JP2014056564A5 - - Google Patents

Claims (37)

1. 基板上に配置された遮光パターンと、
   前記遮光パターンが配置された領域内に配置され、網構造をなすように接続されたラインを含む第１単位部を含み、第１単位部は第１方向に配列された第１電極と、
   前記ベース基板の上に配置されて、前記第１単位部を露出する複数のコンタクトホールが形成されたカラーフィルタ層と、
   前記コンタクトホールを介して前記第１単位部を互いに接続するブリッジラインと、を含むことを特徴とするセンサ基板。
2. 前記遮光パターンが配置された領域内に配置されて網構造をなすように接続されたラインを含む第２単位部を含み、第２単位部は前記第１方向と交差する第２方向に配列された第２電極と、
   前記ラインから延びて前記第２単位部を接続する接続ラインと、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のセンサ基板。
3. 前記ブリッジラインは、透明導電層で形成されることを特徴とする請求項２に記載のセンサ基板。
4. 前記カラーフィルタ層上に配置され、前記コンタクトホールに対応してホールが形成されたオーバーコーティング層をさらに含み、
   前記ブリッジラインは前記コンタクトホールを介して前記第１単位部と接触して前記オーバーコーティング層上に配置されることを特徴とする請求項３に記載のセンサ基板。
5. 前記第１及び第２電極に信号を印加する複数のパッドをさらに含み、各パッドは金属層で形成されたパッド電極及び透明導電層で形成されたキャッピング電極を含むことを特徴とする請求項３に記載のセンサ基板。
6. 前記ブリッジラインは金属層及び透明導電層を含むことを特徴とする請求項２に記載のセンサ基板。
7. 前記ブリッジラインは、前記コンタクトホールを介して前記第１単位部と接触して前記カラーフィルタ層上に配置されることを特徴とする請求項６に記載のセンサ基板。
8. 前記カラーフィルタ層は、
   前記遮光パターンによって定義された画素領域に島状に配置されたカラーパターンと、
   前記第１単位部の離隔領域に配置されて前記カラーパターンより薄い厚さを有するダミーカラーパターンと、を含むことを特徴とする請求項６に記載のセンサ基板。
9. 前記ブリッジラインは、前記コンタクトホールを介して前記第１単位部と接触して前記ダミーカラーパターン上に配置されることを特徴とする請求項８に記載のセンサ基板。
10. 前記カラーフィルタ層及び前記ブリッジライン上に配置されたオーバーコーティング層をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のセンサ基板。
11. 前記第１及び第２電極に信号を印加する複数のパッドをさらに含み、各パッドは、
    第１金属層及び第２金属層で形成されたパッド電極と、
    前記パッド電極を覆って、透明導電層で形成されたキャッピング電極と、
    前記キャッピング電極の上部を部分的に露出するホールが形成されたオーバーコーティングパターンを含むことを特徴とする請求項１０に記載のセンサ基板。
12. 基板上に配置された遮光パターンと、
    前記遮光パターンが配置された領域内に配置され、網構造をなすように接続された第１ラインを含む第１単位部を含み、複数の第１単位部が第１方向に配列された第１電極と、
    前記第１電極を覆うように前記基板上に配置された絶縁層と、
    前記絶縁層上に配置され、前記遮光パターンが配置された領域内に配置され、網構造をなすように接続された第２ラインを含む第２単位部を含み、第２単位ブイ前記第１方向と交差する第２方向に配列された第２電極と、
    前記第２電極の上に配置されたカラーフィルタ層と、
    前記カラーフィルタ層上に配置されたオーバーコーティング層と、を含むことを特徴とするセンサ基板。
13. 前記第１及び第２電極に信号を印加する複数のパッドをさらに含み、各パッドは、
    金属層で形成されたパッド電極と、
    前記パッド電極の上部を部分的に露出するホールが形成されたオーバーコーティングパターンと、を含むことを特徴とする請求項１２に記載のセンサ基板。
14. 基板上に遮光パターンを形成する段階と、
    前記遮光パターンが形成された領域内に配置され、網構造をなすように接続された第１ラインを含む第１単位部を含み、複数の第１単位部が第１方向に配列された第１電極を形成する段階と、
    前記第１単位部を露出する複数のコンタクトホールが形成されたカラーフィルタ層を形成する段階と、
    前記コンタクトホールを介して前記第１単位部を互いに接続するブリッジラインを形成する段階と、を含むことを特徴とするセンサ基板の製造方法。
15. 前記第１電極を形成する段階は、
    前記遮光パターンが形成された領域内に配置されて網構造をなすように接続された第２ラインを含む第２単位部を含み、複数の第２単位部が前記第１方向と交差する第２方向に配列された第２電極を形成する段階を含み、
    前記第２単位部は、前記第２方向に延びた前記第２ラインによって互いに接続されることを特徴とする請求項１４に記載のセンサ基板の製造方法。
16. 前記ブリッジラインは、透明導電層で形成されることを特徴とする請求項１５に記載のセンサ基板の製造方法。
17. 前記カラーフィルタ層上に前記コンタクトホールに対応してホールが形成されたオーバーコーティング層を形成する段階をさらに含み、
    前記ブリッジラインは、前記ホールと前記コンタクトホールを介して前記第１単位部と接触して前記オーバーコーティング層上に形成されることを特徴とする請求項１６に記載のセンサ基板の製造方法。
18. 前記第１及び第２電極に信号を印加する複数のパッドを形成する段階をさらに含み、
    各パッドは、金属層で形成されたパッド電極及び前記パッド電極を覆って透明導電層で形成されたキャッピング電極を含むことを特徴とする請求項１６に記載のセンサ基板の製造方法。
19. 前記ブリッジラインは、金属層及び透明導電層を含むことを特徴とする請求項１５に記載のセンサ基板の製造方法。
20. 前記ブリッジラインは、前記コンタクトホールを介して前記第１単位部と接触して前記カラーフィルタ層上に形成されることを特徴とする請求項１９に記載のセンサ基板の製造方法。
21. 前記カラーフィルタ層を形成する段階は、
    前記遮光パターンによって定義された画素領域に島状に配置されたカラーパターンを形成する段階と、
    前記第１単位部の離隔領域に配置され、前記カラーパターンより薄い厚さを有するダミーカラーパターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１９に記載のセンサ基板の製造方法。
22. 前記ブリッジラインは、
    前記コンタクトホールを介して前記第１単位部と接触して前記ダミーカラーパターン上に形成されることを特徴とする請求項２１に記載のセンサ基板の製造方法。
23. 前記カラーフィルタ層及び前記ブリッジラインが形成された基板上にオーバーコーティング層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載のセンサ基板の製造方法。
24. 前記第１及び第２電極に信号を印加する複数のパッドを形成する段階をさらに含み、
    各パッドは第１金属層及び第２金属層で形成されたパッド電極、前記パッド電極を覆い、透明導電層で形成されたキャッピング電極及び前記キャッピング電極の上部を部分的に露出するホールが形成されたオーバーコーティングパターンを含むことを特徴とする請求項２３に記載のセンサ基板の製造方法。
25. 基板上に配置された遮光パターンを形成する段階と、
    前記遮光パターンが形成された領域内に配置され、網構造をなすように接続された第１ラインを含む第１単位部を含み、複数の第１単位部が第１方向に配列された第１電極を形成する段階と、
    前記第１電極が形成された前記基板上に絶縁層を形成する段階と、
    前記遮光パターンが形成された領域内に配置され、網構造をなすように接続された第２ラインを含む第２単位部を含み、複数の第２単位部が前記第１方向と交差する第２方向に配列された第２電極を形成する段階と、
    前記第２電極上にカラーフィルタ層を形成する段階と、
    前記カラーフィルタ層上に配置されたオーバーコーティング層を形成する段階と、を含むことを特徴とするセンサ基板の製造方法。
26. 前記第１及び第２電極に信号を印加する複数のパッドを形成する段階をさらに含み、
    各パッドは金属層で形成されたパッド電極、及び前記パッド電極の上部を部分的に露出するホールが形成されたオーバーコーティングパターンを含むことを特徴とする請求項２５に記載のセンサ基板の製造方法。
27. 第１基板上に配置された遮光パターン、前記遮光パターンが配置された領域内に配置されたラインが網構造をなすように接続された第１単位部を含み、複数の第１単位部が第１方向に配列された第１電極、前記第１単位部を露出する複数のコンタクトホールが形成されたカラーフィルタ層及び前記コンタクトホールを介して前記第１単位部を互いに接続するブリッジラインを含むセンサ基板と、
    前記第１基板と対向する第２基板上に配置された複数のスイッチング素子、前記スイッチング素子と接続された複数の画素電極及び少なくとも一つの画素電極と重なった共通電極を含む表示基板を含むことを特徴とするセンシング表示パネル。
28. 前記センサ基板は、
    前記遮光パターンが配置された領域内に配置されたラインが網構造をなすように接続された第２単位部を含み、複数の第２単位部が前記第１方向と交差する第２方向に配列された第２電極と、
    前記ラインから延びて前記第２単位部を互いに接続する接続ラインと、をさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載のセンシング表示パネル。
29. 前記ブリッジラインは、透明導電層で形成されることを特徴とする請求項２８に記載のセンシング表示パネル。
30. 前記センサ基板は、前記カラーフィルタ層上に配置され、前記コンタクトホールに対応してホールが形成されたオーバーコーティング層をさらに含み、
    前記ブリッジラインは、前記コンタクトホールを介して前記第１単位部と接触して前記オーバーコーティング層上に配置されることを特徴とする請求項２９に記載のセンシング表示パネル。
31. 前記センサ基板は、前記第１及び第２電極に信号を印加する複数のパッドをさらに含み、各パッドは金属層で形成されたパッド電極及び透明導電層で形成されたキャッピング電極を含むことを特徴とする請求項２９に記載のセンシング表示パネル。
32. 前記ブリッジラインは、金属層及び透明導電層を含むことを特徴とする請求項２８に記載のセンシング表示パネル。
33. 前記ブリッジラインは前記コンタクトホールを介して前記第１単位部と接触して前記カラーフィルタ層上に配置されることを特徴とする請求項３２に記載のセンシング表示パネル。
34. 前記カラーフィルタ層は、
    前記遮光パターンによって定義された画素領域に島状に配置されたカラーパターンと、
    前記第１単位部の離隔領域に配置され、前記カラーパターンより薄い厚さを有するダミーカラーパターンと、を含むことを特徴とする請求項３２に記載のセンシング表示パネル。
35. 前記ブリッジラインは、前記コンタクトホールを介して前記第１単位部と接触して前記ダミーカラーパターン上に配置されることを特徴とする請求項３４に記載のセンシング表示パネル。
36. 前記センサ基板は、前記カラーフィルタ層及び前記ブリッジライン上に配置されたオーバーコーティング層をさらに含むことを特徴とする請求項３２に記載のセンシング表示パネル。
37. 前記センサ基板は、前記第１及び第２電極に信号を印加する複数のパッドをさらに含み、各パッドは、
    第１金属層及び第２金属層で形成されたパッド電極と、
    前記パッド電極を覆って、透明導電層で形成されたキャッピング電極と、
    前記キャッピング電極の上部を部分的に露出するホールが形成されたオーバーコーティングパターンと、を含むことを特徴とする請求項３６に記載のセンシング表示パネル。