JP2014025772A - 物理量測定装置および物理量測定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】測定条件の設定に要する時間の増大と、測定条件のための記憶容量の増加とを回避する。
【解決手段】処理部４は、周波数ｆ１〜ｆ３での基準の試料１１の抵抗値Ｒｐｒ１〜Ｒｐｒ３を実測値として測定して記憶する実測値測定処理と、基準の試料１１の周波数ｆ１〜ｆ３での抵抗値Ｒｐｒ１〜Ｒｐｒ３と基準物理量である抵抗値Ｒ１〜Ｒ３とに基づいて抵抗値Ｒｐｒ１〜Ｒｐｒ３を抵抗値Ｒ１〜Ｒ３に補正する補正値Ｒｃ１〜Ｒｃ３を算出して記憶する補正値算出処理と、補正値Ｒｃ１〜Ｒｃ３に基づいて周波数ｆ１〜ｆ３を含む設定値範囲内での任意の周波数ｆｘに対する補正値Ｒｃｘを特定する近似式を算出して記憶する近似式算出処理とを実行し、周波数をｆｘにして抵抗値Ｒを測定する際に、測定された実測値（抵抗値Ｒ）に対して、近似式に基づいて周波数ｆｘでの補正値Ｒｃｘを適用して抵抗値Ｒを算出する物理量測定処理を実行する。
【選択図】図１

Description

本発明は、測定対象の物理量についての実測値に対して補正を行って、実際の物理量を測定する物理量測定装置および物理量測定方法に関するものである。

この種の物理量測定装置として、出願人は下記の非特許文献１に開示された測定装置を既に提案している。この測定装置は、ロード補正機能、すなわち、測定値（測定される物理量）が既知である（値付けされている）基準試料（例えば、より高精度で上位機種である基準になる測定装置において規定の測定条件の下で測定値が測定された試料）をこの規定の測定条件の下で実際に測定すると共に、この測定された基準試料の測定値（実測値）と上記の既知の測定値（基準値）とに基づいて補正値（補正係数）を算出し、基準試料と同じ仕様の試料（仕様上の物理量が同じ試料）の測定に際しては、上記の規定の測定条件で実際に物理量を測定すると共に、この測定値（実測値）に対して上記の補正値を用いて補正することで、試料の物理量を正確に測定するという機能を備えている。

具体的には、この測定装置では、この測定条件（補正条件）は、基準試料の物理量を測定する際に使用する測定用信号の周波数、基準となる物理量の種類、およびこの基準となる物理量の測定値に対する基準値などの複数の条件項目で構成されている。また、この測定装置では、操作者がテンキーなどの操作キーを操作して各条件項目を任意の設定値に設定するように構成されている。

以上のようにして測定条件が設定された測定装置は、次のようにして補正値を算出する。例えば、測定条件として設定された基準となる物理量（測定する物理量）の種類がインピーダンスＺである場合を例に挙げて説明する。まず、テストフィクスチャ（試料固定具）に取り付けられている基準試料に測定条件として設定された周波数の測定用信号を供給して、この基準試料についてのインピーダンスＺ（測定値）を測定する。次いで、この測定したインピーダンスＺの実測値と、測定条件として設定された基準値（この場合、インピーダンスＺの基準値）とから、設定されている測定条件での補正値を算出して記憶する。具体的には、インピーダンスＺの基準値をインピーダンスＺの実測値で除算して補正値を算出する。

このようにして補正値が算出された測定装置において実際の試料（仕様上の測定値が基準試料と同じ試料）についての基準となる物理量（インピーダンスＺ）を測定する場合には、まず、テストフィクスチャに取り付けられた試料に対して、測定条件として設定された周波数の測定用信号を供給して、試料のインピーダンスＺを測定し、次いで、測定したインピーダンスＺを上記のようにして算出した補正値で補正して（具体的には、測定したインピーダンスＺにこの補正値を乗算して）、最終的なインピーダンスＺを算出する。

一般的に、同じメーカの同種の測定装置毎に同じ試料を測定したとしても、測定値（実測値）にばらつきが生じる場合がある。一方、各測定装置に上記のような補正機能が備わっているときには、各測定装置では、実測値を補正値で補正して最終的な測定値として測定することにより、試料の物理量を正確に測定することが可能であるため、結果として、各測定装置での測定値の互換性を確保することも可能になる。さらに、このような補正機能が備わっている測定装置では、異なるメーカの同種の測定装置との間でも、測定値に互換性を確保することが可能である。

ＨＩＯＫＩ３５３５ＬＣＲハイテスタ詳細取扱説明書（２０１１年１月発行 改訂９版）のｐ．２６−３０

ところが、上記の測定装置には、以下のような改善すべき課題が存在している。すなわち、この測定装置では、１つの測定条件に対して１つの補正値を設定する構成のため、異なる複数の測定条件で試料の測定値を測定する場合には、操作者は、測定条件の個数に、測定条件を構成する条件項目の数を乗算して得られる回数だけ、設定値を手動で設定しなければならず、手間がかかるという改善すべき課題が存在している。また、これに伴って記憶するデータ量も増加するため、大容量のメモリが必要になり、装置コストが上昇するという改善すべき課題も存在している。

本発明は、上記の課題を改善すべくなされたものであり、測定条件の設定に要する時間の増大と、測定条件のための記憶容量の増加とを回避し得る物理量測定装置および物理量測定方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の物理量測定装置は、測定条件を規定する条件項目の設定値を設定して測定対象の物理量を測定可能な測定部、処理部および記憶部を備え、前記処理部は、前記物理量が既知の基準物理量である基準測定対象としての前記測定対象について、前記条件項目の前記設定値を変えて複数の基準設定値での前記物理量の実測値を前記測定部に測定させると共に当該測定された実測値を前記記憶部に記憶させる実測値測定処理と、前記基準測定対象について測定された前記各基準設定値での前記実測値と当該基準測定対象の当該各基準設定値での基準物理量とに基づいて、当該各基準設定値での当該実測値を当該基準物理量に補正するための当該各基準設定値での補正値を算出して前記記憶部に記憶させる補正値算出処理と、前記算出した各補正値に基づいて、前記各基準設定値を含む設定値範囲内での任意の設定値に対する前記補正値を特定する近似式を算出して前記記憶部に記憶させる近似式算出処理とを実行し、前記条件項目の前記設定値を任意の設定値に設定して前記測定対象の物理量を測定する際に、前記測定部で測定された前記実測値に対して、前記近似式に基づいて特定した当該任意の設定値での前記補正値を適用して当該測定対象の物理量を算出する物理量測定処理を実行する。

また、請求項２記載の物理量測定装置は、測定条件を規定する条件項目の設定値を設定して測定対象の物理量を測定可能な測定部、処理部および記憶部を備え、前記処理部は、前記物理量が既知の基準物理量であって当該基準物理量が互いに異なる基準測定対象としての複数の前記測定対象について、前記条件項目の前記設定値を同一にして前記物理量の実測値を前記測定部に測定させると共に当該測定された実測値を前記記憶部に記憶させる実測値測定処理と、前記各基準測定対象について測定された前記各実測値と前記各基準物理量とに基づいて、前記設定値での当該各実測値を対応する当該基準物理量に補正するための当該各基準物理量での補正値を算出して前記記憶部に記憶させる補正値算出処理と、前記算出した各補正値に基づいて、前記各基準物理量を含む物理量範囲内での任意の前記物理量に対する前記補正値を特定する近似式を算出して前記記憶部に記憶させる近似式算出処理とを実行し、前記条件項目の前記設定値を任意の設定値に設定して前記物理量が前記物理量範囲内である前記測定対象の物理量を測定する際に、前記測定部で測定された前記実測値に対して、前記近似式に基づいて特定した当該任意の設定値での前記補正値を適用して当該測定対象の物理量を算出する物理量測定処理を実行する。

また、請求項３記載の物理量測定方法は、測定条件を規定する条件項目の設定値を設定して測定対象の物理量を測定する物理量測定方法であって、前記物理量が既知の基準物理量である基準測定対象としての前記測定対象について、前記条件項目の前記設定値を変えて複数の基準設定値での前記物理量の実測値を測定すると共に当該測定した実測値を記憶する実測値測定処理と、前記基準測定対象について測定した前記各基準設定値での前記実測値と当該基準測定対象の当該各基準設定値での基準物理量とに基づいて、当該各基準設定値での当該実測値を当該基準物理量に補正するための当該各基準設定値での補正値を算出して記憶する補正値算出処理と、前記算出した各補正値に基づいて、前記各基準設定値を含む設定値範囲内での任意の設定値に対する前記補正値を特定する近似式を算出して記憶する近似式算出処理とを実行し、前記条件項目の前記設定値を任意の設定値に設定して前記測定対象の物理量を測定する際に、前記測定した実測値に対して、前記近似式に基づいて特定した当該任意の設定値での前記補正値を適用して当該測定対象の物理量を算出する物理量測定処理を実行する。

また、請求項４記載の物理量測定方法は、測定条件を規定する条件項目の設定値を設定して測定対象の物理量を測定する物理量測定方法であって、前記物理量が既知の基準物理量であって当該基準物理量が互いに異なる基準測定対象としての複数の前記測定対象について、前記条件項目の前記設定値を同一にして前記物理量の実測値を測定すると共に当該測定した実測値を記憶する実測値測定処理と、前記各基準測定対象について測定した前記各実測値と前記各基準物理量とに基づいて、前記設定値での当該各実測値を対応する当該基準物理量に補正するための当該各基準物理量での補正値を算出して記憶する補正値算出処理と、前記算出した各補正値に基づいて、前記各基準物理量を含む物理量範囲内での任意の前記物理量に対する前記補正値を特定する近似式を算出して記憶する近似式算出処理とを実行し、前記条件項目の前記設定値を任意の設定値に設定して前記物理量が前記物理量範囲内である前記測定対象の物理量を測定する際に、前記測定した実測値に対して、前記近似式に基づいて特定した当該任意の設定値での前記補正値を適用して当該測定対象の物理量を算出する物理量測定処理を実行する。

請求項１記載の物理量測定装置および請求項３記載の物理量測定方法では、１つの条件項目の設定値を任意の設定値に設定して測定対象の物理量を測定する際に、測定された実測値に対して、近似式に基づいて特定したこの任意の設定値での補正値を適用して物理量を算出する物理量測定処理を実行する。

したがって、この物理量測定装置およびこの物理量測定方法によれば、測定条件を構成する複数の条件項目のうちの上記の１つの条件項目についての各基準設定値での基準物理量を記憶しておくだけで、各基準設定値を含む設定値範囲内で条件項目の設定値を任意に変更したとしても、この新たな測定条件での測定対象の物理量を正確に測定することができる。すなわち、この物理量測定装置およびこの物理量測定方法によれば、上記の１つの条件項目の設定値を細かく分割して、設定値毎の測定条件を個別に規定して記憶する構成とは異なり、記憶する測定条件の数を必要最小限に抑制でき、これに伴い測定条件の各条件項目の設定値を入力する手間も大幅に省くことができるため、測定条件の設定に要する時間の増大と、測定条件のための記憶容量の増加とを回避することができる。

請求項２記載の物理量測定装置および請求項４記載の物理量測定方法では、条件項目の設定値を各実測値を測定したときの設定値と同一にして、仕様上の物理量が物理量範囲内の測定対象の物理量を測定する際に、測定された実測値に対して、近似式に基づいて特定したこの実測値での補正値を適用して測定対象の物理量を算出する物理量測定処理を実行する。

したがって、この物理量測定装置およびこの物理量測定方法によれば、各基準物理量での補正値を記憶しておくだけで、測定対象の物理量を物理量範囲内で任意に変更したとしても、この新たな測定条件での測定対象の物理量を正確に測定することができる。すなわち、この物理量測定装置およびこの物理量測定方法によれば、測定対象の物理量を細かく分割して、物理量毎の測定条件を個別に規定して記憶する構成とは異なり、記憶する測定条件の数を必要最小限に抑制でき、これに伴い測定条件の各条件項目の設定値を入力する手間も大幅に省くことができるため、測定条件の設定に要する時間の増大と、測定条件のための記憶容量の増加とを回避することができる。

物理量測定装置１の構成図である。 測定条件を説明するための説明図である。 周波数ｆから補正値Ｒｃを算出する近似式を説明するための説明図である。 他の測定条件を説明するための説明図である。 抵抗値Ｒから補正値ＲｃＡを算出する近似式を説明するための説明図である。

以下、添付図面を参照して、物理量測定装置および物理量測定方法の実施の形態について説明する。

最初に、物理量測定装置１（以下、「測定装置１」ともいう）の構成について、図面を参照して説明する。

測定装置１は、図１に示すように、一例として、測定部２、操作部３、処理部４、記憶部５および出力部６を備え、測定対象としての試料１１の物理量を測定可能に構成されている。

測定部２は、図１に示すように、一例として、信号生成部２ａ、電流検出部２ｂ、電圧検出部２ｃおよび演算部２ｄを備え、試料１１の物理量を測定する（実測する）。この場合、信号生成部２ａは、処理部４から出力される制御データＤｃ１に含まれている周波数データで示される周波数、およびレベルデータで示されるレベル（振幅）の交流信号（本例では正弦波信号）を生成する。また、信号生成部２ａは、この生成した交流信号に、制御データＤｃ１に含まれているバイアスデータで示されるＤＣバイアス（測定装置１内の基準電位（グランド電位）Ｇを基準とした直流電圧）を重畳させることにより、電圧信号である測定用信号Ｓｖを生成する。また、信号生成部２ａは、生成した測定用信号Ｓｖを試料１１の一方の端部に出力する。

電流検出部２ｂは、試料１１の他方の端部と基準電位Ｇとの間に配設されて、測定用信号Ｓｖが試料１１に出力されているときに試料１１に流れる電流Ｉ１を検出する。この際に、電流検出部２ｂは、複数の測定レンジのうちの処理部４から出力される制御データＤｃ２に含まれているレンジデータで示される測定レンジに切り替えて電流Ｉ１を検出する。また、電流検出部２ｂは、電流Ｉ１を検出したときには、この電流Ｉ１の波形を示す波形データＤｉを演算部２ｄに出力する。電圧検出部２ｃは、試料１１に電流Ｉ１が流れることによって試料１１の両端間に発生する両端間電圧Ｖ１を検出する。この際に、電圧検出部２ｃは、複数の測定レンジのうちの処理部４から出力される制御データＤｃ３に含まれているレンジデータで示される測定レンジに切り替えて両端間電圧Ｖ１を検出する。また、電圧検出部２ｃは、両端間電圧Ｖ１を検出したときには、この両端間電圧Ｖ１の波形を示す波形データＤｖを演算部２ｄに出力する。

演算部２ｄは、電流検出部２ｂおよび電圧検出部２ｃでの各レンジデータ、両端間電圧Ｖ１の波形データＤｖ、並びに電流Ｉ１の波形を示す波形データＤｉに基づいて、試料１１の物理量を算出して、算出した物理量を示す物理量データＤｐを処理部４に出力する。

操作部３は、テンキーを含む複数種類の操作キーを備えて構成されて、これらの操作キーが操作者によって操作されることにより、試料１１についての物理量の種類を特定するためのモードデータ、物理量の基準値（基準物理量）を示す基準値データ、および物理量を測定する際の予め規定された測定条件を構成する条件項目の設定値を示す設定値データを含む設定データＤｓｅｔ（測定部２に対するデータ）を処理部４に出力する。本例では一例として、測定条件を構成する条件項目として、測定用信号Ｓｖの周波数、測定用信号Ｓｖのレベル、測定用信号ＳｖのＤＣバイアス、および物理量の測定レンジが規定されている。このため、設定データＤｓｅｔには、測定用信号Ｓｖの周波数を示す周波数データ、測定用信号Ｓｖのレベルを示すレベルデータ、測定用信号ＳｖのＤＣバイアスを示すバイアスデータ、および物理量の測定レンジを示すレンジデータが含まれている。

処理部４は、ＣＰＵなどを備えて構成されて、操作部３から出力される設定データＤｓｅｔ、および測定部２から出力される物理量データＤｐを記憶部５に記憶させる記憶処理を実行する。また、処理部４は、基準値記憶処理、実測値測定処理、補正値算出処理、近似式算出処理および物理量測定処理を実行する。また、処理部４は、測定部２に対する制御処理を実行して、測定用信号Ｓｖの周波数、測定用信号Ｓｖのレベル、測定用信号ＳｖのＤＣバイアス、電流検出部２ｂでの測定レンジ、および電圧検出部２ｃでの測定レンジを測定部２に設定する。なお、操作部３から出力される設定データＤｓｅｔに含まれる物理量の測定レンジは電流検出部２ｂおよび電圧検出部２ｃでの各測定レンジの組み合わせで規定される。このため、処理部４は、この物理量の測定レンジに基づいて、電流検出部２ｂおよび電圧検出部２ｃでの各測定レンジを特定して、特定した各測定レンジを測定部２に設定する。また、処理部４は、試料１１の最終的な物理量を示す物理量データＤｐ１を出力部６に出力する出力処理を実行する。

記憶部５は、一例として、ＲＡＭおよびＲＯＭなどの半導体メモリや、ＨＤＤ（Hard Disk Drive ）で構成されて、処理部４用の動作プログラムが予め記憶されている。また、記憶部５は、処理部４のワークメモリとしても機能する。

出力部６は、一例として、液晶ディスプレイなどの表示装置で構成されて、処理部４から入力した物理量データＤｐ１で示される試料１１の最終的な物理量を画面上に表示する。なお、表示装置に代えて、外部装置とデータ通信を行うインターフェース装置で構成して、この外部装置に物理量データＤｐ１を出力する構成を採用することもできる。

次いで、測定装置１による試料１１の物理量の測定動作と共に試料１１の物理量測定方法について説明する。なお、一例として、測定装置１が試料１１としての抵抗体についての物理量としての抵抗値Ｒを測定する例を挙げて説明する。

測定装置１では、処理部４が、まず、基準値記憶処理を実行する。この基準値記憶処理では、処理部４は、操作者が操作部３を操作して入力した設定データＤｓｅｔを複数個（本例では一例として３つ）入力して記憶部５に記憶させる。この場合、各設定データＤｓｅｔに含まれている測定用信号Ｓｖの周波数データ、測定用信号Ｓｖのレベルデータ、測定用信号Ｓｖのバイアスデータ、および物理量の測定レンジ（つまり、電流検出部２ｂでのレンジデータおよび電圧検出部２ｃでのレンジデータ）は、例えば、基準になる他の測定装置において、物理量が既知（この例では既知の抵抗値Ｒ）の基準測定対象（基準試料）を測定したときの測定条件を構成する各条件項目（上記の測定用信号Ｓｖの周波数、レベルおよびＤＣバイアス、並びに測定レンジ）の設定値（基準設定値）を示しており、また設定データＤｓｅｔに含まれている基準値データで示される基準値は、この測定条件の下で実際に測定された基準測定対象（基準試料）の物理量（基準値としての抵抗値Ｒ）を示している。

この基準値記憶処理の実行により、処理部４は、図２に示す３つの測定条件ａ１，ａ２，ａ３を記憶部５に記憶する。具体的には、１つ目の測定条件ａ１として、測定用信号Ｓｖの周波数ｆ１［ｋＨｚ］、測定用信号ＳｖのレベルＬＶ１、測定用信号ＳｖのＤＣバイアス（ＯＦＦ。つまり、０［Ｖ］）、測定レンジＲＧ１、およびモード（抵抗値Ｒ）が記憶され、さらに、このときの基準の試料１１の基準物理量としての抵抗値Ｒ１［Ω］が記憶される。また、２つ目の測定条件ａ２として、測定用信号Ｓｖの周波数ｆ２（＞ｆ１）［ｋＨｚ］、測定用信号ＳｖのレベルＬＶ１、測定用信号ＳｖのＤＣバイアス（ＯＦＦ。つまり、０［Ｖ］）、測定レンジＲＧ１、およびモード（抵抗値Ｒ）が記憶され、さらに、このときの基準の試料１１の基準物理量としての抵抗値Ｒ２［Ω］が記憶される。また、３つ目の測定条件ａ３として、測定用信号Ｓｖの周波数ｆ３（＞ｆ２）［ｋＨｚ］、測定用信号ＳｖのレベルＬＶ１、測定用信号ＳｖのＤＣバイアス（ＯＦＦ。つまり、０［Ｖ］）、測定レンジＲＧ１、およびモード（抵抗値Ｒ）が記憶され、さらに、このときの基準の試料１１の基準物理量としての抵抗値Ｒ３［Ω］が記憶される。この場合、基準になる他の測定装置において、測定用信号Ｓｖの周波数のみを上記のようにｆ１，ｆ２，ｆ３というように変更して測定される同一の基準の試料１１についての各測定条件ａ１，ａ２，ａ３での基準物理量としての抵抗値Ｒは、大きくは相違しないが、測定用信号Ｓｖの周波数が相違することに起因して、上記のように若干異なる抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３として測定される。また、各抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、上記の同じ測定レンジＲＧ１で測定可能な抵抗値Ｒである。

次いで、処理部４は、実測値測定処理を実行する。なお、処理部４によるこの実測値測定処理の実行に先立ち、測定装置１の測定部２に試料１１として上記の基準試料が接続されているものとする。この実測値測定処理では、処理部４は、物理量が既知の基準物理量である基準試料について、測定条件の条件項目の１つである測定用信号Ｓｖの周波数における複数の設定値（上記の測定条件ａ１，ａ２，ａ３として記憶されている各基準設定値のうちの１つとしての周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３）での物理量（抵抗値Ｒ）を測定部２に対して測定させると共に、測定された抵抗値（実測値）を抵抗値Ｒｐｒ１，Ｒｐｒ２，Ｒｐｒ３として記憶部５に記憶させる。

続いて、処理部４は、補正値算出処理を実行する。この補正値算出処理では、処理部４は、上記の各基準設定値（周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３）での実測値である抵抗値Ｒｐｒ１，Ｒｐｒ２，Ｒｐｒ３と、基準物理量である抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３とに基づいて、各抵抗値Ｒｐｒ１，Ｒｐｒ２，Ｒｐｒ３を、対応する抵抗値Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に補正するための各抵抗値Ｒｐｒ１，Ｒｐｒ２，Ｒｐｒ３についての補正値Ｒｃ１，Ｒｃ２，Ｒｃ３を算出して記憶部５に記憶させる。この場合の補正値Ｒｃ１は、抵抗値Ｒ１を抵抗値Ｒｐｒ１で除算して、つまり抵抗値Ｒ１／抵抗値Ｒｐｒ１の式から算出される。他の補正値Ｒｃ２，Ｒｃ３についても同様にして、抵抗値Ｒ２／抵抗値Ｒｐｒ２、抵抗値Ｒ３／抵抗値Ｒｐｒ３の各式からそれぞれ算出される。

次いで、処理部４は、近似式算出処理を実行する。この近似式算出処理では、処理部４は、算出した各補正値Ｒｃ１，Ｒｃ２，Ｒｃ３に基づいて、各基準設定値（周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３）を含む設定値範囲（図３中の符号Ｗで表される範囲）内での任意の設定値（この例では周波数ｆ）に対する補正値Ｒｃを特定する近似式を算出して記憶部５に記憶させる。この場合、周波数ｆ１での補正値Ｒｃ１と、周波数ｆ２での補正値Ｒｃ２と、周波数ｆ３での補正値Ｒｃ３とは、図３に示すように、横軸を周波数ｆとし、縦軸を補正値Ｒｃとしたときに、同図中の３点で表される。処理部４は、この近似式算出処理では、例えば最小二乗法に基づいて、この３点の関係を示す近似式（例えば、各３点を通る曲線を示す式（周波数ｆを変数として補正値を特定する式））を算出する。これにより、処理部４は、この近似式を使用することにより、設定値範囲Ｗ内の任意の周波数ｆでの補正値Ｒｃを特定することが可能になる。なお、設定値範囲が各基準設定値（周波数ｆ１，ｆ２）を含む範囲であるときには、この範囲内での任意の設定値（周波数ｆ）に対する補正値Ｒｃを特定する近似式を算出し、設定値範囲が各基準設定値（周波数ｆ２，ｆ３）を含む範囲であるときには、この範囲内での任意の設定値（周波数ｆ）に対する補正値Ｒｃを特定する近似式を算出する。なお、上記の例では、近似式として、上記の各３点を通る曲線を示す１つの式を算出しているが、３点のうちの最も低い周波数ｆ１よりも周波数の低い範囲においては、周波数ｆ１の点と、この点の次に周波数の低い点（周波数ｆ２の点）の２点の関係を示す近似式を使用してもよく、同様にして、３点のうちの最も高い周波数ｆ３よりも周波数の高い範囲においては、周波数ｆ３の点と、この点の次に周波数の高い点（周波数ｆ２の点）の２点の関係を示す近似式を使用してもよい。

続いて、処理部４は、物理量測定処理を実行する。この物理量測定処理では、処理部４は、測定装置１の測定部２に接続された試料１１（上記の基準試料と同じ仕様、つまり、物理量としての抵抗値Ｒが、仕様上、基準試料の抵抗値Ｒと同じ試料）についての物理量（抵抗値Ｒ）を、操作部３から出力された設定データＤｓｅｔで規定される測定条件（設定データＤｓｅｔに含まれる各条件項目の設定値で規定される測定条件）で測定する。

具体的には、処理部４は、この設定データＤｓｅｔに含まれる条件項目のうちの測定用信号Ｓｖの周波数を示す周波数データ、測定用信号Ｓｖのレベルを示すレベルデータ、および測定用信号ＳｖのＤＣバイアスを示すバイアスデータを制御データＤｃ１として測定部２の信号生成部２ａに出力して、この周波数データで示される周波数（後述する周波数ｆｘであるとする）で、かつこのレベルデータで示されるレベル（振幅）で、かつこのバイアスデータで示されるＤＣバイアスが重畳された交流信号（本例では正弦波信号）を生成させる。また、処理部４は、この設定データＤｓｅｔに含まれる条件項目のうちの測定レンジを示すレンジデータに基づいて、電流検出部２ｂでの測定レンジおよび電圧検出部２ｃでの測定レンジを特定して、特定した電流検出部２ｂでの測定レンジを示すレンジデータを制御データＤｃ２として測定部２の電流検出部２ｂに出力して、このレンジデータで示される測定レンジで試料１１に流れる電流Ｉ１を検出させると共に、特定した電圧検出部２ｃでの測定レンジを示すレンジデータを制御データＤｃ３として測定部２の電圧検出部２ｃに出力して、このレンジデータで示される測定レンジで試料１１の両端間電圧Ｖ１を検出させる。これにより、測定部２の演算部２ｄは、電流検出部２ｂおよび電圧検出部２ｃでの各レンジデータと、電圧検出部２ｃから出力される両端間電圧Ｖ１の波形データＤｖと、電流検出部２ｂから出力される電流Ｉ１の波形を示す波形データＤｉとに基づいて、試料１１の物理量（この例では抵抗値Ｒ）を算出して、算出した物理量を示す物理量データＤｐを処理部４に出力する。

本例では、処理部４は、上記の近似式を使用することにより、設定値範囲Ｗ内の任意の周波数ｆでの補正値Ｒｃを算出することが可能である。このため、操作者は、上記した各測定条件ａ１〜ａ３のすべての条件項目（測定用信号Ｓｖの周波数、測定用信号Ｓｖのレベル、測定用信号ＳｖのＤＣバイアス、測定レンジ）のうちの測定用信号Ｓｖの周波数を除く他の条件項目における設定値については、変更できないものの、測定用信号Ｓｖの周波数については、図３に示す設定値範囲Ｗ内での任意の設定値（周波数ｆｘ）を選択することが可能である。

これにより、この物理量測定処理において、処理部４は、上記の近似式を使用して周波数ｆｘでの補正値Ｒｃｘを算出する。続いて、処理部４は、測定部２から取得した物理量データＤｐで示される実測値（抵抗値Ｒ）に対して、この算出した補正値Ｒｃｘを適用して、具体的には、実測値（抵抗値Ｒ）に補正値Ｒｃｘを乗算して、試料１１についての最終的な抵抗値Ｒを算出する。最後に、処理部４は、算出した抵抗値Ｒを示す物理量データＤｐ１を記憶部５に記憶させると共に、出力処理を実行して出力部６に出力する。出力部６は、物理量データＤｐ１で示される最終的な抵抗値Ｒを画面に表示させる。

また、測定用信号Ｓｖの周波数を設定値範囲Ｗ内で変更して、試料１１の抵抗値Ｒを再測定する場合には、操作者は、操作部３に対する操作を実行して、操作部３から処理部４に対して、変更後の周波数を示す設定値の周波数データを含む設定データＤｓｅｔを出力させる。これにより、処理部４が上記の物理量測定処理を再度実行することにより、この変更後の周波数についての測定条件が記憶部５に個別に記憶されていない構成であっても、処理部４が変更後の周波数の設定値での補正値を近似式から算出することができるため、試料１１の抵抗値Ｒを再測定することが可能になっている。

このように、この測定装置１およびこの物理量測定方法では、測定条件を構成する複数の条件項目の１つである周波数についての各基準設定値（ｆ１，ｆ２，ｆ３）での実測値を基準物理量に補正するための各基準設定値での補正値Ｒｃ１，Ｒｃ２，Ｒｃ３を算出する補正値算出処理と、算出した各補正値に基づいて、周波数についての上記の各基準設定値を含む設定値範囲Ｗ内での任意の設定値（周波数ｆ）に対する補正値Ｒｃを特定する近似式を算出する近似式算出処理とを実行し、条件項目の１つである測定用信号Ｓｖの周波数の設定値を任意の設定値（周波数ｆ）に設定して試料１１の物理量（抵抗値Ｒ）を測定する際に、測定部２で測定された実測値（抵抗値Ｒ）に対して、近似式に基づいて特定したこの任意の設定値（周波数ｆｘ）での補正値Ｒｃｘを適用して試料１１の最終的な物理量（抵抗値Ｒ）を算出する物理量測定処理を実行する。

したがって、この測定装置１およびこの物理量測定方法によれば、測定条件を構成する複数の条件項目の１つである周波数についての各基準設定値（ｆ１，ｆ２，ｆ３）での基準物理量（抵抗値Ｒ）を記憶部５に記憶しておくだけで、測定用信号Ｓｖの周波数を設定値範囲Ｗ内で任意に変更したとしても、この新たな測定条件での試料１１の物理量（抵抗値Ｒ）を正確に測定することができる。すなわち、この測定装置１およびこの物理量測定方法によれば、測定用信号Ｓｖの周波数を細かく分割して、周波数毎の測定条件を個別に規定して記憶部に記憶する構成とは異なり、記憶部５に記憶させる測定条件の数を必要最小限（本例では３つ）に抑制でき、これに伴い測定条件の各条件項目の設定値を入力する手間も大幅に省くことができるため、測定条件の設定に要する時間の増大と、測定条件のための記憶容量（記憶部５の容量）の増加とを回避することができる。

なお、上記の測定装置１では、測定条件を規定する条件項目のうちの測定用信号Ｓｖの周波数ｆについての複数の基準設定値を記憶部５に記憶して、各基準設定値（各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３）での補正値Ｒｃ１、Ｒｃ２，Ｒｃ３を算出し、さらに各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３と各補正値Ｒｃ１、Ｒｃ２，Ｒｃ３とから周波数ｆと補正値Ｒｃとの関係を示す近似式を算出することで、記憶部５に記憶させる測定条件の数の増加を回避しつつ、測定用信号Ｓｖの周波数ｆを設定値範囲Ｗ内で任意に変更して試料１１の物理量（抵抗値Ｒ）を測定可能としているが、周波数以外の他の条件項目（測定用信号Ｓｖのレベルや、測定用信号ＳｖのＤＣバイアス）についても、周波数と同様にして補正値を算出する近似式を算出して、任意の設定値における試料１１の物理量（抵抗値Ｒ）を測定可能とする構成を採用することもできる。

また、測定条件を構成する複数の条件項目のうちの１つの条件項目についての３つの基準設定値に基づいて物理量に対する補正値についての近似式を算出する構成を採用しているが、より簡易に２つの基準設定値に基づいて補正値についての近似式を算出する構成を採用することもできるし、４つ以上の基準設定値に基づいて補正値についてのより正確な近似式を算出する構成を採用することもできる。

また、上記の測定装置１では、基準試料と同じ仕様（仕様上の物理量が同じ）の試料１１の物理量について、測定条件を構成する複数の条件項目のうちの１つの条件項目の設定値と物理量との関係を示す近似式を用いて、この１つの条件項目の設定値を任意に変えて測定し得る構成を採用しているが、同種（基本的な構造は同じ）ではあるが、例えば寸法の違いなどによって仕様上の物理量が異なる複数の基準試料についての基準物理量を１つの測定条件の下で測定すると共に、この基準試料と同種の試料についての物理量と補正値との関係を示す近似式を算出し、基準試料と同種ではあるものの仕様上の物理量が異なる試料の物理量を測定するときには、この仕様上の物理量に対応する補正値をこの近似式を用いて算出し、算出した補正値で測定した物理量（実測値）を補正して、最終的な物理量を測定する構成を採用することもできる。以下、この構成を採用した物理量測定装置１Ａ（以下、「測定装置１Ａ」ともいう）について説明する。

まず、この測定装置１Ａの構成について図１を参照して説明する。なお、基本的な構成は測定装置１と同一であり、処理部４での処理の内容のみが相違するため、処理部４Ａを除く他の同一の構成については同一の符号を付して重複する説明を省略する。

測定装置１Ａは、図１に示すように、一例として、測定部２、操作部３、処理部４Ａ、記憶部５および出力部６を備え、測定対象としての試料１１の物理量を測定可能に構成されている。

操作部３は、操作キーが操作者によって操作されることにより、試料１１についての物理量の種類を特定するためのモードデータ、物理量の基準値（基準物理量）を示す基準値データ、および物理量を測定する際の予め規定された測定条件を構成する条件項目の設定値を示す設定値データを含む設定データＤｓｅｔを処理部４Ａに出力する。本例では一例として、測定条件を構成する条件項目として、図４に示すように、測定用信号Ｓｖの周波数、測定用信号Ｓｖのレベル、測定用信号ＳｖのＤＣバイアス、および物理量の測定レンジが規定されている。

処理部４Ａは、処理部４と同様にして、上記の記憶処理、基準値記憶処理、実測値測定処理、補正値算出処理、近似式算出処理および物理量測定処理を実行する。また、処理部４Ａは、処理部４と同様にして、測定部２に対する制御処理と、出力処理とを実行する。

次いで、測定装置１Ａによる試料１１の物理量の測定動作について説明する。なお、一例として、測定装置１Ａが試料１１としての抵抗体についての物理量としての抵抗値Ｒを測定する例を挙げて説明する。

測定装置１Ａでは、処理部４Ａが、まず、処理部４と同様にして、基準値記憶処理を実行する。この基準値記憶処理では、処理部４Ａは、操作者が操作部３を操作して入力した設定データＤｓｅｔを複数個（本例では一例として３つ）入力して記憶部５に記憶させる。

この基準値記憶処理の実行により、処理部４Ａは、図４に示す３つの測定条件ｂ１，ｂ２，ｂ３を記憶部５に記憶する。具体的には、１つ目の測定条件ｂ１として、測定用信号Ｓｖの周波数ｆ１［ｋＨｚ］、測定用信号ＳｖのレベルＬＶ１、測定用信号ＳｖのＤＣバイアス（ＯＦＦ。つまり、０［Ｖ］）、測定レンジＲＧ１、およびモード（抵抗値Ｒ）が記憶され、さらに、このときの基準の試料１１の基準物理量としての抵抗値Ｒ１Ａ［Ω］が記憶される。また、２つ目の測定条件ｂ２として、測定用信号Ｓｖの周波数ｆ１［ｋＨｚ］、測定用信号ＳｖのレベルＬＶ１、測定用信号ＳｖのＤＣバイアス（ＯＦＦ。つまり、０［Ｖ］）、測定レンジＲＧ１、およびモード（抵抗値Ｒ）が記憶され、さらに、このときの他の基準の試料１１の基準物理量としての抵抗値Ｒ２Ａ［Ω］が記憶される。また、３つ目の測定条件ｂ３として、測定用信号Ｓｖの周波数ｆ１［ｋＨｚ］、測定用信号ＳｖのレベルＬＶ１、測定用信号ＳｖのＤＣバイアス（ＯＦＦ。つまり、０［Ｖ］）、測定レンジＲＧ１、およびモード（抵抗値Ｒ）が記憶され、さらに、このときの他の基準の試料１１の基準物理量としての抵抗値Ｒ３Ａ［Ω］が記憶される。この場合、基準になる他の測定装置において、同種ではあるものの仕様上の物理量（抵抗値Ｒ）が異なる３つの基準の試料１１についての同じ測定条件の下での基準物理量としての抵抗値Ｒは、それぞれの仕様に応じて、上記のように異なる抵抗値Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａとして測定される。

次いで、処理部４Ａは、実測値測定処理を実行する。なお、処理部４Ａによるこの実測値測定処理では、測定装置１Ａの測定部２に試料１１として上記の各基準試料（仕様上の抵抗値がＲ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａの各基準試料）が順次接続されるものとする。この実測値測定処理では、処理部４Ａは、上記の同じ測定条件の下で、各基準試料についての物理量（抵抗値Ｒ）を測定部２に対して測定させると共に、測定された抵抗値（実測値）を抵抗値Ｒｐｒ１Ａ，Ｒｐｒ２Ａ，Ｒｐｒ３Ａとして記憶部５に記憶させる。

続いて、処理部４Ａは、補正値算出処理を実行する。この補正値算出処理では、処理部４Ａは、各基準試料の基準物理量（仕様上の抵抗値Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａ）と、実測値である抵抗値Ｒｐｒ１Ａ，Ｒｐｒ２Ａ，Ｒｐｒ３Ａとに基づいて、各抵抗値Ｒｐｒ１Ａ，Ｒｐｒ２Ａ，Ｒｐｒ３Ａを、対応する抵抗値Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａに補正するための各抵抗値Ｒｐｒ１Ａ，Ｒｐｒ２Ａ，Ｒｐｒ３Ａについての補正値Ｒｃ１Ａ，Ｒｃ２Ａ，Ｒｃ３Ａを算出して記憶部５に記憶させる。この場合の補正値Ｒｃ１Ａは、抵抗値Ｒ１Ａを抵抗値Ｒｐｒ１Ａで除算して、つまり抵抗値Ｒ１Ａ／抵抗値Ｒｐｒ１Ａの式から算出される。他の補正値Ｒｃ２Ａ，Ｒｃ３Ａについても同様にして、抵抗値Ｒ２Ａ／抵抗値Ｒｐｒ２Ａ、抵抗値Ｒ３Ａ／抵抗値Ｒｐｒ３Ａの各式からそれぞれ算出される。

次いで、処理部４Ａは、近似式算出処理を実行する。この近似式算出処理では、処理部４Ａは、算出した各補正値Ｒｃ１Ａ，Ｒｃ２Ａ，Ｒｃ３Ａに基づいて、各基準物理量（抵抗値Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａ）を含む物理量範囲（図５中の符号ＷＡで表される範囲）内での任意の設定値（この例では物理量）に対する補正値ＲｃＡを特定する近似式を算出して記憶部５に記憶させる。この場合、抵抗値Ｒ１Ａでの補正値Ｒｃ１Ａと、抵抗値Ｒ２Ａでの補正値Ｒｃ２Ａと、抵抗値Ｒ３Ａでの補正値Ｒｃ３Ａとは、図５に示すように、横軸を抵抗値Ｒとし、縦軸を補正値ＲｃＡとしたときに、同図中の３点で表される。処理部４Ａは、この近似式算出処理では、例えば最小二乗法に基づいて、この３点の関係を示す近似式（例えば、各３点を通る曲線を示す式（抵抗値Ｒを変数として補正値ＲｃＡを特定する式））を算出する。これにより、処理部４Ａは、この近似式を使用することにより、物理量範囲ＷＡ内の任意の抵抗値Ｒでの補正値ＲｃＡを特定することが可能になる。

続いて、処理部４Ａは、物理量測定処理を実行する。この物理量測定処理では、処理部４Ａは、測定装置１の測定部２に接続された試料１１（上記の基準試料と同種であるものの、仕様上の物理量としての抵抗値Ｒが相違する試料）についての物理量（抵抗値Ｒ：後述する抵抗値Ｒｘであるとする）を、操作部３から出力された設定データＤｓｅｔで規定される測定条件（設定データＤｓｅｔに含まれる各条件項目の設定値で規定される測定条件）で測定する。

具体的には、処理部４Ａは、この設定データＤｓｅｔに含まれる条件項目のうちの測定用信号Ｓｖの周波数を示す周波数データ、測定用信号Ｓｖのレベルを示すレベルデータ、および測定用信号ＳｖのＤＣバイアスを示すバイアスデータを制御データＤｃ１として測定部２の信号生成部２ａに出力して、この周波数データで示される周波数で、かつこのレベルデータで示されるレベル（振幅）で、かつこのバイアスデータで示されるＤＣバイアスが重畳された交流信号（本例では正弦波信号）を生成させる。また、処理部４Ａは、この設定データＤｓｅｔに含まれる条件項目のうちの測定レンジを示すレンジデータに基づいて、電流検出部２ｂでの測定レンジおよび電圧検出部２ｃでの測定レンジを特定して、特定した電流検出部２ｂでの測定レンジを示すレンジデータを制御データＤｃ２として測定部２の電流検出部２ｂに出力して、このレンジデータで示される測定レンジで試料１１に流れる電流Ｉ１を検出させると共に、特定した電圧検出部２ｃでの測定レンジを示すレンジデータを制御データＤｃ３として測定部２の電圧検出部２ｃに出力して、このレンジデータで示される測定レンジで試料１１の両端間電圧Ｖ１を検出させる。これにより、測定部２の演算部２ｄは、電流検出部２ｂおよび電圧検出部２ｃでの各レンジデータと、電圧検出部２ｃから出力される両端間電圧Ｖ１の波形データＤｖと、電流検出部２ｂから出力される電流Ｉ１の波形を示す波形データＤｉとに基づいて、試料１１の物理量（この例では抵抗値Ｒ）を算出して、算出した物理量を示す物理量データＤｐを処理部４Ａに出力する。

本例では、処理部４Ａは、上記の近似式を使用することにより、物理量範囲ＷＡ内の試料１１についての仕様上の抵抗値Ｒｘでの補正値ＲｃｘＡを算出することが可能である。このため、操作者は、この物理量範囲ＷＡ内の任意の抵抗値Ｒの試料１１を測定対象とすることが可能である。

これにより、この物理量測定処理において、処理部４Ａは、上記の近似式を使用して、測定対象として測定部２に接続されている試料１１の仕様上の物理量（抵抗値Ｒｘ）での補正値ＲｃｘＡを算出する。続いて、処理部４Ａは、測定部２から取得した物理量データＤｐで示される実測値（抵抗値Ｒ）に対して、この算出した補正値ＲｃｘＡを適用して、具体的には、実測値（抵抗値Ｒ）に補正値ＲｃｘＡを乗算して、試料１１についての最終的な抵抗値Ｒを算出する。最後に、処理部４Ａは、算出した抵抗値Ｒを示す物理量データＤｐ１を記憶部５に記憶させると共に、出力処理を実行して出力部６に出力する。出力部６は、物理量データＤｐ１で示される最終的な抵抗値Ｒを画面に表示させる。

また、基準試料と同種であるものの、仕様上の物理量としての抵抗値Ｒが相違する他の試料１１の抵抗値Ｒを測定する場合には、操作者は、操作部３に対する操作を実行して、操作部３から処理部４Ａに対して、変更後の試料１１についての仕様上の抵抗値Ｒを示す物理量データを含む設定データＤｓｅｔを出力させる。これにより、処理部４Ａが上記の物理量測定処理を再度実行することにより、この変更後の抵抗値Ｒについての測定条件が記憶部５に個別に記憶されていない構成であっても、処理部４Ａが変更後の抵抗値Ｒでの補正値を近似式から算出することができるため、試料１１の抵抗値Ｒを精度良く測定することができる。

このように、この測定装置１Ａおよびこの物理量測定方法では、抵抗値Ｒ（基準物理量）がＲ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａである各基準測定対象について測定された各実測値Ｒｐｒ１Ａ，Ｒｐｒ２Ａ，Ｒｐｒ３Ａと各基準物理量（各基準測定対象の仕様上の抵抗値Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａ）とに基づいて、各実測値Ｒｐｒ１Ａ，Ｒｐｒ２Ａ，Ｒｐｒ３Ａを対応する基準物理量Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａに補正するための各基準物理量Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａでの補正値Ｒｃ１Ａ，Ｒｃ２Ａ，Ｒｃ３Ａを算出する補正値算出処理と、算出した各補正値Ｒｃ１Ａ，Ｒｃ２Ａ，Ｒｃ３Ａに基づいて、各基準物理量（抵抗値Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａ）を含む物理量範囲ＷＡ内での任意の物理量（抵抗値Ｒ）に対する補正値ＲｃＡを特定する近似式を算出する近似式算出処理とを実行し、条件項目の設定値を各実測値Ｒｐｒ１Ａ，Ｒｐｒ２Ａ，Ｒｐｒ３Ａを測定したときの設定値と同一にして（測定したときの設定値に揃えて）、仕様上の抵抗値Ｒが物理量範囲ＷＡ内の任意の物理量（抵抗値Ｒ）である試料１１の抵抗値Ｒを測定する際に、測定部２で測定された実測値（抵抗値Ｒ）に対して、近似式に基づいて特定したこの実測値（抵抗値Ｒ）での補正値Ｒｃを適用して試料１１の最終的な物理量（抵抗値Ｒ）を算出する物理量測定処理を実行する。

したがって、この測定装置１Ａおよびこの物理量測定方法によれば、各基準物理量Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａでの補正値Ｒｃ１Ａ，Ｒｃ２Ａ，Ｒｃ３Ａを記憶部５に記憶しておくだけで、試料１１の物理量（抵抗値Ｒ）を物理量範囲ＷＡ内で任意に変更したとしても、この新たな測定条件での試料１１の物理量（抵抗値Ｒ）を正確に測定することができる。すなわち、この測定装置１Ａおよびこの物理量測定方法によれば、試料１１の物理量を細かく分割して、物理量毎の測定条件を個別に規定して記憶部に記憶する構成とは異なり、記憶部５に記憶させる測定条件の数を必要最小限（本例では３つ）に抑制でき、これに伴い測定条件の各条件項目の設定値を入力する手間も大幅に省くことができるため、測定条件の設定に要する時間の増大と、測定条件のための記憶容量（記憶部５の容量）の増加とを回避することができる。

また、上記の測定装置１，１Ａでは、試料１１の物理量の一例として抵抗値Ｒを測定する構成を採用しているが、試料１１が抵抗体のときには、インピーダンスＺや位相θを物理量として測定する構成を採用することもできるし、試料１１がキャパシタのときには、キャパシタンスを物理量として測定する構成を採用することもできる。また、試料１１がインダクタのときには、インダクタンスを物理量として測定する構成を採用することもできる。また、上記の測定装置１，１Ａでは、近似式の算出に際して、最小二乗法を採用しているが、各基準設定値に対応する物理量を直線で結んで得られる式を近似式とする構成や、ｙ＝ａｘ^２＋ｂｘ＋ｃなどの多項式近似を使用して近似式を算出する構成を採用することもできる。また、各測定条件ａ１〜ａ３，ｂ１〜ｂ３を構成する条件項目の一例として、図２，４に示すように、信号生成部２ａにおける測定用信号Ｓｖの周波数、レベルおよびＤＣバイアスと、電流検出部２ｂにおける測定レンジとを規定しているが、これに限定されるものではなく、この条件項目の数および種類は任意に規定することができる。

また、図示はしないが、例えば、各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３を含む設定値範囲Ｗ内の任意の周波数ｆｘの測定用信号Ｓｖを使用して、仕様上の物理量（抵抗値Ｒ）が各抵抗値Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａを含む物理量範囲ＷＡ内の任意の物理量（抵抗値Ｒｘ）である試料１１についての物理量（抵抗値Ｒ）を測定する構成においても、補正値に対する近似式を使用する構成を採用することもできる。

この構成を採用する測定装置および測定方法についてその概要を説明する。この構成では、まず、記憶処理を実行して、基準の測定装置で測定された基準物理量（抵抗値Ｒ１Ａ）についての各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における物理量の測定値（基準物理量）と、基準の測定装置で測定された基準物理量（抵抗値Ｒ２Ａ）についての各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における物理量の測定値（基準物理量）と、基準の測定装置で測定された基準物理量（抵抗値Ｒ３Ａ）についての各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における物理量の測定値（基準物理量）とを記憶する。

次いで、実測値測定処理を実行して、基準物理量（抵抗値Ｒ１Ａ）についての各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における物理量の実測値を測定し、かつ基準物理量（抵抗値Ｒ２Ａ）についての各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における物理量の実測値を測定し、かつ基準物理量（抵抗値Ｒ３Ａ）についての各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における物理量の実測値を測定する。

続いて、補正値算出処理を実行して、基準物理量（抵抗値Ｒ１Ａ）についての各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における物理量の実測値に対する補正値を上記の基準物理量と上記の実測値に基づいて算出し、かつ基準物理量（抵抗値Ｒ２Ａ）についての各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における物理量の実測値に対する補正値を上記の基準物理量と上記の実測値に基づいて算出し、かつ基準物理量（抵抗値Ｒ３Ａ）についての各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における物理量の実測値に対する補正値を上記の基準物理量と上記の実測値に基づいて算出する。

次いで、近似式算出処理において、基準物理量（抵抗値Ｒ１Ａ）での各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における補正値に基づいて、基準物理量（抵抗値Ｒ１Ａ）での設定値範囲Ｗ内の任意の周波数ｆと補正値との関係を示す近似式を算出し、かつ基準物理量（抵抗値Ｒ２Ａ）での各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における補正値に基づいて、基準物理量（抵抗値Ｒ２Ａ）での設定値範囲Ｗ内の任意の周波数ｆと補正値との関係を示す近似式を算出し、かつ基準物理量（抵抗値Ｒ３Ａ）での各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３における補正値に基づいて、基準物理量（抵抗値Ｒ３Ａ）での設定値範囲Ｗ内の任意の周波数ｆと補正値との関係を示す近似式を算出する。続いて、これらの近似式から、基準物理量（抵抗値Ｒ１Ａ）での周波数ｆｘにおける補正値と、基準物理量（抵抗値Ｒ２Ａ）での周波数ｆｘにおける補正値と、基準物理量（抵抗値Ｒ３Ａ）での周波数ｆｘにおける補正値とを算出する。次いで、このようにして算出した各基準物理量（抵抗値Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ，Ｒ３Ａ）での周波数ｆｘにおける補正値に基づいて、周波数ｆｘでの物理量範囲ＷＡ内の任意の物理量（抵抗値Ｒ）と補正値との関係を示す近似式を算出し、この算出した近似式から、物理量（抵抗値Ｒｘ）での補正値を算出する。このようにして最終的に算出された補正値は、測定用信号Ｓｖの周波数ｆを周波数ｆｘとして、仕様上の物理量（抵抗値Ｒ）が抵抗値Ｒｘである試料１１に対する補正値になる。

続いて、物理量測定処理を実行して、周波数ｆｘの測定用信号Ｓｖを使用して、仕様上の物理量（抵抗値Ｒ）が抵抗値Ｒｘである試料１１についての物理量（抵抗値Ｒ）を測定し、測定された測定値（実測値）に対して、上記の近似式算出処理において最終的に算出した補正値を適用する。具体的には、実測値（抵抗値Ｒ）に補正値を乗算する。これにより、試料１１の最終的な物理量（抵抗値Ｒ）を算出することができる。

１，１Ａ 測定装置
２ 測定部
４ 処理部
５ 記憶部
１１ 試料
ａ１〜ａ３，ｂ１〜ｂ３ 測定条件
Ｒ 抵抗値

Claims (4)

1. 測定条件を規定する条件項目の設定値を設定して測定対象の物理量を測定可能な測定部、処理部および記憶部を備え、
   前記処理部は、
   前記物理量が既知の基準物理量である基準測定対象としての前記測定対象について、前記条件項目の前記設定値を変えて複数の基準設定値での前記物理量の実測値を前記測定部に測定させると共に当該測定された実測値を前記記憶部に記憶させる実測値測定処理と、
   前記基準測定対象について測定された前記各基準設定値での前記実測値と当該基準測定対象の当該各基準設定値での基準物理量とに基づいて、当該各基準設定値での当該実測値を当該基準物理量に補正するための当該各基準設定値での補正値を算出して前記記憶部に記憶させる補正値算出処理と、
   前記算出した各補正値に基づいて、前記各基準設定値を含む設定値範囲内での任意の設定値に対する前記補正値を特定する近似式を算出して前記記憶部に記憶させる近似式算出処理とを実行し、
   前記条件項目の前記設定値を任意の設定値に設定して前記測定対象の物理量を測定する際に、前記測定部で測定された前記実測値に対して、前記近似式に基づいて特定した当該任意の設定値での前記補正値を適用して当該測定対象の物理量を算出する物理量測定処理を実行する物理量測定装置。
2. 測定条件を規定する条件項目の設定値を設定して測定対象の物理量を測定可能な測定部、処理部および記憶部を備え、
   前記処理部は、
   前記物理量が既知の基準物理量であって当該基準物理量が互いに異なる基準測定対象としての複数の前記測定対象について、前記条件項目の前記設定値を同一にして前記物理量の実測値を前記測定部に測定させると共に当該測定された実測値を前記記憶部に記憶させる実測値測定処理と、
   前記各基準測定対象について測定された前記各実測値と前記各基準物理量とに基づいて、前記設定値での当該各実測値を対応する当該基準物理量に補正するための当該各基準物理量での補正値を算出して前記記憶部に記憶させる補正値算出処理と、
   前記算出した各補正値に基づいて、前記各基準物理量を含む物理量範囲内での任意の前記物理量に対する前記補正値を特定する近似式を算出して前記記憶部に記憶させる近似式算出処理とを実行し、
   前記条件項目の前記設定値を任意の設定値に設定して前記物理量が前記物理量範囲内である前記測定対象の物理量を測定する際に、前記測定部で測定された前記実測値に対して、前記近似式に基づいて特定した当該任意の設定値での前記補正値を適用して当該測定対象の物理量を算出する物理量測定処理を実行する物理量測定装置。
3. 測定条件を規定する条件項目の設定値を設定して測定対象の物理量を測定する物理量測定方法であって、
   前記物理量が既知の基準物理量である基準測定対象としての前記測定対象について、前記条件項目の前記設定値を変えて複数の基準設定値での前記物理量の実測値を測定すると共に当該測定した実測値を記憶する実測値測定処理と、
   前記基準測定対象について測定した前記各基準設定値での前記実測値と当該基準測定対象の当該各基準設定値での基準物理量とに基づいて、当該各基準設定値での当該実測値を当該基準物理量に補正するための当該各基準設定値での補正値を算出して記憶する補正値算出処理と、
   前記算出した各補正値に基づいて、前記各基準設定値を含む設定値範囲内での任意の設定値に対する前記補正値を特定する近似式を算出して記憶する近似式算出処理とを実行し、
   前記条件項目の前記設定値を任意の設定値に設定して前記測定対象の物理量を測定する際に、前記測定した実測値に対して、前記近似式に基づいて特定した当該任意の設定値での前記補正値を適用して当該測定対象の物理量を算出する物理量測定処理を実行する物理量測定方法。
4. 測定条件を規定する条件項目の設定値を設定して測定対象の物理量を測定する物理量測定方法であって、
   前記物理量が既知の基準物理量であって当該基準物理量が互いに異なる基準測定対象としての複数の前記測定対象について、前記条件項目の前記設定値を同一にして前記物理量の実測値を測定すると共に当該測定した実測値を記憶する実測値測定処理と、
   前記各基準測定対象について測定した前記各実測値と前記各基準物理量とに基づいて、前記設定値での当該各実測値を対応する当該基準物理量に補正するための当該各基準物理量での補正値を算出して記憶する補正値算出処理と、
   前記算出した各補正値に基づいて、前記各基準物理量を含む物理量範囲内での任意の前記物理量に対する前記補正値を特定する近似式を算出して記憶する近似式算出処理とを実行し、
   前記条件項目の前記設定値を任意の設定値に設定して前記物理量が前記物理量範囲内である前記測定対象の物理量を測定する際に、前記測定した実測値に対して、前記近似式に基づいて特定した当該任意の設定値での前記補正値を適用して当該測定対象の物理量を算出する物理量測定処理を実行する物理量測定方法。

Images