JP7343300B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
10a:表面
10b:裏面
12:デバイス
12A:デバイスチップ
14:分割予定ライン
16:デバイス領域
16’:デバイス領域対応部
18:外周余剰領域
18’:外周余剰領域対応部
20:リング状壁
22:凹部
24:ガードリング
30:研削装置
31:チャックテーブル
32:研削ユニット
34:スピンドル
36:研削ホイール
38:研削砥石
40:ボンド材滴下ノズル
42:ボンド材噴射ノズル
50:ボンド材
52:ボンド層
60:加熱手段
70:研削装置
71:チャックテーブル
72:研削ユニット
75:研削ホイール
76:研削砥石
80:切削装置
86:切削ブレード
100:分割溝
T1:保護テープ(保護部材)
T2:ダイシングテープ
Claims (3)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハの裏面にボンド層を配設するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
ウエーハの保護部材が配設された側をチャックテーブルに保持し、該デバイス領域に対応するウエーハの裏面を凹状に加工して該外周余剰領域に対応したウエーハの裏面にリング状壁を形成するリング状壁形成工程と、
液体状のボンド材を該リング状壁の内側に敷設するボンド材敷設工程と、
該敷設されたボンド材を固化してボンド層を形成するボンド層形成工程と、
を少なくとも含み、
該リング状壁形成工程の後、該リング状壁の内径と同じ内径で高さを補足するガードリングを該リング状壁の上部に配設するガードリング配設工程を実施するウエーハの加工方法。 - 該ボンド層形成工程の後、該リング状壁と該ボンド層とを平坦化する平坦化工程を実施する請求項1に記載のウエーハの加工方法。
- 該ボンド層形成工程の後、ウエーハを収容する開口を備えたフレームに該ウエーハを位置付けてボンド層が形成された側にダイシングテープを貼着すると共に該フレームにダイシングテープの外周を貼着して該ダイシングテープを介して該ウエーハを該フレームで支持するフレーム支持工程と、
該ウエーハの表面に形成された分割予定ラインと共に該ボンド層を切断して、ボンド層が裏面に配設されたデバイスチップを生成する分割工程と、
を含む請求項1、又は2に記載のウエーハの加工方法。
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JP2009272590A (ja) | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体ウェーハの研削ホイールおよび半導体ウェーハの加工装置 |
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- 2019-05-20 JP JP2019094394A patent/JP7343300B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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