JP2014059155A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014059155A5 JP2014059155A5 JP2012202723A JP2012202723A JP2014059155A5 JP 2014059155 A5 JP2014059155 A5 JP 2014059155A5 JP 2012202723 A JP2012202723 A JP 2012202723A JP 2012202723 A JP2012202723 A JP 2012202723A JP 2014059155 A5 JP2014059155 A5 JP 2014059155A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- charge blocking
- blocking layer
- substrate
- generating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N Cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking Effects 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Description
本発明は上述の課題を解決するために次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係る放射線検出器の製造方法は、基板上に電荷阻止層を生成する電荷阻止層生成工程と、電荷阻止層とヘテロ接合するとともに塩素がドープされた多結晶膜で構成されるＣｄＴｅ層を基板上の電荷阻止層を覆うように生成するＣｄＴｅ層生成工程と、ＣｄＴｅ層がＮ型の半導体の物性を有するようになる温度と時間でＣｄＴｅ層が生成された基板を熱処理する熱処理工程とを備えることを特徴とするものである。
すなわち、本発明に係る放射線検出器の製造方法は、基板上に電荷阻止層を生成する電荷阻止層生成工程と、電荷阻止層とヘテロ接合するとともに塩素がドープされた多結晶膜で構成されるＣｄＴｅ層を基板上の電荷阻止層を覆うように生成するＣｄＴｅ層生成工程と、ＣｄＴｅ層がＮ型の半導体の物性を有するようになる温度と時間でＣｄＴｅ層が生成された基板を熱処理する熱処理工程とを備えることを特徴とするものである。
Claims (1)
- 基板上に電荷阻止層を生成する電荷阻止層生成工程と、
前記電荷阻止層とヘテロ接合するとともに塩素がドープされた多結晶膜で構成されるＣｄＴｅ層を前記基板上の前記電荷阻止層を覆うように生成するＣｄＴｅ層生成工程と、
前記ＣｄＴｅ層がＮ型の半導体の物性を有するようになる温度と時間で前記ＣｄＴｅ層が生成された前記基板を熱処理する熱処理工程とを備えることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012202723A JP6061129B2 (ja) | 2012-09-14 | 2012-09-14 | 放射線検出器の製造方法 |
| US13/784,117 US8895341B2 (en) | 2012-09-14 | 2013-03-04 | Method of manufacturing radiation detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012202723A JP6061129B2 (ja) | 2012-09-14 | 2012-09-14 | 放射線検出器の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014059155A JP2014059155A (ja) | 2014-04-03 |
| JP2014059155A5 true JP2014059155A5 (ja) | 2015-08-20 |
| JP6061129B2 JP6061129B2 (ja) | 2017-01-18 |
Family
ID=50274886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012202723A Expired - Fee Related JP6061129B2 (ja) | 2012-09-14 | 2012-09-14 | 放射線検出器の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8895341B2 (ja) |
| JP (1) | JP6061129B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101941899B1 (ko) | 2015-04-07 | 2019-01-24 | 선전 엑스펙트비전 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 반도체 x-선 검출기 |
| JP6554554B2 (ja) * | 2015-04-07 | 2019-07-31 | シェンゼン・エクスペクトビジョン・テクノロジー・カンパニー・リミテッド | 半導体ｘ線検出器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4343881A (en) * | 1981-07-06 | 1982-08-10 | Savin Corporation | Multilayer photoconductive assembly with intermediate heterojunction |
| JPH04269653A (ja) | 1991-02-25 | 1992-09-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 漏洩磁束検出装置 |
| JPH06345598A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-20 | Japan Energy Corp | 放射線検出素子用ＣｄＴｅ結晶およびその製造方法 |
| JPH09124310A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
| JP4269653B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2009-05-27 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器の製造方法 |
| CN101952966B (zh) * | 2008-02-12 | 2013-06-12 | 株式会社岛津制作所 | 放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置 |
| US20110155208A1 (en) * | 2008-06-25 | 2011-06-30 | Michael Wang | Semiconductor heterojunction photovoltaic solar cell with a charge blocking layer |
| EP2416177B1 (en) * | 2009-04-03 | 2016-06-08 | Shimadzu Corporation | Method of manufacturing radiation detector, radiation detector, and radiographic device |
| DE102010006452B4 (de) * | 2010-02-01 | 2012-01-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Strahlenwandlermaterial, Strahlenwandler, Strahlendetektor, Verwendung eines Strahlenwandlermaterials und Verfahren zur Herstellung eines Strahlenwandlermaterials |
-
2012
- 2012-09-14 JP JP2012202723A patent/JP6061129B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-04 US US13/784,117 patent/US8895341B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011100984A5 (ja) | ||
| JP2013070070A5 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JP2012253331A5 (ja) | ||
| JP2011192974A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011258939A5 (ja) | ||
| JP2011222988A5 (ja) | ||
| JP2013062495A5 (ja) | ||
| JP2015233159A5 (ja) | ||
| JP2011199272A5 (ja) | ||
| JP2013153148A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011243974A5 (ja) | ||
| JP2014063141A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013016785A5 (ja) | ||
| JP2012084860A5 (ja) | ||
| JP2012069935A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012253329A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2015053478A5 (ja) | ||
| JP2012009838A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2016208683A5 (ja) | ||
| JP2011222984A5 (ja) | ||
| JP2012216796A5 (ja) | ||
| JP2015035593A5 (ja) | ||
| JP2013062537A5 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JP2015065424A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012023350A5 (ja) |