JP2014053552A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014053552A JP2014053552A JP2012198554A JP2012198554A JP2014053552A JP 2014053552 A JP2014053552 A JP 2014053552A JP 2012198554 A JP2012198554 A JP 2012198554A JP 2012198554 A JP2012198554 A JP 2012198554A JP 2014053552 A JP2014053552 A JP 2014053552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- gate
- dummy
- dummy trench
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 115
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract description 81
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 3
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 3
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板の主面側に配置された素子形成領域において、X方向に延伸し、X方向と直交するY方向に並設された複数のトレンチゲート12と、X方向に延伸し、トレンチゲート12を挟んでY方向に並設された複数のダミートレンチゲート13と、半導体基板の主面上に形成され、複数のトレンチゲート12同士を電気的に接続するゲート配線15、17、17aと、複数のダミートレンチゲート13同士を電気的に接続するダミーゲート配線14と、を備え、ダミーゲート配線14は、半導体基板の厚さ方向から平面視したときに、トレンチゲート12を避けるようにしてゲート配線15、17、17aと重なっている。
【選択図】図4
Description
まず、第1の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。なお、本実施形態では、IGBT領域10とダイオード領域40が交互に配置されたRC−IGBT構造の半導体装置を例に挙げて説明する。ここで、図1は本実施形態に係る半導体装置1の上面図であり、図2〜4は図1の楕円で囲まれた領域の構成をより詳細に示す拡大図である。さらに、図5、6は図4の断面図である。なお、図6は、構造の一部を簡略化して示している。
本発明に係る半導体装置の第2の実施形態を図面を参照しながら説明する。なお、第1の実施形態と同様の構成及び動作については適宜説明を省略する。
Claims (9)
- 半導体基板の主面側に配置された素子形成領域において、第1の方向に延伸し、当該第1の方向と直交する第2の方向に並設された複数のトレンチゲートと、
前記素子形成領域において、前記第1の方向に延伸し、前記トレンチゲートを挟んで前記第2の方向に並設された複数のダミートレンチゲートと、
前記半導体基板の主面上に形成され、前記複数のトレンチゲート同士を電気的に接続するゲート配線と、
前記半導体基板の主面上に形成され、前記複数のダミートレンチゲート同士を電気的に接続するダミーゲート配線と、を備え、
前記ダミーゲート配線は、前記半導体基板の厚さ方向から平面視したときに、前記トレンチゲートを避けるようにして前記ゲート配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の主面上に形成された第1の配線層と、
前記第1の配線層よりも上層に形成された第2の配線層と、を備え、
前記ダミーゲート配線は、前記第1の配線層に形成され、
前記ゲート配線は、前記第1及び第2の配線層に亘って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の主面上に形成された第1の配線層と、
前記第1の配線層よりも上層に形成された第2の配線層と、を備え、
前記ゲート配線は、前記第1の配線層に形成され、
前記ダミーゲート配線は、前記第1及び第2の配線層に亘って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ダミーゲート配線は、前記第2の方向に延伸する第1の配線部と、前記第1の配線部から前記第1の方向に引き出され、前記ダミートレンチゲートの前記第1の方向の端部と電気的に接続される第2の配線部と、を有し、
前記半導体基板の厚さ方向から平面視したときに、前記第1の配線部が前記第2の方向に沿って前記ゲート配線と重なっていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1の請求項に記載の半導体装置。 - 前記ゲート配線及び前記ダミーゲート配線は、前記第1の方向において、前記トレンチゲート及び前記ダミートレンチゲートの両端部側にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記ダミーゲート配線は、前記第2の方向に延伸する第1の配線部と、前記第1の配線部から前記第1の方向に引き出され、前記ダミートレンチゲートの前記第1の方向の端部と電気的に接続される第2の配線部と、を有し、
前記半導体基板の厚さ方向から平面視したときに、前記第1の配線部が前記ゲート配線との重なりを避け、前記第2の配線部が前記ゲート配線を横切るようにして前記ゲート配線と重なっていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1の請求項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の主面側に、前記第1の方向に所定の間隔を置いて複数の前記素子形成領域が並設され、
前記複数の素子形成領域を一群とするとき、前記ゲート配線及び前記ダミーゲート配線は、前記一群の前記第1の方向における両側にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。 - 前記ダミートレンチゲートに電気的に接続される電極パッドをさらに備え、
前記電極パッドを介して前記ダミートレンチゲートに基準電位が印加されることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1の請求項に記載の半導体装置。 - 前記ダミートレンチゲートに電気的に接続される電極パッドをさらに備え、
前記電極パッドを介して前記ダミートレンチゲートに動作電位が印加されることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1の請求項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012198554A JP6115050B2 (ja) | 2012-09-10 | 2012-09-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012198554A JP6115050B2 (ja) | 2012-09-10 | 2012-09-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014053552A true JP2014053552A (ja) | 2014-03-20 |
JP6115050B2 JP6115050B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=50611722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012198554A Active JP6115050B2 (ja) | 2012-09-10 | 2012-09-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6115050B2 (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015207736A (ja) * | 2014-04-23 | 2015-11-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置の評価方法および半導体装置 |
JP2016025124A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2017059672A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2018046249A (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
US9991353B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-06-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2018163624A1 (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-13 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2018164112A (ja) * | 2018-07-17 | 2018-10-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の評価方法 |
JP2018186208A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
WO2019039304A1 (ja) * | 2017-08-21 | 2019-02-28 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2019036689A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-03-07 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2019036688A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-03-07 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2019054077A1 (ja) * | 2017-09-15 | 2019-03-21 | 富士電機株式会社 | パワーモジュール及び逆導通igbt |
US10403554B2 (en) | 2015-03-16 | 2019-09-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2020065084A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-04-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2020189053A1 (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2020194920A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
WO2022249753A1 (ja) * | 2021-05-24 | 2022-12-01 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN117637830A (zh) * | 2023-11-20 | 2024-03-01 | 海信家电集团股份有限公司 | 半导体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007234850A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2008258406A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2010050211A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012028567A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2012064908A (ja) * | 2010-09-20 | 2012-03-29 | Denso Corp | 半導体装置およびその制御方法 |
-
2012
- 2012-09-10 JP JP2012198554A patent/JP6115050B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007234850A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2008258406A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2010050211A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012028567A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2012064908A (ja) * | 2010-09-20 | 2012-03-29 | Denso Corp | 半導体装置およびその制御方法 |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015207736A (ja) * | 2014-04-23 | 2015-11-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置の評価方法および半導体装置 |
JP2016025124A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
US10403554B2 (en) | 2015-03-16 | 2019-09-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2017059672A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN106549046A (zh) * | 2015-09-16 | 2017-03-29 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
US9870965B2 (en) | 2015-09-16 | 2018-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9991353B2 (en) | 2015-12-03 | 2018-06-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10529814B2 (en) | 2015-12-03 | 2020-01-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2018046249A (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2018148044A (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-20 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
WO2018163624A1 (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-13 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US10840364B2 (en) | 2017-03-06 | 2020-11-17 | Denso Corporation | Semiconductor device |
JP2018186208A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2019036688A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-03-07 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
CN111052323A (zh) * | 2017-08-21 | 2020-04-21 | 株式会社电装 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2019036689A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-03-07 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
WO2019039304A1 (ja) * | 2017-08-21 | 2019-02-28 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
CN111052323B (zh) * | 2017-08-21 | 2023-06-20 | 株式会社电装 | 半导体装置及其制造方法 |
WO2019054077A1 (ja) * | 2017-09-15 | 2019-03-21 | 富士電機株式会社 | パワーモジュール及び逆導通igbt |
US11094809B2 (en) | 2017-09-15 | 2021-08-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power module and reverse-conducting IGBT |
JPWO2019054077A1 (ja) * | 2017-09-15 | 2020-01-16 | 富士電機株式会社 | パワーモジュール及び逆導通igbt |
JP2018164112A (ja) * | 2018-07-17 | 2018-10-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の評価方法 |
JP2020065084A (ja) * | 2018-07-17 | 2020-04-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2020189053A1 (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN112640129A (zh) * | 2019-03-15 | 2021-04-09 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
JPWO2020189053A1 (ja) * | 2019-03-15 | 2021-10-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US11322605B2 (en) | 2019-03-15 | 2022-05-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7272421B2 (ja) | 2019-03-15 | 2023-05-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7272113B2 (ja) | 2019-05-29 | 2023-05-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2020194920A (ja) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
WO2022249753A1 (ja) * | 2021-05-24 | 2022-12-01 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN117637830A (zh) * | 2023-11-20 | 2024-03-01 | 海信家电集团股份有限公司 | 半导体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6115050B2 (ja) | 2017-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6115050B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6896673B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6056202B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の制御方法および半導体装置の評価方法 | |
US9356093B2 (en) | Semiconductor device | |
WO2018163624A1 (ja) | 半導体装置 | |
WO2019159351A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
US9318588B2 (en) | Semiconductor device | |
US10553710B2 (en) | Semiconductor device | |
US10128359B2 (en) | Semiconductor device with improved short circuit capability | |
WO2010125639A1 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2021048337A (ja) | 半導体装置及び半導体回路 | |
US10256232B2 (en) | Semiconductor device including a switching element and a sense diode | |
WO2019159350A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP3893185B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6033054B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR101209564B1 (ko) | 반도체장치 | |
JP2020043200A (ja) | 半導体装置 | |
JP5564763B2 (ja) | Mos型半導体装置の製造方法 | |
JP7320910B2 (ja) | 半導体装置およびその制御方法 | |
JP2012142628A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2011108800A (ja) | 横型igbt及び横型igbtの製造方法 | |
JP5588672B2 (ja) | 半導体装置の試験方法 | |
JP6374115B2 (ja) | 複合型半導体装置 | |
JP2022146579A (ja) | 半導体装置 | |
JP5626534B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141017 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170306 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6115050 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |