JP2014067743A - 撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡 - Google Patents
撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014067743A JP2014067743A JP2012209817A JP2012209817A JP2014067743A JP 2014067743 A JP2014067743 A JP 2014067743A JP 2012209817 A JP2012209817 A JP 2012209817A JP 2012209817 A JP2012209817 A JP 2012209817A JP 2014067743 A JP2014067743 A JP 2014067743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer wiring
- wiring layer
- substrate
- translucent cover
- sealing member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 43
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 133
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B1/00—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor
- A61B1/04—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor combined with photographic or television appliances
- A61B1/05—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor combined with photographic or television appliances characterised by the image sensor, e.g. camera, being in the distal end portion
- A61B1/051—Details of CCD assembly
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Surgery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Pathology (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Endoscopes (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Abstract
【課題】絶縁層の外周側面を保護することにより、絶縁層の損傷を防ぐとともに絶縁層を介した水分の浸入を防止することで耐湿性を向上させることによって、信頼性の高い撮像装置を提供する。
【解決手段】受光部３と周辺回路部４とが第１の面２ｉに形成された基板２と、第１の面２ｉ上に積層された、複数の金属層６と絶縁層５とを有する多層配線層７と、多層配線層７上に位置する透光性カバー１０と、透光性カバー１０における面１０ｔの周部から基板２側に枠状を有して延出された、延出端１０ｚｅが基板２の第１の面２ｉにおける多層配線層７の非形成領域２ｖに水密に当接することにより、多層配線層７の外周側面５ｇを保護する側面封止部材１０ｚと、を具備する。
【選択図】図２
【解決手段】受光部３と周辺回路部４とが第１の面２ｉに形成された基板２と、第１の面２ｉ上に積層された、複数の金属層６と絶縁層５とを有する多層配線層７と、多層配線層７上に位置する透光性カバー１０と、透光性カバー１０における面１０ｔの周部から基板２側に枠状を有して延出された、延出端１０ｚｅが基板２の第１の面２ｉにおける多層配線層７の非形成領域２ｖに水密に当接することにより、多層配線層７の外周側面５ｇを保護する側面封止部材１０ｚと、を具備する。
【選択図】図２
Description
本発明は、基板上に複数の金属層と該金属層間を絶縁する絶縁層とを有する多層配線層が積層され、該多層配線層上に透光性カバーが位置する撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡に関する。
従来、ＣＣＤやＣＭＯＳ等の撮像素子が設けられた撮像装置を具備する電子内視鏡や、カメラ付き携帯電話、デジタルカメラ等が周知である。
また、近年、撮像装置においては、ウエハレベルチップサイズパッケージ（以下、ＷＬ−ＣＳＰと称す）タイプのものが周知である。
ＷＬ−ＣＳＰにおいては、基板の受光部及び周辺回路部上に複数の金属層と該金属層間を絶縁する絶縁層とを有する多層配線層を有する撮像素子が複数形成されたイメージセンサウエハの多層配線層上に透光性カバーガラスウエハをウエハレベルで貼り合せ、撮像素子毎にイメージセンサウエハを貫通する貫通配線をそれぞれ形成し、各貫通配線におけるイメージセンサウエハの透光性カバーガラスウエハが貼着される面とは反対の面に引き出された部位に他の装置との接続電極を撮像素子毎に形成した後、ダイシング等によって撮像素子毎にそれぞれのチップに分離することによって、複数の撮像装置のパッケージングを完成させる技術が知られている。
このようなＷＬ−ＣＳＰによる撮像装置の構成及び製造方法は、例えば特許文献１に開示されている。
従来より、配線層となる複数の金属層に、配線の微細化や信号の高速化を図るため、従来から用いられているＡｌではなく、Ｃｕを用いることにより配線の抵抗を減らす構成が周知である。
また、近年、さらなる微細化・狭ピッチ化の進展にともない、複数の金属層間に生じる寄生容量による配線遅延を防ぐため、絶縁層に従来から用いられている酸化シリコン系の膜、具体的には、Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ（ＴＥＯＳ）−ＣＶＤ膜や、Ｓｐｉｎ−Ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ（ＳＯＤ）膜等に代えて、より比誘電率の低い低誘電率絶縁膜、所謂「Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜」と称される膜の採用が進んでいる。
しかしながら、特許文献１に開示された撮像装置の構成においては、絶縁層の外周側面が露出された構成を有しているため、絶縁層を介して撮像装置内に水分が浸入し、金属層が腐食しやすくなってしまうといった問題があった。
尚、以上の問題は、絶縁層にＬｏｗ−ｋ絶縁膜を用いる場合において、特に顕著である。Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜は、絶縁膜同士の密着性および金属層との密着性が低い材料であったり、多孔質材料であったり空隙部を有する構造であったりするため、絶縁膜を介して水分が浸入しやすく、水分が浸入してしまうと、金属層が腐食しやすくなってしまうばかりか、Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜の誘電率が変化してしまったり、Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜が剥離してしまう等の問題が生じやすくなってしまうおそれがあった。
さらに、Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜は、機械的強度が弱いことから、Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜が露出されていると、製造・実装工程におけるハンドリングを慎重に行わなければならず、取扱いが煩雑になってしまうといった問題もあった。
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、絶縁層の外周側面を保護することにより、絶縁層の損傷を防ぐとともに絶縁層を介した水分の浸入を防止することで耐湿性を向上させることによって、信頼性の高い撮像装置、該撮像装置を具備する内視鏡を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため本発明の一態様における撮像装置は、受光部と周辺回路部とが主面に形成された基板と、前記基板の前記主面上に積層された、前記受光部及び周辺回路部と電気的に接続される複数の金属層と該金属層間を絶縁する絶縁層とを有するとともに、前記主面を平面視した際、少なくとも前記受光部及び前記周辺回路部を覆う大きさであって前記基板よりも外形が小さく形成された多層配線層と、前記多層配線層上に位置する、該多層配線層よりも外形が大きく形成されているとともに、前記基板の外形と同じ大きさまたは前記基板の外形よりも小さく形成された透光性カバーと、前記透光性カバーにおける前記多層配線層に対向する面の周部から前記基板側に枠状を有して延出され、延出端が前記基板の前記主面における前記多層配線層の非形成領域に水密に当接することにより、前記多層配線層の外周側面を保護する側面封止部材と、を具備する。
また、本発明の一態様における内視鏡は、受光部と周辺回路部とが主面に形成された基板と、前記基板の前記主面上に積層された、前記受光部及び周辺回路部と電気的に接続される複数の金属層と該金属層間を絶縁する絶縁層とを有するとともに、前記主面を平面視した際、少なくとも前記受光部及び前記周辺回路部を覆う大きさであって前記基板よりも外形が小さく形成された多層配線層と、前記多層配線層上に位置する、該多層配線層よりも外形が大きく形成されているとともに、前記基板の外形と同じ大きさまたは前記基板の外形よりも小さく形成された透光性カバーと、前記透光性カバーにおける前記多層配線層に対向する面の周部から前記基板側に枠状を有して延出され、延出端が前記基板の前記主面における前記多層配線層の非形成領域に水密に当接することにより、前記多層配線層の外周側面を保護する側面封止部材と、を具備する撮像装置、を備える。
本発明によれば、絶縁層の外周側面を保護することにより、絶縁層の損傷を防ぐとともに絶縁層を介した水分の浸入を防止することで耐湿性を向上させることによって、信頼性の高い撮像装置、該撮像装置を具備する内視鏡を提供することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、図面は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、それぞれの部材の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
（第１実施の形態）
図１は、本実施の形態の撮像装置の構成を概略的に示す平面図、図２は、図１中のII−II線に沿う撮像装置の断面図である。
図１、図２に示すように、撮像装置１は、基板２と多層配線層７とから主要部が構成された撮像素子１５を具備している。
図１は、本実施の形態の撮像装置の構成を概略的に示す平面図、図２は、図１中のII−II線に沿う撮像装置の断面図である。
図１、図２に示すように、撮像装置１は、基板２と多層配線層７とから主要部が構成された撮像素子１５を具備している。
基板２には、主面である第１の面２ｉの略中央に受光部３が形成されているとともに、第１の面２ｉにおいて、該第１の面２ｉを平面視した状態において受光部３を囲む４方の周辺位置に周辺回路部４が形成されている。尚、周辺回路部４としては、シフトレジスタ、出力アンプ、Ａ／Ｄ変換器及びメモリー回路等が挙げられ、必要に応じて４方のうち２方または３方の周辺位置に形成してもよい。
また、基板２の第１の面２ｉ上に、多層配線層７が積層されている。図２に示すように、多層配線層７は、受光部３及び周辺回路部４と電気的に接続された複数層からなる金属層６と、該金属層６間を絶縁する絶縁層５とから構成されているとともに、図１に示すように、第１の面２ｉを平面視した際、少なくとも受光部３及び周辺回路部４を覆う大きさであって、かつ基板２よりも外形が小さい大きさに形成されている。
尚、金属層６を構成する材料としては、従来から用いられているＡｌの他、配線抵抗がＡｌよりも小さいＣｕ等が挙げられる。
また、絶縁層５を構成する材料としては、従来から用いられているＳｉＯ２系の膜の他、さらに層間容量を低減させるためには上述したＬｏｗ−ｋ絶縁膜等が用いられる。このＬｏｗ−ｋ絶縁膜は、比誘電率（ｋ）が３．９以下であり、３．０以下であるのが好ましく、２．７以下であればさらに好ましい。具体的には、フッ素ドープシリコン酸化膜（ＳｉＯＦ／ＦＳＧ）、炭素ドープシリコン酸化膜（ＳｉＯＣ）、水素含有ポリシロキサン（ＨＳＱ）系、メチル含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系、有機系（ポリイミド系、パリレン系、テフロン（登録商標）系）等を用いたり、多孔質（ポーラス状）材料やエアギャップ（空隙）を有する形態等の絶縁膜を用いたりするのがよい。
また、多層配線層７の基板２に接する面とは反対側の面（以下、上面と称す）７ｉにおいては、金属層６の一部に対向する絶縁層５が除去されていることにより、金属層６の一部が電極パッド６ｐとして露出されている。尚、電極パッド６ｐは、撮像装置１と外部装置とを電気的に接続する際、用いられる。
また、基板２において、第１の面２ｉを平面視した際、周辺回路部４の幅方向Ｈの外側の領域、具体的には金属層６と重畳する領域に、基板２を高さ方向Ａに貫通する貫通孔２ｋが形成されている。
貫通孔２ｋの内周面には、該貫通孔２ｋを介して金属層６と電気的に接続される貫通配線１１が形成されている。尚、貫通配線１１と基板２との間には図示しない絶縁膜が形成され、貫通配線１１と基板２とは電気的に絶縁されている。貫通配線１１は、基板２の第１の面２ｉとは反対側の第２の面２ｔまで引き出されており、第２の面２ｔまで引き出された部位に、撮像装置１を外部装置と接続するための裏面電極１２が電気的に接続されている。このことにより、本構成においては、電極パッド６ｐは、金属層６及び貫通配線１１を介して裏面電極１２と電気的に接続されている。
尚、電極パッド６ｐから延出される配線は、貫通孔２ｋを介した貫通配線１１に限らず、電極パッド６ｐに電気的に接続される後述するＴＡＢ基板５５のインナーリード５３（いずれも図１０参照）であっても構わない。
また、多層配線層７の上面には、該多層配線層７よりも外形が大きく形成されているとともに、基板２の外形と同じ大きさまたは基板２の外形よりも小さく形成された透光性カバー１０が図示しない樹脂材料、例えば接着剤を介して貼着されている。尚、透光性カバーは、無機材料、例えばガラス材料から構成されている。
さらに、透光性カバー１０における多層配線層７の上面７ｉに対向する面１０ｔの周部に、面１０ｔから基板２側に凸状に延出される、透光性カバー１０よりも外形が小さく形成された枠状の側面封止部材１０ｚが固定されている。
尚、本実施の形態においては、側面封止部材１０ｚは、透光性カバー１０と一体的に形成されている。この場合、側面封止部材１０ｚは、透光性カバー１０と同じ無機材料であるガラス材料から構成されている。
しかしながら、側面封止部材１０ｚは、透光性カバー１０に接合される別体であっても構わない。この場合、側面封止部材１０ｚは、水分が透過しない無機材料、例えばシリコン材料から構成されていれば良い。
側面封止部材１０ｚは、延出端１０ｚｅが、基板２の第１の面２ｉにおける多層配線層７の非形成領域２ｖ、即ち、多層配線層７が基板２よりも外形が小さく形成されていることにより、基板２の第１の面２ｉが露出された領域２ｖに水密的に当接されている。
尚、延出端１０ｚｅは、非形成領域２ｖに対して、既知の陽極接合により接合されている。勿論、延出端１０ｚｅは、非形成領域２ｖに接着剤を介して接着されていても構わない。
また、側面封止部材１０ｚの内周面１０ｚｓは、多層配線層７の外周側面、即ち絶縁層５の外周側面５ｇに樹脂材料、例えば接着剤を介して貼着されている。尚、内周面１０ｚｓは、外周側面５ｇに当接及び接着されていなくても構わない。
側面封止部材１０ｚは、延出端１０ｚｅが非形成領域２ｖに水密的に当接していることにより、外周側面５ｇを封止することで外周側面５ｇが露出されるのを防ぐ、即ち外周側面５ｇを保護することによって、多層配線層７に外部から水分が浸入するのを防ぐ部材である。
次に、上述した撮像装置１の製造方法について、図３〜図８を用いて簡単に説明する。
図３は、撮像素子毎に受光部及び周辺回路部が形成されたイメージセンサウエハを示す断面図、図４は、図３のイメージセンサウエハの絶縁層において、撮像素子毎に金属層よりも外側の領域を除去した状態を示す断面図である。
また、図５は、図４のイメージセンサウエハの第１の面及び多層配線層上に、側面封止部材が一体的に形成された透光性カバーガラスウエハを貼着した状態を示す断面図、図６は、図５のイメージセンサウエハに、撮像素子毎に貫通孔を形成した状態を示す断面図である。
さらに、図７は、図６のイメージウエハに形成された貫通孔に貫通配線が形成され、貫通配線に裏面電極が電気的に接続された状態を示す断面図、図８は、図７のイメージセンサウエハに透光性カバーガラスウエハが貼着されたものが分断され、個々の撮像装置が形成される状態を示す断面図である。
先ず、図３に示すように、シリコン等から構成されたイメージセンサウエハ２００の第１の面２００ｉに対して、撮像素子１５毎に受光部３と周辺回路部４とをそれぞれ形成した後、第１の面２００ｉ上に、多層配線層７を形成する。
次いで、図４に示すように、多層配線層７の絶縁層５において、撮像素子１５毎に周辺回路部４、より具体的には金属層６よりも外側の領域を周状に除去する。尚、絶縁層５の除去は、レーザーグルービングや、ダイシングブレードによるハーフカットダイシングや、エッチング等により行われる。
次いで、無機材料から構成された透光性カバーガラスウエハ１００を用意した後、透光性カバーガラスウエハ１００をエッチングすることにより、多層配線層７上に透光性カバーガラスウエハ１００を貼着した際、図４において絶縁層５が除去された部位に嵌入し、絶縁層５が除去されることによりイメージセンサウエハ２００の第１の面２００ｉにおいて露出された部位２００ｖに当接されるとともに、撮像素子１５毎に絶縁層５の外周側面５ｇを保護する枠状の側面封止部材１００ｚを形成する。
尚、側面封止部材１００ｚを透光性カバーガラスウエハ１００とは別体に形成する場合は、例えば透光性カバーガラスウエハ１００に無機材料から構成されたシリコンウエハを貼着し、該シリコンウエハをパターニングすることによって、シリコンから構成された側面封止部材１００ｚを形成しても良い。
次いで、図５に示すように、透光性カバーガラスウエハ１００を、多層配線層７上に貼着するとともに、側面封止部材１００ｚを、図４において絶縁層５が除去された部位に嵌入し、側面封止部材１００ｚの延出端１００ｚｅを第１の面２００ｉの部位２００ｖに水密的に当接させるとともに、既知の陽極接合により部位２００ｖに接合する。この接合と同時に、側面封止部材１００ｚの内周面１００ｚｓも、絶縁層５の外周側面５ｇに接着剤を介して貼着する。
尚、上述したように、側面封止部材１００ｚが、透光性カバーガラスウエハ１００と別体の場合は、延出端１００ｚｅは、部位２００ｖに対して接着剤により貼着する。
その後、図６に示すように、イメージセンサウエハ２００において、撮像素子１５毎に、第１の面２００ｉを平面視した際、周辺回路部４の幅方向Ｈの外側の領域、具体的には金属層６と重畳する領域に、イメージセンサウエハ２００を高さ方向Ａに貫通する貫通孔２００ｋを形成する。
次いで、図７に示すように、貫通孔２００ｋ及びイメージセンサウエハ２００の第２の面２００ｔに貫通配線１１を形成し、第２の面２００ｔに位置する貫通配線１１の部位に、金属層６、貫通配線１１を介して電極パッド６ｐと電気的に接続される裏面電極１２を形成する。尚、貫通配線１１と基板２との間には図示しない絶縁膜が形成され、貫通配線１１と基板２とは電気的に絶縁されている。
最後に、例えばダイシングにより図７の構造体を、イメージセンサウエハ２００及び透光性カバーガラスウエハ１００の端面以外における側面封止部材１００ｚが形成された位置で分割することにより、図８に示すように、複数の撮像装置１が形成される。
このように、本実施の形態においては、多層配線層７が基板２よりも外形が小さく形成されており、このことにより基板２の第１の面２ｉに形成された多層配線層７の非形成領域２ｖに、側面封止部材１０ｚの延出端１０ｚｅが水密的に当接されることにより、基板２の多層配線層７における絶縁層５の外周側面５ｇは、水分が透過しない無機材料から構成された側面封止部材１０ｚによって封止されて保護されていると示した。
このことによれば、絶縁層５の外周側面５ｇは、水分が透過しない無機材料から構成された側面封止部材１０ｚによって保護されていることから、絶縁層５が外部に露出されてしまうことが無いため、製造工程において取り扱いが容易になる他、内部に外部から水分が浸入してしまうことがないため金属層６の腐食を防ぐことができる。
尚、以上の効果は、絶縁層５がＬｏｗ−ｋ絶縁膜から構成されている場合において特に有効であり、絶縁層５の剥離や絶縁層５の誘電率の変化をより効果的に防ぐことができる。
以上から、絶縁層５の外周側面５ｇを保護することにより、絶縁層５の損傷を防ぐとともに絶縁層５を介した水分の浸入を防止することによって耐湿性を向上させることにより信頼性の高い撮像装置１、内視鏡を提供することができる。
尚、以下、変形例を、図９を用いて示す。図９は、図２の多層配線層と、透光性カバーとの間に間隙を設けた変形例を示す断面図である。
上述した本実施の形態においては、透光性カバー１０の面１０ｔは、多層配線層７の上面７ｉに接着されていると示した。
これに限らず、図９に示すように、側面封止部材１０ｚの高さ方向Ａの高さを、多層配線層７よりも高くすることにより、多層配線層７の上面７ｉと透光性カバー１０の面１０ｔとの間にキャビティとも呼ばれる間隙が形成されていても構わない。間隙を設けることにより、受光部上に形成されたマイクロレンズの集光効果を高め、撮像素子の感度を向上させることができる。
（第２実施の形態）
図１０は、本実施の形態の撮像装置の構成を概略的に示す断面図である。
図１０は、本実施の形態の撮像装置の構成を概略的に示す断面図である。
この第２実施の形態の撮像装置の構成は、上述した図２に示した第１実施の形態の撮像装置と比して、側面封止部材が樹脂材料から構成されている点が異なる。
よって、これらの相違点のみを説明し、第１実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
図１０に示すように、本実施の形態の撮像装置１’においては、側面封止部材５０ｚは、多層配線層７の上面７ｉ全面に対し、透光性カバー４０の面４０ｔを接着する樹脂材料から構成された接着剤５０と同一材料から構成されている。
側面封止部材５０ｚは、上述した側面封止部材１０ｚと同様に、基板２の第１の面２ｉにおける多層配線層７の非形成領域２ｖ、即ち、多層配線層７が基板２よりも外形が小さく形成されていることにより、延出端５０ｚｅが、基板２の第１の面２ｉが露出された領域２ｖに水密的に当接されていることにより、絶縁層５の外周側面５ｇを封止することによって、外周側面５ｇが露出されるのを防ぐ、即ち外周側面５ｇを保護することにより、多層配線層７に外部から水分が浸入するのを防ぐ部材を構成している。
尚、接着剤５０を構成する樹脂としては、フッ素系樹脂等の低透湿性材料が挙げられる。また、側面封止部材５０ｚは、接着剤５０と別体に形成されていても構わない。即ち、接着剤５０とは異なる低透湿性材料から構成された樹脂材料によって形成されていても構わない。
また、本実施の形態の撮像素子１５’においては、電極パッド６ｐには、撮像素子１５’の外周側面に沿って位置するＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板５５から延出するとともに中途位置が略９０°折り曲げられたインナーリード５３の先端が電気的に接続されている。このことにより、ＴＡＢ基板５５を介して撮像装置１’は外部装置と電気的に接続自在となっている。
尚、本実施の形態においても、上述した第１実施形態のように、貫通配線１１を用いて撮像装置１’を外部装置と電気的に接続する構成を有していても構わない。
尚、その他の撮像装置１’の構成は、上述した第１実施の形態の撮像装置１の構成と同じである。
次に、上述した撮像装置１’の製造方法について簡単に説明する。
先ず、上述した図３に示すように、シリコン等から構成されたイメージセンサウエハ２００の第１の面２００ｉに対して、撮像素子１５毎に受光部３と周辺回路部４とをそれぞれ形成した後、第１の面２００ｉ上に、多層配線層７を形成する。
次いで、上述した図４に示すように、多層配線層７の絶縁層５において、撮像素子１５毎に金属層６よりも外側の領域を周状に除去する。
その後、本実施の形態においては、イメージセンサウエハ２００を、該イメージセンサウエハ２００の端面以外における多層配線層７の非形成領域において、例えばダイシングによって分割することにより、複数の撮像素子１５’を形成する。
次いで、各撮像素子１５’の電極パッド６ｐに、ＴＡＢ基板５５から延出されたインナーリード５３の先端を電気的にそれぞれ接続した後、インナーリード５３を折り曲げて、ＴＡＢ基板５５を、撮像素子１５’の外周側面に沿って位置させる。
その後、接着剤５０を介して、多層配線層７の上面７ｉに透光性カバー４０の面４０ｔを貼着する。
この際、接着剤５０は流動し、図４において絶縁層５が除去された部位に流れ込む。最後に、接着剤５０を硬化させると、図４において絶縁層５が除去された部位に流れ込んだ接着剤５０の部位が側面封止部材５０ｚとなり、延出端５０ｚｅが、基板２の第１の面２ｉが露出された領域２ｖに水密的に当接されていることにより、絶縁層５の外周側面５ｇを封止することによって外周側面５ｇが保護される。
このように、側面封止部材５０ｚに対し、多層配線層７の上面に透光性カバー４０の面４０ｔを貼着する接着剤５０や、接着剤５０とは異なる樹脂材料を用いたとしても、上述した第１実施の形態と同様の効果を得ることができる。
さらには、樹脂材料の流動性を利用して、インナーリード５３を撮像装置１’に埋め込むことができることから、インナーリードを強固に固定することができる。
尚、以下、変形例を、図１１を用いて示す。図１１は、図１０の多層配線層と透光性カバーとを接着する接着剤中に、間隙を設けた変形例を示す断面図である。
上述した本実施の形態においては、多層配線層７の上面７ｉ全面に透光性カバー４０の面４０ｔが接着剤を介して貼着されていると示した。
これに限らず、図１１に示すように、多層配線層７の上面７ｉにおいて、少なくとも一部、具体的には、受光部３との非重畳領域７ａのみに塗布された接着剤５０を介して、多層配線層７の上面７ｉと透光性カバー４０の面４０ｔとが貼着され、多層配線層７における受光部３と重畳する領域７ｂと透光性カバー４０との間に、キャビティとも呼ばれる間隙が形成されていても構わない。間隙を設けることにより、受光部上に形成されたマイクロレンズの集光効果を高め、撮像素子の感度を向上させることができる。
尚、上述した第１〜第２実施の形態に示した撮像装置は、例えば医療用または工業用の内視鏡に設けられる他、医療用のカプセル内視鏡に設けられていても構わないし、内視鏡に限らず、カメラ付き携帯電話や、デジタルカメラに適用しても良いことは云うまでもない。
１…撮像装置
１’…撮像装置
２…基板
２ｉ…基板の第１の面
２ｖ…基板の第１の面の多層配線層の非形成領域
３…受光部
４…周辺回路部
５…絶縁層
５ｇ…絶縁層の外周側面
６…金属層
７…多層配線層
７ａ…多層配線層の受光部との非重畳領域
７ｂ…多層配線層の受光部と重畳する領域
１０…透光性カバー
１０ｔ…透光性カバーの多層配線層に対向する面
１０ｚ…側面封止部材
１０ｚｅ…側面封止部材の延出端
２５…間隙
４０…透光性カバー
４０ｔ…透光性カバーの多層配線層に対向する面
５０…接着剤
５０ｚ…側面封止部材
５０ｚｅ…側面封止部材の延出端
１’…撮像装置
２…基板
２ｉ…基板の第１の面
２ｖ…基板の第１の面の多層配線層の非形成領域
３…受光部
４…周辺回路部
５…絶縁層
５ｇ…絶縁層の外周側面
６…金属層
７…多層配線層
７ａ…多層配線層の受光部との非重畳領域
７ｂ…多層配線層の受光部と重畳する領域
１０…透光性カバー
１０ｔ…透光性カバーの多層配線層に対向する面
１０ｚ…側面封止部材
１０ｚｅ…側面封止部材の延出端
２５…間隙
４０…透光性カバー
４０ｔ…透光性カバーの多層配線層に対向する面
５０…接着剤
５０ｚ…側面封止部材
５０ｚｅ…側面封止部材の延出端
Claims (10)
- 受光部と周辺回路部とが主面に形成された基板と、
前記基板の前記主面上に積層された、前記受光部及び周辺回路部と電気的に接続される複数の金属層と該金属層間を絶縁する絶縁層とを有するとともに、前記主面を平面視した際、少なくとも前記受光部及び前記周辺回路部を覆う大きさであって前記基板よりも外形が小さく形成された多層配線層と、
前記多層配線層上に位置する、該多層配線層よりも外形が大きく形成されているとともに、前記基板の外形と同じ大きさまたは前記基板の外形よりも小さく形成された透光性カバーと、
前記透光性カバーにおける前記多層配線層に対向する面の周部から前記基板側に枠状を有して延出され、延出端が前記基板の前記主面における前記多層配線層の非形成領域に水密に当接することにより、前記多層配線層の外周側面を保護する側面封止部材と、
を具備することを特徴とする撮像装置。 - 前記透光性カバーは、前記多層配線層上の少なくとも一部に塗布された接着剤を介して前記多層配線層上に貼着されているか、前記多層配線層上から離間して位置しているかのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
- 前記側面封止部材は、無機材料から構成されていることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
- 前記透光性カバーは、前記無機材料から構成されており、
前記側面封止部材は、前記透光性カバーと一体的に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。 - 前記側面封止部材は、樹脂材料から構成されていることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
- 前記透光性カバーは、前記樹脂材料から構成された前記接着剤を介して前記多層配線層上に貼着されており、
前記側面封止部材は、前記接着剤と同一材料から構成されていることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。 - 前記透光性カバーは、前記多層配線層から離間して位置しており、
前記多層配線層と前記透光性カバーとの間に、間隙が形成されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の撮像装置。 - 前記接着剤が前記多層配線層上において、前記受光部との非重畳領域に塗布されていることによって前記透光性カバーが前記多層配線層上に貼着されており、
前記多層配線層における前記受光部と重畳する領域と前記透光性カバーとの間に、間隙が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。 - 前記絶縁層は、Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜から構成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の撮像装置。
- 請求項１〜９のいずれか１項に記載の撮像装置を備える内視鏡。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012209817A JP6146976B2 (ja) | 2012-09-24 | 2012-09-24 | 撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡 |
| CN201380049376.5A CN104684456B (zh) | 2012-09-24 | 2013-05-13 | 摄像装置及具有该摄像装置的内窥镜 |
| EP13838843.4A EP2899758A4 (en) | 2012-09-24 | 2013-05-13 | IMAGING DEVICE AND ENDOSCOPE WITH IMAGING DEVICE |
| PCT/JP2013/063301 WO2014045633A1 (ja) | 2012-09-24 | 2013-05-13 | 撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡 |
| US14/666,699 US9820637B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-03-24 | Image pickup apparatus and endoscope including image pickup apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012209817A JP6146976B2 (ja) | 2012-09-24 | 2012-09-24 | 撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014067743A true JP2014067743A (ja) | 2014-04-17 |
| JP6146976B2 JP6146976B2 (ja) | 2017-06-14 |
Family
ID=50340965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012209817A Active JP6146976B2 (ja) | 2012-09-24 | 2012-09-24 | 撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9820637B2 (ja) |
| EP (1) | EP2899758A4 (ja) |
| JP (1) | JP6146976B2 (ja) |
| CN (1) | CN104684456B (ja) |
| WO (1) | WO2014045633A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017014072A1 (ja) * | 2015-07-23 | 2017-01-26 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2017120848A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 株式会社ニコン | 基板、撮像ユニットおよび撮像装置 |
| JPWO2016117124A1 (ja) * | 2015-01-23 | 2017-11-02 | オリンパス株式会社 | 撮像装置および内視鏡 |
| JP2018074163A (ja) * | 2016-11-03 | 2018-05-10 | オプティツ インコーポレイテッド | スクリーン下のセンサ組立体 |
| US10213096B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-02-26 | Olympus Corporation | Image pickup apparatus and endoscope |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107205625B (zh) * | 2015-01-15 | 2019-08-16 | 奥林巴斯株式会社 | 内窥镜和摄像装置 |
| DE102016213522B4 (de) | 2016-07-22 | 2023-10-12 | Vitesco Technologies GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Ansteuerung eines Piezoaktors eines Einspritzventils eines Kraftfahrzeugs |
| CN109378296B (zh) * | 2018-10-11 | 2020-12-01 | 深圳市修颐投资发展合伙企业（有限合伙） | 电子零件与基板互连方法 |
| CN113439331A (zh) * | 2019-01-16 | 2021-09-24 | 凸版印刷株式会社 | 封装用基板及其制造方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007288024A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Dainippon Printing Co Ltd | センサーチップおよびその製造方法 |
| JP2007335830A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-12-27 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2008023827A1 (fr) * | 2006-08-25 | 2008-02-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
| JP2008526022A (ja) * | 2004-12-23 | 2008-07-17 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | Ｃｕ配線を有するＣＭＯＳイメージャ及びそれから高反射性界面を除去する方法 |
| US20080191334A1 (en) * | 2007-02-12 | 2008-08-14 | Visera Technologies Company Limited | Glass dam structures for imaging devices chip scale package |
| JP2009064839A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Panasonic Corp | 光学デバイス及びその製造方法 |
| JP2009206496A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-09-10 | Panasonic Corp | 半導体チップ及び半導体装置 |
| JP2009206253A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Zycube:Kk | 半導体装置 |
| JP2010098066A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Olympus Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法 |
| JP2012015470A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Olympus Corp | 撮像装置および撮像装置の製造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986693A (en) * | 1997-10-06 | 1999-11-16 | Adair; Edwin L. | Reduced area imaging devices incorporated within surgical instruments |
| JP3787765B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2006-06-21 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US6949808B2 (en) * | 2001-11-30 | 2005-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof |
| US6885107B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Flip-chip image sensor packages and methods of fabrication |
| JP2005005488A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体モジュールおよびそれらの製造方法 |
| US7193257B2 (en) * | 2004-01-29 | 2007-03-20 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Solid state image sensing device and manufacturing and driving methods thereof |
| US7642711B2 (en) * | 2004-07-06 | 2010-01-05 | Fujifilm Corporation | Functional layer having wiring connected to electrode and barrier metal between electrode and wiring |
| US7645635B2 (en) * | 2004-08-16 | 2010-01-12 | Micron Technology, Inc. | Frame structure and semiconductor attach process for use therewith for fabrication of image sensor packages and the like, and resulting packages |
| US8368096B2 (en) | 2005-01-04 | 2013-02-05 | Aac Technologies Japan R&D Center Co., Ltd. | Solid state image pick-up device and method for manufacturing the same with increased structural integrity |
| JP2007123351A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置 |
| JP2009010261A (ja) | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
| KR20090025818A (ko) * | 2007-09-07 | 2009-03-11 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
| US20090189233A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Cmos image sensor and method for manufacturing same |
| JP4956465B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2012-06-20 | 株式会社テラミクロス | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010219402A (ja) | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Sharp Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP4987928B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2012-08-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-09-24 JP JP2012209817A patent/JP6146976B2/ja active Active
-
2013
- 2013-05-13 CN CN201380049376.5A patent/CN104684456B/zh active Active
- 2013-05-13 EP EP13838843.4A patent/EP2899758A4/en not_active Ceased
- 2013-05-13 WO PCT/JP2013/063301 patent/WO2014045633A1/ja unknown
-
2015
- 2015-03-24 US US14/666,699 patent/US9820637B2/en active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008526022A (ja) * | 2004-12-23 | 2008-07-17 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | Ｃｕ配線を有するＣＭＯＳイメージャ及びそれから高反射性界面を除去する方法 |
| JP2007288024A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Dainippon Printing Co Ltd | センサーチップおよびその製造方法 |
| JP2007335830A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-12-27 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2008023827A1 (fr) * | 2006-08-25 | 2008-02-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
| US20080191334A1 (en) * | 2007-02-12 | 2008-08-14 | Visera Technologies Company Limited | Glass dam structures for imaging devices chip scale package |
| JP2009064839A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Panasonic Corp | 光学デバイス及びその製造方法 |
| JP2009206496A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-09-10 | Panasonic Corp | 半導体チップ及び半導体装置 |
| JP2009206253A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Zycube:Kk | 半導体装置 |
| JP2010098066A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Olympus Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法 |
| JP2012015470A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Olympus Corp | 撮像装置および撮像装置の製造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016117124A1 (ja) * | 2015-01-23 | 2017-11-02 | オリンパス株式会社 | 撮像装置および内視鏡 |
| US10213096B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-02-26 | Olympus Corporation | Image pickup apparatus and endoscope |
| WO2017014072A1 (ja) * | 2015-07-23 | 2017-01-26 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| CN107851651A (zh) * | 2015-07-23 | 2018-03-27 | 索尼公司 | 半导体装置、其制造方法以及电子设备 |
| JPWO2017014072A1 (ja) * | 2015-07-23 | 2018-05-10 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| US10763286B2 (en) | 2015-07-23 | 2020-09-01 | Sony Corporation | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
| CN107851651B (zh) * | 2015-07-23 | 2022-07-08 | 索尼公司 | 半导体装置、其制造方法以及电子设备 |
| JP2017120848A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 株式会社ニコン | 基板、撮像ユニットおよび撮像装置 |
| JP2018074163A (ja) * | 2016-11-03 | 2018-05-10 | オプティツ インコーポレイテッド | スクリーン下のセンサ組立体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104684456B (zh) | 2017-04-12 |
| WO2014045633A1 (ja) | 2014-03-27 |
| EP2899758A4 (en) | 2016-05-04 |
| US20150190040A1 (en) | 2015-07-09 |
| JP6146976B2 (ja) | 2017-06-14 |
| US9820637B2 (en) | 2017-11-21 |
| CN104684456A (zh) | 2015-06-03 |
| EP2899758A1 (en) | 2015-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6146976B2 (ja) | 撮像装置、該撮像装置を備える内視鏡 | |
| US10056419B2 (en) | Chip package having chip connected to sensing device with redistribution layer in insulator layer | |
| JP5344336B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US7180149B2 (en) | Semiconductor package with through-hole | |
| US20180337142A1 (en) | Chip package and method for forming the same | |
| US8716109B2 (en) | Chip package and fabrication method thereof | |
| US8153458B2 (en) | Image sensing devices and methods for fabricating the same | |
| US10157875B2 (en) | Chip package and method for forming the same | |
| WO2014174994A1 (ja) | 撮像装置 | |
| JP5450295B2 (ja) | 撮像装置および撮像装置の製造方法 | |
| JP2009181981A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| US20130292786A1 (en) | Integrated optical sensor module | |
| JP2011146486A (ja) | 光学デバイスおよびその製造方法ならびに電子機器 | |
| JP2008270650A (ja) | 光学デバイスおよびその製造方法。 | |
| US20170117242A1 (en) | Chip package and method for forming the same | |
| TWI615958B (zh) | 影像傳感晶片封裝結構及封裝方法 | |
| JP6270335B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JP4942671B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN107221516A (zh) | 一种气密性影像芯片封装结构及其制作方法 | |
| CN220569663U (zh) | 芯片封装结构 | |
| TWI544592B (zh) | 封裝結構及其製法 | |
| JP4639155B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2008211225A (ja) | 半導体パッケージ | |
| EP3211672B1 (en) | Chip-scale package for an optical sensor semiconductor device with filter and method of producing a chip-scale package | |
| JP2015126187A (ja) | 半導体パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150827 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160802 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160927 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170228 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170410 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170425 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170516 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6146976 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |