JP2014017042A - 不揮発性メモリセル、不揮発性メモリセルアレイおよび不揮発性メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 不揮発性メモリセルは、ビット線BLおよび反転ビット線BLB間に直列に介挿された抵抗変化型素子R1およびR2と、抵抗変化型素子R1およびR2が共通接続された共通ノードとソース線との間に介挿され、ワード線WLを介して供給される選択電圧によりON/OFFが切り換えられる選択トランジスタT1とを有する。アクセス対象である不揮発性メモリセルのビット線BLおよび反転ビット線BLBの組とソース線SLとの間に書き込みデータに応じた極性の電圧を与え、選択トランジスタをONさせる。これにより抵抗変化型素子R1を高抵抗、抵抗変化型素子R2を低抵抗とし、またはその逆にすることができる。
【選択図】図1
Description
以上説明した不揮発性メモリセルアレイは、非特許文献2に開示されたものよりも、面積を縮小することができるという利点がある。
以上が本実施形態による不揮発性メモリセルアレイの構成である。
以上が不揮発性メモリセルアレイ100−h(h=0〜15)の構成である。
Claims (8)
- ビット線および反転ビット線間に直列に介挿された第1および第2の抵抗変化型素子と、
前記第1および第2の抵抗変化型素子が共通接続された共通ノードとソース線との間に介挿され、ワード線を介して供給される選択電圧によりON/OFFが切り換えられる選択トランジスタとを具備し、
前記第1および第2の抵抗変化型素子は、前記ビット線から前記反転ビット線に向かう電流を流したときに各々の抵抗値が第1の方向およびその逆方向の第2の方向に各々変化し、前記反転ビット線および前記ビット線に向かう電流を各々に流したときに各々の抵抗値が前記第2の方向および前記第1の方向に各々変化する抵抗変化型素子であることを特徴とする不揮発性メモリセル。 - 請求項1に記載の不揮発性メモリセルを複数使用した不揮発性メモリセルアレイを備えた不揮発性メモリにおいて、
前記不揮発性メモリセルアレイの所望の不揮発性メモリセルに対して入力データの書き込みを行う場合に、当該不揮発性メモリセルに接続されたソース線にソース電圧を与えるとともに、当該不揮発性メモリセルが接続されたビット線および反転ビット線の組と前記ソース線との間に前記入力データに応じた極性の電圧を与えるとともに、当該不揮発性メモリセルの選択トランジスタをONにする選択電圧をワード線に出力し、
前記不揮発性メモリセルアレイの所望の不揮発性メモリからデータの読み出しを行う場合に、当該不揮発性メモリセルに接続されたソース線にソース電圧を与えるとともに、前記ソース電圧から所定電圧だけ隔たった電圧を当該不揮発性メモリセルが接続されたビット線および反転ビット線の組に与え、このビット線および反転ビット線に流れる各電流の電流差に基づいて当該不揮発性メモリセルからの読み出しデータを判定することを特徴とする不揮発性メモリ。 - 行列状に配列された複数の不揮発性メモリセルからなる不揮発性メモリセルアレイであって、各不揮発性メモリセルが、前記不揮発性メモリセルアレイにおける不揮発性メモリセルの各列に沿って配線されたビット線および反転ビット線間に直列に介挿された第1および第2の抵抗変化型素子と、前記第1および第2の抵抗変化型素子が共通接続された共通ノードとソース線との間に介挿され、前記不揮発性メモリセルアレイにおける不揮発性メモリセルの各行に沿って配線されたワード線を介して供給される選択電圧によりON/OFFが切り換えられる選択トランジスタとを具備し、前記第1および第2の抵抗変化型素子は、前記ビット線から前記反転ビット線に向かう電流を流したときに各々の抵抗値が第1の方向およびその逆方向の第2の方向に各々変化し、前記反転ビット線および前記ビット線に向かう電流を各々に流したときに各々の抵抗値が前記第2の方向および前記第1の方向に各々変化する抵抗変化型素子である不揮発性メモリセルアレイと、
前記不揮発性メモリセルアレイにおいてアクセス対象である不揮発性メモリセルが属する行のワード線に前記選択トランジスタをONさせる選択電圧を出力する行デコーダと、
前記不揮発性メモリセルアレイにおいてアクセス対象である不揮発性メモリセルが属する列のビット線および反転ビット線をデータ線および反転データ線に接続する列デコーダと、
ライトアクセス時、前記データ線および反転データ線の組に対して入力データに応じた極性の書き込み電圧を印加する書き込み手段と、
リードアクセス時、前記データ線に流れる電流と前記反転データ線に流れる電流との電流差に基づいて、アクセス対象である不揮発性メモリセルからの読み出しデータを判定する読み出し手段とを具備し、
前記不揮発性メモリセルアレイのソース線の電位を固定して、前記ライトアクセスおよびリードアクセスを行うことを特徴とする不揮発性メモリ。
- リードアクセスおよびライトアクセスが行われていない期間、前記不揮発性メモリセルアレイにおける全てのビット線および全ての反転ビット線にプリチャージ電圧を印加するバイアス回路を具備し、リードアクセス時およびライトアクセス時に、アクセス対象でない不揮発性メモリセルが属する各列のビット線および反転ビット線にプリチャージ電圧を保持させるようにしたことを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ。
- 行方向に延び、かつ、列方向に並び、行列状に配列された複数のトランジスタのゲートを各々構成する複数本のワード線と、
前記複数本のワード線と平行に配線され、前記行列状に配列された複数のトランジスタのソースに接続された複数本のソース配線と、
前記ソース線と異なるレイヤの配線により構成されており、前記複数本のワード線と直交し、前記行列状に配列された複数のトランジスタの各列に沿って配線された複数本のビット線および複数本の反転ビット線と、
前記複数のトランジスタにおける各列の各トランジスタの各ドレインと当該列のビット線との間に介挿された複数の第1の抵抗変化型素子と、
前記複数のトランジスタにおける各列の各トランジスタの各ドレインと当該列の反転ビット線との間に介挿された複数の第2の抵抗変化型素子と
を具備することを特徴とする不揮発性メモリセルアレイ。 - 前記第1および第2の抵抗変化型素子はMTJ素子であり、
前記第1の抵抗変化型素子は、ピン層およびフリー層のうちの一方が前記ビット線に接続され、他方を下方に向け、前記第2の抵抗変化型素子は、ピン層およびフリー層のうちの他方が前記反転ビット線に接続され、一方を下方に向けて、前記ビット線および前記反転ビット線の各々の下方に配置されており、前記第1の抵抗変化型素子におけるピン層およびフリー層のうちの他方と、前記第2の抵抗変化型素子におけるピン層およびフリー層のうちの一方は、メタル層配線を介して前記トランジスタのドレインに接続されていることを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリセルアレイ。 - 行方向に延び、かつ、列方向に並び、行列状に配列された複数のトランジスタのゲートを各々構成する複数本のワード線と、
前記複数本のワード線と平行に配線され、前記行列状に配列された複数のトランジスタのソースに接続された複数本のソース配線と、
前記ソース線と異なるレイヤの配線により構成されており、前記複数本のワード線と直交し、前記行列状に配列された複数のトランジスタの各列に沿って配線された複数本のビット線と、
前記複数本のビット線と深さ方向に平行に並んで配線され、前記ソース線および前記ビット線のいずれとも異なるレイヤの配線により構成された複数本の反転ビット線と、
前記複数のトランジスタにおける各列の各トランジスタの各ドレインと当該列のビット線との間に介挿された複数の第1の抵抗変化型素子と、
前記複数のトランジスタにおける各列の各トランジスタの各ドレインと当該列の反転ビット線との間に介挿された複数の第2の抵抗変化型素子と
を具備することを特徴とする不揮発性メモリセルアレイ。 - 前記第1の抵抗変化型素子および前記第2の抵抗変化型素子は、各々MTJ素子であり、前記ビット線および前記反転ビット線の間に深さ方向に並んで配置されており、前記第1の抵抗変化型素子におけるピン層およびフリー層の一方は前記ビット線に接続され、前記第2の抵抗変化型素子におけるピン層およびフリー層の他方は前記反転ビット線に接続され、前記第1の抵抗変化型素子におけるピン層およびフリー層の他方および前記第2の抵抗変化型素子におけるピン層およびフリー層の一方はメタル層配線を介して前記トランジスタのドレインと接続されていることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性メモリセルアレイ。
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