JP2014160224A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リークが発生しにくい電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、該電子写真感光体を製造する方法を提供する。
【解決手段】電子写真感光体の導電層がニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子を含有し、直流電圧のみの電圧−１．０ｋＶを導電層に連続印加する試験を行った場合の導電層を流れる最大電流量の絶対値をＩａ［μＡ］とし、導電層を流れる１分あたりの電流量の減少率が初めて１％以下になったときの導電層を流れる電流量の絶対値をＩｂ［μＡ］としたとき、Ｉａ≦６０００および１０≦Ｉｂを満足し、試験を行う前の導電層の体積抵抗率が、１．０×１０^８Ω・ｃｍ以上５．０×１０^１２Ω・ｃｍ以下である。
【選択図】図５

Description

本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、電子写真感光体の製造方法に関する。

近年、有機光導電性材料を用いた電子写真感光体（有機電子写真感光体）の研究開発が盛んに行われている。

電子写真感光体は、基本的には、支持体と、該支持体上に形成された感光層とから構成される。しかしながら、現状は、支持体の表面の欠陥の隠蔽、感光層の電気的破壊に対する保護、帯電性の向上、支持体から感光層への電荷注入阻止性の改良などのために、支持体と感光層との間には、各種の層が設けられることが多い。

支持体と感光層との間に設けられる層の中でも、支持体の表面の欠陥の隠蔽を目的として設けられる層としては、金属酸化物粒子を含有する層が知られている。金属酸化物粒子を含有する層は、一般的に、金属酸化物粒子を含有しない層に比べて導電性が高く（例えば、体積抵抗率で１．０×１０^８〜５．０×１０^１２Ω・ｃｍ）、層の膜厚を厚くしても、画像形成時の残留電位の上昇が生じにくい。そのため、支持体の表面の欠陥を隠蔽することが容易である。このような導電性の高い層（以下「導電層」という。）を支持体と感光層との間に設けて支持体の表面の欠陥を隠蔽することにより、支持体の表面の欠陥の許容範囲は大きくなる。その結果、支持体の使用許容範囲が大幅に広がるため、電子写真感光体の生産性の向上が図れるという利点がある。

特許文献１には、支持体とバリア層、感光層との間の中間層にタンタルがドープされている酸化スズ粒子を用いる技術が記載されている。また、特許文献２および３には、支持体と感光層との間の導電層または中間層にニオブがドープされている酸化スズ粒子を用いる技術が記載されている。

特開２００４−１５１３４９号公報 特開平１−２４８１５８号公報 特開平１−１５０１５０号公報

しかしながら、本発明者らの検討の結果、上記のような金属酸化物粒子を含有する層を導電層として採用した電子写真感光体を用いて低温低湿環境下で繰り返して画像形成を行うと、電子写真感光体にリークが発生しやすくなることが判明した。リークとは、電子写真感光体の局所部分で絶縁破壊が発生し、その部分に過剰な電流が流れる現象のことである。リークが発生すると、電子写真感光体を十分に帯電することができず、黒点、横黒スジなどの画像不良につながる。横黒スジとは、電子写真感光体の回転方向（周方向）に直交する方向の黒いスジである。

本発明の目的は、金属酸化物粒子を含有する層を導電層として採用した電子写真感光体であっても、リークが発生しにくい電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、該電子写真感光体を製造する方法を提供することにある。

本発明は、円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該導電層が、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子、および、結着材料を含有し、
直流電圧のみの電圧−１．０ｋＶを該導電層に連続印加する試験を行った場合の該導電層を流れる最大電流量の絶対値をＩａ［μＡ］とし、該導電層を流れる１分あたりの電流量の減少率が初めて１％以下になったときの該導電層を流れる電流量の絶対値をＩｂ［μＡ］としたとき、該Ｉａおよび該Ｉｂが、下記関係式（ｉ）および（ｉｉ）を満足し、
Ｉａ≦６０００ ・・・（ｉ）
１０≦Ｉｂ ・・・（ｉｉ）
該試験を行う前の該導電層の体積抵抗率が、１．０×１０^８Ω・ｃｍ以上５．０×１０^１２Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする電子写真感光体である。

また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。

また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置である。

また、本発明は、円筒状支持体上に体積抵抗率が１．０×１０^８Ω・ｃｍ以上５．０×１０^１２Ω・ｃｍ以下の導電層を形成する工程、および、該導電層上に感光層を形成する工程を有する電子写真感光体の製造方法であって、
該導電層を形成する工程が、溶剤、結着材料、および、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子を用いて導電層用塗布液を調製し、該導電層用塗布液を用いて該導電層を形成する工程であり、
該導電層用塗布液の調製に用いられるニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子の粉体抵抗率が、１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上１．０×１０^５Ω・ｃｍ以下であり、
該導電層用塗布液における、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（Ｐ）と結着材料（Ｂ）の質量比（Ｐ／Ｂ）が、１．５／１．０以上３．５／１．０以下である
ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。

本発明によれば、金属酸化物粒子を含有する層を導電層として採用した電子写真感光体であっても、リークが発生しにくい電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、該電子写真感光体を製造する方法を提供することができる。

本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための図（上面図）である。 導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための図（断面図）である。 針耐圧試験装置の一例を示す図である。 直流成分のみの電圧−１．０ｋＶを導電層に連続印加する試験を説明するための図である。 導電性ローラーの概略構成を示す図である。 導電性ローラーの抵抗の測定方法を説明するための図である。 Ｉａ［μＡ］およびＩｂ［μＡ］を説明するための図である。 １ドット桂馬パターン画像を説明する図である。

本発明の電子写真感光体は、円筒状支持体（以下単に「支持体」ともいう。）、該円筒状支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体である。

感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質を単一の層に含有させた単層型感光層であってもよいし、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とを積層した積層型感光層であってもよい。また、必要に応じて、導電層と感光層との間に下引き層（中間層またはバリア層とも呼ばれる。）を設けてもよい。

支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼などの金属で形成されている金属製支持体を用いることができる。アルミニウムやアルミニウム合金を用いる場合は、押し出し工程および引き抜き工程を含む製造方法により製造されるアルミニウム管や、押し出し工程およびしごき工程を含む製造方法により製造されるアルミニウム管を用いることができる。このようなアルミニウム管は、表面を切削することなく良好な寸法精度や表面平滑性が得られるうえ、コスト的にも有利である。しかしながら、無切削のアルミニウム管の表面にはササクレ状の凸状欠陥が生じやすいため、導電層を設けることが特に有効である。

本発明においては、支持体の表面の欠陥の隠蔽を目的として、支持体上には、体積抵抗率が１．０×１０^８Ω・ｃｍ以上５．０×１０^１２Ω・ｃｍ以下の導電層が設けられる。なお、この導電層の体積抵抗率は、後述の直流電圧連続印加試験を行う場合、直流電圧連続印加試験の前に測定された体積抵抗率を意味する。支持体の表面の欠陥を隠蔽するための層として、体積抵抗率が５．０×１０^１２Ω・ｃｍを超える層を支持体上に設けると、画像形成時に電荷の流れが滞りやすくなり、残留電位が上昇しやすくなる。一方、導電層の体積抵抗率が１．０×１０^８Ω・ｃｍ未満であると、導電層中を流れる電荷の量が多くなりすぎて、リークが発生しやすくなる。

図２および図３を用いて、電子写真感光体の導電層の体積抵抗率を測定する方法を説明する。図２は、導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための上面図であり、図３は、導電層の体積抵抗率の測定方法を説明するための断面図である。

導電層の体積抵抗率は、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下において測定する。導電層２０２の表面に銅製テープ２０３（住友スリーエム（株）製、型番Ｎｏ．１１８１）を貼り、これを導電層２０２の表面側の電極とする。また、支持体２０１を導電層２０２の裏面側の電極とする。銅製テープ２０３と支持体２０１との間に電圧を印加するための電源２０６、および、銅製テープ２０３と支持体２０１との間を流れる電流を測定するための電流測定機器２０７をそれぞれ設置する。また、銅製テープ２０３に電圧を印加するため、銅製テープ２０３の上に銅線２０４を載せ、銅線２０４が銅製テープ２０３からはみ出さないように銅線２０４の上から銅製テープ２０３と同様の銅製テープ２０５を貼り、銅製テープ２０３に銅線２０４を固定する。銅製テープ２０３には、銅線２０４を用いて電圧を印加する。

銅製テープ２０３と支持体２０１との間に電圧を印加しないときのバックグラウンド電流値をＩ_０［Ａ］とし、直流電圧（直流成分）のみの電圧を−１Ｖ印加したときの電流値をＩ［Ａ］とし、導電層２０２の膜厚ｄ［ｃｍ］、導電層２０２の表面側の電極（銅製テープ２０３）の面積をＳ［ｃｍ^２］とするとき、下記数式（１）で表される値を導電層２０２の体積抵抗率ρ［Ω・ｃｍ］とする。
ρ＝１／（Ｉ−Ｉ_０）×Ｓ／ｄ［Ω・ｃｍ］ ・・・（１）
この測定では、絶対値で１×１０^−６Ａ以下という微小な電流量を測定する。そのため、電流測定機器２０７としては、微小電流の測定が可能な機器を用いて行うことが好ましい。そのような機器としては、例えば、横河ヒューレットパッカード社製のｐＡメーター（商品名：４１４０Ｂ）などが挙げられる。

なお、導電層の体積抵抗率は、支持体上に導電層のみを形成した状態で測定しても、電子写真感光体から導電層上の各層（感光層など）を剥離して支持体上に導電層のみを残した状態で測定しても、同様の値を示す。

本発明において、導電層は、溶剤、結着材料、および、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子を用いて調製された導電層用塗布液を用いて形成することができる。すなわち、本発明においては、導電層用の金属酸化物粒子として、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が用いられる。ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子を、以下「Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子」ともいう。本発明で用いられるＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子は、金属酸化物で構成されている芯材粒子と、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで構成されている被覆層とを有しており、該被覆層が該芯材粒子を被覆している構造になっている。このような被覆層が芯材粒子を被覆している構造になっている粒子は、複合粒子とも呼ばれる。

芯材粒子を構成する金属酸化物としては、被覆層を構成している酸化スズと同じ酸化スズである場合と、酸化スズ以外の金属酸化物である場合とに大別される。芯材粒子を構成する金属酸化物のうち、酸化スズ以外の金属酸化物としては、例えば、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられ、これらの中でも、酸化チタン、酸化亜鉛が好適に用いられる。また、芯材粒子を構成する金属酸化物は、ノンドープの金属酸化物であることが好ましい。芯材粒子を構成する金属酸化物が酸化スズであって、かつ、該酸化スズがノンドープである場合、被覆層はニオブまたはタンタルがドープされている部分であり、芯材粒子はニオブやタンタルなどのドーパントがドープされていない部分であり、両者を容易に区別することができる。

また、本発明で用いられるＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子（複合粒子）は、その粒子（複合粒子）の表面側の６０質量％の領域に、その粒子にドープされているドーパント（ニオブ、タンタル）の９０〜１００質量％が存在していることが好ましく、１００質量％が存在していることがより好ましい。

導電層用塗布液は、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子を結着材料とともに溶剤に分散させることによって調製することができる。分散方法としては、例えば、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。導電層は、上記のように調製された導電層用塗布液を支持体上に塗布し、これを乾燥および／または硬化させることによって形成することができる。

また、耐リーク性の向上および残留電位上昇の抑制の観点から、導電層に直流電圧（直流成分）のみの電圧−１．０ｋＶを連続印加する試験（「直流電圧連続印加試験」ともいう。）を行った場合の導電層を流れる最大電流量の絶対値をＩａ［μＡ］とし、導電層を流れる１分あたりの電流量の減少率が初めて１％以下になったときの導電層を流れる電流量の絶対値をＩｂ［μＡ］としたとき、ＩａおよびＩｂが、下記関係式（ｉ）および（ｉｉ）を満足することが好ましい。直流電圧連続印加試験の詳細については、後述する。
Ｉａ≦６０００ ・・・（ｉ）
１０≦Ｉｂ ・・・（ｉｉ）

以下、上記最大電流量の絶対値であるＩａを「最大電流量Ｉａ」ともいい、上記電流量の絶対値であるＩｂを「電流量Ｉｂ」ともいう。

導電層を流れる最大電流量Ｉａが６０００μＡを超えると、電子写真感光体の耐リーク性が低下しやすくなる。最大電流量Ｉａが６０００μＡを超える導電層は、局所的に過剰に電流が流れやすく、リークを引き起こす絶縁破壊が生じやすいと考えられる。耐リーク性をより向上させるには、最大電流量Ｉａは５０００μＡ以下（Ｉａ≦５０００ ・・・（ｉｉｉ））であることが好ましい。

一方、導電層を流れる電流量Ｉｂが１０μＡ未満であると、画像形成時の電子写真感光体の残留電位が上昇しやすくなる。電流量Ｉｂが１０μＡ未満の導電層は、残留電位の上昇を引き起こす電荷の流れの滞りが生じやすいと考えられる。残留電位の上昇をより抑えるには、電流量Ｉｂは２０μＡ以上（２０≦Ｉｂ ・・・（ｉｖ））であることが好ましい。

また、耐リーク性の向上の観点から、あるいは、最大電流量Ｉａを６０００μＡ以下にする観点から、導電層に用いられるＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率は、１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。

Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ未満であると、電子写真感光体の耐リーク性が低下しやすくなる。これは、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率に応じて、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子によって形成される導電層中の導電パスの状態が異なるためであると考えられる。Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ未満である場合、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の個々を流れる電荷の量は多くなりやすい。一方、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上である場合、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の個々を流れる電荷の量は少なくなりやすい。具体的にいえば、粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ未満のＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子を用いて形成された導電層であっても、粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上のＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子を用いて形成された導電層であっても、両者（導電層）の体積抵抗率が同じである場合は、両者を流れるトータルの電荷の量は同じであると考えられる。導電層を流れるトータルの電荷の量が同じであれば、粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ未満のＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子と、粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上のＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子とでは、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の個々に流れる電荷の量が異なることになる。

このことは、粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ未満のＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子を用いて形成された導電層と、粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上のＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子を用いて形成された導電層とでは、導電層中の導電パスの数が異なることを意味する。具体的には、粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上のＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子を用いて形成された導電層の方が、粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ未満のＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子を用いて形成された導電層に比べて、導電層中の導電パスの数が多いと推測される。

したがって、粉体抵抗率が１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上のＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子を用いて導電層を形成した場合、導電層中の導電パス１本あたりを流れる電荷の量が比較的少なくなり、各導電パスにおいて局所的に過剰な電流が流れることが抑制されることになり、電子写真感光体の耐リーク性の向上につながっていると考えられる。耐リーク性をより向上させるには、導電層に用いられるＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率は、３．０×１０^３Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。

また、残留電位上昇の抑制の観点から、あるいは、電流量Ｉｂを１０μＡ以上にする観点から、導電層に用いられるＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率は、１．０×１０^５Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。

Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率が１．０×１０^５Ω・ｃｍを超えると、画像形成時に電子写真感光体の残留電位が上昇しやすくなる。また、導電層の体積抵抗率を５．０×１０^１２Ω・ｃｍ以下に調整しにくくなる。残留電位上昇をより抑制するには、導電層に用いられるＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率は、５．０×１０^４Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。

以上の理由より、導電層に用いられるＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率は、１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上１．０×１０^５Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、３．０×１０^３Ω・ｃｍ以上５．０×１０^４Ω・ｃｍ以下であることがより好ましい。

Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子は、酸素欠損型の酸化スズ（ＳｎＯ_２）で被覆されている酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子（以下「酸素欠損型酸化スズ被覆酸化チタン粒子」ともいう。）よりも、電子写真感光体の耐リーク性を向上させる効果が大きく、また、画像形成時の残留電位の上昇を抑える効果も大きい。耐リーク性を向上させる効果が大きい理由については、金属酸化物粒子としてＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子を用いた導電層は、酸素欠損型酸化スズ被覆酸化チタン粒子を用いた導電層に比べて、最大電流量Ｉａが小さく、耐圧性が高いためと考えられる。また、画像形成時の残留電位の上昇を抑える効果が大きい理由については、酸素欠損型酸化スズ被覆酸化チタン粒子は、酸素存在下で酸化して酸化スズ（ＳｎＯ_２）中の酸素欠損部位が消失し、粒子の抵抗が高くなり、導電層における電荷の流れが滞りやすくなるのに対して、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子では、そのようなことが生じにくいためと考えられる。

Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子における酸化スズ（ＳｎＯ_２）の割合（被覆率）は、１０〜６０質量％であることが好ましい。酸化スズ（ＳｎＯ_２）の被覆率を制御するためには、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子を製造するときに、酸化スズ（ＳｎＯ_２）を生成するのに必要なスズ原材料を配合する必要がある。例えば、スズ原材料として塩化スズ（ＳｎＣｌ_４）を用いる場合、塩化スズ（ＳｎＣｌ_４）から生成される酸化スズ（ＳｎＯ_２）の量を考慮した仕込みである必要がある。なお、この場合の被覆率は、酸化スズ（ＳｎＯ_２）にドープされているニオブまたはタンタルの質量を考慮に入れず、被覆層を構成する酸化スズ（ＳｎＯ_２）と芯材粒子を構成する金属酸化物（酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化スズなど。）の合計質量に対する、被覆層を構成する酸化スズ（ＳｎＯ_２）の質量により計算した値とする。酸化スズ（ＳｎＯ_２）の被覆率が１０質量％より小さい場合、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率を１．０×１０^５Ω・ｃｍ以下に調整しにくくなる。被覆率が６０質量％より大きい場合、酸化スズ（ＳｎＯ_２）による芯材粒子の被覆が不均一になりやすく、また、高コストになりやすく、また、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率を１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上に調整しにくい。

また、酸化スズ（ＳｎＯ_２）にドープされるニオブまたはタンタルの量は、酸化スズ（ＳｎＯ_２）（ニオブまたはタンタルを含まない質量）に対して０．１〜１０質量％であることが好ましい。酸化スズ（ＳｎＯ_２）にドープされるニオブまたはタンタルの量が０．１質量％より少ない場合、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率を１．０×１０^５Ω・ｃｍ以下に調整しにくくなる。酸化スズ（ＳｎＯ_２）にドープされるニオブまたはタンタルの量が１０質量％より多い場合、酸化スズ（ＳｎＯ_２）の結晶性が低下し、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の粉体抵抗率を１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上（１．０×１０^５Ω・ｃｍ以下）に調整しにくくなる。一般的には、酸化スズ（ＳｎＯ_２）にニオブまたはタンタルをドープすることにより、ドープしていないものに比べて、粒子の粉体抵抗率を低くすることができる。

なお、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズ（ＳｎＯ_２）で被覆されている酸化チタン粒子の製造方法は、特開２００４−３４９１６７号公報に開示されている。また、酸化スズ（ＳｎＯ_２）で被覆されている酸化スズ粒子の製造方法は、特開２０１０−０３０８８６号公報に開示されている。

本発明において、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子などの金属酸化物粒子の粉体抵抗率の測定方法は以下のとおりである。

金属酸化物粒子の粉体抵抗率は、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下において測定する。本発明においては、測定装置として、三菱化学（株）製の抵抗率計（商品名：ロレスタＧＰ）を用いた。測定対象の金属酸化物粒子は、５００ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で固めて、ペレット状の測定用サンプルにする。印加電圧は１００Ｖとする。

本発明において、導電層に、金属酸化物で構成されている芯材粒子を有する粒子（Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子）を用いるのは、導電層用塗布液における金属酸化物粒子の分散性の向上を図るためである。ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズ（ＳｎＯ_２）のみからなる粒子を用いた場合、導電層用塗布液における金属酸化物粒子の粒径が大きくなりやすく、導電層の表面に凸状のブツ欠陥が発生し、耐リーク性が低下したり、導電層用塗布液の安定性が低下したりする場合がある。

また、芯材粒子を構成する材料として、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの金属酸化物を用いるのは、耐リーク性を向上させやすいからである。さらに、粒子としての透明性が低く、支持体の表面の欠陥を隠蔽しやすいからである。これに対して、芯材粒子を構成する材料として、例えば、金属酸化物ではない硫酸バリウムを用いた場合、導電層中を流れる電荷の量が多くなりやすく、耐リーク性を向上させにくい。また、粒子としての透明性が高いために、支持体の表面の欠陥を隠蔽するための材料が別途必要になる場合がある。

また、金属酸化物粒子として、非被覆の金属酸化物粒子ではなく、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズ（ＳｎＯ_２）で被覆されている金属酸化物粒子を用いるのは、非被覆の金属酸化物粒子では、画像形成時に電荷の流れが滞りやすくなり、残留電位が上昇しやすくなるからである。

導電層用塗布液の調製に用いられる結着材料としては、例えば、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアセタール、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリエステルなどの樹脂が挙げられる。これらは１種または２種以上用いることができる。また、これらの樹脂の中でも、他層へのマイグレーション（溶け込み）の抑制、支持体への密着性、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の分散性・分散安定性、層形成後の耐溶剤性などの観点から、硬化性樹脂が好ましく、さらに、熱硬化性樹脂がより好ましい。また、熱硬化性樹脂の中でも、熱硬化性のフェノール樹脂、熱硬化性のポリウレタンが好ましい。導電層の結着材料として硬化性樹脂を用いる場合、導電層用塗布液に含有させる結着材料は、該硬化性樹脂のモノマーおよび／またはオリゴマーとなる。

導電層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコールや、アセトン、メチルエチルケトン、シクロへキサノンなどのケトンや、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテルや、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステルや、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素が挙げられる。

また、本発明において、導電層用塗布液におけるＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子（Ｐ）と結着材料（Ｂ）の質量比（Ｐ／Ｂ）は、１．５／１．０以上３．５／１．０以下であることが好ましい。質量比（Ｐ／Ｂ）が１．５／１．０未満である場合、画像形成時に電荷の流れが滞りやすくなり、残留電位が上昇しやすくなる。また、導電層の体積抵抗率を５．０×１０^１２Ω・ｃｍ以下に調整しにくくなる。質量比（Ｐ／Ｂ）が３．５／１．０を超える場合、導電層の体積抵抗率を１．０×１０^８Ω・ｃｍ以上に調整しにくくなり、また、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の結着が難しくなり、導電層にクラックが発生しやすくなり、耐リーク性を向上させにくい。

導電層の膜厚は、支持体の表面の欠陥を隠蔽するという観点から、１０μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましい。
なお、本発明においては、導電層を含む電子写真感光体の各層の膜厚の測定装置として、（株）フィッシャーインストルメンツ製のＦＩＳＣＨＥＲＳＣＯＰＥ ＭＭＳを用いた。

また、導電層用塗布液におけるＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の平均粒径は、０．１０μｍ以上０．４５μｍ以下であることが好ましく、０．１５μｍ以上０．４０μｍ以下であることがより好ましい。平均粒径が０．１０μｍより小さい場合、導電層用塗布液の調製後にＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の再凝集が起こり、導電層用塗布液の安定性が低下したり、導電層の表面にクラックが発生したりすることがある。平均粒径が０．４５μｍより大きい場合は、導電層の表面が荒れて、感光層への局所的な電荷注入が起こりやすくなり、出力画像の白地における黒ポチが目立つようになることがある。

導電層用塗布液におけるＮｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子などの金属酸化物粒子の平均粒径の測定は、以下のとおり、液相沈降法によって行うことができる。

まず、導電層用塗布液を、その調製に用いた溶剤で透過率が０．８〜１．０の間になるように希釈する。次に、超遠心式自動粒度分布測定装置を用いて、金属酸化物粒子の平均粒径（体積標準Ｄ５０）および粒度分布のヒストグラムを作成する。本発明においては、超遠心式自動粒度分布測定装置として、（株）堀場製作所製の超遠心式自動粒度分布測定装置（商品名：ＣＡＰＡ７００）を用い、回転数３０００ｒｐｍの条件で測定を行った。

また、導電層の表面で反射した光が干渉して出力画像に干渉縞が発生することを抑制するため、導電層用塗布液には、導電層の表面を粗面化するための表面粗し付与材を含有させてもよい。表面粗し付与材としては、平均粒径が１μｍ以上５μｍ以下の樹脂粒子が好ましい。樹脂粒子としては、例えば、硬化性ゴム、ポリウレタン、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル、シリコーン樹脂、アクリル−メラミン樹脂などの硬化性樹脂の粒子が挙げられる。これらの中でも、凝集しにくいシリコーン樹脂の粒子が好ましい。樹脂粒子の比重（０．５〜２）は、Ｎｂ／Ｔａドープ酸化スズ被覆金属酸化物粒子の比重（４〜７）に比べて小さいため、導電層形成時に効率的に導電層の表面を粗面化することができる。ただし、導電層中の表面粗し付与材の含有量が多いほど、導電層の体積抵抗率が上昇する傾向にあるため、導電層の体積抵抗率を５．０×１０^１２Ω・ｃｍ以下に調整するためには、導電層用塗布液における表面粗し付与材の含有量は、導電層用塗布液中の結着材料に対して１〜８０質量％であることが好ましい。

また、導電層用塗布液には、導電層の表面性を高めるためのレベリング剤を含有させてもよい。また、導電層用塗布液には、導電層の隠蔽性を向上させるための顔料粒子を含有させてもよい。

導電層と感光層との間には、導電層から感光層への電荷注入を阻止するために、電気的バリア性を有する下引き層（バリア層）を設けてもよい。

下引き層は、樹脂（結着樹脂）を含有する下引き層用塗布液を導電層上に塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。

下引き層に用いられる樹脂（結着樹脂）としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリアクリル酸類、メチルセルロース、エチルセルロース、ポリグルタミン酸、カゼイン、でんぷんなどの水溶性樹脂や、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド酸、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリグルタミン酸エステルなどが挙げられる。これらの中でも、下引き層の電気的バリア性を効果的に発現させるためには、熱可塑性樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂の中でも、熱可塑性のポリアミドが好ましい。ポリアミドとしては、共重合ナイロンが好ましい。

下引き層の膜厚は、０．１μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。

また、下引き層において電荷の流れが滞らないようにするために、下引き層には、電子輸送物質（アクセプターなどの電子受容性物質）を含有させてもよい。電子輸送物質としては、例えば、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキノジメタンなどの電子吸引性物質や、これらの電子吸引性物質を高分子化したものなども挙げられる。

導電層または下引き層上には、感光層が設けられる。

感光層に用いられる電荷発生物質としては、例えば、モノアゾ、ジスアゾ、トリスアゾなどのアゾ顔料や、金属フタロシアニン、非金属フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料や、インジゴ、チオインジゴなどのインジゴ顔料や、ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミドなどのペリレン顔料や、アンスラキノン、ピレンキノンなどの多環キノン顔料や、スクワリリウム色素や、ピリリウム塩およびチアピリリウム塩や、トリフェニルメタン色素や、キナクリドン顔料や、アズレニウム塩顔料や、シアニン染料や、キサンテン色素や、キノンイミン色素や、スチリル色素などが挙げられる。これらの中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニンなどの金属フタロシアニンが好ましい。

感光層が積層型の感光層である場合、電荷発生層は、電荷発生物質を結着樹脂とともに溶剤に分散させることによって得られる電荷発生層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。分散方法としては、例えば、ホモジナイザー、超音波、ボールミル、サンドミル、アトライター、ロールミルなどを用いた方法が挙げられる。

電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアリレート、ブチラール樹脂、ポリスチレン、ポリビニルアセタール、ジアリルフタレート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリスルホン、スチレン−ブタジエン共重合体、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体などが挙げられる。これらは、単独、混合または共重合体として１種または２種以上用いることができる。

電荷発生物質と結着樹脂との割合（電荷発生物質：結着樹脂）は、１０：１〜１：１０（質量比）の範囲が好ましく、５：１〜１：１（質量比）の範囲がより好ましい。

電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、アルコール、スルホキシド、ケトン、エーテル、エステル、脂肪族ハロゲン化炭化水素、芳香族化合物などが挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上２μｍ以下であることがより好ましい。

また、電荷発生層には、種々の増感剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などを必要に応じて添加することもできる。また、電荷発生層において電荷の流れが滞らないようにするために、電荷発生層には、電子輸送物質（アクセプターなどの電子受容性物質）を含有させてもよい。電子輸送物質としては、例えば、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキノジメタンなどの電子吸引性物質や、これらの電子吸引性物質を高分子化したものなども挙げられる。

感光層に用いられる電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物、トリアリルメタン化合物などが挙げられる。

感光層が積層型の感光層である場合、電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させることによって得られる電荷輸送層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。

電荷輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリサルホン、ポリフェニレンオキシド、エポキシ樹脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、不飽和樹脂などが挙げられる。これらは、単独、混合物または共重合体として１種または２種以上用いることができる。

電荷輸送物質と結着樹脂との割合（電荷輸送物質：結着樹脂）は、２：１〜１：２（質量比）の範囲が好ましい。

電荷輸送層用塗布液に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトンや、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステルや、ジメトキシメタン、ジメトキシエタンなどのエーテルや、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素や、クロロベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン原子で置換された炭化水素などが挙げられる。

電荷輸送層の膜厚は、帯電均一性や画像再現性の観点から、３μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。

また、電荷輸送層には、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤を必要に応じて添加することもできる。

感光層が単層型の感光層である場合、単層型の感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、結着樹脂および溶剤を含有する単層型の感光層用塗布液を塗布し、これを乾燥させることによって形成することができる。電荷発生物質、電荷輸送物質、結着樹脂および溶剤は、例えば、上記の各種のものを用いることができる。

また、感光層上には、感光層を保護することを目的として、保護層を設けてもよい。
保護層は、樹脂（結着樹脂）を含有する保護層用塗布液を塗布し、これを乾燥および／または硬化させることによって形成することができる。
保護層の膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上８μｍ以下であることがより好ましい。

上記各層用の塗布液を塗布する際には、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法などの塗布方法を用いることができる。

図１に、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す。

図１において、１はドラム状（円筒状）の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。

回転駆動される電子写真感光体１の周面は、帯電手段（一次帯電手段、帯電ローラーなど）３により、正または負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）から出力される露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の周面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。帯電手段３に印加する電圧は、直流電圧のみであってもよいし、交流電圧を重畳した直流電圧であってもよい。

電子写真感光体１の周面に形成された静電潜像は、現像手段５のトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の周面に形成されたトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材（紙など）Ｐに転写される。転写材Ｐは、電子写真感光体１の回転と同期して転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に給送されてくる。

トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の周面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。

トナー像転写後の電子写真感光体１の周面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りのトナーの除去を受ける。さらに、電子写真感光体１の周面は、前露光手段（不図示）からの前露光光１１により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段が帯電ローラーなどの接触帯電手段である場合には、前露光は必ずしも必要ではない。

上述の電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５、転写手段６およびクリーニング手段７などから選択される少なくとも１つの構成要素とを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に支持し、このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図１では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。また、電子写真装置は、上述の電子写真感光体１、ならびに、帯電手段３、露光手段、現像手段５および転写手段６を有する構成としてもよい。

次に、図５および６を用いて、上述の直流電圧連続印加試験について説明する。
直流電圧連続印加試験は、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下において行う。

図５は、直流電圧連続印加試験を説明するための図である。
まず、支持体２０１上に導電層２０２のみを形成した状態、もしくは、電子写真感光体から導電層２０２上の各層を剥離して支持体２０１上に導電層２０２のみを残した状態のもの（以下「試験用サンプル」ともいう。）２００と、芯金３０１、弾性層３０２および表面層３０３を有する導電性ローラー３００とを、両者の軸が平行になるように当接させる。その際、導電性ローラー３００の芯金３０１の両端には、バネ４０３にて５００ｇの荷重を与える。導電性ローラー３００の芯金３０１を直流電源４０１につなぎ、試験用サンプル２００の支持体２０１をアース４０２につなぐ。直流電圧（直流成分）のみの電圧−１．０ｋＶの定電圧を、導電性ローラー３００に、導電層を流れる１分あたりの電流量の減少率が初めて１％以下になるまで連続して印加する。このようにして、直流電圧のみの電圧−１．０ｋＶが導電層２０２に連続印加される。図５中、４０４は抵抗（１００ｋΩ）であり、４０５は電流計である。通常、電流量の絶対値は電圧印加直後に最大電流量Ｉａに達する。その後、電流量の絶対値は減少し、その減少の程度は次第に緩やかになっていき、やがて飽和域（導電層を流れる１分あたりの電流量の減少率が１％以下）に達する。電圧印加後のある時間をｔ［分］とし、その１分後をｔ＋１［分］とし、ｔ［分］のときの電流量の絶対値をＩ_ｔ［μＡ］とし、ｔ＋１［分］のときの電流量の絶対値をＩ_ｔ＋１［μＡ］とした場合、｛（Ｉ_ｔ−Ｉ_ｔ＋１）／Ｉ_ｔ｝×１００が初めて１以下（１％以下）になったとき、ｔ＋１が「導電層を流れる１分あたりの電流量の減少率が初めて１％以下になったとき」にあたる。これを図示したものが図８である。この場合、Ｉｂ＝Ｉ_ｔ＋１となる。

図６は、上記試験に用いられる導電性ローラー３００の概略構成を示す図である。
導電性ローラー３００は、導電性ローラー３００の抵抗を制御する中抵抗の表面層３０３と、試験用サンプル２００の表面と均一なニップを形成するために必要な弾性を有する導電性の弾性層３０２と、芯金３０１とで構成される。

直流成分のみの電圧−１．０ｋＶを試験用サンプル２００の導電層２０２に安定的に連続印加するためには、試験用サンプル２００と導電性ローラー３００とのニップを一定に保つことが必要である。ニップを一定に保つためには、導電性ローラー３００の弾性層３０２の硬度とバネ４０３の強度を適宜調整すればよい。その他、ニップ調整用の機構を設けてもよい。

導電性ローラー３００としては、以下のようにして作製したものを用いた。以下の「部」は「質量部」を意味する。

芯金３０１としては、直径６ｍｍのステンレス製の芯金を用いた。

次に、弾性層３０２を以下の方法で芯金３０１上に形成した。

以下の材料を５０℃に調節した密閉型ミキサーにて１０分間混練することによって、原料コンパウンドを調製した。

エピクロルヒドリンゴム三元共重合体（エピクロルヒドリン：エチレンオキサイド：アリルグリシジルエーテル＝４０ｍｏｌ％：５６ｍｏｌ％：４ｍｏｌ％）；１００部
炭酸カルシウム（軽質）；３０部
脂肪族ポリエステル（可塑剤）；５部
ステアリン酸亜鉛；１部
２−メルカプトベンズイミダゾール（老化防止剤）；０．５部
酸化亜鉛；５部
下記式で示される四級アンモニウム塩；２部

カーボンブラック（表面未処理品、平均粒径：０．２μｍ、粉体抵抗率：０．１Ω・ｃｍ）；５部

このコンパウンドに、原料のゴムとしての上記エピクロルヒドリンゴム三元共重合体１００部に対して、加硫剤としての硫黄１部、加硫促進剤としてのジベンゾチアジルスルフィド１部およびテトラメチルチウラムモノスルフィド０．５部を加え、２０℃に冷却した２本ロール機にて１０分間混練した。

この混練にて得られたコンパウンドを、芯金３０１上に、外径１５ｍｍのローラー状になるように押し出し成型機にて成型し、加熱蒸気加硫した後、外径が１０ｍｍになるように研磨加工を行うことによって、芯金３０１上に弾性層３０２が形成されてなる弾性ローラーを得た。この際、研磨加工においては、幅広研磨方式を採用した。弾性ローラーの長さは２３２ｍｍとした。

次に、弾性層３０２上に表面層３０３を以下の方法で被覆形成した。

以下の材料を用いて、ガラス瓶を容器として混合溶液を調製した。
カプローラクトン変性アクリルポリオール溶液；１００部
メチルイソブチルケトン；２５０部
導電性の酸化スズ（ＳｎＯ_２）（トリフルオロプロピルトリメトキシシラン処理品、平均粒径：０．０５μｍ、粉体抵抗率：１×１０^３Ω・ｃｍ）；２５０部
疎水性シリカ（ジメチルポリシロキサン処理品、平均粒径：０．０２μｍ、粉体抵抗率：１×１０^１６Ω・ｃｍ）；３部
変性ジメチルシリコーンオイル；０．０８部
架橋ＰＭＭＡ粒子（平均粒径：４．９８μｍ）；８０部

この混合溶液をペイントシェーカー分散機に入れ、分散メディアとしての平均粒径０．８ｍｍのガラスビーズを充填率８０％になるように充填し、１８時間分散処理することによって、分散溶液を調製した。

この分散溶液に、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）とイソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）の各ブタノンオキシムブロック体１：１の混合物を、ＮＣＯ／ＯＨ＝１．０となるように添加することによって、表面層用塗布液を調製した。

この表面層用塗布液を上記弾性ローラーの弾性層３０２上に浸漬塗布法にて２回塗布し、これを風乾させた後、１時間１６０℃で乾燥させることによって、表面層３０３を形成した。

このようにして、芯金３０１、弾性層３０２および表面層３０３を有する導電性ローラー３００を作製した。作製した導電性ローラーの抵抗を以下のようにして測定したところ、１．０×１０^５Ωであった。

図７は、導電性ローラーの抵抗の測定方法を説明するための図である。

導電性ローラーの抵抗は、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下において測定する。ステンレススチール製の円筒電極５１５と導電性ローラー３００とを、両者の軸が平行になるように当接させる。その際、導電性ローラーの芯金（不図示）の両端には、５００ｇの荷重を与える。円筒電極５１５としては、上記試験用サンプルと同じ外径のものを選択し、使用する。このような当接状態のまま、円筒電極５１５を２００ｒｐｍの回転数で駆動回転させ、同じ速度で導電性ローラー３００を従動回転させ、円筒電極５１５に外部電源５３から−２００Ｖを印加する。その際に導電性ローラー３００に流れる電流値から算出される抵抗を、導電性ローラー３００の抵抗とする。なお、図７中、５１６は抵抗であり、５１７はレコーダーである。

以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例中の「部」は「質量部」を意味する。

また、実施例および比較例中で使用した各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子の中で、芯材粒子が酸化チタン粒子であるものの酸化チタン粒子（芯材粒子）は、すべて硫酸法により製造された純度９８．０％、ＢＥＴ値が７．２ｍ^２／ｇの球状のものである。芯材粒子が酸化チタン粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）の被覆率は、すべて４５質量％である。また、芯材粒子が酸化チタン粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^２Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２５．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化チタン粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率１．０×１０^３Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２６．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化チタン粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率３．０×１０^３Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２６．５ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化チタン粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^３Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２７．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化チタン粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率１．０×１０^４Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２８．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化チタン粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^４Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２９．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化チタン粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率１．０×１０^５Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、３０．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化チタン粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^５Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、３０．５ｍ^２／ｇである。

また、実施例および比較例中で使用した各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子の中で、芯材粒子が酸化スズ粒子であるものの酸化スズ粒子（芯材粒子）は、すべて純度９９．９％、ＢＥＴ値が９．５ｍ^２／ｇの球状のものである。芯材粒子が酸化スズ粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）の被覆率は、すべて４０質量％である。また、芯材粒子が酸化スズ粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^２Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２８．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化スズ粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率１．０×１０^３Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２９．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化スズ粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率３．０×１０^３Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２９．５ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化スズ粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^３Ω・ｃｍのもののＢＥＴが３０．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化スズ粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率１．０×１０^４Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、３１．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化スズ粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^４Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、３２．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化スズ粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率１．０×１０^５Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、３３．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化スズ粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^５Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、３３．５ｍ^２／ｇである。

また、実施例および比較例中で使用した各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子の中で、芯材粒子が酸化亜鉛粒子であるものの酸化亜鉛粒子（芯材粒子）は、すべて純度９８．０％、ＢＥＴ値８．３ｍ^２／ｇの球状のものである。芯材粒子が酸化亜鉛粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）の被覆率は、すべて３７質量％である。また、芯材粒子が酸化亜鉛粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^２Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２６．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化亜鉛粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率１．０×１０^３Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２７．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化亜鉛粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率３．０×１０^３Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２７．５ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化亜鉛粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^３Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２８．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化亜鉛粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率１．０×１０^４Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２９．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化亜鉛粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^４Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、３０．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化亜鉛粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率１．０×１０^５Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、３１．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化亜鉛粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率５．０×１０^５Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、３１．５ｍ^２／ｇである。

また、実施例中で使用した各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子の中で、芯材粒子が酸化ジルコニウム粒子であるものの酸化ジルコニウム粒子（芯材粒子）は、すべて純度９９．０％、ＢＥＴ値８．３ｍ^２／ｇの球状のものである。芯材粒子が酸化ジルコニア粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）の被覆率は、すべて３６質量％である。また、芯材粒子が酸化ジルコニア粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率１．０×１０^３Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、２７．０ｍ^２／ｇである。また、芯材粒子が酸化ジルコニア粒子である各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）のうち、粉体抵抗率１．０×１０^５Ω・ｃｍのもののＢＥＴ値は、３１．０ｍ^２／ｇである。

なお、以下の導電層用塗布液１で使用したニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子（複合粒子）は、焼成温度６５０℃で焼成したものである。なお、焼成温度を上昇させるに従い、各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）の粉体抵抗率は低下する傾向にあり、ＢＥＴ値は低下する傾向にある。実施例および比較例中で使用した各種酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（複合粒子）の粉体抵抗率についても、焼成温度を変更することによって調整した。

また、実施例および比較例中の酸化スズは「ＳｎＯ_２」であり、酸化チタンは「ＴｉＯ_２」、酸化亜鉛は「ＺｎＯ」であり、酸化ジルコニウムは「ＺｒＯ_２」である。

〈導電層用塗布液の調製例〉
（導電層用塗布液１の調製例）
金属酸化物粒子としてのニオブがドープされている酸化スズ（ＳｎＯ_２）で被覆されている酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子（粉体抵抗率：１．０×１０^３Ω・ｃｍ、平均一次粒径：２５０ｎｍ）２０７部、結着材料としてのフェノール樹脂（フェノール樹脂のモノマー／オリゴマー）（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分：６０質量％）１４４部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：２．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を得た。

この分散液からメッシュでガラスビーズを取り除いた後、分散液に表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社（旧・ＧＥ東芝シリコーン（株））製、平均粒径：２μｍ）１３．８部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング（株）（旧・東レ・ダウコーニング・シリコーン（株））製）０．０１４部、メタノール６部、および、１−メトキシ−２−プロパノール６部を添加して攪拌することによって、導電層用塗布液１を調製した。

導電層用塗布液１における金属酸化物粒子（ニオブがドープされている酸化スズ（ＳｎＯ_２）で被覆されている酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子）の平均粒径は、０．２９μｍであった。

（導電層用塗布液２〜１１０およびＣ１〜Ｃ１０１の調製例）
導電層用塗布液の調製の際に用いた金属酸化物粒子の種類、粉体抵抗率および量（部数）、結着材料としてのフェノール樹脂（フェノール樹脂のモノマー／オリゴマー）の量（部数）、ならびに、分散処理時間を、それぞれ表１〜表９に示すようにした以外は、導電層用塗布液１の調製例と同様の操作で、導電層用塗布液２〜１１０およびＣ１〜Ｃ１０１を調製した。導電層用塗布液２〜１１０およびＣ１〜Ｃ１０１における金属酸化物粒子の平均粒径を、それぞれ表１〜表９に示す。

〈電子写真感光体の製造例〉
（電子写真感光体１の製造例）
押し出し工程および引き抜き工程を含む製造方法により製造された、長さ２４６ｍｍ、直径２４ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体とした。

常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下で、導電層用塗布液１を支持体上に浸漬塗布し、これを３０分間１４０℃で乾燥および熱硬化させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。導電層の体積抵抗率を前述の方法で測定したところ、５．０×１０^９Ω・ｃｍであった。また、導電層の最大電流量Ｉａおよび電流量Ｉｂを前述の方法で測定したところ、最大電流量Ｉａは５２００μＡであり、電流量Ｉｂは３０μＡであった。

次に、Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）（旧・帝国化学産業（株））製）４．５部および共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１．５部を、メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、これを６分間７０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．８５μｍの下引き層を形成した。

次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部およびシクロヘキサノン２５０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、分散処理時間：３時間の条件で分散処理を行い、次に、酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、これを１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１２μｍの電荷発生層を形成した。

次に、下記式（ＣＴ−１）で示されるアミン化合物（電荷輸送物質）４．８部および下記式（ＣＴ−２）で示されるアミン化合物（電荷輸送物質）３．２部、

ならびに、ポリカーボネート（商品名：Ｚ２００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）１０部を、ジメトキシメタン３０部／クロロベンゼン７０部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、これを３０分間１１０℃で乾燥させることによって、膜厚が７．５μｍの電荷輸送層を形成した。

このようにして、電荷輸送層が表面層である電子写真感光体１を製造した。

（電子写真感光体２〜１１０およびＣ１〜Ｃ１０１の製造例）
電子写真感光体の製造の際に用いた導電層用塗布液を、導電層用塗布液１から、それぞれ導電層用塗布液２〜１１０、Ｃ１〜Ｃ１０１に変更した以外は、電子写真感光体１の製造例と同様の操作で、電荷輸送層が表面層である電子写真感光体２〜１１０およびＣ１〜Ｃ１０１を製造した。なお、電子写真感光体２〜１１０およびＣ１〜Ｃ１０１の導電層の体積抵抗率ならびに最大電流量Ｉａおよび電流量Ｉｂに関しても、電子写真感光体１の導電層と同様、前述の方法で測定した。その結果を表１０〜表１５に示す。なお、電子写真感光体１〜１１０およびＣ１〜Ｃ１０１について、導電層の体積抵抗率の測定の際に、それらの導電層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、電子写真感光体Ｃ８、Ｃ１０、Ｃ２０、Ｃ２２、Ｃ３２、Ｃ３４、Ｃ４４、Ｃ４６、Ｃ５６、Ｃ５８、Ｃ６８、Ｃ７０の導電層に関しては、クラックの発生が確認された。

（実施例１〜１１０および比較例１〜１０１）
電子写真感光体１〜１１０およびＣ１〜Ｃ１０１を、それぞれヒューレットパッカード社製のレーザービームプリンター（商品名：ＨＰ Ｌａｓｅｒｊｅｔ Ｐ１５０５）に装着して、低温低湿（１５℃／１０％ＲＨ）環境下にて通紙耐久試験を行い、画像の評価を行った。通紙耐久試験では、印字率２％の文字画像をレター紙に１枚ずつ出力する間欠モードでプリント操作を行い、３０００枚の画像出力を行った。

そして、通紙耐久試験開始時、ならびに、１５００枚画像出力終了後および３０００枚画像出力終了後に各１枚の画像評価用のサンプル（１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像）を出力した。１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像とは、図９に示すパターンのハーフトーン画像である。

画像の評価の基準は以下のとおりである。結果を表１６〜表２１に示す。
Ａ：リークの発生は全くなし。
Ｂ：リークが小さな黒点としてわずかに観測される。
Ｃ：リークが大きな黒点としてはっきり観測される。
Ｄ：リークが大きな黒点と短い横黒スジとして観測される。
Ｅ：リークが長い横黒スジとして観測される。

また、通紙耐久試験開始時ならびに３０００枚画像出力終了後の画像評価用のサンプルを出力した後に、帯電電位（暗部電位）と露光時の電位（明部電位）を測定した。電位測定は、白ベタ画像と黒ベタ画像を各１枚ずつ用いて行った。初期（通紙耐久試験開始時）の暗部電位をＶｄ、初期（通紙耐久試験開始時）の明部電位をＶｌとした。３０００枚画像出力終了後の暗部電位をＶｄ’、３０００枚画像出力終了後の明部電位をＶｌ’とした。３０００枚画像出力終了後の暗部電位Ｖｄ’と初期の暗部電位Ｖｄとの差である暗部電位変動量△Ｖｄ（＝｜Ｖｄ’｜−｜Ｖｄ｜）と、３０００枚画像出力終了後の明部電位Ｖｌ’と初期の明部電位Ｖｌとの差である明部電位変動量△Ｖｌ（＝｜Ｖｌ’｜−｜Ｖｌ｜）とをそれぞれ求めた。結果を表１６〜表２１に示す。

（実施例１１１〜２２０および比較例１０２〜２０２）
上記の通紙耐久試験を行った電子写真感光体１〜１１０およびＣ１〜Ｃ１０１とは別に、もう１つずつ電子写真感光体１〜１１０およびＣ１〜Ｃ１０１を用意し、これらの針耐圧試験を以下のようにして行った。結果を表２２および表２３に示す。

図４に針耐圧試験装置を示す。針耐圧試験は、常温常湿（２３℃／５０％ＲＨ）環境下において行う。電子写真感光体１４０１の両端を固定台１４０２に載せ動かないように固定させる。電子写真感光体１４０１の表面に針電極１４０３の先端を接触させる。この針電極１４０３に、電圧を印加するための電源１４０４と、電流を測定するための電流計１４０５を、それぞれ接続する。電子写真感光体１４０１の支持体に接触する部分１４０６をアースに接続する。針電極１４０３から２秒間印加する電圧を０Ｖから１０Ｖずつ上昇させ、針電極１４０３の先端が接触している電子写真感光体１４０１の内部でリークが発生し、電流計１４０５の値が１０倍以上大きくなり始めた電圧を針耐圧値とする。この測定を、電子写真感光体１４０１の表面の５箇所について実施し、その平均値を測定した電子写真感光体１４０１の針耐圧値とする。

１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段（一次帯電手段）
４ 露光光（画像露光光）
５ 現像手段
６ 転写手段（転写ローラーなど）
７ クリーニング手段（クリーニングブレードなど）
８ 定着手段
９ プロセスカートリッジ
１０ 案内手段
１１ 前露光光
Ｐ 転写材（紙など）

Claims (18)

1. 円筒状支持体、該円筒状支持体上に形成された導電層、および、該導電層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
   該導電層が、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子、および、結着材料を含有し、
   直流電圧のみの電圧−１．０ｋＶを該導電層に連続印加する試験を行った場合の該導電層を流れる最大電流量の絶対値をＩａ［μＡ］とし、該導電層を流れる１分あたりの電流量の減少率が初めて１％以下になったときの該導電層を流れる電流量の絶対値をＩｂ［μＡ］としたとき、該Ｉａおよび該Ｉｂが、下記関係式（ｉ）および（ｉｉ）を満足し、
   Ｉａ≦６０００ ・・・（ｉ）
   １０≦Ｉｂ ・・・（ｉｉ）
   該試験を行う前の該導電層の体積抵抗率が、１．０×１０^８Ω・ｃｍ以上５．０×１０^１２Ω・ｃｍ以下である
   ことを特徴とする電子写真感光体。
2. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子である請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子である請求項１に記載の電子写真感光体。
4. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子である請求項１に記載の電子写真感光体。
5. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子である請求項１に記載の電子写真感光体。
6. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子である請求項１に記載の電子写真感光体。
7. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子である請求項１に記載の電子写真感光体。
8. 前記ＩａおよびＩｂが、下記関係式（ｉｉｉ）および（ｉｖ）を満足する請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
   Ｉａ≦５０００ ・・・（ｉｉｉ）
   ２０≦Ｉｂ ・・・（ｉｖ）
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
10. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
11. 円筒状支持体上に体積抵抗率が１．０×１０^８Ω・ｃｍ以上５．０×１０^１２Ω・ｃｍ以下の導電層を形成する工程、および、該導電層上に感光層を形成する工程を有する電子写真感光体の製造方法であって、
    該導電層を形成する工程が、溶剤、結着材料、および、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子を用いて導電層用塗布液を調製し、該導電層用塗布液を用いて該導電層を形成する工程であり、
    該導電層用塗布液の調製に用いられるニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子の粉体抵抗率が、１．０×１０^３Ω・ｃｍ以上１．０×１０^５Ω・ｃｍ以下であり、
    該導電層用塗布液における、ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子（Ｐ）と結着材料（Ｂ）の質量比（Ｐ／Ｂ）が、１．５／１．０以上３．５／１．０以下である
    ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
12. 前記導電層用塗布液の調製に用いられるニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子の粉体抵抗率が、３．０×１０^３Ω・ｃｍ以上５．０×１０^４Ω・ｃｍ以下である請求項１１に記載の電子写真感光体の製造方法。
13. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子である請求項１１または１２に記載の電子写真感光体の製造方法。
14. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化チタン粒子である請求項１１または１２に記載の電子写真感光体の製造方法。
15. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子である請求項１１または１２に記載の電子写真感光体の製造方法。
16. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化スズ粒子である請求項１１または１２に記載の電子写真感光体の製造方法。
17. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、ニオブがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子である請求項１１または１２に記載の電子写真感光体の製造方法。
18. 前記ニオブまたはタンタルがドープされている酸化スズで被覆されている金属酸化物粒子が、タンタルがドープされている酸化スズで被覆されている酸化亜鉛粒子である請求項１１または１２に記載の電子写真感光体の製造方法。

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