JP2014017711A - 電子装置の寄生容量低減回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 プリント基板上に設けられた各素子により形成されると共に所定周波数の信号または所定周波数を中心とした帯域幅の信号を取り扱う電子装置の寄生容量低減回路であって、プリント基板上に各素子を設けることにより形成される寄生容量Cp1、Cp2に対して、並列に接続されていると共にインダクタンス素子を含むインダクタンス部Lp1、Lp2を備え、インダクタンス部Lp1、Lp2のコイルLp11、Lp21は寄生容量Cp1、Cp2と共に所定周波数で共振する並列共振回路を形成する。
【選択図】 図1
Description
この実施の形態による電子装置の寄生容量低減回路(以下、単に「寄生容量低減回路」という)を図1に示す。なお、この実施の形態では、先に説明した図7、図8と同一もしくは同一と見なされる構成要素には、それと同じ参照符号を付けて、その説明を省略する。図1の寄生容量低減回路は、共振部1と発振部2とから成る電圧制御発振回路に適用されている。電圧制御発振回路は、入力された制御電圧に応じて可変容量ダイオードCV1の容量が変化し、これにより、共振部1の共振周波数が決まる。つまり、共振部1には共振周波数の帯域幅があり、これが共振部1の周波数可変幅となる。この実施の形態では、周波数可変幅の中心周波数を所定周波数としている。発振部2は、共振部1の共振周波数で発振し、発振で生成した所定周波数の信号をVOC出力信号として出力する。このように、電圧制御発振回路は所定周波数を中心とした信号を取り扱う電子装置である。
コイルLp11のリアクタンス>>コンデンサCp11のリアクタンス
となるように設定されている。これにより、インダクタンス部Lp1のインピーダンスは、実質的にコイルLp11のリアクタンスになる。この結果、インダクタンス部Lp1と寄生容量Cp1とによる並列共振回路の形成の際に、コンデンサCp11による影響を除くことができる。
実施の形態1では、インダクタンス部Lp1、Lp2のインダクタンス素子を、プリント基板にビアを設けて形成した。なお、この実施の形態では、先に説明した実施の形態1と同一もしくは同一と見なされる構成要素には、それと同じ参照符号を付けて、その説明を省略する。
この実施の形態では、先の実施の形態1、2に対して、次のようにしている。なお、この実施の形態では、先に説明した実施の形態1、2と同一もしくは同一と見なされる構成要素には、それと同じ参照符号を付けて、その説明を省略する。
Lp1、Lp2 インダクタンス部
Lp11、Lp21 コイル
Cp11、Cp21 コンデンサ
1 共振部
CV1 可変容量ダイオード
C1〜C3 コンデンサ
L1 コイル
2 発振部
R1、R2、R3 抵抗
C4、C5、C6、C7 コンデンサ
TR1 トランジスタ
Claims (3)
- プリント基板上に設けられた各素子により形成されると共に所定周波数の信号または所定周波数を中心とした帯域幅の信号を取り扱う電子装置の寄生容量低減回路であって、
前記プリント基板上に各素子を設けることにより形成される寄生容量に対して、並列に接続されていると共にインダクタンス素子を含むインダクタンス部を備え、
前記インダクタンス部のインダクタンス素子は前記寄生容量と共に前記所定周波数で共振する並列共振回路を形成する、
ことを特徴とする電子装置の寄生容量低減回路。 - 前記インダクタンス部は、前記インダクタンス素子に対して直列に接続されているキャパシタンス素子を備え、
前記キャパシタンス素子は、前記インダクタンス素子に対して直流の阻止用として作用する、
ことを特徴とする請求項1に記載の電子装置の寄生容量低減回路。 - 前記インダクタンス部のインダクタンス素子は、前記プリント基板のビアによって形成されている、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の電子装置の寄生容量低減回路。
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JP2012154576A JP2014017711A (ja) | 2012-07-10 | 2012-07-10 | 電子装置の寄生容量低減回路 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2012
- 2012-07-10 JP JP2012154576A patent/JP2014017711A/ja active Pending
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