JP2014042072A5 - - Google Patents
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Description
本発明の実施形態によれば、導電層と、窒化物半導体を含み第1導電形の第1半導体層と、前記導電層と前記第1半導体層との間に設けられた発光部と、前記発光部と前記導電層との間に設けられ窒化物半導体を含み第2導電形の第2半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記導電層は、前記発光部から放出される光に対して透過性を有する。前記導電層は、多結晶を含む。前記導電層は、第1導電領域と、前記第1導電領域と前記第2半導体層との間に設けられた第2導電領域と、を含む。前記第2導電領域に含まれる粒界どうしの間隔は、前記第1導電領域に含まれる粒界どうしの間隔よりも小さく150ナノメートル以下である。前記第2導電領域の前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿う長さは、前記第1導電領域の前記方向に沿う長さよりも短い。
Claims (5)
- 導電層と、
窒化物半導体を含み第1導電形の第1半導体層と、
前記導電層と前記第1半導体層との間に設けられた発光部と、
前記発光部と前記導電層との間に設けられ窒化物半導体を含み第2導電形の第2半導体層と、
を備え、
前記導電層は、前記発光部から放出される光に対して透過性を有し、
前記導電層は、多結晶を含み、
前記導電層は、第1導電領域と、前記第1導電領域と前記第2半導体層との間に設けられた第2導電領域と、を含み、
前記第2導電領域に含まれる粒界どうしの間隔は、前記第1導電領域に含まれる粒界どうしの間隔よりも小さく150ナノメートル以下であり、
前記第2導電領域の前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう方向に沿う長さは、前記第1導電領域の前記方向に沿う長さよりも短いことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第2導電領域の前記長さは、100ナノメートル以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記導電層の前記方向に沿う長さは、150ナノメートルよりも大きく200ナノメートル以下、及び、260ナノメートル以上330ナノメートル以下のいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記導電層は、In、Sn、Zn及びTiよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記導電層は、前記光に対する透過率が前記第1導電領域の透過率よりも低く前記第2導電領域の透過率よりも低い第3導電領域をさらに含み、
前記第3導電領域と前記第2半導体層の一部との間に前記第1導電領域の一部が配置され、
前記第1導電領域は、
前記第3導電領域と前記第2半導体層との間において前記第3導電領域と前記第2半導体層とに接する第1部分と、
前記第3導電領域に覆われておらず、前記第2導電領域の少なくとも一部を覆う第2部分と、
を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
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