JP2014140058A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014140058A5
JP2014140058A5 JP2014040657A JP2014040657A JP2014140058A5 JP 2014140058 A5 JP2014140058 A5 JP 2014140058A5 JP 2014040657 A JP2014040657 A JP 2014040657A JP 2014040657 A JP2014040657 A JP 2014040657A JP 2014140058 A5 JP2014140058 A5 JP 2014140058A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
measurement
result
patterning
tool
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014040657A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5980825B2 (ja
JP2014140058A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/107,346 external-priority patent/US8175831B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2014140058A publication Critical patent/JP2014140058A/ja
Publication of JP2014140058A5 publication Critical patent/JP2014140058A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5980825B2 publication Critical patent/JP5980825B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (24)

  1. ウエハーをパターンニングするための方法であって、
    前記ウエハー上で測定を実施すること、
    前記測定の結果に基づき前記ウエハーの変形をモデル化すること、
    前記ウエハーの変形に基づきパターンニング・ツールの一つまたは複数のパラメタを変更すること、
    前記変更後、第一のパターン化されたウエハーを製造するために、前記パターンニング・ツールを用いて前記ウエハーをパターンニングすること、
    前記第一のパターン化されたウエハー上で更なる測定を実施すること、
    前記更なる測定の結果に基づき前記パターンニング・ツールの一つまたは複数のパラメタを変更すること、
    前記更なる測定の結果に基づき前記パターンニング・ツールの一つまたは複数のパラメタを変更した後、第二のパターン化されたウエハーを製造するために、前記パターンニング・ツールを用いて第二のウエハーをパターンニングすること、
    を備える、方法。
  2. 前記測定の実施は、前記ウエハー上の全ての測定箇所で測定を行うことを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記測定の結果は、応力計測データを含む、請求項1に記載の方法。
  4. 前記測定結果は、形状計測データを含む、請求項1に記載の方法。
  5. 前記測定結果は、オーバーレイ計測データを含む、請求項1に記載の方法。
  6. 前記モデル化は、前記ウエハーが前記パターンニング・ツールのステージ上に配置された際の前記ウエハーの変形を見積もることを含む、請求項1に記載の方法。
  7. 前記モデル化は、前記ウエハー上の設計パターンの前記パターンニング上の変形の効果をシミュレートすることを含む、請求項1に記載の方法。
  8. 前記更なる測定の結果は、オーバーレイ計測データを含む、請求項1に記載の方法。
  9. 前記更なる測定の結果は、焦点計測データを含む、請求項1に記載の方法。
  10. 前記更なる測定の結果は、ドーズ計測データを含む、請求項1に記載の方法。
  11. 前記第一と第二のパターン化されたウエハーは、同じロット内にある、請求項1に記載の方法。
  12. 前記第一と第二のパターン化されたウエハーは、異なるロット内にある、請求項1に記載の方法。
  13. ウエハーをパターンニングするために作動可能なシステムであって、
    前記ウエハー上で測定を実施するように作動可能な測定ツールと、
    前記測定の結果に基づき前記ウエハーの変形をモデル化し、
    前記ウエハーの変形に基づきパターンニング・プロセスの一つまたは複数のパラメタを変更する、
    ように作動可能な一つまたは複数のプロセッサと、
    第一のパターン化されたウエハーを製造するために前記パターンニング・プロセスの前記一つまたは複数のパラメタが変更された後に、前記パターンニング・プロセスを用いて前記ウエハーをパターンニングするように作動可能なパターンニング・ツールと、を備え、
    前記測定ツールはさらに、前記第一のパターン化されたウエハー上で更なる測定を実施するように作動可能であり、
    前記一つまたは複数のプロセッサはさらに、前記更なる測定の結果に基づき前記パターンニング・ツールの一つまたは複数のパラメタを変更するように作動可能であり、
    前記パターンニング・ツールはさらに、前記更なる測定の結果に基づき前記パターンニング・ツールの一つまたは複数のパラメタを変更した後、第二のパターン化されたウエハーを製造するために、第二のウエハーをパターンニングするように作動可能である、
    システム。
  14. 前記測定の実施は、前記ウエハー上の全ての測定箇所で測定を行うことを含む、請求項13に記載のシステム。
  15. 前記測定の結果は、応力計測データを含む、請求項13に記載のシステム。
  16. 前記測定結果は、形状計測データを含む、請求項13に記載のシステム。
  17. 前記測定結果は、オーバーレイ計測データを含む、請求項13に記載のシステム。
  18. 前記モデル化は、前記ウエハーが前記パターンニング・ツールのステージ上に配置された際の前記ウエハーの変形を見積もることを含む、請求項13に記載のシステム。
  19. 前記モデル化は、前記ウエハー上の設計パターンの前記パターンニング上の変形の効果をシミュレートすることを含む、請求項13に記載のシステム。
  20. 前記更なる測定の結果は、オーバーレイ計測データを含む、請求項13に記載のシステム。
  21. 前記更なる測定の結果は、焦点計測データを含む、請求項13に記載のシステム。
  22. 前記更なる測定の結果は、ドーズ計測データを含む、請求項13に記載のシステム。
  23. 前記第一と第二のパターン化されたウエハーは、同じロット内にある、請求項13に記載のシステム。
  24. 前記第一と第二のパターン化されたウエハーは、異なるロット内にある、請求項13に記載のシステム。
JP2014040657A 2007-04-23 2014-03-03 ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための方法ならびにシステム Active JP5980825B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US91343507P 2007-04-23 2007-04-23
US60/913,435 2007-04-23
US12/107,346 2008-04-22
US12/107,346 US8175831B2 (en) 2007-04-23 2008-04-22 Methods and systems for creating or performing a dynamic sampling scheme for a process during which measurements are performed on wafers

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013015975A Division JP5537684B2 (ja) 2007-04-23 2013-01-30 ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための方法ならびにシステム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014140058A JP2014140058A (ja) 2014-07-31
JP2014140058A5 true JP2014140058A5 (ja) 2015-10-01
JP5980825B2 JP5980825B2 (ja) 2016-08-31

Family

ID=39577932

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010506456A Active JP5425760B2 (ja) 2007-04-23 2008-04-23 ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための方法ならびにシステム
JP2013015975A Active JP5537684B2 (ja) 2007-04-23 2013-01-30 ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための方法ならびにシステム
JP2014040657A Active JP5980825B2 (ja) 2007-04-23 2014-03-03 ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための方法ならびにシステム

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010506456A Active JP5425760B2 (ja) 2007-04-23 2008-04-23 ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための方法ならびにシステム
JP2013015975A Active JP5537684B2 (ja) 2007-04-23 2013-01-30 ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための方法ならびにシステム

Country Status (4)

Country Link
US (3) US8175831B2 (ja)
JP (3) JP5425760B2 (ja)
KR (5) KR101531992B1 (ja)
WO (1) WO2008131422A1 (ja)

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008151083A1 (en) 2007-05-30 2008-12-11 Kla-Tencor Corporation Feedforward/feedback litho process control of stress and overlay
US8188447B2 (en) * 2009-01-26 2012-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Field-by-field laser annealing and feed forward process control
JP5420942B2 (ja) * 2009-03-19 2014-02-19 大日本スクリーン製造株式会社 パターン描画装置およびパターン描画方法
US8392009B2 (en) * 2009-03-31 2013-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Advanced process control with novel sampling policy
US9075106B2 (en) * 2009-07-30 2015-07-07 International Business Machines Corporation Detecting chip alterations with light emission
US9014827B2 (en) * 2010-01-14 2015-04-21 International Business Machines Corporation Dynamically generating a manufacturing production work flow with selectable sampling strategies
WO2011096239A1 (ja) * 2010-02-08 2011-08-11 株式会社ニコン 検出方法および検出装置
US9620426B2 (en) * 2010-02-18 2017-04-11 Kla-Tencor Corporation Method and system for providing process tool correctables using an optimized sampling scheme with smart interpolation
US9625823B1 (en) * 2010-06-17 2017-04-18 Kla-Tencor Corporation Calculation method for local film stress measurements using local film thickness values
US9052709B2 (en) * 2010-07-30 2015-06-09 Kla-Tencor Corporation Method and system for providing process tool correctables
CA2713422A1 (en) * 2010-09-09 2010-11-16 Ibm Canada Limited - Ibm Canada Limitee Characterizing laminate shape
US9606453B2 (en) 2010-09-30 2017-03-28 Kla-Tencor Corporation Method and system for providing tool induced shift using a sub-sampling scheme
KR101720152B1 (ko) * 2010-10-25 2017-03-27 삼성전자 주식회사 계측 방법 및 이를 이용한 계측 시스템
US8656323B2 (en) * 2011-02-22 2014-02-18 Kla-Tencor Corporation Based device risk assessment
EP2694983B1 (en) * 2011-04-06 2020-06-03 KLA-Tencor Corporation Method and system for providing a quality metric for improved process control
US8572518B2 (en) * 2011-06-23 2013-10-29 Nikon Precision Inc. Predicting pattern critical dimensions in a lithographic exposure process
TWI825537B (zh) * 2011-08-01 2023-12-11 以色列商諾威股份有限公司 光學測量系統
US9354526B2 (en) * 2011-10-11 2016-05-31 Kla-Tencor Corporation Overlay and semiconductor process control using a wafer geometry metric
US9652729B2 (en) * 2011-10-27 2017-05-16 International Business Machines Corporation Metrology management
NL2009853A (en) 2011-12-23 2013-06-26 Asml Netherlands Bv Methods and apparatus for measuring a property of a substrate.
US20130262192A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-03 ATC Logistics & Electronics System and method for receiving quality issue log
US8871605B2 (en) 2012-04-18 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods for fabricating and orienting semiconductor wafers
US8843875B2 (en) * 2012-05-08 2014-09-23 Kla-Tencor Corporation Measurement model optimization based on parameter variations across a wafer
US9588441B2 (en) 2012-05-18 2017-03-07 Kla-Tencor Corporation Method and device for using substrate geometry to determine optimum substrate analysis sampling
US9430593B2 (en) * 2012-10-11 2016-08-30 Kla-Tencor Corporation System and method to emulate finite element model based prediction of in-plane distortions due to semiconductor wafer chucking
US9442392B2 (en) 2012-12-17 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Scanner overlay correction system and method
US8889434B2 (en) 2012-12-17 2014-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Scanner overlay correction system and method
JP6004956B2 (ja) 2013-01-29 2016-10-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン評価装置、及び、パターン評価装置を備えた外観検査装置
US9442391B2 (en) 2013-03-12 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Overlay sampling methodology
US9098891B2 (en) * 2013-04-08 2015-08-04 Kla-Tencor Corp. Adaptive sampling for semiconductor inspection recipe creation, defect review, and metrology
US9029810B2 (en) * 2013-05-29 2015-05-12 Kla-Tencor Corporation Using wafer geometry to improve scanner correction effectiveness for overlay control
US10429320B2 (en) * 2013-06-04 2019-10-01 Kla-Tencor Corporation Method for auto-learning tool matching
KR102120522B1 (ko) 2013-06-28 2020-06-09 케이엘에이 코포레이션 대표 타겟 부분집합의 선택 및 이용
US9053284B2 (en) * 2013-09-04 2015-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for overlay control
NL2013417A (en) 2013-10-02 2015-04-07 Asml Netherlands Bv Methods & apparatus for obtaining diagnostic information relating to an industrial process.
US10401279B2 (en) * 2013-10-29 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Process-induced distortion prediction and feedforward and feedback correction of overlay errors
US9245768B2 (en) * 2013-12-17 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Method of improving substrate uniformity during rapid thermal processing
KR101860042B1 (ko) 2013-12-30 2018-05-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 타겟의 디자인을 위한 장치 및 방법
JP2015134393A (ja) * 2014-01-17 2015-07-27 株式会社荏原製作所 キャリブレーション装置、及び基板処理装置
US10466596B2 (en) * 2014-02-21 2019-11-05 Kla-Tencor Corporation System and method for field-by-field overlay process control using measured and estimated field parameters
TWI560747B (en) * 2014-04-02 2016-12-01 Macromix Internat Co Ltd Method of manufacturing semiconductor and exposure system
JP6191534B2 (ja) * 2014-05-01 2017-09-06 信越半導体株式会社 ウエハのそりの評価方法及びウエハの選別方法
US10712289B2 (en) * 2014-07-29 2020-07-14 Kla-Tencor Corp. Inspection for multiple process steps in a single inspection process
US10133263B1 (en) 2014-08-18 2018-11-20 Kla-Tencor Corporation Process condition based dynamic defect inspection
WO2016037003A1 (en) 2014-09-03 2016-03-10 Kla-Tencor Corporation Optimizing the utilization of metrology tools
US10509329B2 (en) 2014-09-03 2019-12-17 Kla-Tencor Corporation Breakdown analysis of geometry induced overlay and utilization of breakdown analysis for improved overlay control
US9286675B1 (en) 2014-10-23 2016-03-15 Applied Materials Israel Ltd. Iterative defect filtering process
JP2017538156A (ja) 2014-12-02 2017-12-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ方法及び装置
JP6338778B2 (ja) 2014-12-02 2018-06-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ方法及び装置
US10402763B2 (en) * 2014-12-11 2019-09-03 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd Total manufacturing planning management control system
US10024654B2 (en) * 2015-04-06 2018-07-17 Kla-Tencor Corporation Method and system for determining in-plane distortions in a substrate
WO2016162231A1 (en) 2015-04-10 2016-10-13 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for inspection and metrology
US10754260B2 (en) 2015-06-18 2020-08-25 Kla-Tencor Corporation Method and system for process control with flexible sampling
US10295979B2 (en) * 2015-09-15 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Scheduling in manufacturing environments
CN108028210B (zh) * 2015-09-21 2022-07-12 科磊股份有限公司 用于使用灵活取样的过程控制的方法及系统
JP2018529996A (ja) 2015-09-24 2018-10-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィプロセスにおけるレチクル加熱及び/又は冷却の影響を低減する方法
JP6489999B2 (ja) 2015-11-19 2019-03-27 東芝メモリ株式会社 位置合わせ方法およびパターン形成システム
US10962886B2 (en) 2015-12-31 2021-03-30 Asml Netherlands B.V. Selection of measurement locations for patterning processes
US10061211B2 (en) * 2016-02-17 2018-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for layoutless overlay control
JP6630839B2 (ja) * 2016-02-18 2020-01-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置、デバイス製造方法ならびに関連データ処理装置およびコンピュータプログラム製品
KR20190040279A (ko) * 2016-08-24 2019-04-17 가부시키가이샤 니콘 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법
KR20240011232A (ko) 2016-09-30 2024-01-25 가부시키가이샤 니콘 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법
US10190991B2 (en) 2016-11-03 2019-01-29 Applied Materials Israel Ltd. Method for adaptive sampling in examining an object and system thereof
US10281827B2 (en) * 2016-12-15 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Noise reduction for overlay control
WO2018114246A2 (en) * 2016-12-23 2018-06-28 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for pattern fidelity control
EP3376287A1 (en) * 2017-03-14 2018-09-19 ASML Netherlands B.V. Methods of determining corrections for a patterning process, device manufacturing method, control system for a lithographic apparatus and lithographic apparatus
CN110622068B (zh) * 2017-04-14 2022-01-11 Asml荷兰有限公司 测量方法
EP3428725A1 (en) * 2017-07-13 2019-01-16 ASML Netherlands B.V. Inspection tool, lithographic apparatus, lithographic system, inspection method and device manufacturing method
EP3444674A1 (en) * 2017-08-14 2019-02-20 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
US10699969B2 (en) * 2017-08-30 2020-06-30 Kla-Tencor Corporation Quick adjustment of metrology measurement parameters according to process variation
US10310959B2 (en) 2017-11-07 2019-06-04 Bank Of America Corporation Pre-deployment validation system using intelligent databases
WO2019145092A1 (en) * 2018-01-24 2019-08-01 Asml Netherlands B.V. Computational metrology based sampling scheme
US10553501B2 (en) * 2018-03-28 2020-02-04 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for use in forming an adaptive layer and a method of using the same
US10677588B2 (en) * 2018-04-09 2020-06-09 Kla-Tencor Corporation Localized telecentricity and focus optimization for overlay metrology
US11164768B2 (en) * 2018-04-27 2021-11-02 Kla Corporation Process-induced displacement characterization during semiconductor production
SG11202100406YA (en) * 2018-07-30 2021-03-30 Kla Tencor Corp Reducing device overlay errors
EP3974906A1 (en) 2018-11-07 2022-03-30 ASML Netherlands B.V. Determining a correction to a process
US11011435B2 (en) * 2018-11-20 2021-05-18 Asm Technology Singapore Pte Ltd Apparatus and method inspecting bonded semiconductor dice
CN111477562B (zh) * 2019-01-24 2023-11-21 台湾积体电路制造股份有限公司 用于半导体制造的晶片质量监控方法
WO2020176117A1 (en) * 2019-02-22 2020-09-03 Kla-Tencor Corporation Method of measuring misregistration of semiconductor devices
KR20210127260A (ko) * 2019-03-08 2021-10-21 케이엘에이 코포레이션 미스레지스트레이션 측정의 동적 개선
US11551980B2 (en) 2019-03-08 2023-01-10 Kla-Tencor Corporation Dynamic amelioration of misregistration measurement
IL289545A (en) * 2019-07-05 2022-07-01 Kla Tencor Corp Production management with dynamic sampling programs, optimized batch measurement routes and optimized batch transfer, using quantum computing
JP7329386B2 (ja) * 2019-08-09 2023-08-18 コニアク ゲーエムベーハー リソグラフィ処理される半導体デバイスのためのプロセス制御方法
US11429091B2 (en) 2020-10-29 2022-08-30 Kla Corporation Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly
TWI755248B (zh) * 2021-01-07 2022-02-11 鴻海精密工業股份有限公司 晶圓盒內晶圓擺放狀態的檢測方法及檢測系統
US20240038558A1 (en) * 2022-07-26 2024-02-01 Kla Corporation Metrology sampling plans for only out of specification detection

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4750141A (en) 1985-11-26 1988-06-07 Ade Corporation Method and apparatus for separating fixture-induced error from measured object characteristics and for compensating the measured object characteristic with the error, and a bow/warp station implementing same
US5134303A (en) 1990-08-14 1992-07-28 Flexus, Inc. Laser apparatus and method for measuring stress in a thin film using multiple wavelengths
US5248889A (en) 1990-08-14 1993-09-28 Tencor Instruments, Inc. Laser apparatus and method for measuring stress in a thin film using multiple wavelengths
JPH06318560A (ja) 1993-05-07 1994-11-15 Nec Corp サーマウェーブ測定方法
US5586059A (en) 1995-06-07 1996-12-17 Advanced Micro Devices, Inc. Automated data management system for analysis and control of photolithography stepper performance
JPH09129528A (ja) * 1995-11-02 1997-05-16 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及びその装置
DE19602445A1 (de) 1996-01-24 1997-07-31 Nanopro Luftlager Produktions Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von zwei einander gegenüberliegenden Oberflächen eines Körpers
US5805290A (en) 1996-05-02 1998-09-08 International Business Machines Corporation Method of optical metrology of unresolved pattern arrays
JPH09326349A (ja) 1996-06-06 1997-12-16 Hitachi Ltd パターン露光の補正方法
US6023338A (en) 1996-07-12 2000-02-08 Bareket; Noah Overlay alignment measurement of wafers
US5912738A (en) 1996-11-25 1999-06-15 Sandia Corporation Measurement of the curvature of a surface using parallel light beams
US6031611A (en) 1997-06-03 2000-02-29 California Institute Of Technology Coherent gradient sensing method and system for measuring surface curvature
US5919714A (en) 1998-05-06 1999-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Segmented box-in-box for improving back end overlay measurement
JP2000091197A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Toshiba Corp X線マスク製造装置およびx線マスク製造方法
US7444616B2 (en) * 1999-05-20 2008-10-28 Micronic Laser Systems Ab Method for error reduction in lithography
AU5261200A (en) 1999-05-20 2000-12-12 Micronic Laser Systems Ab A method for error reduction in lithography
US6477432B1 (en) 2000-01-11 2002-11-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Statistical in-process quality control sampling based on product stability through a systematic operation system and method
JP2001332609A (ja) 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
US6469788B2 (en) * 2000-03-27 2002-10-22 California Institute Of Technology Coherent gradient sensing ellipsometer
US6442496B1 (en) 2000-08-08 2002-08-27 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for dynamic sampling of a production line
US7068833B1 (en) 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
JP3572053B2 (ja) 2001-05-31 2004-09-29 株式会社東芝 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法およびサーバー
TW589723B (en) 2001-09-10 2004-06-01 Ebara Corp Detecting apparatus and device manufacturing method
JP4938219B2 (ja) 2001-12-19 2012-05-23 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 光学分光システムを使用するパラメトリック・プロフィーリング
JP4532845B2 (ja) * 2002-04-30 2010-08-25 キヤノン株式会社 管理システム及び方法並びにデバイス製造方法
US7069104B2 (en) 2002-04-30 2006-06-27 Canon Kabushiki Kaisha Management system, management apparatus, management method, and device manufacturing method
US6912435B2 (en) 2002-08-28 2005-06-28 Inficon Lt Inc. Methods and systems for controlling reticle-induced errors
US8017411B2 (en) 2002-12-18 2011-09-13 GlobalFoundries, Inc. Dynamic adaptive sampling rate for model prediction
JP4005910B2 (ja) 2002-12-27 2007-11-14 株式会社東芝 パターン描画方法及び描画装置
WO2004068554A2 (en) * 2003-01-27 2004-08-12 California Institute Of Technology Analysis and monitoring of stresses in embedded lines and vias integrated on substrates
US6847919B2 (en) * 2003-02-21 2005-01-25 Texas Instruments Incorporated Characterizing an exposure tool for patterning a wafer
US6847458B2 (en) 2003-03-20 2005-01-25 Phase Shift Technology, Inc. Method and apparatus for measuring the shape and thickness variation of polished opaque plates
US6766214B1 (en) 2003-04-03 2004-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Adjusting a sampling rate based on state estimation results
US6859746B1 (en) * 2003-05-01 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of using adaptive sampling techniques based upon categorization of process variations, and system for performing same
US7250237B2 (en) 2003-12-23 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Optimized correction of wafer thermal deformations in a lithographic process
JP2005233928A (ja) 2004-01-23 2005-09-02 Horiba Ltd 基板検査装置
US7126668B2 (en) 2004-04-28 2006-10-24 Litel Instruments Apparatus and process for determination of dynamic scan field curvature
US7259828B2 (en) * 2004-05-14 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Alignment system and method and device manufactured thereby
US7363173B2 (en) 2004-06-01 2008-04-22 California Institute Of Technology Techniques for analyzing non-uniform curvatures and stresses in thin-film structures on substrates with non-local effects
GB0510497D0 (en) 2004-08-04 2005-06-29 Horiba Ltd Substrate examining device
JP4449697B2 (ja) * 2004-10-26 2010-04-14 株式会社ニコン 重ね合わせ検査システム
US7239368B2 (en) 2004-11-29 2007-07-03 Asml Netherlands B.V. Using unflatness information of the substrate table or mask table for decreasing overlay
JP2006278767A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 Toshiba Corp オーバーレイ制御システム及びオーバーレイ制御方法
JP2006286747A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Sony Corp 位置合わせ方法、その装置、プロセス制御装置およびプログラム
US7642205B2 (en) * 2005-04-08 2010-01-05 Mattson Technology, Inc. Rapid thermal processing using energy transfer layers
US7184853B2 (en) 2005-05-18 2007-02-27 Infineon Technologies Richmond, Lp Lithography method and system with correction of overlay offset errors caused by wafer processing
US7853920B2 (en) * 2005-06-03 2010-12-14 Asml Netherlands B.V. Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing
CN101238384B (zh) 2005-07-08 2012-01-18 罗格·贝克尔 射频识别(rfid)标签及技术
EP1744217B1 (en) 2005-07-12 2012-03-14 ASML Netherlands B.V. Method of selecting a grid model for correcting grid deformations in a lithographic apparatus and lithographic assembly using the same
US7566900B2 (en) * 2005-08-31 2009-07-28 Applied Materials, Inc. Integrated metrology tools for monitoring and controlling large area substrate processing chambers
WO2007103566A2 (en) 2006-03-09 2007-09-13 Ultratech, Inc. Determination of lithography misalignment based on curvature and stress mapping data of substrates
US7398172B2 (en) * 2006-05-31 2008-07-08 International Business Machines Corporation Method and system of providing a dynamic sampling plan for integrated metrology
WO2008151083A1 (en) 2007-05-30 2008-12-11 Kla-Tencor Corporation Feedforward/feedback litho process control of stress and overlay

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014140058A5 (ja)
JP2016027623A5 (ja) インプリント材の供給パターンの作成方法、インプリント方法及び装置、物品の製造方法、及びプログラム
JP2010537394A5 (ja)
JP2012098087A5 (ja)
IL264960B (en) A metrology device for measuring a structure formed on a substrate using a lithographic process, a lithographic system, and a method for measuring a structure formed on a substrate using a lithographic process
IL260855B (en) Root cause analysis of process variability in spectrometry metrology
WO2014097298A3 (en) System for accurate 3d modeling of gemstones
KR20180085015A (ko) 메트롤로지 타겟, 방법 및 장치, 컴퓨터 프로그램 및 리소그래피 시스템
JP2017502499A5 (ja)
JP2018152927A5 (ja)
DE112015005369A5 (de) Simulationsverfahren zur Entwicklung eines Herstellungsverfahrens
BR112017004575A2 (pt) método de estimativa de comportamento atual ou futuro de uma entidade ou processo e aparelho para obter estimativas
JP2014232440A5 (ja)
JP2014096400A5 (ja)
JP2013219331A5 (ja)
JP2015034973A5 (ja)
WO2015130476A3 (en) Method and apparatus for efficient implementation of common neuron models
JP2015115071A5 (ja)
JP2018195725A5 (ja)
JP2016021532A5 (ja)
JP2015038985A5 (ja)
TW201612509A (en) Process monitoring device and process monitoring method
WO2018114246A3 (en) Method and apparatus for pattern fidelity control
EP3035120A3 (en) Decreasing the critical dimensions in integrated circuits
JP2016129212A5 (ja)