JP2014017329A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上面に、第1方向に延びるフィンを形成する工程と、前記フィンを覆うマスク膜を形成する工程と、前記マスク膜に、第2方向に延びる複数本の第1の溝を形成する工程と、前記第1の溝内に絶縁性の側壁部材を埋設する工程と、前記側壁部材間の空間のうち、一部の空間から前記マスク膜を除去することにより、第2の溝を形成する工程と、前記第2の溝内にゲート電極を形成する工程と、前記側壁部材間の空間のうち、残りの空間から前記マスク膜を除去することにより、第3の溝を形成する工程と、前記フィンにおける前記第3の溝内に配置された第2部分を導電体化する工程と、を備える。
【選択図】図9
Description
図1〜図5は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する図であり、各図の(a)は平面図であり、(b)は(a)に示すA−A’線による断面図であり、
図6〜図18は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する図であり、各図の(a)は平面図であり、(b)は(a)に示すA−A’線による断面図であり、(c)は(a)に示すB−B’線による断面図である。
なお、各図は、半導体装置の一部のみを示している。
また、本明細書においては、説明の便宜上、XYZ直交座標系を採用する。
図19(a)〜(e)は、本実施形態に係る半導体装置を例示する図であり、(a)は平面図であり、(b)は(a)に示すC−C’線による断面図であり、(c)は(a)に示すD−D’線による断面図であり、(d)は(a)に示すE−E’線による断面図であり、(e)は(a)に示すF−F’線による断面図である。
なお、図19(a)においては、図示の便宜上、導電部分のみを示し、絶縁部分は省略している。
先ず、デバイスの効果について説明する。
本実施形態に係る半導体装置1においては、シリコン基板10の上面にフィン44が形成されており、ゲート電極36がフィン44を跨ぐように配置されている。これにより、YZ断面において、フィン44とゲート電極36とが対向する領域の長さが長くなり、フィン型トランジスタ50のチャネル幅が大きくなる。この結果、各フィン型トランジスタ50に流れる電流が増加する。
本実施形態においては、図1(a)及び(b)に示す工程において、ハードマスク11をマスクとしてエッチングを行うことによりフィン12を形成し、図2(a)及び(b)に示す工程において、ハードマスク11及び側壁ハードマスク13をマスクとして再びエッチングを行うことにより、断面形状が凸字状のフィン14を形成している。そして、図10(a)〜(c)に示す工程において、フィン14におけるゲート電極36によって覆われる予定の部分を露出させ、図11(a)〜(c)に示す工程において酸化処理を行うことにより、フィン14の表層部分を酸化してシリコン酸化膜32を形成すると共に、フィン14の幅方向中央部を未酸化部分14bとして残留させ、図12(a)〜(c)に示す工程においてウェット処理を行ってシリコン酸化膜32を除去している。
Claims (7)
- 半導体基板の上面に、第1方向に延び、上部が下部よりも細い断面が凸字状のフィンを形成する工程と、
前記フィンを覆うようにカーボン膜を形成する工程と、
前記カーボン膜上にノンドープ膜を形成する工程と、
前記ノンドープ膜上に前記第1方向に対して交差した第2方向に延びる芯材を形成する工程と、
前記芯材の両側面上に側壁ハードマスクを形成する工程と、
前記芯材及び前記芯材の両側面上に形成された一対の前記側壁ハードマスクからなる構造体をマスクとし、前記ノンドープ膜に対して、直上方向に対して前記第1方向の片側に傾斜した方向から不純物を注入することにより、前記ノンドープ膜のうち、前記一対の側壁ハードマスクのうち一方の直下域を含む部分を不純物ドープ膜とする工程と、
前記芯材を除去する工程と、
前記側壁ハードマスクをマスクとした異方性エッチングを施して前記カーボン膜を選択的に除去することにより、前記カーボン膜に、前記第2方向に延び、前記フィンに到達する第1の溝を形成する工程と、
前記第1の溝内に絶縁性の側壁部材を埋設する工程と、
前記不純物ドープ膜を除去せずに前記ノンドープ膜を除去する工程と、
前記カーボン膜における前記ノンドープ膜の直下域に位置していた部分を除去することにより、第2の溝を形成する工程と、
酸化処理を施すことにより、前記フィンにおける前記第2の溝内に配置された第1部分について、前記下部の両側部及び前記上部を酸化膜とする工程と、
前記酸化膜を除去する工程と、
前記第1部分の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1部分を跨ぐように、前記ゲート絶縁膜上に、前記第2方向に延びるゲート電極を形成する工程と、
前記不純物ドープ膜を除去する工程と、
前記カーボン膜における前記不純物ドープ膜の直下域に位置していた部分を除去することにより、第3の溝を形成する工程と、
前記フィンにおける前記第3の溝内に配置された第2部分について、前記下部の両側部及び前記上部を導電体化する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の上面に、第1方向に延びるフィンを形成する工程と、
前記フィンを覆うようにマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜に、前記第1方向に対して交差した第2方向に延び、前記フィンに到達する複数本の第1の溝を形成する工程と、
前記第1の溝内に絶縁性の側壁部材を埋設する工程と、
前記側壁部材間の空間のうち、一部の空間から前記マスク膜を除去することにより、第2の溝を形成する工程と、
前記フィンにおける前記第2の溝内に配置された第1部分の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の溝内に、前記第1部分を跨ぐように、前記ゲート絶縁膜上に、前記第2方向に延びるゲート電極を形成する工程と、
前記側壁部材間の空間のうち、残りの空間から前記マスク膜を除去することにより、第3の溝を形成する工程と、
前記フィンにおける前記第3の溝内に配置された第2部分を導電体化する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記フィンを形成する工程において、前記フィンの形状を上部が下部よりも細い断面が凸字状の形状とし、
前記第2部分を導電体化する工程において、前記下部の両側部及び前記上部を導電体化し、
前記第2の溝を形成する工程と前記ゲート絶縁膜を形成する工程の間に、
酸化処理を施すことにより、前記第1部分の前記下部の両側部及び前記上部を酸化膜とする工程と、
前記酸化膜を除去する工程と、
をさらに備えた請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記フィンを形成する工程において、前記フィンの形状を上部が下部よりも細い断面が凸字状の形状とし、
前記第2部分を導電体化する工程において、前記下部の両側部及び前記上部を導電体化し、
前記第2の溝を形成する工程と前記ゲート絶縁膜を形成する工程の間に、前記第1部分に対して等方エッチングを施す工程をさらに備えた請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の溝を形成する工程は、
前記マスク膜上にノンドープ膜を形成する工程と、
前記ノンドープ膜上に前記第2方向に延びる芯材を形成する工程と、
前記芯材の両側面上に側壁ハードマスクを形成する工程と、
前記芯材及び前記芯材の両側面上に形成された一対の前記側壁ハードマスクからなる構造体をマスクとし、前記ノンドープ膜に対して、不純物を直上方向に対して前記第1方向の片側に傾斜した方向から注入することにより、前記ノンドープ膜のうち、前記一対の側壁ハードマスクのうち一方の直下域を含む部分を不純物ドープ膜とする工程と、
前記芯材を除去する工程と、
前記側壁ハードマスクをマスクとして異方性エッチングを施して、前記マスク膜を選択的に除去する工程と、
を有し、
前記第2の溝を形成する工程は、
前記不純物ドープ膜を除去せずに前記ノンドープ膜を除去する工程と、
前記マスク膜における前記ノンドープ膜の直下域に位置していた部分を除去する工程と、
を有し、
前記第3の溝を形成する工程は、
前記不純物ドープ膜を除去する工程と、
前記マスク膜における前記不純物ドープ膜の直下域に位置していた部分を除去する工程と、
を有した請求項2〜4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記マスク膜を炭素により形成する請求項2〜5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 上面に第1方向に延びるフィンが形成された半導体基板と、
前記第1方向に対して交差した第2方向に延び、前記フィンの第1部分を跨ぐゲート電極と、
前記第1部分と前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、
前記フィンにおける前記第1部分から前記第1方向に離隔した第2部分を覆う導電層と、
を備え、
前記導電層は、
前記第2部分の側面上に配置されたベース部と、
前記第2部分の直上域に配置され、前記ベース部から上方に突出した突出部と、
を有し、
前記第1方向に対して垂直な断面において、前記突出部の幅は前記ベース部の幅よりも細く、
前記フィンにおける前記第1部分の上端及び前記第2部分の上端は、前記フィンにおける前記第1部分及び前記第2部分を除く部分の上端よりも下方に位置している半導体装置。
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Families Citing this family (5)
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---|---|---|---|---|
JP2013058688A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US8963259B2 (en) * | 2013-05-31 | 2015-02-24 | Globalfoundries Inc. | Device isolation in finFET CMOS |
CN107958934A (zh) * | 2016-10-18 | 2018-04-24 | 联华电子股份有限公司 | 不对称鳍状结构及其制作方法 |
US10204904B2 (en) * | 2017-05-10 | 2019-02-12 | Globalfoundries Inc. | Methods, apparatus and system for vertical finFET device with reduced parasitic capacitance |
CN109786248B (zh) * | 2017-11-13 | 2022-02-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其形成方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6475890B1 (en) * | 2001-02-12 | 2002-11-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Fabrication of a field effect transistor with an upside down T-shaped semiconductor pillar in SOI technology |
JP2007073831A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007250665A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008091905A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Hynix Semiconductor Inc | FinFETを備えた半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7683428B2 (en) * | 2004-01-22 | 2010-03-23 | International Business Machines Corporation | Vertical Fin-FET MOS devices |
KR100653711B1 (ko) * | 2005-11-14 | 2006-12-05 | 삼성전자주식회사 | 쇼트키 배리어 핀 펫 소자 및 그 제조방법 |
US8174073B2 (en) * | 2007-05-30 | 2012-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit structures with multiple FinFETs |
JP2009054705A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Toshiba Corp | 半導体基板、半導体装置およびその製造方法 |
JP5410666B2 (ja) | 2007-10-22 | 2014-02-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9484462B2 (en) * | 2009-09-24 | 2016-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Fin structure of fin field effect transistor |
US8373238B2 (en) * | 2009-12-03 | 2013-02-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | FinFETs with multiple Fin heights |
JP5718585B2 (ja) | 2010-05-19 | 2015-05-13 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置及びその製造方法、並びにデータ処理システム |
JP5659098B2 (ja) * | 2011-07-19 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2013042067A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8557666B2 (en) * | 2011-09-13 | 2013-10-15 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating integrated circuits |
JP2013069885A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8637371B2 (en) * | 2012-02-16 | 2014-01-28 | International Business Machines Corporation | Non-planar MOSFET structures with asymmetric recessed source drains and methods for making the same |
-
2012
- 2012-07-06 JP JP2012152915A patent/JP5856545B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-08 US US13/762,955 patent/US8790979B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6475890B1 (en) * | 2001-02-12 | 2002-11-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Fabrication of a field effect transistor with an upside down T-shaped semiconductor pillar in SOI technology |
JP2007073831A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007250665A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008091905A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Hynix Semiconductor Inc | FinFETを備えた半導体素子の製造方法 |
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