JP2014067743A - 撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡 - Google Patents

撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡 Download PDF

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Abstract

【課題】絶縁層の外周側面を保護することにより、絶縁層の損傷を防ぐとともに絶縁層を介した水分の浸入を防止することで耐湿性を向上させることによって、信頼性の高い撮像装置を提供する。
【解決手段】受光部3と周辺回路部4とが第1の面2iに形成された基板2と、第1の面2i上に積層された、複数の金属層6と絶縁層5とを有する多層配線層7と、多層配線層7上に位置する透光性カバー10と、透光性カバー10における面10tの周部から基板2側に枠状を有して延出された、延出端10zeが基板2の第1の面2iにおける多層配線層7の非形成領域2vに水密に当接することにより、多層配線層7の外周側面5gを保護する側面封止部材10zと、を具備する。
【選択図】図2

Description

本発明は、基板上に複数の金属層と該金属層間を絶縁する絶縁層とを有する多層配線層が積層され、該多層配線層上に透光性カバーが位置する撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡に関する。
従来、CCDやCMOS等の撮像素子が設けられた撮像装置を具備する電子内視鏡や、カメラ付き携帯電話、デジタルカメラ等が周知である。
また、近年、撮像装置においては、ウエハレベルチップサイズパッケージ(以下、WL−CSPと称す)タイプのものが周知である。
WL−CSPにおいては、基板の受光部及び周辺回路部上に複数の金属層と該金属層間を絶縁する絶縁層とを有する多層配線層を有する撮像素子が複数形成されたイメージセンサウエハの多層配線層上に透光性カバーガラスウエハをウエハレベルで貼り合せ、撮像素子毎にイメージセンサウエハを貫通する貫通配線をそれぞれ形成し、各貫通配線におけるイメージセンサウエハの透光性カバーガラスウエハが貼着される面とは反対の面に引き出された部位に他の装置との接続電極を撮像素子毎に形成した後、ダイシング等によって撮像素子毎にそれぞれのチップに分離することによって、複数の撮像装置のパッケージングを完成させる技術が知られている。
このようなWL−CSPによる撮像装置の構成及び製造方法は、例えば特許文献1に開示されている。
従来より、配線層となる複数の金属層に、配線の微細化や信号の高速化を図るため、従来から用いられているAlではなく、Cuを用いることにより配線の抵抗を減らす構成が周知である。
また、近年、さらなる微細化・狭ピッチ化の進展にともない、複数の金属層間に生じる寄生容量による配線遅延を防ぐため、絶縁層に従来から用いられている酸化シリコン系の膜、具体的には、Tetraethyl orthosilicate(TEOS)−CVD膜や、Spin−On Dielectrics(SOD)膜等に代えて、より比誘電率の低い低誘電率絶縁膜、所謂「Low−k絶縁膜」と称される膜の採用が進んでいる。
特開2010−219402号公報
しかしながら、特許文献1に開示された撮像装置の構成においては、絶縁層の外周側面が露出された構成を有しているため、絶縁層を介して撮像装置内に水分が浸入し、金属層が腐食しやすくなってしまうといった問題があった。
尚、以上の問題は、絶縁層にLow−k絶縁膜を用いる場合において、特に顕著である。Low−k絶縁膜は、絶縁膜同士の密着性および金属層との密着性が低い材料であったり、多孔質材料であったり空隙部を有する構造であったりするため、絶縁膜を介して水分が浸入しやすく、水分が浸入してしまうと、金属層が腐食しやすくなってしまうばかりか、Low−k絶縁膜の誘電率が変化してしまったり、Low−k絶縁膜が剥離してしまう等の問題が生じやすくなってしまうおそれがあった。
さらに、Low−k絶縁膜は、機械的強度が弱いことから、Low−k絶縁膜が露出されていると、製造・実装工程におけるハンドリングを慎重に行わなければならず、取扱いが煩雑になってしまうといった問題もあった。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、絶縁層の外周側面を保護することにより、絶縁層の損傷を防ぐとともに絶縁層を介した水分の浸入を防止することで耐湿性を向上させることによって、信頼性の高い撮像装置、該撮像装置を具備する内視鏡を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため本発明の一態様における撮像装置は、受光部と周辺回路部とが主面に形成された基板と、前記基板の前記主面上に積層された、前記受光部及び周辺回路部と電気的に接続される複数の金属層と該金属層間を絶縁する絶縁層とを有するとともに、前記主面を平面視した際、少なくとも前記受光部及び前記周辺回路部を覆う大きさであって前記基板よりも外形が小さく形成された多層配線層と、前記多層配線層上に位置する、該多層配線層よりも外形が大きく形成されているとともに、前記基板の外形と同じ大きさまたは前記基板の外形よりも小さく形成された透光性カバーと、前記透光性カバーにおける前記多層配線層に対向する面の周部から前記基板側に枠状を有して延出され、延出端が前記基板の前記主面における前記多層配線層の非形成領域に水密に当接することにより、前記多層配線層の外周側面を保護する側面封止部材と、を具備する。
また、本発明の一態様における内視鏡は、受光部と周辺回路部とが主面に形成された基板と、前記基板の前記主面上に積層された、前記受光部及び周辺回路部と電気的に接続される複数の金属層と該金属層間を絶縁する絶縁層とを有するとともに、前記主面を平面視した際、少なくとも前記受光部及び前記周辺回路部を覆う大きさであって前記基板よりも外形が小さく形成された多層配線層と、前記多層配線層上に位置する、該多層配線層よりも外形が大きく形成されているとともに、前記基板の外形と同じ大きさまたは前記基板の外形よりも小さく形成された透光性カバーと、前記透光性カバーにおける前記多層配線層に対向する面の周部から前記基板側に枠状を有して延出され、延出端が前記基板の前記主面における前記多層配線層の非形成領域に水密に当接することにより、前記多層配線層の外周側面を保護する側面封止部材と、を具備する撮像装置、を備える。
本発明によれば、絶縁層の外周側面を保護することにより、絶縁層の損傷を防ぐとともに絶縁層を介した水分の浸入を防止することで耐湿性を向上させることによって、信頼性の高い撮像装置、該撮像装置を具備する内視鏡を提供することができる。
第1実施の形態の撮像装置の構成を概略的に示す平面図 図1中のII−II線に沿う撮像装置の断面図 撮像素子毎に受光部及び周辺回路部が形成されたイメージセンサウエハを示す断面図 図3のイメージセンサウエハの絶縁層において、撮像素子毎に金属層よりも外側の領域を除去した状態を示す断面図 図4のイメージセンサウエハの主面及び多層配線層上に、側面封止部材が一体的に形成された透光性カバーガラスウエハを貼着した状態を示す断面図 図5のイメージセンサウエハに、撮像素子毎に貫通孔を形成した状態を示す断面図 図6のイメージウエハに形成された貫通孔に貫通配線が形成され、貫通配線に裏面電極が電気的に接続された状態を示す断面図 図7のイメージセンサウエハに透光性カバーガラスウエハが貼着されたものが分断され、個々の撮像装置が形成される状態を示す断面図 図2の多層配線層と、透光性カバーとの間に間隙を設けた変形例を示す断面図 第2実施の形態の撮像装置の構成を概略的に示す断面図 図10の多層配線層と透光性カバーとを接着する接着剤中に、間隙を設けた変形例を示す断面図
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、図面は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、それぞれの部材の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
(第1実施の形態)
図1は、本実施の形態の撮像装置の構成を概略的に示す平面図、図2は、図1中のII−II線に沿う撮像装置の断面図である。
図1、図2に示すように、撮像装置1は、基板2と多層配線層7とから主要部が構成された撮像素子15を具備している。
基板2には、主面である第1の面2iの略中央に受光部3が形成されているとともに、第1の面2iにおいて、該第1の面2iを平面視した状態において受光部3を囲む4方の周辺位置に周辺回路部4が形成されている。尚、周辺回路部4としては、シフトレジスタ、出力アンプ、A/D変換器及びメモリー回路等が挙げられ、必要に応じて4方のうち2方または3方の周辺位置に形成してもよい。
また、基板2の第1の面2i上に、多層配線層7が積層されている。図2に示すように、多層配線層7は、受光部3及び周辺回路部4と電気的に接続された複数層からなる金属層6と、該金属層6間を絶縁する絶縁層5とから構成されているとともに、図1に示すように、第1の面2iを平面視した際、少なくとも受光部3及び周辺回路部4を覆う大きさであって、かつ基板2よりも外形が小さい大きさに形成されている。
尚、金属層6を構成する材料としては、従来から用いられているAlの他、配線抵抗がAlよりも小さいCu等が挙げられる。
また、絶縁層5を構成する材料としては、従来から用いられているSiO2系の膜の他、さらに層間容量を低減させるためには上述したLow−k絶縁膜等が用いられる。このLow−k絶縁膜は、比誘電率(k)が3.9以下であり、3.0以下であるのが好ましく、2.7以下であればさらに好ましい。具体的には、フッ素ドープシリコン酸化膜(SiOF/FSG)、炭素ドープシリコン酸化膜(SiOC)、水素含有ポリシロキサン(HSQ)系、メチル含有ポリシロキサン(MSQ)系、有機系(ポリイミド系、パリレン系、テフロン(登録商標)系)等を用いたり、多孔質(ポーラス状)材料やエアギャップ(空隙)を有する形態等の絶縁膜を用いたりするのがよい。
また、多層配線層7の基板2に接する面とは反対側の面(以下、上面と称す)7iにおいては、金属層6の一部に対向する絶縁層5が除去されていることにより、金属層6の一部が電極パッド6pとして露出されている。尚、電極パッド6pは、撮像装置1と外部装置とを電気的に接続する際、用いられる。
また、基板2において、第1の面2iを平面視した際、周辺回路部4の幅方向Hの外側の領域、具体的には金属層6と重畳する領域に、基板2を高さ方向Aに貫通する貫通孔2kが形成されている。
貫通孔2kの内周面には、該貫通孔2kを介して金属層6と電気的に接続される貫通配線11が形成されている。尚、貫通配線11と基板2との間には図示しない絶縁膜が形成され、貫通配線11と基板2とは電気的に絶縁されている。貫通配線11は、基板2の第1の面2iとは反対側の第2の面2tまで引き出されており、第2の面2tまで引き出された部位に、撮像装置1を外部装置と接続するための裏面電極12が電気的に接続されている。このことにより、本構成においては、電極パッド6pは、金属層6及び貫通配線11を介して裏面電極12と電気的に接続されている。
尚、電極パッド6pから延出される配線は、貫通孔2kを介した貫通配線11に限らず、電極パッド6pに電気的に接続される後述するTAB基板55のインナーリード53(いずれも図10参照)であっても構わない。
また、多層配線層7の上面には、該多層配線層7よりも外形が大きく形成されているとともに、基板2の外形と同じ大きさまたは基板2の外形よりも小さく形成された透光性カバー10が図示しない樹脂材料、例えば接着剤を介して貼着されている。尚、透光性カバーは、無機材料、例えばガラス材料から構成されている。
さらに、透光性カバー10における多層配線層7の上面7iに対向する面10tの周部に、面10tから基板2側に凸状に延出される、透光性カバー10よりも外形が小さく形成された枠状の側面封止部材10zが固定されている。
尚、本実施の形態においては、側面封止部材10zは、透光性カバー10と一体的に形成されている。この場合、側面封止部材10zは、透光性カバー10と同じ無機材料であるガラス材料から構成されている。
しかしながら、側面封止部材10zは、透光性カバー10に接合される別体であっても構わない。この場合、側面封止部材10zは、水分が透過しない無機材料、例えばシリコン材料から構成されていれば良い。
側面封止部材10zは、延出端10zeが、基板2の第1の面2iにおける多層配線層7の非形成領域2v、即ち、多層配線層7が基板2よりも外形が小さく形成されていることにより、基板2の第1の面2iが露出された領域2vに水密的に当接されている。
尚、延出端10zeは、非形成領域2vに対して、既知の陽極接合により接合されている。勿論、延出端10zeは、非形成領域2vに接着剤を介して接着されていても構わない。
また、側面封止部材10zの内周面10zsは、多層配線層7の外周側面、即ち絶縁層5の外周側面5gに樹脂材料、例えば接着剤を介して貼着されている。尚、内周面10zsは、外周側面5gに当接及び接着されていなくても構わない。
側面封止部材10zは、延出端10zeが非形成領域2vに水密的に当接していることにより、外周側面5gを封止することで外周側面5gが露出されるのを防ぐ、即ち外周側面5gを保護することによって、多層配線層7に外部から水分が浸入するのを防ぐ部材である。
次に、上述した撮像装置1の製造方法について、図3〜図8を用いて簡単に説明する。
図3は、撮像素子毎に受光部及び周辺回路部が形成されたイメージセンサウエハを示す断面図、図4は、図3のイメージセンサウエハの絶縁層において、撮像素子毎に金属層よりも外側の領域を除去した状態を示す断面図である。
また、図5は、図4のイメージセンサウエハの第1の面及び多層配線層上に、側面封止部材が一体的に形成された透光性カバーガラスウエハを貼着した状態を示す断面図、図6は、図5のイメージセンサウエハに、撮像素子毎に貫通孔を形成した状態を示す断面図である。
さらに、図7は、図6のイメージウエハに形成された貫通孔に貫通配線が形成され、貫通配線に裏面電極が電気的に接続された状態を示す断面図、図8は、図7のイメージセンサウエハに透光性カバーガラスウエハが貼着されたものが分断され、個々の撮像装置が形成される状態を示す断面図である。
先ず、図3に示すように、シリコン等から構成されたイメージセンサウエハ200の第1の面200iに対して、撮像素子15毎に受光部3と周辺回路部4とをそれぞれ形成した後、第1の面200i上に、多層配線層7を形成する。
次いで、図4に示すように、多層配線層7の絶縁層5において、撮像素子15毎に周辺回路部4、より具体的には金属層6よりも外側の領域を周状に除去する。尚、絶縁層5の除去は、レーザーグルービングや、ダイシングブレードによるハーフカットダイシングや、エッチング等により行われる。
次いで、無機材料から構成された透光性カバーガラスウエハ100を用意した後、透光性カバーガラスウエハ100をエッチングすることにより、多層配線層7上に透光性カバーガラスウエハ100を貼着した際、図4において絶縁層5が除去された部位に嵌入し、絶縁層5が除去されることによりイメージセンサウエハ200の第1の面200iにおいて露出された部位200vに当接されるとともに、撮像素子15毎に絶縁層5の外周側面5gを保護する枠状の側面封止部材100zを形成する。
尚、側面封止部材100zを透光性カバーガラスウエハ100とは別体に形成する場合は、例えば透光性カバーガラスウエハ100に無機材料から構成されたシリコンウエハを貼着し、該シリコンウエハをパターニングすることによって、シリコンから構成された側面封止部材100zを形成しても良い。
次いで、図5に示すように、透光性カバーガラスウエハ100を、多層配線層7上に貼着するとともに、側面封止部材100zを、図4において絶縁層5が除去された部位に嵌入し、側面封止部材100zの延出端100zeを第1の面200iの部位200vに水密的に当接させるとともに、既知の陽極接合により部位200vに接合する。この接合と同時に、側面封止部材100zの内周面100zsも、絶縁層5の外周側面5gに接着剤を介して貼着する。
尚、上述したように、側面封止部材100zが、透光性カバーガラスウエハ100と別体の場合は、延出端100zeは、部位200vに対して接着剤により貼着する。
その後、図6に示すように、イメージセンサウエハ200において、撮像素子15毎に、第1の面200iを平面視した際、周辺回路部4の幅方向Hの外側の領域、具体的には金属層6と重畳する領域に、イメージセンサウエハ200を高さ方向Aに貫通する貫通孔200kを形成する。
次いで、図7に示すように、貫通孔200k及びイメージセンサウエハ200の第2の面200tに貫通配線11を形成し、第2の面200tに位置する貫通配線11の部位に、金属層6、貫通配線11を介して電極パッド6pと電気的に接続される裏面電極12を形成する。尚、貫通配線11と基板2との間には図示しない絶縁膜が形成され、貫通配線11と基板2とは電気的に絶縁されている。
最後に、例えばダイシングにより図7の構造体を、イメージセンサウエハ200及び透光性カバーガラスウエハ100の端面以外における側面封止部材100zが形成された位置で分割することにより、図8に示すように、複数の撮像装置1が形成される。
このように、本実施の形態においては、多層配線層7が基板2よりも外形が小さく形成されており、このことにより基板2の第1の面2iに形成された多層配線層7の非形成領域2vに、側面封止部材10zの延出端10zeが水密的に当接されることにより、基板2の多層配線層7における絶縁層5の外周側面5gは、水分が透過しない無機材料から構成された側面封止部材10zによって封止されて保護されていると示した。
このことによれば、絶縁層5の外周側面5gは、水分が透過しない無機材料から構成された側面封止部材10zによって保護されていることから、絶縁層5が外部に露出されてしまうことが無いため、製造工程において取り扱いが容易になる他、内部に外部から水分が浸入してしまうことがないため金属層6の腐食を防ぐことができる。
尚、以上の効果は、絶縁層5がLow−k絶縁膜から構成されている場合において特に有効であり、絶縁層5の剥離や絶縁層5の誘電率の変化をより効果的に防ぐことができる。
以上から、絶縁層5の外周側面5gを保護することにより、絶縁層5の損傷を防ぐとともに絶縁層5を介した水分の浸入を防止することによって耐湿性を向上させることにより信頼性の高い撮像装置1、内視鏡を提供することができる。
尚、以下、変形例を、図9を用いて示す。図9は、図2の多層配線層と、透光性カバーとの間に間隙を設けた変形例を示す断面図である。
上述した本実施の形態においては、透光性カバー10の面10tは、多層配線層7の上面7iに接着されていると示した。
これに限らず、図9に示すように、側面封止部材10zの高さ方向Aの高さを、多層配線層7よりも高くすることにより、多層配線層7の上面7iと透光性カバー10の面10tとの間にキャビティとも呼ばれる間隙が形成されていても構わない。間隙を設けることにより、受光部上に形成されたマイクロレンズの集光効果を高め、撮像素子の感度を向上させることができる。
(第2実施の形態)
図10は、本実施の形態の撮像装置の構成を概略的に示す断面図である。
この第2実施の形態の撮像装置の構成は、上述した図2に示した第1実施の形態の撮像装置と比して、側面封止部材が樹脂材料から構成されている点が異なる。
よって、これらの相違点のみを説明し、第1実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
図10に示すように、本実施の形態の撮像装置1’においては、側面封止部材50zは、多層配線層7の上面7i全面に対し、透光性カバー40の面40tを接着する樹脂材料から構成された接着剤50と同一材料から構成されている。
側面封止部材50zは、上述した側面封止部材10zと同様に、基板2の第1の面2iにおける多層配線層7の非形成領域2v、即ち、多層配線層7が基板2よりも外形が小さく形成されていることにより、延出端50zeが、基板2の第1の面2iが露出された領域2vに水密的に当接されていることにより、絶縁層5の外周側面5gを封止することによって、外周側面5gが露出されるのを防ぐ、即ち外周側面5gを保護することにより、多層配線層7に外部から水分が浸入するのを防ぐ部材を構成している。
尚、接着剤50を構成する樹脂としては、フッ素系樹脂等の低透湿性材料が挙げられる。また、側面封止部材50zは、接着剤50と別体に形成されていても構わない。即ち、接着剤50とは異なる低透湿性材料から構成された樹脂材料によって形成されていても構わない。
また、本実施の形態の撮像素子15’においては、電極パッド6pには、撮像素子15’の外周側面に沿って位置するTAB(Tape Automated Bonding)基板55から延出するとともに中途位置が略90°折り曲げられたインナーリード53の先端が電気的に接続されている。このことにより、TAB基板55を介して撮像装置1’は外部装置と電気的に接続自在となっている。
尚、本実施の形態においても、上述した第1実施形態のように、貫通配線11を用いて撮像装置1’を外部装置と電気的に接続する構成を有していても構わない。
尚、その他の撮像装置1’の構成は、上述した第1実施の形態の撮像装置1の構成と同じである。
次に、上述した撮像装置1’の製造方法について簡単に説明する。
先ず、上述した図3に示すように、シリコン等から構成されたイメージセンサウエハ200の第1の面200iに対して、撮像素子15毎に受光部3と周辺回路部4とをそれぞれ形成した後、第1の面200i上に、多層配線層7を形成する。
次いで、上述した図4に示すように、多層配線層7の絶縁層5において、撮像素子15毎に金属層6よりも外側の領域を周状に除去する。
その後、本実施の形態においては、イメージセンサウエハ200を、該イメージセンサウエハ200の端面以外における多層配線層7の非形成領域において、例えばダイシングによって分割することにより、複数の撮像素子15’を形成する。
次いで、各撮像素子15’の電極パッド6pに、TAB基板55から延出されたインナーリード53の先端を電気的にそれぞれ接続した後、インナーリード53を折り曲げて、TAB基板55を、撮像素子15’の外周側面に沿って位置させる。
その後、接着剤50を介して、多層配線層7の上面7iに透光性カバー40の面40tを貼着する。
この際、接着剤50は流動し、図4において絶縁層5が除去された部位に流れ込む。最後に、接着剤50を硬化させると、図4において絶縁層5が除去された部位に流れ込んだ接着剤50の部位が側面封止部材50zとなり、延出端50zeが、基板2の第1の面2iが露出された領域2vに水密的に当接されていることにより、絶縁層5の外周側面5gを封止することによって外周側面5gが保護される。
このように、側面封止部材50zに対し、多層配線層7の上面に透光性カバー40の面40tを貼着する接着剤50や、接着剤50とは異なる樹脂材料を用いたとしても、上述した第1実施の形態と同様の効果を得ることができる。
さらには、樹脂材料の流動性を利用して、インナーリード53を撮像装置1’に埋め込むことができることから、インナーリードを強固に固定することができる。
尚、以下、変形例を、図11を用いて示す。図11は、図10の多層配線層と透光性カバーとを接着する接着剤中に、間隙を設けた変形例を示す断面図である。
上述した本実施の形態においては、多層配線層7の上面7i全面に透光性カバー40の面40tが接着剤を介して貼着されていると示した。
これに限らず、図11に示すように、多層配線層7の上面7iにおいて、少なくとも一部、具体的には、受光部3との非重畳領域7aのみに塗布された接着剤50を介して、多層配線層7の上面7iと透光性カバー40の面40tとが貼着され、多層配線層7における受光部3と重畳する領域7bと透光性カバー40との間に、キャビティとも呼ばれる間隙が形成されていても構わない。間隙を設けることにより、受光部上に形成されたマイクロレンズの集光効果を高め、撮像素子の感度を向上させることができる。
尚、上述した第1〜第2実施の形態に示した撮像装置は、例えば医療用または工業用の内視鏡に設けられる他、医療用のカプセル内視鏡に設けられていても構わないし、内視鏡に限らず、カメラ付き携帯電話や、デジタルカメラに適用しても良いことは云うまでもない。
1…撮像装置
1’…撮像装置
2…基板
2i…基板の第1の面
2v…基板の第1の面の多層配線層の非形成領域
3…受光部
4…周辺回路部
5…絶縁層
5g…絶縁層の外周側面
6…金属層
7…多層配線層
7a…多層配線層の受光部との非重畳領域
7b…多層配線層の受光部と重畳する領域
10…透光性カバー
10t…透光性カバーの多層配線層に対向する面
10z…側面封止部材
10ze…側面封止部材の延出端
25…間隙
40…透光性カバー
40t…透光性カバーの多層配線層に対向する面
50…接着剤
50z…側面封止部材
50ze…側面封止部材の延出端

Claims (10)

  1. 受光部と周辺回路部とが主面に形成された基板と、
    前記基板の前記主面上に積層された、前記受光部及び周辺回路部と電気的に接続される複数の金属層と該金属層間を絶縁する絶縁層とを有するとともに、前記主面を平面視した際、少なくとも前記受光部及び前記周辺回路部を覆う大きさであって前記基板よりも外形が小さく形成された多層配線層と、
    前記多層配線層上に位置する、該多層配線層よりも外形が大きく形成されているとともに、前記基板の外形と同じ大きさまたは前記基板の外形よりも小さく形成された透光性カバーと、
    前記透光性カバーにおける前記多層配線層に対向する面の周部から前記基板側に枠状を有して延出され、延出端が前記基板の前記主面における前記多層配線層の非形成領域に水密に当接することにより、前記多層配線層の外周側面を保護する側面封止部材と、
    を具備することを特徴とする撮像装置。
  2. 前記透光性カバーは、前記多層配線層上の少なくとも一部に塗布された接着剤を介して前記多層配線層上に貼着されているか、前記多層配線層上から離間して位置しているかのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記側面封止部材は、無機材料から構成されていることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。
  4. 前記透光性カバーは、前記無機材料から構成されており、
    前記側面封止部材は、前記透光性カバーと一体的に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。
  5. 前記側面封止部材は、樹脂材料から構成されていることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。
  6. 前記透光性カバーは、前記樹脂材料から構成された前記接着剤を介して前記多層配線層上に貼着されており、
    前記側面封止部材は、前記接着剤と同一材料から構成されていることを特徴とする請求項5に記載の撮像装置。
  7. 前記透光性カバーは、前記多層配線層から離間して位置しており、
    前記多層配線層と前記透光性カバーとの間に、間隙が形成されていることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の撮像装置。
  8. 前記接着剤が前記多層配線層上において、前記受光部との非重畳領域に塗布されていることによって前記透光性カバーが前記多層配線層上に貼着されており、
    前記多層配線層における前記受光部と重畳する領域と前記透光性カバーとの間に、間隙が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の撮像装置。
  9. 前記絶縁層は、Low−k絶縁膜から構成されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の撮像装置。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の撮像装置を備える内視鏡。
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