JP2014090181A5 - - Google Patents

Description

本発明の成膜装置は、
真空容器内に設けられ、基板を載置するための基板載置領域が形成されたテーブルと、
基板の表面に吸着する第１の反応ガスを前記真空容器内における第１の処理領域に供給するための第１の反応ガス供給手段と、
この第１の反応ガス供給手段に対して前記テーブルの周方向に離間した位置に設けられ、基板の表面上の第１の反応ガスの成分と反応して反応生成物を生成する第２の反応ガスを前記真空容器内における第２の処理領域に供給するための第２の反応ガス供給手段と、
この第２の反応ガス供給手段に対して前記テーブルの周方向に離間した位置に設けられ、改質ガスのプラズマ化により得られたプラズマを基板上の反応生成物の改質処理を行うために前記真空容器内におけるプラズマ処理領域に供給するプラズマ処理手段と、
前記テーブルと前記第１の反応ガス供給手段、前記第２の反応ガス供給手段及び前記プラズマ処理手段とを相対的に回転させる回転機構と、
前記第１の処理領域、前記第２の処理領域及び前記プラズマ処理領域をこの順番で前記テーブル上の前記基板が通過するように前記回転機構を駆動する成膜−改質ステップと、成膜処理を停止させて、前記プラズマ処理領域を前記テーブル上の前記基板が通過するように前記回転機構を駆動する改質ステップと、をこの順番で少なくとも１回行うように制御信号を出力する制御手段と、を備えたことを特徴とする。

前記制御手段は、前記成膜−改質ステップから前記改質ステップへの切替時における前記真空容器内の圧力変動を抑えるために、これらの各ステップ間における第２の反応ガスの供給量を揃えるように制御信号を出力しても良い。
また、前記改質ステップは、前記テーブル上の基板が前記プラズマ処理領域を複数回通過するように、前記テーブルに対して前記第１の反応ガス供給手段、前記第２の反応ガス供給手段及び前記プラズマ処理手段を相対的に複数回回転させるステップであっても良い。前記改質ガスは、希ガスまたはＯ2ガスの少なくとも一方である。前記改質ステップにおける改質処理は、前記成膜−改質ステップにおける改質処理よりも改質の度合いが大きい。

本発明の成膜方法は、
真空容器内に設けられたテーブルの基板載置領域に基板を載置する工程と、
次いで、前記テーブルの周方向に互いに離間して配置された第１の反応ガス供給手段、第２の反応ガス供給手段及びプラズマ処理手段に対して、回転機構を用いて前記テーブルを相対的に回転させる工程と、
前記第１の反応ガス供給手段から第１の反応ガスが供給される第１の処理領域、前記第２の反応ガス供給手段から第２の反応ガスが供給される第２の処理領域、及び前記プラズマ処理手段にて改質ガスのプラズマ化によって生成したプラズマが供給されるプラズマ処理領域をこの順番で前記テーブル上の基板が通過するように前記回転機構を駆動する成膜−改質ステップと、成膜処理を停止させて、前記プラズマ処理領域を前記テーブル上の基板が通過するように前記回転機構を駆動する改質ステップと、をこの順番で少なくとも１回行う工程と、を含むことを特徴とする。
前記成膜−改質ステップから前記改質ステップへの切替時における前記真空容器内の圧力変動を抑えるために、これらの各ステップ間における第２の反応ガスの供給量が揃っていても良い。