JP2014054760A - 導電性フィルム、タッチパネル、及び、表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】低抵抗且つ高透過率を有し、経時安定性に優れる導電性フィルムを提供する。
【解決手段】面方向リタデーション（Ｒ０）値が、＋５０ｎｍ≧Ｒ０≧−５０ｎｍを満たす熱可塑性樹脂からなる基板１１と、基板１１上に形成された銀を主成分とする透明導電層とを備える導電性フィルム１０を構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、導電性フィルム、タッチパネル、及び、表示装置に関し、特には薄型化に適する導電性フィルムと、これを備えたタッチパネル、および表示装置に関する。

テキスト、グラフィック等の情報入力が可能な入力装置としてタッチパネルが開発され、液晶表示装置、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、電子手帳などのフラットパネルディスプレイ装置の表示面に取付けられている。

タッチパネルの種類は、抵抗膜方式（Resistive）、静電容量方式（Capacitive）、電磁方式（Electro‐Magnetic）、表面弾性波方式（ＳＡＷ；Surface Acoustic Wave）及び赤外線方式（Infrared）に区分される。このような様々な方式のタッチパネルは、信号増幅の問題、解像度の差異、設計及び加工技術の難易度、光学的特性、電気的特性、機械的特性、耐環境特性、入力特性、耐久性及び経済性を考慮して、電子製品に採用されている。現在もっとも幅広い分野で用いる方式は、抵抗膜方式と静電容量方式のタッチパネルである。

一般的に、抵抗膜方式タッチパネルや静電容量方式タッチパネルの製作に用いるタッチパネル用透明導電膜は、ガラスにＩＴＯをスパッタ形成した透明導電層を用いるのが一般的であった。しかし、ガラスにＩＴＯを形成した透明導電層には低抵抗化に限界が有り、タッチ感度向上のための更なる低抵抗導電膜が望まれている。

また、近年のディスプレイの大型化やディスプレイのフレキシブル化に伴い、タッチパネルにも更なる薄膜化や軽量化、フレキシブル性が求められている。このため、ガラスのかわりに、ＰＥＴ等の透明プラスティック基板上にＩＴＯ導電膜を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
また、低抵抗、高耐久の銀薄膜を用いた透明導電性フィルムの技術が開示されている（例えば、特許文献３、特許文献４参照）。
しかし、この技術においても、透過率、抵抗値、画像視認性、経時安定性を両立することができていない。

国際公開第０４／０７０７３７号パンフレット 特開平１１−２４５３４４号公報 特開２０００−３２９９３４号公報 特開２０００−２３８１６９号公報

しかしながら、透明プラスティック基板上にＩＴＯ導電膜を形成する方法では、抵抗値、透明性の両立や、ディスプレイと組み合わせた時の視認性に課題がある。さらに、ＩＴＯ導電膜では工程での連続生産時での幅手方向の抵抗値ムラや、高い熱処理が必要なため、プラスティック基板に損傷が発生し、またロール状態での経時安定性（湿熱耐久性）が劣り、好ましくない。
また、銀薄膜を用いた透明導電性フィルムの技術においても、透過率、抵抗値、画像視認性、経時安定性を両立することができていない。

上述した問題の解決のため、本発明においては、低抵抗且つ高透過率を有し、経時安定性に優れる導電性フィルム、タッチパネル、及び、表示装置を提供するものである。

本発明の導電性フィルムは、面方向リタデーション（Ｒ０）値が、＋５０ｎｍ≧Ｒ０≧−５０ｎｍを満たす熱可塑性樹脂からなる基板と、基板上に形成された銀を主成分とする透明導電層とを備える。
本発明のタッチパネルは、上記導電性フィルムを電極として備える。
本発明の表示装置は、上記タッチパネルと、このタッチパネルに重ねて配置された表示パネルとを備える。

本発明の導電性フィルムによれば、面方向リタデーション（Ｒ０）値が＋５０ｎｍ≧Ｒ０≧−５０ｎｍを満たす熱可塑性樹脂を基板に用いることにより、透過率の高い導電性フィルムを構成することができる。また、銀を主成分とする透明導電層を用いることにより、電極形成時のアニール処理を行うことなく、低抵抗な導電性フィルムとなる。さらに、透明導電層形成時に、アニール処理が不要となるため、熱による熱可塑性樹脂への損傷を防ぐことができ、熱可塑性樹脂の面方向リタデーションに影響を与えることなく、経時安定性に優れる導電性フィルムを構成することができる。
また、この導電性フィルムを備えることにより、低抵抗且つ高透過率を有し、経時安定性に優れるタッチパネル、及び、表示装置を構成することができる。

本発明によれば、低抵抗且つ高透過率を有し、経時安定性に優れる導電性フィルム、タッチパネル、及び、表示装置を提供することができる。

実施の形態の導電性フィルムの概略構成を示す断面図である。 導電性フィルムの変形例の概略構成を示す断面図である。 導電性フィルムを用いたタッチパネルの概略構成を示す斜視図である。 タッチパネルの電極構成を示す２枚の透明電極の平面図である。 タッチパネルの電極部分の平面模式図である。 図５に示すＡ−Ａ断面に相当する断面模式図である。 タッチパネルの変形例を説明するための断面模式図である。 タッチパネルの変形例を説明するための断面模式図である。 タッチパネルの変形例を説明するための断面模式図である。 実施の形態の表示装置の構成を示す斜視図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。
１．導電性フィルム
２．導電性フィルムの変形例(中間層を設けた例)
３．タッチパネル（透明基板上に二層の透明導電層を設けた構成）
４．タッチパネルの変形例１（２枚の透明基板を用いた構成）
５．タッチパネルの変形例２（透明基板の両面に一層ずつ透明電極を設けた構成）
６．タッチパネルの変形例３（透明基板の同一平面上に２パターンの透明電極を設けた構成）
７．表示装置（タッチパネルを用いた構成）

〈１．導電性フィルム〉
以下本発明の導電性フィルムの具体的な実施の形態について説明する。
図１に、本実施の形態の導電性フィルムの概略構成図（断面図）を示す。図１に示すように、導電性フィルム１０は、基板１１上に、透明電極１２として透明導電層が設けられた構成である。

［基板］
基板１１は、例えば表示パネルの前面板を兼ねていてもよい。このような透明基板１１としては、熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルムを用いることができる。
基板１１には、面方向リタデーション（Ｒ０値）が下記式（１）を満たす熱可塑性樹脂を用いる。
＋５０ｎｍ≧Ｒ０≧−５０ｎｍ ・・・（１）
また、好ましくは、面方向リタデーション（Ｒ０値）が下記式（２）を満たす熱可塑性樹脂を用いる。
＋２０ｎｍ≧Ｒ０≧−２０ｎｍ ・・・（２）
さらに好ましくは、面方向リタデーション（Ｒ０値）が下記式（２）を満たす熱可塑性樹脂を用いる。
＋５ｎｍ≧Ｒ０≧−５ｎｍ ・・・（２）

なお、面方向リタデーション値とは、波長５９０ｎｍにおいて、基板の遅相軸方向の屈折率をｎｘ、進相軸方向の屈折率をｎｙ、基板の厚さをｄ（ｎｍ）とした場合にＲ０＝（ｎｘ−ｎｙ）・ｄ（ｎｍ）で表される値である。
基板の面内リタデーション値は自動複屈折率測定装置（王子計測機器（株）製、商品名ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ）を用いて測定することができるが、これに限定されるものではない。

面方向リタデーション（Ｒ０値）が上記式（１）を満たす熱可塑性樹脂フィルムの材料としては、例えば、セルロースジアセテート（ＤＡＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースアシレート樹脂又はそれらの誘導体、アートン（商品名ＪＳＲ社製）、アペル（商品名三井化学社製）、トパス（ポリプラスチックス社製）といった環状オレフィン系樹脂、といったノルボルネン系樹脂、ピュアエース（帝人社製）といったポリカーボネート樹脂、及び、（メタ）アクリル樹脂、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等が挙げられる。
なかでもセルロースアシレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、環状オレフィン系、ノルボルネン系樹脂が好ましい。
セルロースアシレート樹脂としては、平均アシル基置換度が２．６以上３．０以下であることが好ましい。

また、基板１１は、厚さが６０μｍ〜２０μｍであることが好ましい。基板１１は、上記熱可塑性樹脂が幅手方向、及び、搬送方向に延伸されて、上記厚さの範囲の樹脂フィルムとなることが好ましい。
また、樹脂フィルムは、幅手方向の寸法が０．３ｍ以上、長手方向の寸法が２００ｍ以上とすることができる。このため、導電性フィルムを長手方向に巻回することにより、ロール状の導電性フィルムとすることができる。

一般的に導電性フィルムの基板に適用されるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）では、面方向リタデーション（Ｒ０値）が大きく、デバイスの他の構成との間で干渉縞が発生する。この干渉縞が、導電性フィルムを備えるデバイスの視認性を悪化させている。
また、導電性フィルムは、カーナビゲーション用タッチパネルやスマートフォンやタブレットと呼ばれる携帯用画像表示機器等においても多く使用されている。こうしたタッチパネルは屋外で使用されることが多く、その表示表面が反射して視認性が低下する。このため、タッチパネル表面の反射を抑えるために、偏光フィルム等が用いられることが多い。しかし、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）では、面方向リタデーション（Ｒ０値）が大きく、偏光フィルムを通して視認したタッチパネル表面画面は色むらが生じるという問題があった。
このため、ＰＥＴ等の基板を用いた場合には、色むらを解消する目的で、λ／４波長板等の光学機能フィルムが導電性フィルムに合わせて設けられている。このような光学機能フィルムを用いることにより、デバイスの視認性を向上させている。

これに対し、面方向リタデーション（Ｒ０値）が±５０ｎｍ以下、好ましくは±２０ｎｍ以下の基板を用いた導電性フィルムでは、この導電性フィルムをデバイスに適用した場合にも、干渉縞や色むらの発生がない。このため、λ／４波長板等の光学機能フィルムを設けなくても、導電性フィルムを用いたタッチパネルや表示装置等のデバイスの視認性が向上する。

基板１１の表面には、バリア層やハードコート層があってもよい。バリア層やハードコート層としては、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜およびハイブリッド被膜は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４時間）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましい。またさらには、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１０^−５ｇ／（ｍ^２・２４時間）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

基板１１の表面は、表面活性処理により清浄化されていることが好ましい。このような表面活性処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理が挙げられる。

［透明導電層］
透明導電層１２は、光透過性を保てる程度、かつ、照射された光がプラズモン損失されない程度に極薄い金属膜である。さらに、透明導電層は、導電性を有する程度に連続した金属膜である。具体的には、波長５５０ｎｍにおける光透過率が６０％以上であることが好ましく、特に８０％以上であることが好ましく、全光線透過率が８０％以上であることが好ましい。また、膜厚が１〜３０ｎｍ、好ましくは１〜２０ｎｍであり、シート抵抗が０．０００１〜５０Ω／□、好ましくは０．０１〜４０Ω／□である。膜厚が上記範囲以下であることにより、層の吸収成分又は反射成分が低く抑えられ、光透過率が維持されるため好ましい。また、膜厚が上記範囲以上であることにより、導電性も確保される。

透明導電層は、銀又は銀を主成分とする合金を用いて構成された層であって、基板１１上に形成された層である。このような透明導電層の形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。また、透明導電層は、形成後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とする。

透明導電層が銀で構成される場合には、銀の純度が９９％以上であることが好ましい。また、銀の安定性を確保するためにパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等が添加されていてもよい。

透明導電層が銀を主成分とする合金から構成される場合には、銀の含有率が５０％以上であることが好ましい。このような合金の一例として、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）、銀金（ＡｇＡｕ）、銀アルミ（ＡｇＡｌ）、銀亜鉛（ＡｇＺｎ）、銀錫（ＡｇＳｎ）、銀白金（ＡｇＰｔ）、銀チタン（ＡｇＴｉ）、銀ビスマス（ＡｇＢｉ）等が挙げられる。

また、以上のような透明導電層は、銀又は銀を主成分とする合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。つまり、銀の層と、合金の層とが交互に複数回積層された構成であってもよく、又は異なる合金の層が複数層積層された構成であってもよい。

〈２．導電性フィルムの変形例〉
次に、導電性フィルムの変形例について説明する。
図２に変形例の導電性フィルムの概略構成図（断面図）を示す。図２に示すように、導電性フィルム１０は、基板１１上に、透明電極１２が設けられた構成である。透明電極１２は、中間層１３と、この中間層１３上に設けられた透明導電層１４とを備える。なお、図２に示す導電性フィルムの変形例は、中間層１３を備えることを除き、上述の導電性フィルムの実施形態と同様の構成である。このため、第１実施形態と同様の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。

［中間層］
中間層１３は、接着層や窒素含有層等から構成される。中間層１３は、接着層、又は、窒素含有層のいずれか一方を含んで構成されていることが好ましい。また、接着層、及び、窒素含有層の両方を含んで構成されていてもよい。また透明導電層が、複数の層に分けて積層された構成の場合、導電層と中間層が交互に複数回積層された構成であってもよい。

中間層１３上に透明導電層１４を形成することにより、透明導電層１４を構成する銀原子が中間層１３と相互作用し、銀原子の中間層１３表面における拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。このため、一般的には核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により島状に孤立し易い銀薄膜が、単層成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって形成され、均一な膜厚の銀薄膜が得られる。従って、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の透明導電層１４が得られるようになる。

（接着層）
接着層は、チタン、白金、パラジウム、コバルト、ニッケル、モリブデン等の原子を含む化合物から構成された層であり、透明電極層１４若しくは窒素含有層に隣接して設けられる。接着層は、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等によって形成される。なかでも酸化チタンを用い、蒸着法により形成されることが好ましい。

（窒素含有層）
窒素含有層は、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された層であり、透明導電層１４に隣接して設けられる。窒素含有層は、基板１１上に形成される場合、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法等によって形成される。なかでも蒸着法が好ましく適用される。

窒素含有層を構成する窒素原子を含んだ化合物は、分子内に窒素原子を含んでいる化合物であれば、特に限定はないが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物が好ましい。窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ−Ｃ−シンノリン、ポルフィリン、クロリン、コリン等が挙げられる。
また、窒素原子を含有する化合物としては、次のような化合物１〜３が例示される。

（化合物−１）
窒素含有層を構成する化合物の一例として、当該化合物に含有される窒素原子のうち、特に透明導電層１４を構成する主材料である銀と安定的に結合する窒素原子の非共有電子対を［有効非共有電子対］とし、この［有効非共有電子対］の含有率が所定範囲である化合物が好ましく用いられる。

ここで［有効非共有電子対］とは、化合物に含有される窒素原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対であることとする。ここでの芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に並んだ不飽和環状構造を言い、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「４ｎ＋２」(ｎ＝０、又は自然数)個であることを条件としている。

以上のような［有効非共有電子対］は、その非共有電子対を備えた窒素原子自体が、芳香環を構成するヘテロ原子であるか否かにかかわらず、窒素原子が有する非共有電子対が芳香族性と関与しているか否かによって選択される。例えば、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子であっても、その窒素原子が芳香族性に関与しない非共有電子対を有していれば、その非共有電子対は［有効非共有電子対］の一つとしてカウントされる。
これに対して、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子でない場合であっても、その窒素原子の非共有電子対の全てが芳香族性に関与していれば、その窒素原子の非共有電子対は［有効非共有電子対］としてカウントされることはない。尚、各化合物において、上述した［有効非共有電子対］の数ｎは、［有効非共有電子対］を有する窒素原子の数と一致する。

特に本実施形態においては、このような化合物の分子量Ｍに対する［有効非共有電子対］の数ｎを、例えば有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］と定義する。そして窒素含有層は、この［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０^-３≦［ｎ／Ｍ］となるように選択された化合物を用いて構成されていることが好ましい。また窒素含有層は、以上のように定義される有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、３．９×１０^-３≦［ｎ／Ｍ］の範囲であればさらに好ましい。

また、窒素含有層は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である化合物を用いて構成されていればよく、このような化合物のみで構成されていてもよく、またこのような化合物と他の化合物とを混合して用いて構成されていてもよい。他の化合物は、窒素原子が含有されていてもいなくてもよく、さらに有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲でなくてもよい。

窒素含有層が、複数の化合物を用いて構成されている場合、例えば化合物の混合比に基づき、これらの化合物を混合した混合化合物の分子量Ｍを求め、この分子量Ｍに対しての［有効非共有電子対］の合計の数ｎを、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の平均値として求め、この値が上述した所定範囲であることが好ましい。つまり窒素含有層自体の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であることが好ましい。

尚、窒素含有層が、複数の化合物を用いて構成されている場合であって、膜厚方向に化合物の混合比（含有比）が異なる構成であれば、透明導電層１４と接する側の窒素含有層の表面層における有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であることが好ましい。

以下に、窒素含有層を構成する化合物として、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０^−３≦［ｎ／Ｍ］を満たす化合物の具体例（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４０）を示す。各化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４０には、［有効非共有電子対］を有する窒素原子に対して○を付した。また、下記表１には、これらの化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４０の分子量Ｍ、［有効非共有電子対］の数ｎ、及び有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］を示す。下記化合物３３の銅フタロシアニンにおいては、窒素原子が有する非共有電子対のうち銅に配位していない非共有電子対が［有効非共有電子対］としてカウントされる。

尚、上記表１には、これらの例示化合物が、次に説明する［化合物-２］を表す一般式（１）〜（６）の何れかにも属する場合の該当一般式を示した。

（化合物−２）
窒素含有層を構成する化合物の他の例として、以上のような有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である化合物の他、その形成性の観点から、以降に説明する一般式（１）〜（６）で表される化合物が用いられる。

これらの一般式（１）〜（６）で示される化合物の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層を構成する化合物として好ましく用いられる（上記表１参照）。一方、下記一般式（１）〜（６）で示される化合物が、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまらない化合物であれば、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した範囲の化合物と混合することで窒素含有層を構成する化合物として好ましく用いられる。

上記一般式（１）の式中、Ｅ１０１〜Ｅ１０８は、各々−Ｃ（Ｒ１２）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｅ１０１〜Ｅ１０８のうち少なくとも１つは−Ｎ＝である。また、一般式（１）中のＲ１１、及び上記Ｒ１２は水素原子又は置換基を表す。

この置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わった構造を有する）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。

これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。

上記一般式（２）は、一般式（１）の一形態でもある。上記一般式（２）の式中、Ｙ２１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ２０１〜Ｅ２１６、Ｅ２２１〜Ｅ２３８は、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ２１は水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｅ２２１〜Ｅ２２９の少なくとも１つ及びＥ２３０〜Ｅ２３８の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。ｋ２１及びｋ２２は０〜４の整数を表すが、ｋ２１＋ｋ２２は２以上の整数である。

一般式（２）において、Ｙ２１で表されるアリーレン基としては、例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が例示される。

また、一般式（２）において、Ｙ２１で表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等が例示される。

Ｙ２１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基又はジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。

一般式（２）において、Ｅ２０１〜Ｅ２１６、Ｅ２２１〜Ｅ２３８で各々表される−Ｃ（Ｒ２１）＝のＲ２１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。

一般式（２）において、Ｅ２０１〜Ｅ２０８のうちの６つ以上、及びＥ２０９〜Ｅ２１６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。

一般式（２）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９の少なくとも１つ、及びＥ２３４〜Ｅ２３８の少なくとも１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。

さらには、一般式（２）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９のいずれか１つ、及びＥ２３４〜Ｅ２３８のいずれか１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。

また、一般式（２）において、Ｅ２２１〜Ｅ２２４及びＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい態様として挙げられる。

さらに、一般式（２）で表される化合物において、Ｅ２０３が−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましく、さらに、Ｅ２１１も同時に−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましい。

さらに、Ｅ２２５及びＥ２３４が−Ｎ＝で表されることが好ましく、Ｅ２２１〜Ｅ２２４及びＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。

上記一般式（３）は、一般式（１）の一形態でもある。上記一般式（３）の式中、Ｅ３０１〜Ｅ３１２は、各々−Ｃ（Ｒ３１）＝を表し、Ｒ３１は水素原子又は置換基を表す。また、Ｙ３１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。

上記一般式（３）において、Ｅ３０１〜Ｅ３１２で各々表される−Ｃ（Ｒ３１）＝のＲ３１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。

また一般式（３）において、Ｙ３１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、一般式（２）のＹ２１と同様の構成が挙げられる。

上記一般式（４）は、一般式（１）の一形態でもある。上記一般式（４）の式中、Ｅ４０１〜Ｅ４１４は、各々−Ｃ（Ｒ４１）＝を表し、Ｒ４１は水素原子又は置換基を表す。またＡｒ４１は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。さらに、ｋ４１は３以上の整数を表す。

上記一般式（４）において、Ｅ４０１〜Ｅ４１４で各々表される−Ｃ（Ｒ４１）＝のＲ４１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。

また、一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族炭化水素環を表す場合、この芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は、さらに一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

また、一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族複素環を表す場合、この芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。尚、アザカルバゾール環とは、カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わった構造を有する。これらの環は、さらに一般式（１）において、Ｒ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有してもよい。

上記一般式（５）の式中、Ｅ５０１及びＥ５０２のうちの少なくとも１つは窒素原子であり、Ｅ５１１〜Ｅ５１５のうちの少なくとも１つは窒素原子であり、Ｅ５２１〜Ｅ５２５のうちの少なくとも１つは窒素原子である。またＲ５１は置換基を表す。

上記一般式（５）において、Ｒ５１が置換基を表す場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。

上記一般式（６）の式中、Ｅ６０１〜Ｅ６１２は、各々−Ｃ（Ｒ６１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ６１は水素原子又は置換基を表す。またＡｒ６１は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。

上記一般式（６）において、Ｅ６０１〜Ｅ６１２で各々表される−Ｃ（Ｒ６１）＝のＲ６１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基が同様に適用される。

また一般式（６）において、Ａｒ６１が表す、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様の構成が挙げられる。

（化合物−３）
窒素含有層を構成する化合物のさらに他の例として、以上のような一般式（１）〜（６）で表される化合物の他、下記に具体例を示す化合物１〜１１８が例示される。これらの化合物は、化合物の安定性が高いため、好ましい。尚、これらの化合物１〜１１８の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層を構成する化合物として好ましく用いられる。さらに、これらの化合物１〜１１８の中には、上述した一般式（１）〜（６）に当てはまる化合物もある。

［化合物の合成例］
以下に代表的な化合物の合成例として、化合物５の具体的な合成例を示すが、これに限定されない。

工程１：（中間体１の合成）
窒素雰囲気下、２，８−ジブロモジベンゾフラン（１．０モル）、カルバゾール（２．０モル）、銅粉末（３．０モル）、炭酸カリウム（１．５モル）を、ＤＭＡｃ（ジメチルアセトアミド）３００ｍｌ中で混合し、１３０℃で２４時間撹拌した。これによって得た反応液を室温まで冷却後、トルエン１Ｌを加え、蒸留水で３回洗浄し、減圧雰囲気下において洗浄物から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ｎ−ヘプタン：トルエン＝４：１〜３：１）にて精製し、中間体１を収率８５％で得た。

工程２：（中間体２の合成）
室温、大気下で中間体１（０．５モル）をＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）１００ｍｌに溶解し、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモコハク酸イミド）（２．０モル）を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体２を収率９２％で得た。

工程３：（化合物５の合成）
窒素雰囲気下、中間体２（０．２５モル）、２−フェニルピリジン（１．０モル）、ルテニウム錯体［（η_６−Ｃ_６Ｈ_６）ＲｕＣｌ_２］_２（０．０５モル）、トリフェニルホスフィン（０．２モル）、炭酸カリウム（１２モル）を、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）３Ｌ中で混合し、１４０℃で一晩撹拌した。

反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン５Ｌを加え、反応液を濾過した。次いで減圧雰囲気下（８００Ｐａ、８０℃）において濾液から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ＣＨ_２Ｃｌ_２：Ｅｔ_３Ｎ＝２０：１〜１０：１）にて精製した。

減圧雰囲気下において、精製物から溶媒を留去した後、その残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で３回洗浄した。洗浄によって得られた物質を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧雰囲気下において乾燥後の物質から溶媒を留去することにより、化合物５を収率６８％で得た。

［窒素含有層の形成方法］
以上のような窒素含有層が基板１１上に形成されている場合、その形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。

特に、複数の化合物を用いて窒素含有層を形成する場合であれば、複数の蒸着源から複数の化合物を同時に供給する共蒸着が適用される。また化合物として高分子材料を用いる場合であれば、塗布法が好ましく適用される。この場合、化合物を溶媒に溶解させた塗布液を用いる。化合物を溶解させる溶媒が限定されることはない。さらに、複数の化合物を用いて窒素含有層を形成する場合であれば、複数の化合物を溶解させることが可能な溶媒を用いて塗布液を作製すればよい。

（アルミニウム層）
また、以上のような中間層１３は、窒素含有層と透明導電層１４との界面上に、アルミニウム（Ａｌ）の層を設けてよい。アルミニウム層は、透明電極１４と窒素含有層との相互作用を阻害しない厚さで形成する。また、アルミニウム層は連続膜ではなく、島状や孔を有する層であってもよい。この場合には、銀の層の一部が窒素含有層に隣接して設けられる。このように、窒素含有層と銀を主成分とする膜との間に他の金属を挟んだ構成であってもよい。この場合には、透明導電層１４を構成する銀又は銀を主成分とする合金と、窒素含有層上に設けられたアルミニウム層との間に、合金の層が形成された構成となっていてもよい。

（表面保護層）
また、以上の透明導電層１４の上に、表面保護層（図示省略）を設けてもよい。表面保護層は連続膜であることが好ましく、アクリル系モノマー又はオリゴマーの硬化性組成物や、上記中間層で用いられる金属化合物及び窒素化合物から形成された膜であってもよい。

なお、上述の導電性フィルムの実施形態及び変形例では、透明導電層を用いて透明電極を構成する例について説明しているが、透明導電層の構成は透明電極に限定されず、透明電極以外を構成するものとしてもよい。

［プロセス］
導電性フィルム１１の形成プロセスでは、面方向リタデーション（Ｒ０値）が＋５０ｎｍ≧Ｒ０≧−５０ｎｍを満たす熱可塑性樹脂からなる基板上に、透明電極１２を形成する。このとき、透明導電層１４及び中間層１３の形成プロセスは、透明基板１１のガラス転位温度（Ｔｇ）を越えないことが好ましい。形成プロセス温度は、透明基板１１のガラス転位温度（Ｔｇ）から２０℃以上低いことが好ましく、４０℃以上低いことが更に好ましい。
プロセス中で透明基板の温度を熱可塑性樹脂のガラス転移点以下とすることにより、熱による熱可塑性樹脂への損傷を防ぐことができる。このため、熱可塑性樹脂の面方向リタデーションに影響を与えることなく、透明性、及び、経時安定性に優れる導電性フィルムを形成することができる。また、銀を主成分とする透明導電層を形成することにより、熱可塑性樹脂のガラス転移点以下の温度で、低抵抗な導電性フィルムを形成することができる。

〈３．タッチパネル〉
次に、タッチパネルの実施形態について説明する。
図３に、上述の導電性フィルムを用いたタッチパネルの概略構成の斜視図を示す。
また、図４に、タッチパネルの電極構成を示す２枚の透明電極の平面図を示す。図５に、図３及び図４に示すタッチパネルの電極部分の平面模式図を示す。図６に、図５に示すＡ−Ａ断面に相当する断面模式図を示す。
なお、本例のタッチパネルには、上述の窒素含有層を中間層として備える導電性フィルムを適用した構成について説明する。

これらの図に示すタッチパネル２０は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２０は、基板２１の一主面上に、第１の透明電極２２、及び第２の透明電極２３がこの順に配置され、この上部が前面板２４で覆われている。基板２１、第１の透明電極２２、及び、第２の透明電極２３は、上述の図３を用いて説明した導電性フィルムにおいて、透明電極１２が２層積層された構成である。従って、第１の透明電極２２は、第１の窒素含有層２５と第１の透明導電層２６とがこの順に積層された構成である。同様に、第２の透明電極２３は、第２の窒素含有層２７と第２の透明導電層２８とがこの順に積層された構成である。
以下、タッチパネル２０を構成する主要各層の詳細を、基板２１側から順に説明する。尚、ここでは、図３及び図４と共に、図５の電極部分の平面模式図及び、そのＡ−Ａ断面に相当する図６の断面模式図を用いて説明を行う。また、図２で説明したと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

［基板２１］
図３及び図５に示す基板２１は、上述の導電性フィルムの実施形態において説明した、面方向リタデーション（Ｒ０値）が±５０ｎｍ、好ましくは±２０ｎｍの基板である。

［第１の窒素含有層２５（第１の透明電極２２）］
第１の窒素含有層２５は、上述の導電性フィルムの変形例において説明した窒素含有層であり、基板２１上に形成されている。ここでは一例として、第１の窒素含有層２５は、基板２１の全面を覆う状態で設けられていることとするが、次に説明する第１の透明導電層２６と同一形状にパターニングされていてもよい。
透明導電層
［第１の透明導電層２６（第１の透明電極２２）］
第１の透明導電層２６は、上述の導電性フィルムの実施形態で説明した透明導電層であり、第１の窒素含有層２５上においてパターニングされた複数のｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・として構成されている。各ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・は、それぞれがｘ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・は、例えばｘ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｘ方向に直線状に連結した形状であることとする。

また、各ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・には、それぞれの端部にｘ配線２９ｘが接続されている。これらのｘ配線２９ｘは、基板２１上における周縁領域において配線され、基板２１の端縁に引き出されている。このような各ｘ配線２９ｘは、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・と同様に、銀を主成分とする第１の透明導電層２６として構成されたものであってもよいし、別途形成した電極層で構成されたものであってもよい。

［第２の窒素含有層２７（第２の透明電極２３）］
第２の窒素含有層２７は、上述の導電性フィルムの変形例で説明した窒素含有層であり、基板２１上に形成されている。ここでは一例として、第２の窒素含有層２７は、ｘ配線２９ｘの端子部分を露出させ、他の部分は基板２１の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、次に説明する第２の透明導電層２８と同一形状にパターニングされていてもよい。

［第２の透明導電層２８（第２の透明電極２３）］
第２の透明導電層２８は、上述の導電性フィルムの実施形態で説明した電極層であり、第２の窒素含有層２７上においてパターニングされた複数のｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・として構成されている。各ｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・は、それぞれがｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・と直交するｙ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・は、例えばｙ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｙ方向に直線状に連結した形状であることとする。

ここで、図５に示すように、各ｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・を構成するひし形のパターン部分は、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・を形成するひし形のパターン部分に対して、平面視的に重ならない位置に配置され、重ならない範囲でできるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、基板２１の中央部の領域においては、第１の透明導電層２６で構成されたｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・、及び第２の透明導電層２８で構成されたｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・が視認され難い構成となっている。

各ｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・は、ひし形の電極パターンの連結部分においてのみ、各ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・と積層される。これらの積層部分には、第２の窒素含有層２７が挟持されるため、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・とｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・との絶縁性が確保される。

また、各ｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・には、それぞれの端部にｙ配線２９ｙが接続されている。これらのｙ配線２９ｙは、基板２１上における周縁領域において配線され、ｘ配線２９ｘと並ぶように基板２１の端縁に引き出されている。このような各ｙ配線２９ｙは、ｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・と同様に、銀を主成分とする第２の透明導電層２８として構成されたものであってもよいし、別途形成した電極層で構成されたものであってもよい。

尚、基板２１の端縁に引き出されたｘ配線２９ｘ及びｙ配線２９ｙには、フレキシブルプリント基板などが接続される構成となっている。

［前面板２４］
図３及び図６に図示した前面板２４は、タッチパネル２０において入力位置に対応する部分が押圧される板材である。このような前面板２４は、基板２１と同様に光透過性を有する板材が用いられる。また、この前面板２４は、必要に応じた光学特性を備えた材料を選択して用いてもよい。このような前面板２４は、例えば接着層３１に（図６参照）よって第２の透明電極２３側に張り合わせられている。この接着層３１は、光透過性を有するものであれば特に材料が限定されることはない。

またこの前面板２４には、基板２１の周縁を覆う遮光膜が設けられ、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・から引き出されたｘ配線２９ｘ、及びｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・から引き出されたｙ配線２９ｙが、前面板２４側から視認されることを防いでいる。

［タッチパネルの動作］
以上のようなタッチパネル２０を動作させる場合、ｘ配線２９ｘ及びｙ配線２９ｙに接続させたフレキシブルプリント基板等から、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・及びｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・に対して電圧を印加する。電圧を印加した状態で、前面板２４の表面に指又はタッチペンが触れると、タッチパネル２０内に存在する各部の容量が変化し、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・及びｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・の電圧の変化となって現れる。この変化は、指又はタッチペンが触れた位置からの距離によって異なり、指又はタッチペンが触れた位置で最も大きくなる。このため、電圧の変化が最大となる、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・及びｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・で指定された位置が、指又はタッチペンが触れた位置として検出される。

［タッチパネルの効果］
以上のようなタッチパネル２０は、２層の透明電極２２，２３として、光透過性と共に充分な導電性を備えた導電性フィルムを用いている。これにより、下地の表示画像の視認性を良好に保ちつつ、導電性フィルムを大型化した際の電圧降下を抑えることができ、タッチパネル２０の大型化が可能となる。

特に、このタッチパネル２０は、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・及びこれに直交して配置されたｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・を有する投影型静電容量式である。このため、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・及びｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・には、高い導電性が要求される。本例のタッチパネルでは、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・及びｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・が、銀を主成分とする透明導電層であるため、導電性を維持しつつ薄膜化が可能である。従って、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・及びｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・自体が視認され難くなり、タッチパネル２０を介した表示画像の視認性の劣化も防止できる。

〈３．タッチパネルの変形例１〉
（２枚の透明基板を用いた構成）
図７は、実施形態のタッチパネルの変形例を説明するための断面模式図であり、図５のＡ−Ａ断面に相当する図である。この図に示すタッチパネル３０は、２枚の基板２１Ａ，２１Ｂの一主面上に、第１の透明電極２２及び第２の透明電極２３を設けた構成であり、それ以外の構成は上述の実施形態と同様である。このため、上述の実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

すなわち変形例のタッチパネル３０は、第１の透明電極２２が設けられた第１の基板２１Ａと、第２の透明電極２３が設けられた第２の基板２１Ｂとを有する。これらの基板２１Ａ,２１Ｂは、第１の透明電極２２及び第２の透明電極２３の形成面を同一方向に向け、第１の基板２１Ａにおける第１の透明電極２２の形成面上に、第２の基板２１Ｂが位置するように重ねて配置されている。

第１の基板２１Ａ及び第２の基板２１Ｂは、上述の導電性フィルムと同様の基板２１である。また、第１の透明電極２２及び第２の透明電極２３は、それぞれが上述の実施形態と同様の構成であり、それぞれが基板２１Ａ，２１Ｂ上に、窒素含有層２５，２７、及び透明導電層２６，２８をこの順に積層した構成となっている。

さらに各透明導電層２６，２８の構成も、上述の実施形態と同様であり、第１の透明導電層２６で構成されたｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・、及び第２の透明導電層２８で構成されたｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・が視認され難いパターン構成及び配置構成となっている。ただし、第１の透明導電層２６と第２の透明導電層２８との間は、第２の基板２１Ｂと第２の窒素含有層２７とによって絶縁性が確保されている。

また、積層された第１の基板２１Ａと第２の基板２１Ｂとの間は、ここでの図示を省略した接着層によって貼り合せられ、この接着層によっても、第１の透明導電層２６と第２の透明導電層２８とが絶縁されている。

以上のようなタッチパネル３０であっても、上述の実施形態のタッチパネルと同様に動作させることができる。

［タッチパネルの効果］
このような変形例のタッチパネル３０であっても、光透過性と共に充分な導電性を備えた導電性フィルムを用いたことにより、上述の実施形態のタッチパネルと同様に大型化が可能であり、タッチパネル３０を介した表示画像の視認性の劣化を防止できる。

〈４．タッチパネルの変形例２〉
（透明基板の両面に一層ずつ透明電極を設けた構成）
図８は、実施形態のタッチパネルの変形例を説明するための断面模式図であり、図５のＡ−Ａ断面に相当する図である。この図に示すタッチパネル３２は、基板２１の両面に第１の透明電極２２及び第２の透明電極２３を設けた構成であり、それ以外の構成は上述の実施形態と同様である。このため、上述の実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

図８に示すタッチパネル３２は、一枚の基板２１と、基板２１の一主面側に設けられた第１の透明電極２２と、基板２１の他主面側に設けられた第２の透明電極２３とを有する。このうち第１の透明電極２２は、窒素含有層２５、及び透明導電層２６がこの順に基板２１の一主面上に積層された構成である。一方、第２の透明電極２３は、窒素含有層２７、及び透明導電層２８がこの順に基板２１の他主面上に積層された構成である。

基板２１は、上述の導電性フィルムで説明したと同様のものである。また第１の透明電極２２及び第２の透明電極２３を構成する上記の各層は、上述の実施形態と同様のものである。

さらに各透明導電層２６，２８の構成も、上述の実施形態と同様であり、第１の透明導電層２６で構成されたｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・、及び第２の透明導電層２８で構成されたｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・が視認され難いパターン構成及び配置構成となっている。ただし、第１の透明導電層２６と第２の透明導電層２８との間は、第１の窒素含有層２５、基板２１、及び第２の窒素含有層２７によって絶縁性が確保されている。
以上のようなタッチパネル３２は、上述の実施形態のタッチパネルと同様に動作させることができる。

［タッチパネルの効果］
このような変形例２のタッチパネル３２であっても、光透過性と共に充分な導電性を備えた導電性フィルムを用いたことにより、上述の実施形態のタッチパネルと同様に大型化が可能であり、タッチパネル３２を介した表示画像の視認性の劣化を防止できる。

〈５．タッチパネルの変形例３〉
（透明基板の同一平面上に２パターンの透明電極を設けた構成）
図９は、実施形態のタッチパネルの変形例を説明するための断面模式図であり、図５のＢ−Ｂ断面に相当する図である。ただし、変形例３のタッチパネル４０の積層構造と、図５に示すタッチパネル２０の積層構造とは、次に説明するとおりに異なる。すなわちこの図に示すタッチパネル４０は、基板２１の同一平面上に、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・を有する透明導電層２６と、ｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・を有する透明導電層２８とを設けた構成であり、それ以外の構成は上述の実施形態と同様である。このため、上述の実施形態のタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。

すなわち変形例３のタッチパネル４０は、基板２１と、基板２１上に順に積層された窒素含有層２５、及び透明導電層２６，２８を有する。さらに透明導電層２６，２８上に層間絶縁膜４１と接続電極４２とが順に積層されている。このうち透明導電層２６，２８が、窒素含有層２５上に互いに絶縁状態を保って設けられたｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・とｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・とを有するところが特徴的である。

（基板、窒素含有層）
基板２１、及び窒素含有層２５は、それぞれ上述の導電性フィルムで説明したと同様の構成である。また、窒素含有層２５は、一例として、基板２１の一主面の全面を覆うように設けられているが、上述の実施形態と同様に、透明導電層２６，２８と同一形状にパターニングされていてもよい。

（透明導電層）
透明導電層２６，２８は、上述の導電性フィルムで説明した電極層であり、窒素含有層２５上においてパターニングされた複数のｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・と複数のｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・とを有して構成されている。

各ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・は、それぞれがｘ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・は、例えばｘ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｘ方向に直線状に連結した形状である。

各ｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・は、それぞれがｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・と直交するｙ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・は、ｙ方向に配列された複数のパターンで構成される。

ｙ電極パターンは、例えばひし形であり、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・と重なることなく絶縁状態を保てる程度の間隔を有して配置される。これにより、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・とｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・とは、絶縁性が確保された状態となっている。またｙ電極パターンは、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・と絶縁状態を保てる程度の間隔を有する範囲内で、できるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、基板２１の中央部の領域においては、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・及びｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・が視認され難い構成となっている。

また、各ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・及び各ｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・には、上述の実施形態と同様に、それぞれの端部に図示しないｘ配線又はｙ配線が接続されている。

（層間絶縁膜、接続電極）
接続電極４２は、各ｙ電極パターンを構成する、例えばひし形のｙ電極パターンの頂点付近においてｙ方向に直線状に連結する。接続電極４２は、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。これらの交差部分において、層間絶縁膜４１がｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・のひし形のパターンを連結する部分を覆い、接続電極４２はｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・上に層間絶縁膜４１を介して積層されている。従って、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・とｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・との絶縁性が確保された状態となっている。なお、接続電極４２には、銀等の一般的な電極材料、又はＩＴＯ等の光透過性を有する電極材料を用いればよく、タッチパネル４０を介しての下地の表示画像の視認性の観点から、好ましくは、光透過性を有する電極材料を用いる。

なお、接続電極４２が透明導電層２６，２８の上層に設けられた例を先に説明したが、接続電極４２は透明導電層２６，２８の下層に設けられてもよい。この際、接続電極４２は、上述の例と同様に、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。これらの交差部分において、接続電極４２とｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・のひし形のパターンを連結する部分との間には、少なくとも窒素含有層２５が挟持される。従って、接続電極４２が透明導電層２６，２８の下層に設けられた例においても、上述の例と同様に、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・とｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・との絶縁性が確保されている。

以上のようなタッチパネル４０であっても、上述の実施形態のタッチパネルと同様に動作させることができる。

［タッチパネルの効果］
上述の変形例３のタッチパネル４０は、光透過性と共に充分な導電性を備えた導電性フィルムを用いたことにより、上述の実施形態のタッチパネルと同様に大型化が可能であり、タッチパネル４０を介した表示画像の視認性の劣化を防止できる。

尚、本発明のタッチパネルは上述した実施形態及び変形例の構成に限定されることはなく、透明電極を用いた構成であれば、広く適用可能である。例えば、投影型静電容量式のタッチパネルであれば、ｘ電極パターンｘ１，ｘ２，・・・、及びこれらに直交して配置されたｙ電極パターンｙ１，ｙ２，・・・が、絶縁性を保って配置されればよく、パター形状が限定されることはない。また、タッチパネルは、べた膜状の透明導電層２６，２８を備えた２枚の透明電極２２，２３を、スペーサを挟んで配置した抵抗膜式のものであってもよく、表面型静電容量式であってもよく、同様に大型化の効果を得ることができる。

〈６．表示装置〉
［タッチパネルを用いた構成］
次に、上述のタッチパネルを用いた表示装置の実施の形態について説明する。図１０に、本実施の形態の表示装置の構成の斜視図を示す。この図に示す表示装置５０は、表示パネル５２における表示面上に、タッチパネル５１を設けた情報入力機能付きの表示装置である。表示装置５０のタッチパネル５１には、上述の実施形態及び変形例のタッチパネルを適用することができる。

表示パネル５２は、特に限定されるものではないが、例えば、液晶表示パネル、有機電界発光素子を用いた表示パネル等の平面型の表示パネルや、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイを用いることができる。また、表示パネル５２は、動画を表示する表示パネルに限定されることはなく、静止画用の表示パネルであってもよい。

表示パネル５２では、画像の表示面上に表示面を覆う状態でタッチパネル５１が重ねて配置されている。また、タッチパネル５１と表示パネル５２とは、必要に応じてさらに枠状のケース部材５３に収容されている。さらに、ケース部材５３にさらに透明板材からなる前面板がもうけられていてもよい。

これにより、ユーザは、表示パネル５２で表示された表示画像の一部に対して、タッチパネル５１を介して指やタッチペンを接触させることにより、接触部分の位置情報をタッチパネル５１に入力することができる。

［表示装置の効果］
本実施形態の表示装置５０によれば、上述した実施形態及び各変形例のタッチパネル５１を用いることにより、薄型化及び大型化が可能である。

以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［実施例１］
〈導電性フィルムの作製〉
（透明基板の準備）
実施例に使用する透明基板を以下のように準備した。
なお、以下に示す各透明基板の膜厚は接触式膜厚計 ＤＩＧＩＭＩＣＲＯ ＭＨ−１５Ｍ（ニコン社製）を用いて測定した。また、面内リタデーション値（Ｒ０値）は、各透明基板を温度２３℃、相対湿度５５％ＲＨの環境下で２４時間以上放置した後、自動複屈折率測定装置（王子計測機器社製、商品名ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ）を用い、波長５９０ｎｍにて測定した。

（透明基板１０１）
ポリエチレンテレフタレートフィルムとして、コスモシャインＡ４３００（東洋紡製）を準備した。膜厚は５０μｍ、Ｒ０値は４２００ｎｍであった。

（透明基板１０２）
ポリカーボネートフィルムとして、ピュアエースＣ１１０−１００（帝人社製）を準備した。膜厚は１００μｍ、Ｒ０値は１０ｎｍであった。

（透明基板１０３）
環状オレフィンフィルムとして、アートン（ＪＳＲ社製）を準備した。膜厚は５０μｍ、Ｒ０値は４ｎｍであった。

（透明基板１０４）
シクロオレフィンフィルムとして、ゼオノアＺＦ１４（ゼオン社製）を準備した。膜厚は１００μｍ、Ｒ０値は３ｎｍであった。

（透明基板１０５）
トリアセチルセルロースフィルムとして、コニカミノルタタックＫＣ−４ＵＹ（コニカミノルタ社製）を準備した。膜厚は４０μｍ、Ｒ０値は４ｎｍであった。なお、樹脂のアシル置換度は、２．９０であった。

（透明基板１０６）
アクリルフィルムとして、アクリプレンＨＢＳ００６（三菱レイヨン社製）を準備した。膜厚は５０μｍ、Ｒ０値は３ｎｍであった。

（透明基板１０７）
透明基板１０５を２０ｃｍ角に切り出し、フィルム２軸延伸機（ヒラノテクシード社製）を用い、１８０℃にて縦１．４倍、横１．４倍の２軸延伸を施した。膜厚は２３μｍ、Ｒ０値は５ｎｍであった。

（透明基板１０８〜１１３）
上記透明基板１０２〜１０７の両面に、下記ハードコート層塗布液をダイコーターにより塗布し、ハードコート層となる塗膜を形成した。その塗膜を７０℃で乾燥後、酸素濃度が１．０体積％以下の雰囲気になるように窒素パージしながら、紫外線ランプを用い、照射部の照度が３００ｍＷ／ｃｍ^２、照射量を０．３Ｊ／ｃｍ^２として塗膜を硬化させ、さらに加熱処理ゾーンにおいて、１３０℃で５分間加熱処理し、透明基板１０８〜１１３を作製した。なお、硬化後のハードコート層の膜厚は各々５μｍであった。

（ハードコート層塗布液の調製）
下記の各構成材料を混合、攪拌、溶解して、ハードコート層塗布液を調製した。
・ハードコート層塗布液
ペンタエリスリトールテトラアクリレート ３０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート ６０質量部
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート ５０質量部
イルガキュア１８４（ＢＡＳＦ社製） ５質量部
イルガキュア９０７（ＢＡＳＦ社製） ５質量部
ＺＸ−２１２（フッ素−シロキサングラフトポリマー、ティーアンドケイ東華社製）
５質量部
シーホスターＫＥＰ−５０（粉体のシリカ粒子、平均粒径０．４７〜０．６１μｍ、日本触媒株式会社製） ２４．３質量部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０質量部
酢酸メチル ４０質量部
メチルエチルケトン ６０質量部

透明基板１０１〜１１３の膜厚及びＲ０値を表２に示す。

（導電性フィルム２０１の作製）
透明基板１０１の片面上に、上述の表１の化合物Ｎｏ．１０を用いて中間層１３（膜厚２５ｎｍ）を蒸着法によって形成し、これに続けて銀（Ａｇ）からなる電極層５（膜厚８ｎｍ）を蒸着法によって形成した。さらに続けて、酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる表面保護層（膜厚３０ｎｍ）を蒸着法によって形成した。これにより、中間層と透明導電層、表面保護層との３層構造の透明電極を有する導電性フィルム２０１を作製した。

この際、先ず透明基板１０１を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定した。また、表１の化合物Ｎｏ．１０をタンタル製抵抗加熱ボートに入れた。これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、第２真空槽内に取り付けた。さらに、タンタル製抵抗加熱ボートに酸化チタン（ＴｉＯ_２）を入れ、第３真空槽内に取り付けた。

次に、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で透明基板１０１上に膜厚２５ｎｍの中間層１３を設けた。

次に、中間層１３まで成膜した透明基板１０１を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚８ｎｍの銀からなる透明導電層を形成した。

次に中間層、電極層を製膜した透明基板１０１を真空のまま第３真空槽に移し、第３真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚３０ｎｍの酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる表面保護層を形成した。

以上の工程により、中間層とこの上部の透明導電層、及び、表面保護層との積層構造からなる導電性フィルム２０１を得た。
なお蒸着膜厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメータで測定した。

（導電性フィルム２０２の作製）
透明基板１１１の片面に、上述の表１の化合物Ｎｏ．１０を用いて中間層１３（膜厚２５ｎｍ）を蒸着法により成膜した後、第１真空層から取り出し、その後、中間層１３上にＩＴＯ膜をスパッタ法によって作製した。なお、ＩＴＯ膜厚は２０ｎｍであった。

（導電性フィルム２０３の作製）
導電性フィルム２０２の作製において、ＩＴＯ膜厚が１３０ｎｍとなるよう、スパッタ時間を変えた以外は同様にして、導電性フィルム２０３を作製した。

（導電性フィルム２０４〜２２０の作製）
導電性フィルム２０１の作製において、透明基材の種類、中間層の化合物及び膜厚、電極層の膜厚を表３に示す条件に変えた以外は同様にして、導電性フィルム２０４〜２２０を作製した。

（各試料の評価）
作製した導電性フィルム２０１〜２２０について、表面抵抗率、耐屈曲性、干渉ムラ、湿熱耐久後の表比抵抗劣化を測定した。

（表面抵抗率）
作製した導電性フィルムを温度２３℃、相対湿度５５％ＲＨの環境下で２４時間放置した後、２０ｃｍ角に切り出し、２５μｍの両面接着テープ（リンテック社製 基材レステープ ＭＯ−３００５Ｃ）を介し、表面を予めエタノールで洗浄したガラス板（厚さ１．２ｍｍ）に、導電層が表となるようガラス面に貼合した。
その後、抵抗率計（三菱化学社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式で任意の１０点を測定し、平均値をサンプルの表面抵抗率とした。

（透過率）
作製した導電性フィルムを温度２３℃、相対湿度５５％ＲＨの環境下で２４時間放置した後、透過率をヘイズメーター（濁度計）（型式：ＮＤＨ ２０００、日本電色（株）製）を用いて測定した。

（耐屈曲性）
作製した導電性フィルムを、ＪＩＳ Ｋ ５４００に規定の方法に準じて耐屈曲性を評価した。耐屈曲性評価にあたり、光学フィルム試料の巻き付けには直径１０ｍｍのステンレス棒を用いた。
電極層の状態について、下記のようにランク評価を行った。
◎ ： 何らの変化もなかった
○ ： 僅かに変形したが、実用上問題ない
△ ： 電極層に微細なクラックが発生した
× ： 電極層に割れが発生した

（色むら）
Ｎｅｗ ｉＰａｄ（Ａｐｐｌｅ社製 ９．７インチＩＰＳ液晶のタブレット型コンピューター）のタッチパネルを外し、作製した導電性フィルムを２５μｍの両面接着テープ（リンテック社製 基材レステープ ＭＯ−３００５Ｃ）を介し、導電層がディスプレイ面に向くように貼り合せた。ディスプレイに白色を表示し、斜め４５°より偏光サングラスを通してディスプレイ表面を観察した。
試験の結果、下記のようにランク評価を行った。
◎ ： 色むらは全く観察されなかった
○ ： 僅かに色むらが見られたが、実用上問題ない
△ ： 色むらが見られた
× ： 非常に濃い虹状の色むらが観察された

（湿熱耐久による表面抵抗劣化）
表面抵抗率を測定したサンプルを、温度６０℃、相対湿度９０％ＲＨの環境下で３００時間放置した後、任意の１０点の表比抵抗値を測定し、平均値をサンプルの湿熱耐久後の表面抵抗率とした。
試験の結果、下記のようにランク評価を行った。
［表面抵抗劣化］＝［（湿熱耐久後の表面抵抗率）−（湿熱耐久前の表面抵抗率）］／［湿熱耐久前の表面抵抗率］としたとき、
◎ ： 表面抵抗劣化が、±１０％未満である
○ ： 表面抵抗劣化が、±１０％以上、±２０％未満である
△ ： 表面抵抗劣化が、±２０％以上、±３０％未満である
× ： 表面抵抗劣化が、±３０％である

導電性フィルムの構成と、評価結果を表３に示す。
Ｎｏ．２０４〜２２０の導電性フィルムは、表面抵抗率、透過率、屈曲性に優れ、また、湿熱耐久による表面抵抗劣化も少なく、表示パネルに貼り合せた時の色むらに優れている。
また、Ｎｏ．２０４〜２２０の導電性フィルムにおいて、各試料の基材のＲ０値、及び、基材膜厚の影響により、色むらの評価に差が出る傾向が見られる。各試料では、基材のＲ０値が小さい方が、導電性フィルムの色むらの評価が高くなる傾向にある。さらに、基材膜厚が小さい方が、色むらの評価が高くなる傾向にある。また、耐屈曲性は、基材の材質に影響を受けていると考えられる。

［実施例２］
〈ロール状導電性フィルムの作製〉
（ロール状導電性フィルム３０１の作製）
幅手１０００ｍｍ、長手５００ｍのロール状の透明基板１０１の片面上に、真空下のロールツーロール方式でロール間を連続走行させながら、上述の表１の化合物Ｎｏ．１０を用いて中間層１３（膜厚２５ｎｍ）を蒸着法によって形成し、これに続けて銀（Ａｇ）からなる電極層５（膜厚８ｎｍ）を蒸着法によって形成した。さらに続けて、酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる表面保護層（膜厚３０ｎｍ）を蒸着法によって形成した。これにより、中間層と透明導電層との３層構造の透明電極を有するロール状導電性フィルム３０１を作製した。

この際、先ず透明基板１０１を繰り出し部の繰り出し軸にセットした。また、表１の化合物Ｎｏ．１０を、第１形成部の蒸着源の化合物Ｎｏ．１０をタンタル製抵抗加熱ボートに入れた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、第２形成部内に取り付けた。

次に、第１形成部内を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒でロール上を走行する透明基板１０１上に膜厚２５ｎｍの中間層を設けた。

次に、中間層まで成膜した透明基板１０１を真空のまま第２形成部まで走行させ、第２形成部を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚８ｎｍの銀からなる電極層を、ロール上を走行する透明基板１０１上に形成した。

次に中間層、電極層を製膜した透明基板１０１を真空のまま第３形成部まで走行させ、第３形成部を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚３０ｎｍの酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる表面保護層を、ロール上を走行する透明基板１０１上に形成した。

以上の工程により、中間層とこの上部の透明導電層、及び、表面保護層との積層構造を有するロール状導電性フィルム３０１を得た。
なお蒸着膜厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメータで測定した。

（ロール状導電性フィルム３０２〜３０９の作製）
ロール状導電性フィルム３０１の作製において、透明基材の種類、中間層の化合物及び膜厚、電極層の膜厚を表４に示す材料に変えた以外は同様にして、ロール状導電性フィルム３０２〜３０９を作製した。

（耐久性評価：ロール体を高温多湿下で保存後の表面抵抗率のムラ）
作製したロール状導電性フィルムを、温度６０℃、相対湿度９０％の高温多湿環境下で１０００時間放置した。その後、得られたロール体の最外周側の表面抵抗率について、幅方向に一方の端部から全幅の２５％の点、５０％の点、７５％の点での表面抵抗率をそれぞれ測定した。次に、導電性フィルムの長手方向に、ロール体の巻外側から巻芯側への５００ｍの範囲について、１０ｍおきに同様の測定を繰り返し、計１５０点（３点×５０）の表面抵抗率を測定した。そして、全測定点の平均値を１００としたときの、全測定点における表面抵抗率の最大値と最小値の差の割合（％）を「導電性フィルム１のバラツキ」として求めた。

同様にして、高温多湿下で保存していない、製造直後のロール体についても、合計１５０点の表面抵抗率を測定した。そして、全測定点の平均値を１００としたときの、全測定点における表面抵抗率の最大値と最小値の差の割合（％）を「表面抵抗率２のバラツキ」として求めた。
そして、得られた表面抵抗率１のバラツキと表面抵抗率２のバラツキを以下の式に当てはめて、表面抵抗率のバラツキの増大幅を求めた。
バラツキの増大幅（％）＝表面抵抗率１のバラツキ（％）−表面抵抗率２のバラツキ（％）
そして、ロール体を高温多湿下で保存後の表面抵抗率のムラを、下記の基準に従って評価した。
◎：バラツキの増大幅が１．０％未満である
○：バラツキの増大幅が１．０％以上２．０％未満である
△：バラツキの増大幅が２．０％以上５．０％未満である
×：バラツキの増大幅が５．０％以上である

ロール状導電性フィルムの構成と、評価結果を表４に示す。
Ｎｏ．３０４〜３０９のロール状導電性フィルムは、ロール体での保存においても、表面抵抗率の変化が少なく良好である。

［実施例３］
〈タッチパネル付き液晶表示装置の作製〉
（タッチパネル付き液晶表示装置４０１〜４０９の作製）
ＶＡモード型液晶表示装置（画像表示装置）として、ＳＯＮＹ製ＢＲＡＶＩＡＶ１、４０インチ型を準備した。
実施例２で作製したロール状の導電性フィルム３０１〜３０９を長辺９００ｍｍ×短辺５００ｍｍの大きさに２枚切りだした。一方を長辺方向、一方を短辺方向に導電性を有するようフォトエッチングでパターニングを行い、表面を予めエタノールで洗浄したガラス板（長辺９００ｍｍ×短辺５００ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）の片面に、２５μｍの両面接着テープ（リンテック社製 基材レステープ ＭＯ−３００５Ｃ）を介し、ガラス、両面テープ、導電性フィルム、両面テープ、導電性フィルムとなるよう積層した。引き出し電極及びドライバＩＣと接続し、上記ＶＡモード型液晶表示装置の表示面に、空隙が１．５ｍｍとなるよう重ね合わせ、簡易タッチパネル付きＶＡモード型液晶表示装置４０１〜４０９を作製した。

作製した液晶表示装置について、以下の評価を行った。
（タッチパネル性能）
タッチパネルの操作において、
○ ： 良好に操作できる
× ： タッチパネルが反応しない

（干渉むら）
ディスプレイにカラーバーを表示し、斜め４５°より目視にてディスプレイ表面を観察した。試験の結果、下記のようにランク評価を行った。
◎ ： 干渉むらは全く観察されなかった
○ ： 僅かに干渉むらが見られたが、実用上問題ない
△ ： 干渉むらが見られた
× ： 非常に濃い虹状の干渉むらが観察された

液晶表示装置の構成と、評価結果を表５に示す。

表５に示す結果より、導電性フィルム３０４〜３０９のを用いたタッチパネル４０４〜４０９は、大型テレビにおいても、操作性が良好であり、かつ干渉ムラが発生せず好ましい。

なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。

１０ 導電性フィルム、１１ 透明基板、１１，２１，２１Ａ 基板、１２ 透明電極、１３ 中間層、１４ 透明導電層、２０，３０，３２，４０，５１ タッチパネル、２１Ａ 第１の基板、２１Ｂ 第２の基板、２２ 第１の透明電極、２３ 第２の透明電極、２４ 前面板、２５ 第１の窒素含有層、２６ 第１の透明導電層、２７ 第２の窒素含有層、２８ 第２の透明導電層、２９ｘ ｘ配線、２９ｙ ｙ配線、３１ 接着層、４１ 層間絶縁膜、４２ 接続電極、５０ 表示装置、５２ 表示パネル、５３ ケース部材、ｘ１，ｘ２，ｘ３ ｘ電極パターン、ｙ１，ｙ２，ｙ３ ｙ電極パターン

Claims (6)

1. 面方向リタデーション（Ｒ０値）が、＋５０ｎｍ≧Ｒ０≧−５０ｎｍを満たす熱可塑性樹脂からなる基板と、
   前記基板上に形成された銀を主成分とする透明導電層と
   を備える導電性フィルム。
2. 前記透明導電層の厚さが１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、全光線透過率が８０％以上である請求項１に記載の導電性フィルム。
3. 前記熱可塑性樹脂が、セルロースアシレート樹脂、環状オレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、及び（メタ）アクリル樹脂から選ばれる少なくともいずれか一つである請求項１又は２に記載の導電性フィルム。
4. 前記導電性フィルムが幅手方向の寸法が０．３ｍ以上、長手方向の寸法が２００ｍ以上であり、長手方向に巻回されたロール状である請求項１〜３に記載の導電性フィルム。
5. 請求項１〜４に記載の導電性フィルムを電極として備えるタッチパネル。
6. 請求項５に記載のタッチパネルと、前記タッチパネルに重ねて配置された表示パネルを備える表示装置。