JP2014042072A5 - - Google Patents

Description

本発明の実施形態によれば、導電層と、窒化物半導体を含み第１導電形の第１半導体層と、前記導電層と前記第１半導体層との間に設けられた発光部と、前記発光部と前記導電層との間に設けられ窒化物半導体を含み第２導電形の第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記導電層は、前記発光部から放出される光に対して透過性を有する。前記導電層は、多結晶を含む。前記導電層は、第１導電領域と、前記第１導電領域と前記第２半導体層との間に設けられた第２導電領域と、を含む。前記第２導電領域に含まれる粒界どうしの間隔は、前記第１導電領域に含まれる粒界どうしの間隔よりも小さく１５０ナノメートル以下である。前記第２導電領域の前記第１半導体層から前記第２半導体層に向かう方向に沿う長さは、前記第１導電領域の前記方向に沿う長さよりも短い。

Claims (5)

1. 導電層と、
   窒化物半導体を含み第１導電形の第１半導体層と、
   前記導電層と前記第１半導体層との間に設けられた発光部と、
   前記発光部と前記導電層との間に設けられ窒化物半導体を含み第２導電形の第２半導体層と、
   を備え、
   前記導電層は、前記発光部から放出される光に対して透過性を有し、
   前記導電層は、多結晶を含み、
   前記導電層は、第１導電領域と、前記第１導電領域と前記第２半導体層との間に設けられた第２導電領域と、を含み、
   前記第２導電領域に含まれる粒界どうしの間隔は、前記第１導電領域に含まれる粒界どうしの間隔よりも小さく１５０ナノメートル以下であり、
   前記第２導電領域の前記第１半導体層から前記第２半導体層に向かう方向に沿う長さは、前記第１導電領域の前記方向に沿う長さよりも短いことを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記第２導電領域の前記長さは、１００ナノメートル以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
3. 前記導電層の前記方向に沿う長さは、１５０ナノメートルよりも大きく２００ナノメートル以下、及び、２６０ナノメートル以上３３０ナノメートル以下のいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
4. 前記導電層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＴｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
5. 前記導電層は、前記光に対する透過率が前記第１導電領域の透過率よりも低く前記第２導電領域の透過率よりも低い第３導電領域をさらに含み、
   前記第３導電領域と前記第２半導体層の一部との間に前記第１導電領域の一部が配置され、
   前記第１導電領域は、
   前記第３導電領域と前記第２半導体層との間において前記第３導電領域と前記第２半導体層とに接する第１部分と、
   前記第３導電領域に覆われておらず、前記第２導電領域の少なくとも一部を覆う第２部分と、
   を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。