JP2013543274A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013543274A5 JP2013543274A5 JP2013537130A JP2013537130A JP2013543274A5 JP 2013543274 A5 JP2013543274 A5 JP 2013543274A5 JP 2013537130 A JP2013537130 A JP 2013537130A JP 2013537130 A JP2013537130 A JP 2013537130A JP 2013543274 A5 JP2013543274 A5 JP 2013543274A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- projection objective
- array
- projection
- segments
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
Claims (23)
- 投影露光装置の作動中に照明される物体平面を像平面に結像するためのEUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系であって、
投影対物系が、複数の別々のミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)を含む少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)を有し、
互いに異なり、かつ物体平面(OP)の像平面(IP)内への結像をそれぞれもたらす部分ビーム経路は、同じミラーセグメント配列の前記ミラーセグメントに関連付けられ、該部分ビーム経路は、該像平面(IP)内で重ね合わされ、該像平面(IP)内の同じ点において重ね合わされる少なくとも2つの部分ビームは、同じミラーセグメント配列の異なるミラーセグメントによって反射されたものである、
ことを特徴とする投影対物系。 - 前記少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)は、前記像平面側で前記ビーム経路に関して最後のものである投影対物系の反射配列であることを特徴とする請求項1に記載の投影対物系。
- 前記少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)は、最大の大きさの合計光学的有効面を有する投影対物系の反射配列であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影対物系。
- 前記少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)は、少なくとも3つのミラーセグメント(161,162,163;261〜266,281〜284;411,412;510〜540)、特に、少なくとも4つのミラーセグメント(261〜266,281〜284;510〜540)を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記同じミラーセグメント配列(160,260,280,410,500)の前記ミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)は、それぞれ、隣接するミラーセグメントの間に任意的に存在する移行領域によってのみ中断される連続反射面を互いに形成することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 各々が少なくとも2つの別々のミラーセグメント(261〜266,281〜284)を有する少なくとも2つのミラーセグメント配列(260,280)が設けられ、互いに異なり、前記物体平面(OP)の前記像平面(IP)内への結像をそれぞれもたらす、かつ該像平面(IP)内で重ね合わされるビーム経路は、前記同じミラーセグメント配列(260,280)の前記ミラーセグメント(161〜266,281〜284)に関連付けられることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 一方のミラーセグメント配列(260)の前記ミラーセグメント(261〜266)のうちのそれぞれ1つが、他方のミラーセグメント配列(280)の前記ミラーセグメント(281〜284)のうちの1つに同じ部分ビーム経路との対毎の関係で関連付けられることを特徴とする請求項6に記載の投影対物系。
- 前記少なくとも1つのミラーセグメント配列(310,410)の照明を該ミラーセグメント配列の異なるミラーセグメント(311,312,411,412)に選択的に制限することができるように設計されたシャッター配列(315,316,317,415)が更に設けられることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記ミラーセグメント配列の少なくとも2つのミラーセグメントが、互いに対して移動可能であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 投影露光装置の作動中に照明される物体平面を像平面に結像するためのEUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系であって、
投影対物系が、複数のミラーを含み、
前記複数のミラーのうちで最大の大きさを有するミラーが、複数の別々のミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)を含むミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)として形成される、
ことを特徴とする投影対物系。 - 掩蔽シャッター配列が更に設けられ、前記ミラーセグメント配列のミラーセグメントの間に残る少なくとも1つのミラーセグメント中間空間が、該掩蔽シャッター配列の遮光部に少なくとも部分的に配置されることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 投影露光装置の作動において照明される物体平面を像平面に結像するためのEUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系であって、
複数の別々のミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540;610〜650)を含む少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500,600)と、
前記ミラーセグメント配列のミラーセグメントの間に残る少なくとも1つのミラーセグメント中間空間が、掩蔽シャッター配列(710,720,910,920,930,940)の遮光部に少なくとも部分的に配置される掩蔽シャッター配列(710,720,910,920,930,940)と、
を含むことを特徴とする投影対物系。 - 前記ミラーセグメント配列のミラーセグメントの間に残る前記少なくとも1つのミラーセグメント中間空間は、回転対称、特に、環状幾何学形状のものであることを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の投影対物系。
- 前記掩蔽シャッター配列は、回転対称、特に、環状幾何学形状のものであることを特徴とする請求項11から請求項13のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 前記掩蔽シャッター配列(710,720,910,920,930,940)は、nがゼロよりも大きい自然数である場合に、光学系軸線に関してn重対称性、特に、4重対称性のものであることを特徴とする請求項11から請求項15のいずれか1項に記載の投影対物系。
- 投影露光装置の作動において照明される物体平面(OP)を像平面(IP)に結像するためのEUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系を製造する方法であって、
投影対物系が、複数のミラーを有し、
前記ミラーのうちの少なくとも1つが、複数の別々のミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)から構成され、
前記像平面(IP)内の同じ点において重ね合わされる少なくとも2つの部分ビームが、前記複数の別々のミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)の異なるミラーセグメントによって反射されたものである、
ことを特徴とする方法。 - 複数の別々のミラーセグメントで構成された前記ミラーは、前記像平面側でビーム経路に関して最後のものであることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 複数の別々のミラーセグメントで構成された前記ミラーは、最大の大きさの合計光学的有効面を有するミラーであることを特徴とする請求項17又は請求項18のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ミラーセグメントのうちの少なくとも2つが、光学的に途切れることなく互いに結合されることを特徴とする請求項17から請求項19のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ミラーセグメントのうちの少なくとも2つが、互いに対して有限の間隔で固定されることを特徴とする請求項17から請求項20のいずれか1項に記載の方法。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系を光学的に調節する方法であって、
投影対物系が、調節作動中にリソグラフィ工程のためにそれらの作動位置に向けられた複数のミラーを有し、
前記投影対物系は、複数の別々のミラーセグメント(161,162,163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)を含む少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)を有し、
調節が、それぞれの調節段階において物体平面(OP)の像平面(IP)内への結像に寄与する前記ミラーセグメントに関して互いに異なる少なくとも2つの調節段階においてなされる、
ことを特徴とする方法。 - マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系を光学的に調節するための配列であって、
投影対物系が、調節作動中にリソグラフィ工程のためにそれらの作動位置に向けられる複数のミラーを有し、
前記投影対物系は、複数の別々のミラーセグメント(161,162,163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)を含む少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)を有し、
配列が、前記ミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)の照明を前記ミラーセグメント(161,162,163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)のうちの1つ又はそれよりも多くに選択的に制限することができる少なくとも1つの可変シャッター配列(315,316,317,415)を有する、
ことを特徴とする配列。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US41052110P | 2010-11-05 | 2010-11-05 | |
US61/410,521 | 2010-11-05 | ||
DE201010043498 DE102010043498A1 (de) | 2010-11-05 | 2010-11-05 | Projektionsobjektiv einer für EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum optischen Justieren eines Projektionsobjektives |
DE102010043498.1 | 2010-11-05 | ||
PCT/EP2011/069308 WO2012059537A1 (en) | 2010-11-05 | 2011-11-03 | Projection objective of a microlithographic exposure apparatus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013543274A JP2013543274A (ja) | 2013-11-28 |
JP2013543274A5 true JP2013543274A5 (ja) | 2014-12-18 |
JP5950129B2 JP5950129B2 (ja) | 2016-07-13 |
Family
ID=45970908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013537130A Active JP5950129B2 (ja) | 2010-11-05 | 2011-11-03 | マイクロリソグラフィ露光装置の投影対物系 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20130242278A1 (ja) |
EP (1) | EP2635937B1 (ja) |
JP (1) | JP5950129B2 (ja) |
KR (1) | KR101909301B1 (ja) |
CN (1) | CN103189800B (ja) |
DE (1) | DE102010043498A1 (ja) |
TW (1) | TWI579648B (ja) |
WO (1) | WO2012059537A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010041623A1 (de) * | 2010-09-29 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel |
DE102010043498A1 (de) | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv einer für EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum optischen Justieren eines Projektionsobjektives |
DE102011076549A1 (de) | 2011-05-26 | 2012-11-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012212064A1 (de) | 2012-07-11 | 2014-01-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Lithographianlage mit segmentiertem Spiegel |
US9448343B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-09-20 | Kla-Tencor Corporation | Segmented mirror apparatus for imaging and method of using the same |
GB2513927A (en) * | 2013-05-10 | 2014-11-12 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Optical element arrangement with an optical element split into optical sub-elements |
CN103488061B (zh) * | 2013-10-09 | 2015-01-21 | 北京理工大学 | 极紫外光刻机中匹配多个物镜的照明系统调整与设计方法 |
DE102014220203A1 (de) | 2013-11-21 | 2015-05-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
DE102014206589A1 (de) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Justieren eines Spiegels einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102014210609A1 (de) | 2014-06-04 | 2015-12-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017215664A1 (de) * | 2017-09-06 | 2019-03-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3934546A1 (de) * | 1989-10-17 | 1991-04-18 | Zeiss Carl Fa | Verfahren zum verbinden von segmenten eines koerpers, vorrichtungen zur durchfuehrung des verfahrens sowie ein mittels des verfahrens hergestellter spiegel |
US5136413A (en) * | 1990-11-05 | 1992-08-04 | Litel Instruments | Imaging and illumination system with aspherization and aberration correction by phase steps |
JPH09199390A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | パターン形成方法、投影露光装置および半導体装置の製造方法 |
JP2003506881A (ja) | 1999-07-30 | 2003-02-18 | カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス | Euv照明光学系の射出瞳における照明分布の制御 |
TW550377B (en) | 2000-02-23 | 2003-09-01 | Zeiss Stiftung | Apparatus for wave-front detection |
US20020171922A1 (en) | 2000-10-20 | 2002-11-21 | Nikon Corporation | Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same |
US7843632B2 (en) | 2006-08-16 | 2010-11-30 | Cymer, Inc. | EUV optics |
DE10208854A1 (de) * | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Beleuchtungssystem mit genestetem Kollektor zur annularen Ausleuchtung einer Austrittspupille |
WO2003076891A2 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Moiré method and measuring system for measuring the distortion of an optical imaging system |
DE10220324A1 (de) * | 2002-04-29 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür |
JP3919599B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2007-05-30 | キヤノン株式会社 | 光学素子、当該光学素子を有する光源装置及び露光装置 |
US6897940B2 (en) * | 2002-06-21 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | System for correcting aberrations and distortions in EUV lithography |
FR2877104B1 (fr) * | 2004-10-27 | 2006-12-29 | Sagem | Dispositif d'imagerie ou d'insolation, notamment pour la realisation d'un micro-circuit electronique |
KR100604942B1 (ko) * | 2005-06-18 | 2006-07-31 | 삼성전자주식회사 | 비축상(off-axis) 프로젝션 광학계 및 이를 적용한극자외선 리소그래피 장치 |
DE102005056914A1 (de) | 2005-11-29 | 2007-05-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsystem |
EP1930771A1 (en) | 2006-12-04 | 2008-06-11 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objectives having mirror elements with reflective coatings |
JP4986754B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-07-25 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及びそれを有する露光装置 |
CN102819197B (zh) * | 2007-10-26 | 2016-06-22 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学系统、投射曝光设备、微结构部件及其产生方法 |
DE102007051669A1 (de) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik, Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik sowie Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102008041801A1 (de) * | 2008-09-03 | 2010-03-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Spektralfilter für die EUV-Mikrolithographie |
JP2011108974A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Nikon Corp | 波面計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
DE102010043498A1 (de) | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv einer für EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum optischen Justieren eines Projektionsobjektives |
-
2010
- 2010-11-05 DE DE201010043498 patent/DE102010043498A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-11-03 JP JP2013537130A patent/JP5950129B2/ja active Active
- 2011-11-03 CN CN201180053146.7A patent/CN103189800B/zh active Active
- 2011-11-03 KR KR1020137014144A patent/KR101909301B1/ko active IP Right Grant
- 2011-11-03 EP EP11788392.6A patent/EP2635937B1/en active Active
- 2011-11-03 WO PCT/EP2011/069308 patent/WO2012059537A1/en active Application Filing
- 2011-11-04 TW TW100140286A patent/TWI579648B/zh active
-
2013
- 2013-04-08 US US13/858,199 patent/US20130242278A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-03-15 US US15/070,757 patent/US9720329B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013543274A5 (ja) | ||
JP7340520B2 (ja) | 投影リソグラフィシステム用の瞳ファセットミラー、光学システム、および照明光学系 | |
JP4183228B2 (ja) | 投影露光装置、ならびに、特にミクロリソグラフィのための投影露光装置の投影光学系で発生する結像誤差を補正する方法 | |
JP2014222343A5 (ja) | ||
JP6787135B2 (ja) | 照射光学系およびプロジェクタ | |
JP2010217877A5 (ja) | ||
JP6221160B2 (ja) | ミラーの配置 | |
KR101909301B1 (ko) | Euv용으로 설계된 마이크로리소그래피 노광 장치의 투영 오브젝티브 및 투영 오브젝티브를 광학적으로 조절하는 방법 | |
JP2016001308A5 (ja) | 露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2014534643A5 (ja) | ||
JP2012256075A5 (ja) | ||
JP2010517310A5 (ja) | ||
JP2006514441A5 (ja) | ||
JP2011502347A5 (ja) | ||
JP2011517786A5 (ja) | ||
JP2010500769A5 (ja) | ||
JP6370626B2 (ja) | 照明光学系、照明装置、及び照明光学素子 | |
JP2017116459A (ja) | 光学特性測定装置および光学系 | |
JP2013518261A5 (ja) | ホログラフィックマスク検査システム、ホログラフィックマスク検査方法、及びリソグラフィシステム | |
JP2013065857A (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
CN102349026A (zh) | 微光刻投射曝光设备 | |
JP5431345B2 (ja) | 結像光学系、この種の結像光学系を含むマイクロリソグラフィのための投影露光装置、及びこの種の投影露光装置を用いて微細構造構成要素を生成する方法 | |
JP2014081658A5 (ja) | ||
JP5820729B2 (ja) | 光束分岐素子、およびマスク欠陥検査装置 | |
JP6238177B2 (ja) | 高度に柔軟なマニピュレータを有する投影露光装置 |