CN107393998B - 一种可调吸收频率的量子阱红外探测器及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种可调吸收频率的量子阱红外探测器及其制作方法，所述可调吸收频率的量子阱红外探测器从下往上依次包括衬底、金属支撑层、量子阱单元、压电材料层，还包括上电极、下电极和压电电极，位于衬底上方的金属支撑层内部为凹槽，且与所述量子阱单元形成微桥谐振腔，所述压电材料层位于量子阱单元的上方，所述上电极和下电极连接量子阱单元的最上层和最下层，且在电极与量子阱单元接触区域通过离子注入方式形成欧姆接触层，所述压电电极连接压电材料层。本发明提供的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器含有压电材料层，通过调节压电材料层的电压，改变量子阱单元的能带结构和微桥谐振腔的高度，从而调节入射光的吸收频率。

Description

一种可调吸收频率的量子阱红外探测器及其制作方法
技术领域
本发明涉及红外探测器领域，具体涉及一种可调吸收频率的量子阱红外探测器及其制作方法。
背景技术
传统带间光吸收指电子吸收光子后，从价带跃迁到导带，从而产生一个光生电子空穴对，这些光生载流子在外加偏压的作用下，被收集形成光电流，这是传统基于带间吸收半导体光电探测器的基本原理。这种吸收要求光子的能量大于材料的禁带宽度，而对于红外光来讲，红外光波长长，相对应的能量小，需要材料具有很小的禁带宽度才能发生这种光吸收，因此，在基于传统带间吸收的红外探测器的制作过程中，材料的选择收到很大的限制，一般只能选用HgCdTe材料，但是中Hg-Te键比较脆弱，导致红外探测器的制作不容易。
量子阱红外探测器通过量子阱结构与掺杂的设计，在量子阱内形成特定的子能级，利用量子阱导带(或价带)内子能带间或子能带到扩展态间的电子(或空穴)跃迁。这样在红外光的作用下，可以发生量子阱内子能级之间或者子能级到连续态之间的跃迁，这些受激发的载流子在偏压作用下被收集形成光电流。因此，量子阱红外探测器具有稳定性好、响应速度快、抗辐射和易制作大面积焦平面阵列等优点。
传统的量子阱红外探测器中量子阱单元直接生长在衬底上，当入射光入射到量子阱单元后，一部分入射光被吸收，经过量子阱吸收之后剩余的入射光在量子阱单元的最下层和衬底交接的地方会发生透射和反射，其中，反射光被反射回量子阱单元中进行再次吸收，而透射光从量子阱单元进入衬底中被消耗掉。因为透射光在传统的量子阱探测器中占据了一定的比例，所以导致传统的量子阱红外探测器吸收效率低下。同时，传统的量子阱探测器因为量子阱单元结构固定，只能针对固定波长段的红外光进行探测，在应用过程中具有很大的限制性，不能通过调节其结构实现多种红外光的吸收。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可调吸收频率的量子阱红外探测器及其制作方法，该量子阱红外探测器含有压电材料层，通过调节压电材料层的电压，改变量子阱单元的能带结构和微桥谐振腔的高度，从而调节入射光的吸收频率。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，从下往上依次包括衬底、金属支撑层、量子阱单元、压电材料层，还包括上电极、下电极和压电电极，位于衬底上方的金属支撑层内部为凹槽，且内部凹槽与所述量子阱单元形成微桥谐振腔，位于所述微桥谐振腔上方的量子阱单元为红外光入射区域，所述压电材料层位于量子阱单元的上方，所述上电极连接量子阱单元的最上层，所述下电极连接量子阱单元的最下层，所述压电电极连接压电材料层。
进一步地，所述上电极和压电电极为环形结构。
进一步地，所述上电极与量子阱单元最上层连接区域通过离子注入工艺形成上电极欧姆接触层，所述下电极与量子阱单元最下层连接区域通过离子注入工艺形成下电极欧姆接触层。
进一步地，所述量子阱单元为GaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于GaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为GaAs层。
进一步地，所述量子阱单元为InGaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于InGaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为InGaAs层。
进一步地，所述量子阱单元为Si层和SixGe1-x层交替形成，其中，SixGe1-x层的厚度小于Si层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为Si层。
进一步地，所述上电极、下电极和压电电极为Pt和/或Al。
本发明提供的一种制作可调吸收频率的量子阱红外探测器的方法，具体步骤如下：
S01：在临时衬底上方采用外延生长法生长量子阱单元；
S02：在量子阱单元上方沉积牺牲层，在牺牲层边缘图形化并填充金属支撑层，在牺牲层的上方再沉积金属支撑层；
S03：去除牺牲层，在金属支撑层内部形成凹槽，且内部凹槽与量子阱单元形成微桥谐振腔；
S04：将金属支撑层键合在衬底上，并去除临时衬底；
S05：在量子阱单元的另一侧沉积压电材料层，
S06：在量子阱单元的最上层制作上电极，在量子阱单元的最下层制作下电极，在压电材料层上制作压电电极。
进一步地，其特征在于，所述牺牲层为聚酰亚胺层或者氧化硅层。
本发明的有益效果为：本发明的红外探测器中含有微桥谐振腔，且形成微桥谐振腔的金属支撑层可以作为反射层，使得入射到量子阱单元中的入射光不会透出量子阱单元，大大提高了光吸收率；本发明的红外探测中还包括压电材料层，通过调节压电材料层的电压，可以改变微桥谐振腔的高度，同时改变量子阱单元中的能带结构，从而调节入射光的吸收频率。
附图说明
图1为一种可调吸收频率的量子阱红外探测器的剖面示意图。
图2-图4为一种可调吸收频率的量子阱红外探测器在制作过程中的剖面示意图。
图中：1衬底，11临时衬底，2金属支撑层，21牺牲层，22微桥谐振腔，3量子阱单元，31上电极，32下电极，33压电电极，4压电材料层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的具体实施方式做进一步的详细说明。
一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其中，可调吸收频率的量子阱红外探测器从下往上依次包括衬底1、金属支撑层2、量子阱单元3、压电材料层4，还包括上电极31、下电极和32压电电极33，位于衬底1上方的金属支撑层2内部为凹槽，且内部凹槽与量子阱单元形成微桥谐振腔22，位于微桥谐振腔22上方的量子阱单元3为红外光入射区域，压电材料层4位于量子阱单元3的上方，上电极31连接量子阱单元的最上层，下电极32连接量子阱单元的最下层，压电电极33连接压电材料层。
其中，金属支撑层内部为凹槽，四周为金属支撑层，形成碗状结构，且开口一侧连接量子阱单元，形成微桥谐振腔，位于微桥谐振腔上方的量子阱单元对应红外光的入射区域。当红外光入射时，谐振腔的高度为入射光波长的1/4，当入射光进入量子阱单元之后，经过量子阱单元吸收之后的光传输到量子阱单元和谐振腔的交界处，其中，透射光透射出量子阱单元并进入谐振腔中，透射光进过谐振腔到达金属支撑层，金属支撑层同时作为反射层，将透射光全部反射回量子阱单元，因此，透射光在谐振腔中的传输轨迹刚好为两个谐振腔的高度，即1/2入射光的波长，经过谐振腔的透射光和没有经过谐振腔的透射光之间刚好相差半个波长，且振动情况完全相反，因此，被反射层反射回来的透射光被抵消掉，在量子阱单元和谐振腔交界处的入射光不会发生透射消耗，全部被反射回量子阱单元中重新吸收，提高了量子阱红外探测器的光吸收率。
其中，采用外延法生长量子阱过程中，量子阱单元可以为GaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于GaAs层的厚度，且量子阱单元的最上层和最下层均为GaAs层，也可以为InGaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于InGaAs层的厚度，且量子阱单元的最上层和最下层均为InGaAs层，还可以为Si层和SixGe1-x层交替形成，其中，SixGe1-x层的厚度小于Si层的厚度，且量子阱单元的最上层和最下层均为Si层。
其中，量子阱单元的一侧为压电材料，另一侧为微桥谐振腔，微桥谐振腔为空腔，而形成微桥谐振腔的金属支撑层仅在边缘位置与量子阱单元连接，因此，当压电材料层上施加电压时，电压通过压电材料层转为压力，因为压电材料层与量子阱单元的接触面积大，压强较小，不会使得量子阱单元发生形变，只能改变量子阱单元中的能带结构。而通过量子阱单元传递到金属支撑层的时候，因为金属支撑层与量子阱单元的接触面积小，压强较大，该压强使得金属支撑层接触到量子阱单元的支撑部位发生形变，从而改变微桥谐振腔的高度。
其中，上电极连接量子阱单元的最上层，且上电极与量子阱单元最上层接触的区域通过离子注入技术形成上电极欧姆接触层，下电极连接量子阱单元的最下层，且下电极与量子阱单元最下层接触的区域通过离子注入技术形成下电极欧姆接触层，压电电极连接压电材料层，用于控制输送到压电材料层的电压值。压电电极和上电极均为环形结构，可以更加精准地测量压电材料表面的电压以及量子阱单元中的电压。上电极、下电极和压电电极为Pt和/或Al，且共享一端电连接。
当入射光通过压电材料入射到量子阱单元时，通过压电电极给到压电材料层一个电压，该电压被压电材料层转化为压力，该压力可以改变量子阱单元中的能级结构，同时，经过量子阱单元传输的压力使得金属支撑层发生形变，改变了微桥谐振腔的高度。因此，在进行红外光探测的过程中，可以通过改变压电材料层上的压力改变微桥谐振腔的高度，使得其正好等于入射光波长的1/4。而量子阱单元可以对波长在一定范围内的红外光进行吸收，还可以通过压力调整其能级结构。
本发明还提供了一种制作可调吸收频率的量子阱红外探测器的方法，具体步骤如下：
S01：如图2所示，在临时衬底11上方采用外延生长法生长量子阱单元2；量子阱单元可以为GaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于GaAs层的厚度，量子阱单元的最上层和最下层均为GaAs层，也可以为InGaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于InGaAs层的厚度，量子阱单元的最上层和最下层均为InGaAs层，还可以为Si层和SixGe1-x层交替形成，其中，SixGe1-x层的厚度小于Si层的厚度，且量子阱单元的最上层和最下层均为Si层。
S02：如图2所示，在量子阱单元3上方沉积牺牲层21，在牺牲层边缘图形化并填充金属支撑层2，在牺牲层21的上方再沉积金属支撑层2；牺牲层为聚酰亚胺或者氧化硅。
S03：去除牺牲层21，在金属支撑层内部形成凹槽，且内部凹槽与量子阱单元形成微桥谐振腔。
S04：如图3所示，将金属支撑层2键合在衬底上1，并去除临时衬底11，金属支撑层2内部凹槽和量子阱单元3之间形成微桥谐振腔22。
S05：如图4所示，在量子阱单元的另一侧沉积压电材料层4。
S06：如图4所示，在量子阱单元3的最上层制作上电极31，在量子阱单元的最下层制作下电极32，在上电极和下电极与量子阱单元接触的区域进行离子注入，形成高浓度掺杂区，从而形成欧姆接触层；在压电材料层4上制作压电电极33，压电电极和上电极均为环形结构。
以上所述仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用于限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (9)

1.一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，从下往上依次包括衬底、金属支撑层、量子阱单元、压电材料层，还包括上电极、下电极和压电电极，位于衬底上方的金属支撑层内部为凹槽，且内部凹槽与所述量子阱单元形成微桥谐振腔，所述微桥谐振腔为空腔，形成微桥谐振腔的金属支撑层仅在边缘位置与量子阱单元连接，位于所述微桥谐振腔上方的量子阱单元为红外光入射区域，所述压电材料层位于量子阱单元的上方，所述上电极连接量子阱单元的最上层，所述下电极连接量子阱单元的最下层，所述压电电极连接压电材料层。
2.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述上电极和压电电极为环形结构。
3.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述上电极与量子阱单元最上层连接区域通过离子注入工艺形成上电极欧姆接触层，所述下电极与量子阱单元最下层连接区域通过离子注入工艺形成下电极欧姆接触层。
4.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为GaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于GaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为GaAs层。
5.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为InGaAs层和AlxGa1-xAs层交替形成，其中，AlxGa1-xAs层的厚度小于InGaAs层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为InGaAs层。
6.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述量子阱单元为Si层和SixGe1-x层交替形成，其中，SixGe1-x层的厚度小于Si层的厚度，且所述量子阱单元的最上层和最下层均为Si层。
7.根据权利要求1所述的一种可调吸收频率的量子阱红外探测器，其特征在于，所述上电极、下电极和压电电极为Pt和/或Al。
8.一种制作权利要求1所述的可调吸收频率的量子阱红外探测器的方法，具体步骤如下：
S01：在临时衬底上方采用外延生长法生长量子阱单元；
S02：在量子阱单元上方沉积牺牲层，在牺牲层边缘图形化并填充金属支撑层，在牺牲层的上方再沉积金属支撑层；
S03：去除牺牲层，在金属支撑层内部形成凹槽，且内部凹槽与量子阱单元形成微桥谐振腔；
S04：将金属支撑层键合在衬底上，并去除临时衬底；
S05：在量子阱单元的另一侧沉积压电材料层，
S06：在量子阱单元的最上层制作上电极，在量子阱单元的最下层制作下电极，在压电材料层上制作压电电极。
9.根据权利要求8所述的一种制作可调吸收频率的量子阱红外探测器的方法，其特征在于，所述牺牲层为聚酰亚胺层或者氧化硅层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110164994B (zh) * 2018-03-16 2021-04-09 北京纳米能源与系统研究所 InGaN/GaN多量子阱太阳能电池
CN109455664B (zh) * 2018-09-26 2021-01-29 上海集成电路研发中心有限公司 一种微桥组件、红外探测器及其制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0702221A3 (en) * 1994-09-14 1997-05-21 Delco Electronics Corp Sensor integrated on a chip
JPH10242481A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Nippon Seiki Co Ltd 半導体圧力センサ
CN101063630A (zh) * 2007-06-01 2007-10-31 中国计量学院 一种基于微桥谐振器的红外探测器结构及制作方法
JP5516548B2 (ja) * 2011-11-01 2014-06-11 株式会社デンソー 把持用センサ及びロボットハンド駆動制御装置
KR101968929B1 (ko) * 2012-09-11 2019-04-16 삼성디스플레이 주식회사 센서 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 센싱 표시 패널

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