JP2014022791A - Ｅｃｌ出力回路 - Google Patents

Abstract

【課題】 出力電圧の温度特性が平坦であり、且つ出力レベルの製造バラツキが小さいＥＣＬ出力回路を提供する。
【解決手段】 差動増幅回路１の出力とエミッタフォロワＥ１、Ｅ２のベースとの接続点と電源端子との間に電流路が形成されるように第１のバイポーラトランジスタＢ４、Ｂ５を接続する。電流生成回路の第１の回路４は高電位、低電位電源間に順に直列接続された第２のバイポーラトランジスタＢ６及び抵抗Ｒ３を有し正の温度特性の電流を生成する。第１のカレントミラー回路３は電流生成回路の電流に応じた電流Ｉ１をトランジスタＢ４、Ｂ５に流しそのベース電流を制御する。温度特性の傾きは第３のカレントミラー回路９のトランジスタ個数Ｍを変えて変更する。第２の回路８の温度特性のない電流を第１の回路４の電流に付加して出力レベルの調整を行う。
【選択図】 図４

Description

本発明は、温度特性が平坦なＥＣＬ(emitter coupled logic)出力回路に図関するものである。

ＥＣＬ出力回路は、図７に示すように、差動増幅器１００で構成されたＣＭＬ（current mode logic）回路およびＣＭＬ回路の出力段に付加されたエミッタフォロワ回路１１０よりなる。差動増幅器１００は、エミッタフォロアトランジスタ１０２、１０３でバッファされて終端抵抗１０４、１０５に出力電圧が発生するように構成されている。
従来、トランジスタ差動増幅器とエミッタフォロアトランジスタから構成されるＥＣＬ出力回路の出力電圧の温度特性は、出力エミッタフォロアのべ−ス−エミッタ間電圧（Ｖｂｅ）の温度変動分の温度係数を持っている。出力電圧の温度変動は、振幅位相変換による位相余裕の減少をもたらし、最大動作周波数等の性能劣化の原因となる。出力電圧の温度変動を低減する方法としては特許文献１に例示されている。

特許文献１には、消費電力の増加量の小さい、ＥＣＬ出力回路の出力電圧温度変動低減回路を実現することが記載されている。トランジスタ差動増幅器の出力はエミッタフォロアトランジスタでバッファされて終端抵抗に出力電圧を発生する。差動増幅器の負荷抵抗（Ｒ１）には同相の電流Ｉ１を流す温度補償用トランジスタを接続する。このトランジスタのエミッタにそれぞれ抵抗、ベ−スにダイオ−ドおよび該ダイオ−ドにバイアス電流Ｉ２を供給する電流源を接続する。Ｉ１×Ｒ１の温度変動を、トランジスタによる電圧降下の温度変動と逆方向とし、且つ、その絶対値を一致又は近付けることによって、ＥＣＬ出力回路の出力電圧温度変動を低減させる。

特開平６−８５６６１号公報

従来の差動増幅器負荷抵抗間に温度補償用ダイオ−ドと抵抗を接続して、差動トランジスタ負荷抵抗間に電流を流し、温度補償用ダイオ−ドの順電圧の温度係数を利して出力温度変動を低減する方法（特許文献１参照）では、出力電圧の温度特性を十分にフラットにすることは困難であった。また、ＥＣＬ出力回路は、従来はディスクリートに作られていたが、このような作り方では、差動増幅器の負荷抵抗、電流源の抵抗などの出力レベルを決める抵抗の製造バラツキをキャンセルすることができず、その結果、出力レベルのバラツキが大きくなるという問題があった。
本発明は、このような事情によりなされたものであり、出力電圧の温度特性がフラットであり、且つ出力レベルの製造バラツキが小さいＥＣＬ出力回路を提供する。

本発明のＥＣＬ出力回路は、負荷抵抗を有する差動増幅回路と、前記差動増幅回路の出力をベースに接続したエミッタフォロワトランジスタと、前記差動増幅回路の出力と前記エミッタフォロワトランジスタのベースとの接続点と電源端子との間に電流路が形成されるよう接続された第１のバイポーラトランジスタと、高電位電源と低電位電源の間に順に直列に接続されたダイオード接続の第２のバイポーラトランジスタ及び抵抗とを有し、正の温度特性の電流を生成する第１の回路を含む電流生成回路と、前記電流生成回路の生成する電流に応じた電流を前記第１のバイポーラトランジスタに流すよう前記第１のバイポーラトランジスタのベース電流を制御する第１のカレントミラー回路とを具備することを特徴としている。

前記電流生成回路は、温度特性のない電流を生成する第２の回路を更に有し、前記第１の回路の生成する電流と前記第２の回路の生成する電流とを足し合わせたものを前記電流生成回路の生成する電流とするようにしても良い。前記第１の回路は、前記第２のバイポーラトランジスタ及び前記抵抗間に流れる電流に応じた電流を流す第２のカレントミラー回路と、前記第２のカレントミラー回路に流れる電流に応じた電流を流す第３のカレントミラー回路とを有し、前記第２のカレントミラー回路に含まれるカレントミラー用トランジスタと、前記第３のカレントミラー回路に含まれるカレントミラー用トランジスタのサイズ比を変更することで、前記第１の回路の電流の温度特性の勾配を調整しても良い。

前記正の温度特性の電流の温度勾配は、前記差動増幅回路を構成する前記バイポーラトランジスタのベース・エミッタ電圧の温度勾配と同じであり、傾斜方向が逆であるようにしても良い。ＥＣＬ出力回路は、１つの半導体基板に形成されているようにしても良い。前記差動増幅回路、前記正の温度特性の電流を形成する回路、温度特性のない電流を形成する回路等を構成する抵抗は、同じ製造方法で形成されていても良い。

本発明のＥＣＬ出力回路は、出力電圧の温度特性が平坦であり、且つ出力レベルの製造バラツキが小さい。温度特性補正用電流を出力バッファと同じ抵抗で作成することにより、抵抗の温度特性をキャンセルさせることができると同時に、製造バラツキもキャンセルできるようになった。温度特性の傾きは、カレントミラー回路のトランジスタの個数を変えることにより、変更することが出来るようになった。また、温度特性のない電流を生成する回路（第２の回路）により生成された電流を正の温度特性の電流を生成する回路（第１の回路）により生成された電流に加減することにより出力レベルの調整を行うことが出来るようになった。

実施例１に係るＥＣＬ出力回路の回路図。 図１のＥＣＬ出力回路に用いられる電流生成回路の回路図（ａ）及び正の温度特性の電流の温度特性を説明する特性図（ｂ）。 出力電圧の温度特性を説明する特性図。 実施例２に係るＥＣＬ出力回路の回路図。 図４のＥＣＬ出力回路に用いられる電流生成回路を構成する温度特性のない電流を生成する第２の回路の回路図（ａ）及び温度特性のない電流を説明する特性図（ｂ）。 第１の回路及び第２の回路を合わせた場合の温度特性を説明する特性図。 従来のＥＣＬ出力回路の回路図。

以下、実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。

まず、図１乃至図３を参照して実施例１を説明する。
この実施例のＥＣＬ出力回路は、図１に示すように、差動増幅回路１、差動増幅回路１の出力段に付加されたエミッタフォロワ回路２、差動増幅回路１の出力とエミッタフォロワ回路２との接続点にコレクタが接続された第１のバイポーラトランジスタを有する第１のミラー回路３及び正の温度特性の電流を生成する第１の回路４を含む電流生成回路を有している。

差動増幅回路１は、高電位電源（Ｖｄｄ）に負荷抵抗Ｒ１を介してコレクタが接続され、エミッタが定電流源に接続されたバイポーラトランジスタＢ１と高電位電源（Ｖｄｄ）に負荷抵抗Ｒ２を介してコレクタが接続され、エミッタが定電流源に接続されたバイポーラトランジスタＢ２とを有し、バイポーラトランジスタＢ１、Ｂ２のエミッタ同士を接続している。差動増幅回路１の入力端子は、第１の入力端子ＩＮ１がバイポーラトランジスタＢ１のベースに接続され、第２の入力端子ＩＮ２がバイポーラトランジスタＢ２のベースに接続される。第１の入力端子ＩＮ１、第２の入力端子ＩＮ２には、差動信号が入力される。差動増幅回路１の第１の出力は、負荷抵抗Ｒ２とバイポーラトランジスタＢ２のコレクタとの接続点に形成され、第２の出力は、負荷抵抗Ｒ１とバイポーラトランジスタＢ１のコレクタとの接続点に形成される。

エミッタフォロワ回路２を構成するエミッタフォロワトランジスタＥ１は、ベースが差動増幅回路１の第１の出力に接続され、コレクタが高電位電源（Ｖｄｄ）に接続され、エミッタがこの実施例のＥＣＬ出力回路の第１の出力端子ＯＵＴに接続されている。同じくエミッタフォロワトランジスタＥ２は、ベースが差動増幅回路１の第２の出力に接続され、コレクタが高電位電源（Ｖｄｄ）に接続され、エミッタが同じＥＣＬ出力回路の第２の出力端子ＯＵＴＮに接続されている。

第１のバイポーラトランジスタＢ５は、差動増幅回路１の第１の出力とエミッタフォロワトランジスタＥ１のベースとの接続点にコレクタが接続され、エミッタが抵抗Ｒ７を介して電源端子（ＧＮＤ）に接続されて、この接続点と電源端子（ＧＮＤ）との間に電流（Ｉ１）が流れる電流路が形成されるように構成されている。同じく、第１のバイポーラトランジスタＢ４は、差動増幅回路１の第２の出力とエミッタフォロワトランジスタＥ２のベースとの接続点にコレクタが接続され、エミッタが抵抗Ｒ６を介して電源端子（ＧＮＤ）に接続されて、この接続点と電源端子との間に電流（Ｉ１）が流れる電流路が形成されるように構成されている。

電流生成回路は、第１の回路４から構成されている（図２参照）。第１の回路４は、高電位電源（Ｖｄｄ）と低電位電源（ＧＮＤ）の間に順に直列に接続されたダイオード接続の第２のバイポーラトランジスタＢ６及び抵抗Ｒ３とを有し、正の温度特性の電流（Ｉ２）を生成する。第２のバイポーラトランジスタＢ６のコレクタは高電位電源（Ｖｄｄ）に接続され、エミッタは抵抗Ｒ３の一端に接続されている。
第１の回路４は、さらに、第２のカレントミラー回路６及び第３のカレントミラー回路７の２つのカレントミラー回路を有している。第２のカレントミラー回路６は、ダイオード接続のバイポーラトランジスタＢ７及びカレントミラー用トランジスタであるバイポーラトランジスタＢ８から構成されている。バイポーラトランジスタＢ７のコレクタは、抵抗Ｒ３の他端に接続され、エミッタは、低電位電源（ＧＮＤ）に接続され、ベースはバイポーラトランジスタＢ８のベースに接続されている。バイポーラトランジスタＢ８のエミッタは、低電圧電源（ＧＮＤ）に接続され、コレクタは、第３のカレントミラー回路に接続されている。

第３のカレントミラー回路７は、ダイオード接続のＭＯＳトランジスタＭ１及びカレントミラー用トランジスタであるＭＯＳトランジスタＭ２から構成されている。ＭＯＳトランジスタＭ１のソースは、高電位電源（Ｖｄｄ）に接続され、ドレインは、バイポーラトランジスタＢ８のコレクタに接続され、ゲートは、ＭＯＳトランジスタＭ２のゲートに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ２のソースは、高電位電源（Ｖｄｄ）に接続され、ドレインは、第１のカレントミラー回路３を構成するダイオード接続のバイポーラトランジスタＢ３のコレクタに接続されている。第２のカレントミラー回路６は、第２のバイポーラトランジスタＢ６及び抵抗Ｒ３間に流れる電流に応じた電流を流し、第３のカレントミラー回路７は、第２のカレントミラー回路６に流れる電流に応じた電流（Ｉ２）を流す。

電流生成回路から生成された電流は、第１のカレントミラー回路３によってミラーされ、この電流に応じた電流が第１のバイポーラトランジスタＢ４、Ｂ５に流れる。
第１のカレントミラー回路３は、ダイオード接続のバイポーラトランジスタＢ３及びカレントミラー用トランジスタである第１のバイポーラトランジスタＢ４、Ｂ５から構成されている。バイポーラトランジスタＢ３のコレクタは、第３のカレントミラー回路７を構成するＭＯＳトランジスタＭ２のドレインに接続され、エミッタは、抵抗Ｒ５を介して、低電位電源（ＧＮＤ）に接続され、ベースは第１のバイポーラトランジスタＢ４、Ｂ５のベースに接続されている。バイポーラトランジスタＢ４、Ｂ５のエミッタは、抵抗Ｒ６、Ｒ７を介して、低電圧電源（ＧＮＤ）に接続されている。

次に、この実施例に係るＥＣＬ出力回路の動作について説明する。
差動増幅回路とエミッタフォロワ回路からなるＥＣＬ出力回路の出力電圧は、エミッタフォロワ回路を構成するエミッタフォロワトランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅの温度変動による温度係数を持っている。高速デジタル回路などにおいて、出力電圧の温度変化は振幅位相変換による位相余裕を少なくし、最大周波数等の性能が劣化する原因となっている。
この実施例では、差動増幅回路１の出力とエミッタフォロワトランジスタＥ２のベースとの接続点と電源端子（ＧＮＤ）との間に電流路が形成されるように第１のバイポーラトランジスタＢ４を設ける。この電流路にはＩ１の電流が流れ、これが電圧Ｒ１Ｉ１に変換され、電源電圧Ｖｄｄから差し引かれて出力電圧Ｖｏｕｔとなり、出力端子ＯＵＴＮから出力される。同じように、差動増幅回路１の出力とエミッタフォロワトランジスタＥ１のベースとの接続点と電源端子（ＧＮＤ）との間に電流路が形成されるように第１のバイポーラトランジスタＢ５を設ける。この電流路にはＩ１の電流が流れ、これが電圧Ｒ２Ｉ１（電圧Ｒ１Ｉ１と同じである）に変換され、電源電圧Ｖｄｄから差し引かれて出力電圧Ｖｏｕｔとなり、出力端子ＯＵＴから出力される。

このとき、ＥＣＬ出力回路の出力電圧Ｖｏｕｔは、電源電圧Ｖｄｄからエミッタフォロワトランジスタのエミッタ・ベース電圧Ｖｂｅ分低下する。
トランジスタのエミッタ・ベース電圧Ｖｂｅは、負の温度特性を持っている。したがって、上記電流路に正の温度特性を有する電流を流して変換する電圧を正の温度特性にすれば、電源電圧Ｖｄｄから差し引かれるエミッタ・ベース電圧Ｖｂｅ及び先の電流路の電流に基づく電圧は、温度特性を消しあって温度に平坦な出力電圧ＶｏｕｔをＥＣＬ出力回路から出力する。
図３は、縦軸が出力電圧（Ｖｏｕｔ）、横軸が温度（Ｔａ）である。図に示すように、電源電圧Ｖｄｄからエミッタ・ベース電圧Ｖｂｅ分を差し引いた電圧が温度特性を補正しない場合の出力電圧（Ｖｏｕｔ）であり、この場合の出力電圧（Ｖｏｕｔ）は、傾斜して温度特性を持つようになる。さらに、エミッタ・ベース電圧Ｖｂｅとは逆で傾きが同じ温度特性を有する先の電流路に基づく電圧（Ｒ１×Ｉ１）を上記出力電圧から差し引くと平坦な出力電圧Ｖｏｕｔが得られる。

次に、先の電流路に流れる電流Ｉ１について形成方法を説明する。
電流路に流れる電流Ｉ１は、第１の回路４を含む電流生成回路から生成された電流を基に形成される。第１の回路４は、第２のバイポーラトランジスタＢ６及び抵抗Ｒ３の間に流れる電流を生成する。第２のカレントミラー回路６は、この生成された電流に応じた電流を流し、第３のカレントミラー回路７は、第２のカレントミラー回路６に流れる電流に応じた電流（Ｉ２）を流す。電流生成回路により生成された電流（Ｉ２）は、第１のカレントミラー回路３により、この電流に応じた電流を第１のバイポーラトランジスタＢ４、Ｂ５に流すように第１のバイポーラトランジスタＢ４、Ｂ５のベース電流を制御する。

ＥＣＬ出力回路の出力電圧の温度特性を制御するために電流生成回路が生成する正の温度特性の傾きを変える必要がある場合は、第１の回路４の構成を変える。即ち、第１の回路４の第３のカレントミラー回路７を構成するカレントミラー用トランジスタであるＭＯＳトランジスタＭ２のサイズを変えることによりその温度係数の傾きを変えることができる（図２参照）。ＭＯＳトランジスタＭ２は、１個もしくは１以上の個数（Ｍ）のトランジスタを用いることができる。図２（ｂ）は、縦軸を電流（Ｉ）、横軸を温度（Ｔａ）とする特性図である。図に示すように、トランジスタを１つ使用した場合（Ｍ＝１）の電流（Ｉ）の温度係数に対して、トランジスタを２つ用い場合（Ｍ＝２）の電流の温度係数は２倍になる。

このように、第２のカレントミラー回路６に含まれるカレントミラー用トランジスタと第３のカレントミラー回路に含まれるカレントミラー用トランジスタとのサイズ比を変更すること（この実施例ではＭＯＳトランジスタＭ２のトランジスタ個数（Ｍ）を調整すること）によって、第１の回路の電流の温度特性の勾配を調整することができる。

つぎに、ＥＣＬ出力回路の製造方法について説明する。
この実施例のＥＣＬ出力回路は、シリコンなどの半導体基板１０に形成される。このＥＣＬ出力回路は、１チップに形成される。そして、半導体基板１０に作り込まれる抵抗の中で、第１のバイポーラトランジスタＢ４、Ｂ５を通る電流路を流れる電流Ｉ１を形成するに寄与する抵抗は、同じ素材を用い同じ製造方法で形成して、その特性を等しくする必要がある。抵抗材料には、ポリシリコンやモリブデンなどの半導体装置に用いられる通常の材料を用い、ＣＶＤ（chemical vapour deposition）やＰＶＤ（phisical vapour deposition）などの半導体技術において一般的な方法を用いることができる。また、電流Ｉ１を形成するに寄与する抵抗には、差動増幅回路１の負荷抵抗Ｒ１、Ｒ２（図１参照）、正の温度特性の電流を生成する第１の回路４の抵抗Ｒ３（図２参照）及び温度特性のない電流を生成する第２の回路８の抵抗Ｒ４（図５参照、実施例２で説明する）がある。

以上、実施例のＥＣＬ出力回路は、出力電圧の温度特性がフラットであり、且つ出力レベルの製造バラツキが小さい。温度特性補正用電流を出力バッファと同じ抵抗で作成することにより、抵抗の温度特性をキャンセルさせることができると同時に、製造バラツキもキャンセルできるようになった。温度特性の傾きは、カレントミラー回路のトランジスタの個数を変えることにより、変更することが出来るようになった。

次に、図４乃至図６を参照して実施例２を説明する。
この実施例では、電流生成回路が第１の回路ともに、温度特性のない電流を生成する第２の回路を有する点で、第１の回路のみを有する実施例１に記載のものと相違している。実施例１において、電流生成回路は、第１の回路４と共に温度特性のない電流を生成する第２の回路８を更に有していることに特徴がある（図４参照）。即ち、この第１の回路４の生成する電流と第２の回路８の生成する電流とを足し合わせた電流を電流生成回路の生成する電流（Ｉ３）とする。
図５に示すように、この実施例で説明する温度特性がない電流源である第２の回路８は、高電位電源（Ｖｄｄ）と低電位電源（ＧＮＤ）の間に順に直列に接続された抵抗Ｒ８とバイポーラトランジスタＢ９、及び高電位電源（Ｖｄｄ）と低電位電源（ＧＮＤ）の間に順に直列に接続されたバイポーラトランジスタＢ１０と抵抗Ｒ４とを有する。抵抗Ｒ８は、一端が高電位電源（Ｖｄｄ）に接続され、他端がバイポーラトランジスタＢ９のコレクタに接続され、バイポーラトランジスタＢ９は、エミッタが低電圧電源（ＧＮＤ）に接続され、ベースがバイポーラトランジスタＢ１０と抵抗Ｒ４との接続点に接続される。

バイポーラトランジスタＢ１０は、コレクタが第４のカレントミラー回路９に接続され、エミッタが抵抗Ｒ４の一端に接続され、ベースが抵抗Ｒ８とバイポーラトランジスタＢ９との接続点に接続される。抵抗Ｒ４は、一端がバイポーラトランジスタＢ１０エミッタに接続され、他端が低電圧電源（ＧＮＤ）に接続されている。第４のカレントミラー回路９は、ダイオード接続のＭＯＳトランジスタＭ３及びカレントミラー用トランジスタであるＭＯＳトランジスタＭ４から構成されている。ＭＯＳトランジスタＭ４のソースは、高電位電源（Ｖｄｄ）に接続され、ドレインは、バイポーラトランジスタＢ１０のコレクタに接続され、ゲートは、ＭＯＳトランジスタＭ４のゲートに接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ４のソースは、高電位電源（Ｖｄｄ）に接続され、ドレインは、第１のカレントミラー回路３を構成するダイオード接続のバイポーラトランジスタＢ３のコレクタに接続されている（図４参照）。

次に、電流路に流れる電流Ｉ１について形成方法を説明する。
この実施例では、電流路に流れる電流Ｉ１は、第１の回路４を含む電流生成回路から生成された電流を基に形成される。この実施例の電流生成回路は、第１の回路４に第２の回路８を付加した構成になっている。
実施例１においては、温度特性の傾きは、カレントミラー回路（第３のカレントミラー回路７）のトランジスタの個数を変えることにより、変更することが出来るようになった。
しかし、出力電圧の調整には温度特性だけでなく、電流の大きさを調整する必要ある。そこで、図６に示すように、第１の回路４が生成する正の温度特性の電流（図６（ａ））に第２の回路８が生成する温度特性のない電流（図６（ｂ））を足し込んで、出力電圧のレベルを変えることで、所望の温度特性および電圧レベルを有する電流Ｉ１を生成する（図６（ｃ））。図６は、電流の温度特性を説明する特性図で、縦軸は電流（Ｉ）であり、横軸は温度（Ｔａ）である。

図に示すように、正の温度特性の電流と温度特性のない電流を適宜足し合わせることにより、適切に出力電圧の温度特性を制御することができる。
この実施例のＥＣＬ出力回路は、実施例２と同様に、シリコンなどの半導体基板１０に１チップに形成される。そして、半導体基板１０に作り込まれる抵抗の中で、第１のバイポーラトランジスタＢ４、Ｂ５を通る電流路を流れる電流Ｉ１を形成するに寄与する抵抗は、同じ素材を用い同じ製造方法で形成して、その特性を等しくする。

以上、実施例のＥＣＬ出力回路は、出力電圧の温度特性がフラットであり、且つ出力レベルの製造バラツキが小さい。温度特性補正用電流を出力バッファと同じ抵抗で作成することにより、抵抗の温度特性をキャンセルさせることができると同時に、製造バラツキもキャンセルできるようになった。温度特性の傾きは、カレントミラー回路のトランジスタの個数を変えることにより、変更することが出来るようになると共に、第２の回路８が生成する温度特性のない電流を足し込むことにより電流Ｉ１の大きさを加減できるようになる。
また、本発明では、バンドギャップ回路等による定電圧Ｖｒｅｆを使わずに、第１の回路４（図２）、第２の回路８（図５）のような構成の電流源を用いて電流を制御している。そして、このような電流源は差動回路の定電流源にも適用することができるとともに、全体として位相雑音を少なく出来るという効果も有する。

１・・・差動増幅回路
２・・・エミッタフォロア回路
３・・・第１のカレントミラー回路
４・・・第１の回路
６・・・第２のカレントミラー回路
７・・・第３のカレントミラー回路
８・・・第２の回路
９・・・第４のカレントミラー回路
１０・・・半導体基板

Claims (6)

1. 負荷抵抗を有する差動増幅回路と、前記差動増幅回路の出力をベースに接続したエミッタフォロワトランジスタと、前記差動増幅回路の出力と前記エミッタフォロワトランジスタのベースとの接続点と電源端子との間に電流路が形成されるよう接続された第１のバイポーラトランジスタと、高電位電源と低電位電源の間に順に直列に接続されたダイオード接続の第２のバイポーラトランジスタ及び抵抗とを有し正の温度特性の電流を生成する第１の回路を含む電流生成回路と、前記電流生成回路の生成する電流に応じた電流を前記第１のバイポーラトランジスタに流すよう前記第１のバイポーラトランジスタのベース電流を制御する第１のカレントミラー回路とを具備することを特徴とするＥＣＬ出力回路。
2. 前記電流生成回路は、温度特性のない電流を生成する第２の回路を更に有し、前記第１の回路の生成する電流と前記第２の回路の生成する電流とを足し合わせたものを前記電流生成回路の生成する電流としたことを特徴とする請求項１記載のＥＣＬ出力回路。
3. 前記第１の回路は、前記第２のバイポーラトランジスタ及び前記抵抗の間に流れる電流に応じた電流を流す第２のカレントミラー回路と、前記第２のカレントミラー回路に流れる電流に応じた電流を流す第３のカレントミラー回路とを有し、前記第２のカレントミラー回路に含まれるカレントミラー用トランジスタと、前記第３のカレントミラー回路に含まれるカレントミラー用トランジスタのサイズ比を変更することで、前記第１の回路の電流の温度特性の勾配を調整したことを特徴とする請求項１記載のＥＣＬ出力回路。
4. 前記正の温度特性の電流の温度勾配は、前記差動増幅回路を構成する前記バイポーラトランジスタのベース・エミッタ電圧の温度勾配と同じであり、傾斜の向きが逆であることを特徴とする請求項１に記載のＥＣＬ出力回路。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のＥＣＬ出力回路は、１つの半導体基板に形成されていることを特徴とするＥＣＬ出力回路。
6. 前記差動増幅回路、前記正の温度特性の電流を生成する第１の回路を構成する抵抗及び前記温度特性のない電流を生成する第２の回路っを構成する抵抗は、同じ製造方法で形成されていることを特徴とする請求項５に記載のＥＣＬ出力回路。
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   

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