JP2014096400A5

JP2014096400A5 -

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Publication number: JP2014096400A5
Application number: JP2012245316A
Authority: JP
Filing date: 2012-11-07
Publication date: 2015-11-12
Anticipated expiration: 2032-11-07

Claims

所定の加工処理の対象となる被加工体の表面の任意の位置に入射する第１のフラックスを前記任意の位置から逆トレースするステップと、
前記第１のフラックスの逆トレースの結果、前記第１のフラックスが前記被加工体の表面の他の位置に当たった場合には、前記他の位置における散乱によって前記第１のフラックスとなる第２のフラックスを算出し、前記第２のフラックスを前記他の位置から逆トレースするステップと、
フラックスの算出と逆トレースを繰り返して、逆トレースしたフラックスが前記被加工体の表面に当たらなくなったら、当該フラックスと前記被加工体に入射するフラックスの角度分布との比較を行い、当該フラックスが前記角度分布以内であれば、前記第１のフラックスから当該フラックスまでのフラックス群について、散乱に寄与したフラックスの量を求めるステップと、
を含む計算を情報処理装置によって行う
シミュレーション方法。
前記被加工体の表面を複数のＶｏｘｅｌを含むＶｏｘｅｌモデルを用いて表し、前記任意の位置及び前記他の位置を、前記Ｖｏｘｅｌの重心の位置とする請求項１に記載のシミュレーション方法。
前記被加工体の表面を複数の格子点を含むＳｔｒｉｎｇモデルを用いて表し、前記任意の位置及び前記他の位置を、前記格子点の位置とする請求項１に記載のシミュレーション方法。
フラックスを逆トレースする際に、トレースの軌跡を、フラックスへの作用を加味した曲線とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のシミュレーション方法。
前記第１のフラックスから前記第２のフラックスを算出する際に、前記他の位置の表面の法線ベクトルと前記第１のフラックスとのなす角度に依存して、前記第２のフラックスを算出する請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のシミュレーション方法。
前記第１のフラックスから前記第２のフラックスを算出する際に、前記他の位置の表面に存在する堆積膜の膜厚に依存して、フラックスのエネルギー損失を加味する請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のシミュレーション方法。
前記第１のフラックスから前記第２のフラックスを算出する際に、入射するフラックスの粒子の質量と前記他の位置の表面の膜を構成する原子の質量に依存してエネルギー分配する、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のシミュレーション方法。
前記散乱は、鏡面散乱とする、又は、鏡面散乱に角度ばらつきを加味する、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のシミュレーション方法。
解析式、シースシミュレーションの結果、実測に基づくデータベース、の少なくともいずれかを用いて、前記フラックスの角度分布を得る請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載のシミュレーション方法。
イオン散乱フラックスを求め、それを用いた表面反応を解くことによって、エッチレートを算出するステップをさらに含む請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載のシミュレーション方法。
算出した前記エッチレートを用いて、形状進展、及び／又は、ダメージ（結晶欠陥）分布を計算するステップをさらに含む請求項１０に記載のシミュレーション方法。
所定の加工処理の対象となる被加工体の表面の任意の位置に入射する第１のフラックスを前記任意の位置から逆トレースする処理と、
前記第１のフラックスの逆トレースの結果、前記第１のフラックスが前記被加工体の表面の他の位置に当たった場合には、前記他の位置における散乱によって前記第１のフラックスとなる第２のフラックスを算出し、前記第２のフラックスを前記他の位置から逆トレースする処理と、
フラックスの算出と逆トレースを繰り返して、逆トレースしたフラックスが前記被加工体の表面に当たらなくなったら、当該フラックスと前記被加工体に入射するフラックスの角度分布との比較を行い、当該フラックスが前記角度分布以内であれば、前記第１のフラックスから当該フラックスまでのフラックス群について、散乱に寄与したフラックスの量を求める処理と、
を情報処理装置に実装して実行させるシミュレーションプログラム。
被加工体に対する所定の加工処理をシミュレーションする演算部を備えたシミュレータであって、
請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載のシミュレーション方法の計算を行う、前記演算部を含む
シミュレータ。
被加工体に対して所定の加工処理を行う加工部と、
請求項１３に記載のシミュレータと、
を備えた加工装置。
前記シミュレータは、前記所定の加工処理を行う際の加工条件を取得する入力部を有し、前記入力部が取得する加工条件として、前記加工部における加工処理をモニタリングすることによって得られた情報が含まれる請求項１４に記載の加工装置。
前記シミュレータで得られたシミュレーションの結果に基づいて、前記加工部における前記所定の加工処理の処理条件を補正する制御部をさらに備えた請求項１４または請求項１５に記載の加工装置。
請求項１４〜請求項１６のいずれか１項に記載の加工装置を使用して、
半導体装置の少なくとも一部を前記被加工体として、前記被加工体に対して前記所定の加工処理を行う工程を有する
半導体装置の製造方法。