JP2014199832A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 ダイボンディング用接着剤が裏面に装着された非常に薄いチップを容易に形成可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 ウエーハの加工方法であって、ウエーハより小径の研削ホイールでウエーハの裏面を研削して、ウエーハの裏面に円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを形成する円形凹部形成ステップと、該円形凹部形成ステップを実施した後、ウエーハの該円形凹部に液状ダイボンディング用接着剤を充填する接着剤充填ステップと、該接着剤充填ステップを実施した後、該液状ダイボンディング用接着剤を仮硬化させる仮硬化ステップと、該仮硬化ステップを実施した後、ウエーハの裏面全面を研削して該環状凸部の上面と仮硬化された該ダイボンディング用接着剤の上面とを面一にするとともに、仮硬化された該ダイボンディング用接着剤の上面を平坦化する裏面研削ステップと、該裏面研削ステップを実施した後、ウエーハを分割して複数のチップを形成する分割ステップと、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図8

Description

本発明は、ウエーハの加工方法に関し、特に、裏面にダイボンディング用接着剤が装着された複数のチップを形成するウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイスを基板上にダイボンディングするには、基板上の半導体デバイス搭載位置に半田やAu−Si共晶、樹脂ペースト等の接着剤を供給してその上に半導体デバイスを載置して接着する方法が用いられている。
近年では、例えば、特開2000−182995号公報に開示されているように、予め半導体ウエーハの裏面にDAF(ダイアタッチフィルム)と称されるシート状の接着フィルムを貼着しておく方法が広く採用されている。
即ち、ダイアタッチフィルムが貼着された半導体ウエーハを個々のデバイスへと分割することで、ダイボンディング用接着剤(DAF)が裏面に装着された半導体チップを形成する。その後、半導体チップ裏面のDAFを介して基板上に半導体チップをダイボンディングすることで、使用する接着剤を最小限とし、また半導体チップの搭載エリアを最小にできるというメリットがある。
一方、近年、電気機器の小型化、軽量化を達成するために、ウエーハの厚さをより薄く、例えば50μm程度にすることが要求されている。このように薄く研削されたウエーハは取扱いが困難になり、搬送等において破損する恐れがある。
そこで、ウエーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削して円形凹部を形成し、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応するウエーハの裏面に補強部として作用する環状凸部を形成するウエーハの研削方法が、例えば特開2007―19461号公報で提案されている。
特開2000−182995号公報 特開2007―19461号公報
しかし、特開2007―19461号公報に開示されるように裏面に円形凹部が形成されるとともに円形凹部を囲繞する環状凸部が形成されたウエーハの裏面に、シート状の接着フィルムを平坦に貼着するのは難しいという問題がある。
即ち、ウエーハの裏面全面にシート状の接着フィルムを貼着しようとすると、環状凸部と円形凹部との段差によって接着フィルムとウエーハとの間に空気が残存し易く、平坦に接着フィルムを貼着できないという問題が生じる。一方、円形凹部のみに接着フィルムを貼着するには、円形凹部と同一サイズの接着フィルムを高精度に位置決めして接着する必要があり、非常に難しい。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ダイボンディング用接着剤が裏面に装着された非常に薄いチップを容易に形成可能なウエーハの加工方法を提供することである。
本発明によると、ウエーハの加工方法であって、ウエーハより小径の研削ホイールでウエーハの裏面を研削して、ウエーハの裏面に円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを形成する円形凹部形成ステップと、該円形凹部形成ステップを実施した後、ウエーハの該円形凹部に液状ダイボンディング用接着剤を充填する接着剤充填ステップと、該接着剤充填ステップを実施した後、該液状ダイボンディング用接着剤を仮硬化させる仮硬化ステップと、該仮硬化ステップを実施した後、ウエーハの裏面全面を研削して該環状凸部の上面と仮硬化された該液状ダイボンディング用接着剤の上面とを面一にするとともに、仮硬化された該液状ダイボンディング用接着剤の上面を平坦化する裏面研削ステップと、該裏面研削ステップを実施した後、ウエーハを分割して複数のチップを形成する分割ステップと、を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
好ましくは、前記接着剤充填ステップでは、回転可能なテーブルに保持されたウエーハの電気円形凹部に液状ダイボンディング用接着剤を滴下するとともに、該テーブルを回転させることで該円形凹部に該液状ダイボンディング用接着剤を充填する。
本発明のウエーハの加工方法によると、ウエーハの裏面に円形凹部と円形凹部を囲繞する環状凸部を形成した後、円形凹部内に液状のダイボンディング用接着剤を充填するため、接着フィルムとして作用するダイボンディング用接着剤を容易にウエーハの裏面に装着できる。
円形凹部内に充填された液状ダイボンディング用接着剤は仮硬化され、研削されて平坦化された後、ウエーハがダイボンディング用接着剤とともに個々のチップへと分割されるため、平坦なダイボンディング用接着剤が裏面に装着されたチップを容易に形成できる。
半導体ウエーハの表面側斜視図である。 表面に保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。 円形凹部形成ステップを示す斜視図である。 円形凹部形成ステップの説明図である。 図5(A)は円形凹部形成ステップ実施後のウエーハの斜視図、図5(B)はその断面図である。 フレーム配設工程を示す斜視図である。 液状ダイボンディング用接着剤充填装置の一部破断斜視図である。 液状ダイボンディング用接着剤充填ステップを示す縦断面図である。 仮硬化ステップを説明する断面図である。 裏面研削ステップを示す斜視図である。 裏面研削ステップ後の仮硬化されたダイボンディング用接着剤が裏面に装着されたウエーハの断面図である。 分割ステップを示す一部断面側面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、半導体ウエーハ11の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ(以下、単にウエーハと略称することがある)11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
このように構成されたウエーハ11は、複数のデバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面11aに備えている。また、ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図2に示すように、裏面11bが露出する状態となり、研削工程では裏面11bを上側にして研削装置のチャックテーブル24に吸引保持される。
本実施形態のウエーハの加工方法では、まずウエーハ11のデバイス領域17に対応する裏面11bを研削して円形凹部とこの円形凹部を囲繞する環状凸部とを形成する円形凹部形成ステップを実施する。この円形凹部形成ステップは、図3に示すような研削装置の研削ユニット10により実施される。
研削ユニット10は、スピンドルハウジング12中に回転可能に収容されたスピンドル14と、スピンドル14の先端に固定されたホイールマウント16と、ホイールマウント16に着脱可能に装着された研削ホイール18とを含んでいる。研削ホイール18は、環状のホイール基台20と、ホイール基台20の下端部外周に固着された複数の研削砥石22とから構成される。
この円形凹部形成ステップでは、図3及び図4に示すように、チャックテーブル24を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール18を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削ホイール16の研削砥石22をウエーハ11のデバイス領域17に対応する裏面11bに接触させる。
そして、研削ホイール18を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハ11のデバイス領域17に対応する裏面11bの研削を実施する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージによりデバイス領域17の厚みを測定しながらデバイス領域17を所望の厚み(例えば50μm)に研削する。
その結果、ウエーハ11の裏面11bには、図5に示すように、デバイス領域17に対応する領域が研削除去されて円形状の凹部26が形成されるとともに、外周余剰領域19に対応する領域が残存されて環状凸部28が形成される。
ここで、チャックテーブル24に保持されたウエーハ11と研削ホイール16を構成する研削砥石22の外周との関係について図4を参照して説明する。チャックテーブル24の回転中心P1と研削砥石22の回転中心P2は偏心しており、研削砥石22の回転軌跡の外径はウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19との境界線30の直径より小さく、境界線30の半径より大きい寸法に設定され、環状に配置された研削砥石22がチャックテーブル24の回転中心P1を通過するようになっている。
本実施形態のウエーハの加工方法では、上述した円形凹部形成ステップを実施した後、図6に示すように、環状フレームFの開口部F1にウエーハ11を収容して、ウエーハ11の表面11aを基材と粘着層を積層してなるダイシングテープTの粘着層側に貼着し、ダイシングテープTの外周部を環状フレームFに貼着して、フレームユニット25を形成するフレーム配設ステップを実施する。フレームユニット25では、ウエーハ11はダイシングテープTを介して環状フレームFに支持される。
本発明のウエーハの加工方法は、上述したステップの順序に限定されるものではなく、フレーム配設ステップを先に実施した後、ウエーハの裏面を円形に研削する円形凹部形成ステップを実施するようにしてもよい。
フレーム配設ステップ実施後、図7に示すような液状ダイボンディング用接着剤充填装置30を使用して、ウエーハ11の円形凹部26内に液状ダイボンディング用接着剤を充填する接着剤充填ステップを実施する。
液状ダイボンディング用接着剤充填装置30は、スピンナテーブル機構32と、スピンナテーブル機構32を包囲して配設された洗浄水受け機構34を具備している。スピンナテーブル機構32は、スピンナテーブル36と、スピンナテーブル36を回転駆動する電動モータ38と、電動モータ38を上下方向に移動可能に支持する支持機構40とから構成される。
スピンナテーブル機構36は多孔性材料から形成された吸着チャック36aを具備しており、吸着チャック36aが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル36は、吸着チャック36a上にウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック36a上にウエーハ11を吸引保持する。
スピンナテーブル36は、電動モータ38の出力軸38aに連結されている。支持機構40は、複数の(本実施形態においては3本)の支持脚42と、支持脚42にそれぞれ連結され電動モータ38に取り付けられた複数(本実施形態においては3本)のエアシリンダ44とから構成される。
このように構成された支持機構40は、エアシリンダ44を作動することにより、電動モータ38及びスピンナテーブル36を上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、図8に示す下降位置である作業位置に位置付け可能である。
浄水受け機構34は、浄水受け容器46と、浄水受け容器46を支持する3本(図7には2本のみ図示)の支持脚48と、電動モータ38の出力軸38aに装着されたカバー部材50とから構成される。
浄水受け容器46は、図8に示すように、円筒状の外側壁46aと、底壁46bと、内側壁46cとから構成される。底壁46bの中央部には、電動モータ38の出力軸38aが挿入される穴39が形成されており、内側壁46cはこの穴39の周辺から上方に突出するように形成されている。カバー部材50は円盤状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部50aを備えている。
このように構成されたカバー部材50は、電動モータ38及びスピンナテーブル36が図8に示す作業位置に位置付けられると、カバー部50aが浄水受け容器46を構成する内側壁46cの外側に隙間をもって重合するように位置付けられる。
液状ダイボンディング用接着剤充填装置30は、スピンナテーブル36に保持された半導体ウエーハ11の円形凹部26内に液状ダイボンディング用接着剤を供給する接着剤供給手段52を具備している。
接着剤供給手段52は、スピンナテーブル36に保持されたウエーハ11の円形凹部に向けて液状ダイボンディング用接着剤55を吐出する吐出ノズル54と、吐出ノズル54を支持する概略L形状のアーム56とを含んでいる。
接着剤供給手段52は更に、アーム56に支持された突出ノズル54をスピンナテーブル36に支持されたウエーハ11の円形凹部26の概略中心部に対応する液状ダイボンディング用接着剤吐出位置と、スピンナテーブル36から外れた図7に示す退避位置との間で揺動する正転・逆転可能な電動モータ58を含んでいる。吐出ノズル4はアーム56を介して図示しない液状ダイボンディング用接着剤供給源に接続されている。
以下、このように構成された液状ダイボンディング用接着剤充填装置30の作用について説明する。液状ダイボンディング用接着剤充填装置30を使用して、ウエーハ11の円形凹部26内に液状ダイボンディング用接着剤を充填する接着剤充填ステップを実施するには、スピンナテーブル36を下方向に移動して作業位置に位置付ける。
更に、ダイボンディング用接着剤供給手段52の吐出ノズル54を図8に示す位置に位置付けて、液状ダイボンディング用接着剤55をウエーハ11の円形凹部26内に吐出する。
そして、電動モータ38を駆動してスピンナテーブル36を矢印R1方向に回転させて吐出された液状ダイボンディング用接着剤55をウエーハ11の円形凹部26の全面にスピンコーティングする。液状ダイボンディング用接着剤55は、導電性を有するタイプが好ましい。
上述した実施形態では、円形凹部26と環状凸部28を有するウエーハ11をダイシングテープTを介して環状フレームFで支持するフレームユニット25を形成した後、接着剤充填ステップを実施しているが、フレームユニット25を形成せずにウエーハ11の表面11aに表面保護テープを貼着した後、ウエーハ11の表面保護テープ側をスピンナテーブル36で吸引保持して、接着剤充填ステップを実施するようにしてもよい。
液状ダイボンディング用接着剤55をウエーハ11の円形凹部26内に充填した後、液状ダイボンディング用接着剤55を例えば120度〜140度で加熱して、図9に示すように、仮硬化されたダイボンディング用接着剤70とする仮硬化ステップを実施する。
仮硬化ステップを実施した後、ウエーハ11の裏面全面を研削して環状凸部28の上面と仮硬化されたダイボンディング用接着剤70の上面とを面一にするとともに、仮硬化されたダイボンディング用接着剤70の上面を平坦化する裏面研削ステップを実施する。
この裏面研削ステップは、図10に示すような研削装置の研削ユニット(研削手段)72により実施する。研削ユニット72は、回転駆動されるスピンドル74と、スピンドル74の先端に固定されたホイールマウント76と、ホイールマウント76に複数のねじ80により着脱可能に装着された研削ホイール78とを含んでいる。研削ホイール78は、環状基台82と、環状基台82の下端部に固着された複数の研削砥石84とから構成される。
裏面研削ステップでは、研削装置のチャックテーブル86でダイシングテープTを介してウエーハ11を吸引保持し、ウエーハ11の裏面を露出させる。そして、チャックテーブル86を例えば300rpmで矢印a方向に回転させるとともに、研削ホイール78を矢印b方向に6000rpmで回転させながら、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石84をウエーハ11の環状凸部28に接触させる。
研削ホイール78を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、環状凸部28とともに仮硬化されたダイボンディング用接着剤70を研削する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージによってウエーハ11と仮硬化されたダイボンディング用接着剤70の厚みを測定しながら、仮硬化されたダイボンディング用接着剤70を所定の厚みに研削する。裏面研削工程終了後の裏面に仮硬化されたダイボンディング用接着剤70が装着されたウエーハ11の断面図が図11に示されている。
裏面研削ステップを実施した後、仮硬化されたダイボンディング用接着剤70側を第2のダイシングテープに貼着し、第2のダイシングテープの外周部を環状フレームFに貼着した後、先のダイシングテープTをウエーハ11の表面11a及び環状フレームFから剥離する、貼り替えステップを実施する。
貼り替えステップ実施後、ウエーハ11を分割予定ライン13に沿って分割して複数のデバイス15を形成する分割ステップを実施する。この分割ステップは、例えば図12に示すような切削ブレード92によって実施する。切削装置のチャックテーブル88で仮硬化されたダイボンディング用接着剤70側を吸引保持し、ウエーハ11の表面11aを露出させる。
そして、切削すべき分割予定ライン13を検出するアライメントを実施した後、矢印A方向に高速回転する切削ブレード92を分割予定ライン13に沿ってダイシングテープTに達するまでウエーハ11及び仮硬化されたダイボンディング用接着剤70に切り込ませ、チャックテーブル88を矢印X1方向に加工送りすることにより、ウエーハ11を分割予定ライン13に沿って完全切断する。
切削ブレード92を分割予定ライン13の間隔に基づいて割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13を完全切断する。次いで、チャックテーブル88を90度回転してから、第1の方向と直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13を完全切断することにより、ウエーハ11を裏面に仮硬化されたダイボンディング用接着剤70が装着されたデバイスチップ15に分割する。
分割ステップは切削ブレード92による分割に限定されるものではなく、ウエーハに対して透過性を有する波長(例えば1064nm)のレーザービームをウエーハ11の内部に集光点を合わせて照射してウエーハ内部に改質層を形成し、その後ダイシングテープTをエキスパンドすることによりウエーハ11を個々のデバイスチップ15に分割するようにしてもよい。
或いは、ウエーハ11に対して吸収性を有する波長のレーザービームをウエーハ11に照射して、分割予定ライン13に沿ってレーザー加工溝を形成した後、エキスパンドにより個々のデバイスチップに分割するようにしてもよい。
他の実施形態として、切削ブレード92ではウエーハ11のみをフルカットし、仮硬化されたダイボンディング用接着剤70はダイシングテープTをエキスパンドすることにより分割するようにしてもよい。
10 研削ユニット
11 半導体ウエーハ
18 研削ホイール
22 研削砥石
26 円形凹部
28 環状凸部
30 液状ダイボンディング用接着剤充填装置
55 液状ダイボンディング用接着剤
70 仮硬化されたダイボンディング用接着剤
78 研削ホイール
92 切削ブレード

Claims (2)

  1. ウエーハの加工方法であって、
    ウエーハより小径の研削ホイールでウエーハの裏面を研削して、ウエーハの裏面に円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを形成する円形凹部形成ステップと、
    該円形凹部形成ステップを実施した後、ウエーハの該円形凹部に液状ダイボンディング用接着剤を充填する接着剤充填ステップと、
    該接着剤充填ステップを実施した後、該液状ダイボンディング用接着剤を仮硬化させる仮硬化ステップと、
    該仮硬化ステップを実施した後、ウエーハの裏面全面を研削して該環状凸部の上面と仮硬化された該液状ダイボンディング用接着剤の上面とを面一にするとともに、仮硬化された該液状ダイボンディング用接着剤の上面を平坦化する裏面研削ステップと、
    該裏面研削ステップを実施した後、ウエーハを分割して複数のチップを形成する分割ステップと、
    を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。
  2. 前記接着剤充填ステップでは、回転可能なテーブルに保持されたウエーハの前記円形凹部に液状ダイボンディング用接着剤を滴下するとともに、該テーブルを回転させることで該円形凹部に該液状ダイボンディング用接着剤を充填する請求項1記載のウエーハの加工方法。
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