JP2014170183A - カメラモジュール - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 71
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 35
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 16
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 13
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000012763 reinforcing filler Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14618—Containers
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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Abstract
【解決手段】カメラモジュールは、基板10の第2絶縁部13の内部に、該第2絶縁部13における撮像素子15が装着された面の変形を抑制するための面状部13b2が、第2絶縁部13の表面(上面)に装着された撮像素子15と向き合うように埋設されている。
【選択図】図1
Description
〈図1に示したカメラモジュールの構造〉
図1に示したカメラモジュールは、カメラ機能を発揮するための各種デバイス及び回路を備えたものであって、基板10とこれに取り付けられた光学パッケージ20とから成り、全体が略直方体形状を成している。参考までに図1に示したカメラモジュールの寸法例を述べれば、長さ及び幅(図1の左右方向寸法)が略8.5mmで高さ(図1の上下方向寸法)が略5mmである。
(E11)図1に示したカメラモジュールは、基板10の第2絶縁部13の内部に、該第2絶縁部13における撮像素子15が装着された面の変形を抑制するための面状部13b2が、第2絶縁部13の表面(上面)に装着された撮像素子15と向き合うように埋設されている。依って、携帯電話やスマートフォン等のモバイル機器に組み込まれたカメラモジュールの基板10、特に撮像素子15が装着された第2絶縁部13に落下衝撃や熱衝撃等に伴う応力が伝搬しても、該応力によって第2絶縁部13における撮像素子15が装着された面に撓みや捻れ等の変形が生じることを面状部13b2により抑制して、該変形に起因して例えば撮像素子15とレンズ21aとに光軸ズレが発生して画像偏りや画像乱れ等の機能障害が発生することを回避できる。
(M11)図2には面状部13b2に配線部13b1及びビア部13b3が付帯したものを示したが、図3(A)に示したように配線部13b1を排除した場合でも前記E11〜E14と同様の効果を発揮できる。
図1及び図4には、基板10のコア部11が導電性材料から成るものを示したが、コア部11が例えば合成樹脂やセラミックス等の非導電性材料から成る場合でも、前記E11〜E14と同様の効果を発揮できる。また、コア部11及び絶縁材11bが単一の層状絶縁材から成る場合、換言すれば、電子部品14が単一の層状絶縁材の中に埋設されている基板構造であっても、前記E11〜E14と同様の効果を発揮できる。
〈図5に示したカメラモジュールの構造〉
図5に示したカメラモジュールが、図1に示したカメラモジュール(第1実施形態)と構造を異にするところは、
・基板10から凹部CPを排除した点
・基板10の第1絶縁部12の表面(上面)に撮像素子15を装着した点
・第1絶縁部12の内部に図1に示したグランド配線13bの代用となるグランド配線1 2fを埋設した点
にある。図5には、図示の便宜上、コア部11の中央部分に電子部品14が埋設されていないものを示したが、実際上は該中央部分にも他の電子部品14が埋設されている。参考までに図5に示したカメラモジュールの寸法例を述べれば、長さ及び幅(図5の左右方向寸法)が略8.5mmで高さ(図5の上下方向寸法)が略7mmである。
(E21)図5に示したカメラモジュールは、基板10の第1絶縁部12の内部に、該第1絶縁部12における撮像素子15が装着された面の変形を抑制するための面状部12f2が、第1絶縁部12の表面(上面)に装着された撮像素子15と向き合うように埋設されている。依って、携帯電話やスマートフォン等のモバイル機器に組み込まれたカメラモジュールの基板10、特に撮像素子15が装着された第1絶縁部12に落下衝撃や熱衝撃等に伴う応力が伝搬しても、該応力によって第1絶縁部12における撮像素子15が装着された面に撓みや捻れ等の変形が生じることを面状部12f2により抑制して、該変形に起因して例えば撮像素子15とレンズ21aとに光軸ズレが発生して画像偏りや画像乱れ等の機能障害が発生することを回避できる。
(M21)図6には面状部12f2に配線部12f1及びビア部12f3が付帯したものを示したが、図7(A)に示したように配線部12f1を排除した場合でも前記E21〜E23と同様の効果を発揮できる。
図5及び図8には、基板10のコア部11が導電性材料から成るものを示したが、コア部11が例えば合成樹脂やセラミックス等の非導電性材料から成る場合でも、前記E21〜E23と同様の効果を発揮できる。また、コア部11及び絶縁材11bが単一の層状絶縁材から成る場合、換言すれば、電子部品14が単一の層状絶縁材の中に埋設されている基板構造であっても、前記E21〜E23と同様の効果を発揮できる。
〈図9に示したカメラモジュールの構造〉
図9に示したカメラモジュールが、図1に示したカメラモジュール(第1実施形態)と構造を異にするところは、
・基板10を、電子部品14が埋設されていない多層構造の基板30に置換した点
・基板30の絶縁部11の表面(上面)に設けられた導体パッド31dに電子部品14を 実装した点
・基板30の絶縁部31の表面(上面)に撮像素子15を装着した点
・絶縁部31の内部に図1に示したグランド配線13bの代用となるグランド配線31b を埋設した点
にある。参考までに図9に示したカメラモジュールの寸法例を述べれば、長さ及び幅(図9の左右方向寸法)が略8.5mmで高さ(図9の上下方向寸法)が略7mmである。
(E31)図9に示したカメラモジュールは、基板30の絶縁部31の内部に、該絶縁部31における撮像素子15が装着された面の変形を抑制するための面状部31b2が、絶縁部31の表面(上面)に装着された撮像素子15と向き合うように埋設されている。依って、携帯電話やスマートフォン等のモバイル機器に組み込まれたカメラモジュールの基板30、特に撮像素子15が装着された絶縁部31に落下衝撃や熱衝撃等に伴う応力が伝搬しても、該応力によって絶縁部31における撮像素子15が装着された面に撓みや捻れ等の変形が生じることを面状部31b2により抑制して、該変形に起因して例えば撮像素子15とレンズ21aとに光軸ズレが発生して画像偏りや画像乱れ等の機能障害が発生することを回避できる。
(M31)図10には面状部31b2に配線部31b1及びビア部31b3が付帯したものを示したが、図11(A)に示したように配線部31b1を排除した場合でも前記E31〜E33と同様の効果を発揮できる。
Claims (7)
- 基板の絶縁部に装着された撮像素子と該撮像素子上に位置するように配されたレンズを備えたカメラモジュールであって、
前記基板の絶縁部の内部に、該絶縁部における前記撮像素子が装着された面の変形を抑制するための面状部が、前記撮像素子と向き合うように埋設されている、
ことを特徴とするカメラモジュール。 - 前記面状部は前記撮像素子の装着面と略平行に向き合っている、
ことを特徴とする請求項1に記載のカメラモジュール。 - 前記面状部のヤング率は前記絶縁部のヤング率よりも高値である、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のカメラモジュール。 - 前記面状部は導電性材料から成り、該面状部は前記絶縁部に埋設された配線の一部を構成している。
ことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のカメラモジュール。 - 前記面状部は導電性材料から成り、該面状部は前記絶縁部に埋設された配線と非接触で孤立している、
ことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のカメラモジュール。 - 前記面状部は非導電性材料から成り、該面状部は前記絶縁部に埋設された配線と非接触で孤立している、
ことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のカメラモジュール。 - 前記基板は電子部品が埋設された多層構造の基板であり、該基板は前記撮像素子が装着される前記絶縁部を備えている、
ことを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載のカメラモジュール。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013043085A JP6034725B2 (ja) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | カメラモジュール |
KR1020130141161A KR101555180B1 (ko) | 2013-03-05 | 2013-11-20 | 카메라 모듈 |
CN201310726793.0A CN104038681B (zh) | 2013-03-05 | 2013-12-25 | 摄像机组件 |
US14/155,308 US9818780B2 (en) | 2013-03-05 | 2014-01-14 | Camera module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013043085A JP6034725B2 (ja) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | カメラモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014170183A true JP2014170183A (ja) | 2014-09-18 |
JP6034725B2 JP6034725B2 (ja) | 2016-11-30 |
Family
ID=51469256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013043085A Expired - Fee Related JP6034725B2 (ja) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | カメラモジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9818780B2 (ja) |
JP (1) | JP6034725B2 (ja) |
KR (1) | KR101555180B1 (ja) |
CN (1) | CN104038681B (ja) |
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KR20160080166A (ko) * | 2014-12-29 | 2016-07-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 내장형 패키지 및 그 제조방법 |
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