬ装置を、恒温恒湿槽にて６０℃、相対湿度８５％に維持しつつ、ＹＯＫＯＧＡＷＡ製ソースメジャーユニットＧＳ６１０にて２５０ｍＡ（１０００ｃｄ／ｍ²相当）の電流を流した。

（均熱性評価方法）
作製した有機ＥＬ装置に、ＹＯＫＯＧＡＷＡ製ソースメジャーユニットＧＳ６１０にて２５０ｍＡ（１０００ｃｄ／ｍ²相当）の電流を流し、１０分点灯後の発光面について、ＮＥＣＡｖｉｏ製サーモカメラＴＨ９１００ＰＭＶにて熱画像を得ることで、図１６に示すａ〜ｅの５点につき温度を測定した。
また、その５点の内の最高温度：ＭＡＸ、及び最低温度：ＭＩＮの値を用いて、以下に示す数式（１）により面内分布（％）を計算した。

（発光領域（発光面）の評価方法）
作製した有機ＥＬ装置に、ＹＯＫＯＧＡＷＡ製ソースメジャーユニットＧＳ６１０にて２５０ｍＡ（１０００ｃｄ／ｍ²相当）の電流を流して１０分点灯後の発光面について、コニカミノルタ製色彩輝度計ＣＳ−２００にて、図１６に示すａ〜ｅの５点につき輝度を測定し、また、上記（均熱性評価方法）の面内分布（％）と同様の方法により、輝度の面内分布（％）を計算した。
表１に実施例１，２及び比較例１，２で作製した有機ＥＬ装置の封止構造をまとめる。

表２に実施例１，２及び比較例１，２の５０μｍ以上のダークスポットの個数の加速試験時の経時変化をまとめる。

図１７に実施例１，２及び比較例１，２において生じたダークスポットの直径サイズの加速試験時の経時変化を表す。なお、図１７の値は、実施例１，２及び比較例１，２の経過時間毎のダークスポットを１時間経過後のダークスポットの大きさで規格化したグラフを表す。すなわち、図１７のグラフの横軸は、加速試験の経過時間〔時間〕を表し、縦軸は、疑似的なダークスポットの成長率〔倍〕を表す

表３に実施例１，２及び比較例１，２の均熱性の評価結果をまとめる。

表４に実施例１，２及び比較例１，２の輝度分布の評価結果をまとめる。

以上の実験結果について考察する。

実施例１の有機ＥＬ装置は、表２のように加速試験の開始初期の段階でダークスポットが形成されたが、その後、形成されたダークスポットは、図１７のようにほとんど成長しなかった。具体的な数値を挙げていうと、１時間後のダークスポットの直径サイズに対する５００時間後のダークスポットの変化率（成長率）は、１（成長なし）〜１．０５の範囲に収まっていた。また、表２に示されるように本加速試験内では、時間が経過してもダークスポットは新たに発生しなかった。さらに、表３の結果からも明らかなように、比較例１，２に比べて面内分布が大きく均熱性が良いため、表４のように輝度分布が小さいという結果につながった。

実施例２の有機ＥＬ装置は、表２のように加速試験の開始初期の段階での形成されるダークスポットの数は、比較例１に比べて少なかった。また、時間の経過に伴い、ダークスポットが新たに発生したものの、比較例１，２に比べて、図１７のようにダークスポットの成長率が小さく、急激には成長しないことがわかった。具体的な数値を挙げていうと、１時間後のダークスポットの直径サイズに対する５００時間後のダークスポットの変化率（成長率）は、１．３２〜１．７７の範囲に収まっていた。
また、表３のように比較例１，２に比べて面内分布が大きく、均熱性が良いため、表４のように輝度分布が小さいという結果につながった。

比較例１，２の有機ＥＬ装置はともに、表２のように加速試験の開始初期の段階で実施例１，２に比べてダークスポットの数が多く、図１７のようにそのサイズも経時的に大きくなった。また、表３のように実施例１，２に比べて面内分布が小さく、均熱性が悪いため、表４のように輝度分布が大きいという結果につながった。すなわち、比較例１，２の有機ＥＬ装置は、いずれも、封止性が低く均熱性が悪いため、ダークスポットが成長し、また新たにダークスポットの個数もそれに応じて増えるという結果になった。

１ 有機ＥＬ装置
２ 透明基板（透明絶縁基板）
３ 第１電極層（透明酸化物電極層）
５ 機能層（有機発光層）
６ 第２電極層（金属電極層）
７ 無機封止層
８ 接着材層
１０ 有機ＥＬ素子
１１ 金属箔
１２，１３ 絶縁性樹脂膜
１５ 伝熱封止層
２０，２２ 陽極給電部（導電層，第１電極連通部）
２１ 陰極給電部（導電層，第２電極連通部）
２５ 発光素子
３０ 発光領域
３１ 給電領域（第１給電領域）
３２ 給電領域（第２給電領域）
３３，３５ 補助電極領域
３４ 発光面
４０ 電極固定部
４１，４２ 補助電極層（導電層）
４８ 孤立部
５０ 第１無機封止層
５１ 第２無機封止層
５２ 通電領域
６０ 伝熱封止積層構造

Claims (7)

1. 多角形状の透明基板の一方の主面上に、第１電極層と、有機発光層と、第２電極層が積層された有機ＥＬ素子を有した有機ＥＬ装置であって、
   前記透明基板を平面視したときに、駆動時に発光する発光領域を備えた有機ＥＬ装置において、
   少なくとも発光領域の有機ＥＬ素子に、無機封止層と、接着材層と、伝熱封止層が積層されており、
   さらに、前記透明基板を平面視したときに、発光領域の外側であって発光領域の外縁の一部又は全部に沿って配される通電領域を有し、
   通電領域において、発光領域から延伸した第１電極層と、第１電極層よりも熱伝導率の大きい導電層と、前記無機封止層と、前記接着材層と、前記伝熱封止層がこの順に互いに接触するように積層された伝熱封止積層構造が形成されており、
   当該伝熱封止積層構造は、線状又は面状であって、透明基板の各辺のいずれか又は全部の近傍に位置し、対応する各辺に沿って延伸しており、
   前記伝熱封止積層構造は、断面視したときに、前記有機ＥＬ素子の積層方向において、第１電極層と、前記導電層と、前記無機封止層と、前記接着材層と、前記伝熱封止層が重なった部分であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 前記通電領域は、前記有機発光層を複数の領域に分離する電極接続溝を有し、
   前記導電層は、前記第２電極層の一部で構成されており、
   前記伝熱封止積層構造は、前記導電層が前記電極接続層に進入して前記発光領域から延伸した第１電極層と接することで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
3. 前記伝熱封止積層構造の延伸長さは、少なくとも前記対応する各辺の長さの半分以上の長さであることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置。
4. 前記通電領域は、外部電源と電気的に接続可能な給電領域を有し、
   前記給電領域は、少なくとも透明基板の一辺側にあって、発光領域の第１電極層と電気的に接続された第１電極連通部と、発光領域の第２電極層と電気的に接続された第２電極連通部が位置していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
5. 前記通電領域は、外部電源と電気的に接続可能な給電領域と、第１電極層内の電気伝導を補助する補助電極領域から形成されており、
   前記給電領域は、透明基板の一辺側に、第１電極層と電気的に接続された第１電極連通部と、第２電極層と電気的に接続された第２電極連通部を有し、
   前記補助電極領域は、前記透明基板の一辺に対して直交する方向に延伸し、かつ、前記発光領域及び当該給電領域に隣接するものであり、
   発光領域から延びて補助電極領域に位置する第１電極層が、積層体の積層方向で導電層と直接接触することによって伝熱封止積層構造が形成されるものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
6. 前記無機封止層は、酸素、炭素、窒素の中から選ばれた１種類以上の元素と、ケイ素元素とからなるシリコン合金により形成される無機合金層を有しており、
   前記無機封止層は、湿式法によって形成されてなる第１無機封止層と、乾式法によって形成されてなる第２無機封止層から形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   透明基板上に有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、
   無機封止層を形成する無機封止層形成工程と、
   接着材層によって無機封止層に伝熱封止層を接着する伝熱封止層接着工程を含んでおり、
   前記有機ＥＬ素子形成工程は、第１電極層より上方の積層体を部分的に除去する第１除去工程と、
   当該除去部位上に第２電極層を積層する第２電極積層工程を含んでいることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。

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