JP2014127595A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6330720B2 (ja) * 2015-04-30 2018-05-30 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置
JP6847811B2 (ja) * 2017-10-24 2021-03-24 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
JP7224254B2 (ja) * 2019-07-17 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、情報処理装置、及び基板処理方法
KR102766639B1 (ko) * 2019-12-10 2025-02-12 에스케이실트론 주식회사 에피택셜 성장 장치 및 그 제어 방법
CN113644017B (zh) * 2020-04-27 2024-07-09 上海新昇半导体科技有限公司 一种对晶圆进行定位的方法和半导体制造设备
EP3957776B1 (de) 2020-08-17 2025-06-18 Siltronic AG Verfahren zum abscheiden einer epitaktischen schicht auf einer substratscheibe
EP3996130B1 (de) 2020-11-09 2023-03-08 Siltronic AG Verfahren zum abscheiden einer epitaktischen schicht auf einer substratscheibe
EP4098782A1 (de) * 2021-06-01 2022-12-07 Siltronic AG Verfahren zum abscheiden einer epitaktischen schicht auf einer substratscheibe aus halbleitermaterial in einer abscheidevorrichtung
JP7766561B2 (ja) * 2022-07-05 2025-11-10 東京エレクトロン株式会社 成膜位置ズレ補正方法および成膜システム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62221128A (ja) * 1986-03-24 1987-09-29 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 処理装置
JP3146055B2 (ja) * 1992-03-27 2001-03-12 株式会社東芝 基板処理装置
JPH10269308A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Toray Ind Inc 信号処理方法および信号処理装置
JPH11150069A (ja) * 1997-11-17 1999-06-02 Sony Corp 成膜方法及びこれに用いる減圧ｃｖｄ装置
JP2001102313A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
JP4450299B2 (ja) * 2000-06-30 2010-04-14 コバレントマテリアル株式会社 薄膜気相成長方法及び薄膜気相成長装置
JP4731755B2 (ja) * 2001-07-26 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 移載装置の制御方法および熱処理方法並びに熱処理装置
JP2004134612A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Nec Kansai Ltd 有機金属気相成長装置
DE102009010555A1 (de) * 2009-02-25 2010-09-02 Siltronic Ag Verfahren zum Erkennen einer Fehllage einer Halbleiterscheibe während einer thermischen Behandlung
JP5445508B2 (ja) * 2011-04-22 2014-03-19 信越半導体株式会社 偏心量の評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法

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