JP2013543274A - マイクロリソグラフィ露光装置の投影対物系 - Google Patents

マイクロリソグラフィ露光装置の投影対物系 Download PDF

Info

Publication number
JP2013543274A
JP2013543274A JP2013537130A JP2013537130A JP2013543274A JP 2013543274 A JP2013543274 A JP 2013543274A JP 2013537130 A JP2013537130 A JP 2013537130A JP 2013537130 A JP2013537130 A JP 2013537130A JP 2013543274 A JP2013543274 A JP 2013543274A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mirror
projection objective
array
segments
projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013537130A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013543274A5 (ja
JP5950129B2 (ja
Inventor
ハルトムート エンキシュ
シュテファン ミューレンダー
ハンス−ユールゲン マン
ロルフ フライマン
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2013543274A publication Critical patent/JP2013543274A/ja
Publication of JP2013543274A5 publication Critical patent/JP2013543274A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5950129B2 publication Critical patent/JP5950129B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/182Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for mirrors
    • G02B7/198Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors for mirrors with means for adjusting the mirror relative to its support
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70308Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本発明は、EUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の作動において照明される物体平面を像平面に結像するための投影露光装置の投影対物系に関し、投影対物系は、複数の別々のミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)を含む少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)を有し、同じミラーセグメント配列のミラーセグメントには、互いに異なり、かつ物体平面(OP)の像平面(IP)内への結像をそれぞれ可能にする部分ビーム経路が関連付けられ、これらの部分ビーム経路は、像平面(IP)内で重ね合わされ、像平面(IP)内の同じ点において重ね合わされる少なくとも2つの部分ビームは、同じミラーセグメント配列の異なるミラーセグメントによって反射されたものである。
【選択図】 図1

Description

〔関連出願への相互参照〕
本出願は、両方共に2010年11月5日出願のドイツ特許出願DE 10 2010 043 10 498.1及びUS 61/410,521に対する優先権を請求するものである。これらの出願の内容は、引用によってここに組み込まれる。
本発明は、EUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系、及び投影対物系を光学的に調節する方法に関する。
マイクロリソグラフィは、例えば、集積回路又はLCDのような微細構造化構成要素の製造に使用される。マイクロリソグラフィ処理は、照明系と投影対物系とを有するいわゆる投影露光装置において実施される。この場合、照明系を用いて照明されるマスク(=レチクル)の像が、投影対物系を用いて、感光層(フォトレジスト)で被覆されて投影対物系の像平面に配置された基板(例えば、シリコンウェーハ)上に投影され、マスク構造が基板上の感光コーティング上に転写される。
EUV範囲、すなわち、例えば、約13nm又は約7nmの波長に向けて設計された投影対物系内での結像処理には、適切な半透過屈折材料の利用可能性の欠如に起因してミラーが使用される。
例えば、US 7 538 856 B2から公知のEUVに向けて設計された典型的な投影対物系は、例えば、0.2から0.3の範囲の像側開口数(NA)を有し、像平面又はウェーハ平面に物体視野(例えば、環状の)を再現することができる。
像側開口数(NA)を増大させるための手法の場合に、実際に発生する問題は、開口数の増大に関連するミラー面の大きさの増大に対して多くの点に関して制限が設定されることであり、一方でミラーの寸法を増大させることにより、特に要求制限値よりも小さい値まで長波面誤差を低減することが益々困難になり、この点に関して、大きいミラー面は、取りわけ強い非球面を必要とする。更に、ミラーに対する増大する寸法は、製造においてより大きい処理機械を必要とし、使用される機械製作ツール(例えば、研削機械、ラッピング研磨機械、及び研磨機械、干渉計、並びに洗浄及び被覆設備等)に対してより厳密な要件が課せられる。更に、より大きいミラーの製造は、より重いミラー基部本体を使用することを必要とし、このより重いミラー基部本体は、ある一定の制限から、定位置に静止して装着されるのが希であるか、又は重力に起因して許容可能限度を超えて屈曲する場合がある。
ミラー寸法の増大に関わる更に別の問題は、照明ビーム経路の領域の遮光からもたらされる。この点に関しては、中心掩蔽を有する系を使用することは確かに可能であるが、この系内には上述の問題が依然としてもたらされる。
取りわけWO 2008/020965 A2からは、EUV光源のコレクターミラーを共通の焦点に向けられた複数の離散基板によって製造し、次に、各々をEUVに対して反射性を有する複数の層で被覆することが公知である。例えば、楕円体ミラーの形態にあるコレクターミラーの向きを設定するために、担体構造に対する基板のうちの少なくとも1つの向きの設定において、1つ又はそれよりも多くのアクチュエータが使用され、そのような向き設定工程は、楕円体ミラーの第1の焦点から第2の焦点へと偏向される光の測定に依存して達成される。
US 7 538 856 B2 WO 2008/020965 A2 WO 2009/052932 A1 WO 2007/062808 A1 US 2008/0144043 A1 US 7 333 216 B2 US 7 019 824 B2 US 2008/0165415 A1
本発明の目的は、より高い開口数の実施を可能にし、同時に上述の生産工学の問題を少なくとも実質的に回避するマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系を提供することである。
上述の目的は、独立請求項1に記載の特徴によって得られる。
EUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の作動中に照明される物体平面を像平面に結像するための投影露光装置の本発明による投影対物系は、複数の別々のミラーセグメントを含む少なくとも1つのミラーセグメント配列を有し、同じミラーセグメント配列のミラーセグメントには、互いに異なり、物体平面の像平面内への結像をそれぞれ可能にする部分ビーム経路が関連付けられ、これらの部分ビーム経路は、像平面内で重ね合わされ、像平面内の同じ点において重ね合わされる少なくとも2つの部分ビームは、同じミラーセグメント配列の異なるミラーセグメントによって反射されたものである。
この点に関して、本発明によるミラーセグメント配列内で隣接するミラーセグメントは、互いに光学的に途切れることなく組み立てることができ、又は生産工程によって調節することができ、又はミラーセグメント配列の調節の目的で特定的にターゲットを定めて提供することができるかのいずれかである互いに対する有限の間隔にあるとすることができる。
本発明よると、像平面内で重ね合わされ、物体平面(又はマスク)の像平面又はウェーハ平面内への結像にそれぞれ関わり、その像が像平面内で重ね合わされる部分ビーム経路を本明細書ではこれ以降「同時部分ビーム経路」とも呼ぶ。
本発明は、特に、投影対物系の結像ビーム経路内の少なくとも1つのミラーをセグメント別方式に実施し、すなわち、一体的なミラーを複数の別々のミラーセグメントを含むミラーセグメント配列で置換するという概念に基づいている。
更に、像平面内の同じ点に重ね合わされる少なくとも2つの部分ビームは、同じミラーセグメント配列の異なるミラーセグメントによって反射されたものである。従って、本発明により、ミラーセグメント配列の異なるミラーセグメントによって反射されて像平面内のこの点に重なるビームが像平面内の1つの同じ点に到達する。言い換えれば、1つの物体視野は、同じミラーセグメント配列の異なるミラーセグメントの寄与又は協働によって1つの像視野内に投影される。従って、本発明は、例えば、異なる物体視野(互いから空間的に分離された)が、別々の光路(ビーム誘導構成要素として異なるミラーを含む)を通じて異なる像視野に割り当てられ、物体視野内の1つの同じ点が、1つだけのミラーによって反射されたビームだけによって照射されるという意味で異なる光学群を有する光学系の従来技術の概念とは異なる。そのような概念とは対照的に、本発明は、大きく高い開口数を提供することを可能にする。
少なくとも1つのミラーの上述のセグメント別の構造、すなわち、別々のミラーセグメントを有するミラーセグメント配列による少なくとも1つのミラーの置換は、一方で本発明によるミラーセグメント配列に関して処理される最大直径を対応する非セグメント分割ミラーの最大直径よりも実質的に小さくすることができる限り(例えば、僅か70%又はそれ未満程度に)、生産工学の観点から実質的な利点を有する。その結果、一部の状況下では、ここで全く初めて製造が技術的に可能になるか、又は新しく大きい生産機械への更に別の資本投資を回避することができる。一方、個々のミラーセグメントを薄くすることができるので、処理すべき構成要素は、対応する非セグメント分割ミラーと比較して実質的に少ない質量のものであり(全体的に)、単なる例として25%又はそれ未満程度である。合計質量の低減の結果として、ミラーセグメント又はミラーセグメント配列の自量に起因するこれらのミラーセグメント又はミラーセグメント配列の重力誘発の変形を低減することができる。
本発明の開示はまた、EUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の作動において照明される物体平面を像平面に結像するための投影露光装置の本発明による投影対物系に関し、それは、複数の別々のミラーセグメントを含む少なくとも1つのミラーセグメント配列を有し、同じミラーセグメント配列のミラーセグメントには、互いに異なり、物体平面の像平面内への結像をそれぞれ可能にする部分ビーム経路が関連付けられ、これらの部分ビーム経路は、像平面内で重ね合わされる。
実施形態において、少なくとも1つのミラーセグメント配列は、像平面側でビーム経路に関して最後のものである、投影対物系の反射配列である。
実施形態において、少なくとも1つのミラーセグメント配列は、最大の大きさの合計光学的有効面(すなわち、合計反射面)を有する投影対物系の反射配列である。
実施形態において、少なくとも1つのミラーセグメント配列は、少なくとも3つのミラーセグメント、特に少なくとも4つのミラーセグメントを有する。
実施形態において、同じミラーセグメント配列のミラーセグメントは、それぞれ、隣接するミラーセグメントの間に任意的に存在する移行領域によってのみ中断される連続反射面を互いに形成する。
実施形態において、各々が少なくとも2つの別々のミラーセグメントを有する少なくとも2つのミラーセグメント配列が設けられ、同じミラーセグメント配列のミラーセグメントには、互いに異なり、物体平面の像平面内への結像をそれぞれもたらし、像平面内で重ね合わされるビーム経路が関連付けられる。
実施形態において、1つのミラーセグメント配列のミラーセグメントのうちのそれぞれの1つは、他のミラーセグメント配列のミラーセグメントのうちの1つに対して同じ部分ビーム経路との対毎の関係で関連付けられる。
実施形態において、少なくとも1つのミラーセグメント配列の照明をこのミラーセグメント配列の異なるミラーセグメントに選択的に制限することができるように設計されたシャッター配列が更に設けられる。
本発明はまた、EUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の作動において照明される物体平面を像平面に結像するための投影露光装置の投影対物系に関し、投影対物系は、複数のミラーを含み、これらの複数のミラーのうちで最大の大きさを有するミラーは、複数の別々のミラーセグメントを含むミラーセグメント配列として形成される。
下記で更に解説するように、最も大きいミラー(特に像平面側で最後のミラーとすることができる)のセグメント式構成は、このミラーが像側の開口数(NA)に特に関連しているので特に有利である。
本発明の更に別の態様において、個々のミラーセグメントの間に中間空間が発生し、結像特性に影響を及ぼすという事実を考慮する。この問題は、特にビーム経路内の最後のミラーに関連して発生する場合があり、より具体的には、このミラーが、像平面側でテレセントリックであるビーム経路によって正確に瞳平面に存在せず、その結果、誘発される結像誤差が視野依存成分を有する場合に発生する可能性がある。
ここで、本発明は、系の瞳平面に適切な掩蔽シャッター配列を配置することにより、厳密に又は少なくとも部分的に上述のミラーセグメント中間空間が掩蔽シャッターの遮光部内に収まるような、又は瞳平面から外れた掩蔽の遮光部が厳密に又は少なくとも部分的にミラーセグメント中間空間を覆うような掩蔽効果を提供することが可能になるという概念に関わる。言い換えれば、本発明により、ミラーセグメント中間空間が、掩蔽シャッター配列の遮光部がちょうど対応する領域上に生成される限り、結像特性に対する外乱的影響を伴わないままに留まるということが利用される。言い換えれば、ミラーセグメント配列上への掩蔽シャッターの遮光投影は、ミラーセグメント中間空間上を少なくとも部分的に覆う。従って、掩蔽シャッターがない場合にミラーセグメント中間空間上に入射することになる光は、掩蔽シャッターによって遮蔽される/絞られる。
以上の背景を念頭に、実施形態により、投影対物系の瞳平面に掩蔽シャッターが設けられ、掩蔽シャッターは、ミラーセグメント配列上の掩蔽シャッターの遮光投影がミラーセグメント中間空間上を覆うように設計される。
更に、有利な実施形態において、少なくとも1つのミラーセグメント配列は、ミラーセグメントの間のミラーセグメント中間空間が、少なくとも領域毎に環状形状又は環セグメント形状のものである幾何学形状のものであるように(又は個々のミラーセグメントの間にそのような「仕切り」を有するように)設計される。ミラーセグメント中間空間におけるそのような環状幾何学形状は、掩蔽に起因して方向性依存の結像効果が発生しないという更に別の利点を有する。それとは対照的に(光伝播方向又は光学系軸に関して)異なる方位角で配置され、半径方向に延びるミラーセグメント中間空間は、ある一定の回折次数がミラーセグメント中間空間の領域内に通過し、他の回折次数がミラーセグメント中間空間上に進まず、従って、互いに異なる向きを有する構造が異なる結像特性を示すという効果を有する。しかし、上述の概念は、環形態又は環セグメント形状にあるミラーセグメント中間空間に限定されず、従って、ミラーセグメント中間空間が掩蔽シャッターの遮光部内に収まる他の幾何学形状も含まれる。
掩蔽シャッター配列は、結像特性に対して可能な限り弱い又は僅かな外乱しかもたらさない影響を有するものであるので、好ましくは、回転対称性を有する(しかし、本発明は、これに限定されない)。結像特性に対する掩蔽シャッター配列の影響は、掩蔽シャッター配列が環状幾何学形状のものである時に最も弱く、これは、この場合、結像される各構造又は各回折次数が、その向きとは無関係に同じ掩蔽効果を受けるからである。更に別の実施形態において、掩蔽シャッター配列は、ある一定の構造又は回折次数において同じ掩蔽が得られるように、光学系軸に関してn重対称性(特に4重対称性)を有するように設計することができる。
更に別の態様において、本発明はまた、EUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の作動において照明される物体平面を像平面に結像するための投影露光装置の投影対物系を製造する方法に関し、投影対物系は、複数のミラーを有し、ミラーのうちの少なくとも1つは、複数の別々のミラーセグメントから構成される。
実施形態により、複数の別々のミラーセグメントの上述のミラーの構成は、像平面内の同じ点に重ね合わされる少なくとも2つの部分ビームが、これらの複数の別々のミラーセグメントのうちの異なるミラーセグメントによって反射されたものであるように作られる。
実施形態により、複数の別々のミラーセグメントから構成される上述のミラーは、像平面側でビーム経路に関して最後のものである。
実施形態により、複数の別々のミラーセグメントから構成される上述のミラーは、最大サイズの合計光学的有効面を有するミラーである。
実施形態により、これらのミラーセグメントのうちの少なくとも2つは、互いに光学的に途切れることなく結合することができる(例えば、割り込みにより)。更に、これらのミラーセグメントのうちの少なくとも2つは、互いに対して有限の間隔で固定することもできる。
更に別の態様において、本発明はまた、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系を光学的に調節する方法に関し、投影対物系は、調節作動中にリソグラフィ工程のための作動位置に向けられる複数のミラーを有し、投影対物系は、複数の別々のミラーセグメントを含む少なくとも1つのミラーセグメント配列を有し、調節は、それぞれの調節段階において物体平面の像平面内への結像に寄与するミラーセグメントに関して互いに異なる少なくとも2つの調節段階で達成される。
本発明は、更に、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系を光学的に調節するための配列に関し、投影対物系は、調節作動中にリソグラフィ工程のための作動位置に向けられる複数のミラーを有し、投影対物系は、複数の別々のミラーセグメントを含む少なくとも1つのミラーセグメント配列を有し、配列は、ミラーセグメント配列の照明をミラーセグメントのうちの1つ又はそれよりも多くに選択的に制限することができる少なくとも1つの可変シャッター配列を有する。
本発明の更に別の構成は、本明細書及び添付の特許請求の範囲に見出されるものとする。
以下では本発明を一例として添付図面に示す実施形態を用いてより詳細に説明する。
本発明の実施形態による投影対物系の構造を示す概略図である。 本発明の更に別の実施形態による投影対物系の構造を示す概略図である。 本発明による測定配列における異なる可能なシャッター配列を示す異なる図である。 同時部分ビーム経路に対する測定配列の構造を示す本発明による可能な構造の概略図である。 本発明の更に別の実施形態を示す概略図である。 本発明の更に別の態様を示す概略図である。 本発明の更に別の態様を示す概略図である。 本発明の更に別の態様を示す概略図である。 本発明の更に別の態様を示す概略図である。 本発明の更に別の態様を示す概略図である。 本発明の更に別の態様を示す概略図である。
図1は、ミラーが、別々のミラーセグメントを含むミラーセグメント配列によって置換された投影対物系100の構造の概略図を示している。この投影対物系の基本構造(本発明によるセグメント分割のない)は、US 7 538 856 B2から公知であり、従って、本出願の請求主題に属さない。
投影対物系100内では、EUV放射線は、照明系(図示せず)から結像される構造を有するマスク(レチクル)R上にマスクRのうちで照明される領域を定義するスロットSを通じて入射する。投影対物系100は、複数のミラー(図示の実施形態では6つのミラー)110〜160を有し、像平面側でビーム経路に関して最後のものである、図1には概略的にしか示していないミラー160は、別々のミラーセグメント161、162、及び163を含むミラーセグメント配列の形態にある。
像平面側で最後のものである(同時に最も大きい)ミラーのセグメント式構成は、このミラーが像側の開口数(NA)に特に関連している限り特に有利である。
しかし、本発明は、上述のセグメント式構成に限定されず、従って、像平面側で最後のものであるミラーの代わりに、投影対物系100の別のミラーを別々のセグメントに再分割することができる。更に別の実施形態において、以下に図2を参照して説明するように、複数のミラー(すなわち、2つ又はそれよりも多くのミラー)を別々のセグメントに再分割することができる。更に、3つのミラーセグメントという図1で選択した個数は、単に例示的なものであり、より多い又はより少ないミラーセグメント(すなわち、2つのみ)へのセグメント分割を行うことができることは認められるであろう。
投影対物系100は、像平面側でテレセントリックであるが、照明系から入射する光との干渉現象を回避するために、物体平面側(すなわち、マスクRの側)では非テレセントリックである。
この図では概略的にしか示していない測定配列170は、以下でより詳細に説明するように、同時発生の部分ビーム経路又はその重ね合わせの測定のためなどに機能する。
図2は、セグメント分割特性を有する2つのミラーが存在する本発明の更に別の実施形態による投影対物系200の構造を例示する概略図を示している。この投影対物系の基本構造(本発明によるセグメント分割のない)は、WO 2009/052932 A1から公知であり、従って、本出願の請求主題に属さない。
投影対物系200は、6つの非セグメント分割ミラー210〜250及び270と2つのミラーセグメント配列260、280とを有し、これらのミラーセグメント配列のうちで、ビーム経路に関して最後のものであるミラーセグメント配列280は、4つのミラーセグメント281〜284に再分割され、それに対して光伝播方向に最後から第3の位置にあるミラーセグメント配列260は、6つのミラーセグメント261〜266に再分割される。
更に、像平面側にビーム経路に関して最後の3つの位置に配置されたミラーセグメント配列260及び280、並びにミラー270は、それぞれ掩蔽され、光軸OAの位置に入射する光に対する貫通開口部を有する。ビーム経路に関して最後から4番目の位置に配置されたミラー250は掩蔽されず、その外側周縁によって投影対物系の瞳平面PP内に定義される遮光部を生成する。ビーム経路に関して最後のものであるミラーセグメント配列280と像平面IPの間には、中間像IMIが存在する。
図2の投影対物系200では、ミラーセグメント配列260のミラーセグメント261〜266のうちのそれぞれの1つは、他方のミラーセグメント配列280のミラーセグメント281〜284のうちの1つと共に、同じ部分ビーム経路と対毎の関係で関連付けられる。図2では、そのようなミラーセグメント対(すなわち、ミラーセグメント261と284とを含むもの)と対応する部分ビーム経路部分との両方を矢印で強調している。これらのセグメント対の全ての合計は、1組の同時部分ビーム経路を定義する。図2に略示し、参照名290で表し、以下で説明する測定配列は、一方で各部分ビーム経路がそれ自体で無収差であり、他方でこれらの部分ビーム経路によってそれぞれ生成される像が、ウェーハ平面内でそれぞれの像構造幅に従って重なることを保証するように機能する。
投影対物系を調節するために、ミラーセグメント配列のミラーセグメントは、互いと系(全体として)の両方に対してアクチュエータを用いて方向付けられる。それに応じて、本発明は、測定配列との組合せ及びミラーセグメントの調節を可能にするアクチュエータ系にも関する。本発明による測定配列は、系の組み立て又は初期調節中に既に使用することができ、それと共に投影露光装置の既存作動中又はスキャナにおいて使用することもできる。
基本的に適切な配列は、能動ミラーの測定のための「かすめ入射干渉計」を開示するWO 2007/062808 A1に説明されている。本発明によるミラーセグメント配列の測定において、この干渉計を類似の方式に使用することができる。更に、ミラー全体の向きを検査するために、US 2008/0144043 A1に開示されている系波面干渉計を使用することができる。この干渉計を使用する時には、投影対物系の収差がミラーの位置又は向きによる影響を受け、更に系波面干渉計を用いてこれらの収差変化を検出することができるという事実が使用される。
同時部分ビーム経路(上述の定義による)は、1つしかミラーセグメント配列が存在しない場合に既に存在し、この場合、これらの部分ビーム経路の重ね合わせは、これらの部分ビーム経路によって像平面にそれぞれ生成されて互いに重ね合わされた関係にある像が、投影対物系によって得られる分解能に関して等しく、可能な限り正確に一致するように厳密でなければならない。それに応じて、測定配列においては、一方で、全ての同時発生ビーム経路に関する光学歪曲効果がある一定の許容範囲限度内で等しいことを確実にすべきであり、他方で、それぞれの像を分解能限度の範囲で可能な限り正確に重ね合わすべきであるという2つの課題が存在する。
同時部分ビーム経路及びその重ね合わせのための測定配列の基本的に可能な実施形態を以下で図3a〜図3c及び図4を参照して説明する。
図3a〜図3c及び図4に限って示す光学投影系300及び400は、それぞれ、上述の実施形態と同様に、少なくとも1つのミラーセグメント配列310及び410それぞれを含み、簡略化の目的で、それぞれ1つの更に別の(非セグメント分割)ミラー320及び420しか示していない。
図4の測定配列は、光伝播方向に投影対物系400(概略的にしか示していない)の下流に配置された少なくとも1つの検出器455を有する。更に、測定配列は、光伝播方向に投影対物系400の上流に、物体平面内で定義された特性を有する放射線を生成する測定光源401を有する。
同時部分ビーム経路及びその重ね合わせのための測定配列は、特に以下の作業を実施することになる:
a)点光源を結像する時に部分ビーム経路によって生成される波面(時に「系波面」とも呼ぶ)の収差を測定する段階。点光源は、物体平面OP内の様々な場所、好ましくは、いわゆるスキャナスロットの領域に配置することができる。これらの収差を測定するのに適する配列及び方法は、例えば、US 2008/0144043 A1又はUS 7 333 216 B2から公知である。
b)部分ビーム経路により、特にスキャナスロットの領域内に生成される像の歪曲を測定する段階。当業技術では、歪曲測定に適するのに適する配列及び方法は、同じく例えばUS 7 019 824 B2から公知である。
c)少なくとも2つの部分ビーム経路によって像平面IP又はウェーハ平面、特にスキャナスロットSの領域内に生成される像の重ね合わせを測定する段階。
更に、測定配列は、光の所定の立体角領域を選択するための選択的作動シャッター配列415を有し、それによって少なくとも1つのミラーセグメント配列の照明をミラーセグメントのうちの異なるものに選択的に制限することが可能になる。
図3a〜図3cに略示す光伝播方向に関して、そのようなシャッター配列は、物体平面OPに配置されたマスクRの直ぐ下流(図3aの参照名315を参照されたい)、2つのミラー又はミラーセグメント配列310と320との間(図3bの参照名316を参照されたい)、又は光伝播方向に検出器配列の直ぐ上流(図3cの参照名317)のいずれかに配置することができる。
この点に関して、シャッター配列を用いた部分ビーム経路の選択において、全ての個別開口部を共通のシャッター平面に配置し、変位可能シャッターによってこれらの開口部うちのそれぞれの1つを選択することが有利である。シャッター配列内の開口部は、位置及びサイズに関して、測定光源301及び401それぞれによってそれぞれのミラー対に沿って生成される部分ビーム経路によって決定される。従って、各部分ビーム経路に対して、それぞれの位置、形状、及びサイズを有する関係するシャッター開口部が存在する。
本発明による測定配列は、特に、像平面に生成される(全体)像に対する個別部分ビーム経路のそれぞれの寄与を別々に又はターゲットを定めて選択可能な組合せで検査することができることを可能にする。
a)及びb)に記載の上述の作業を実施するための既に言及した方法は、従来技術から公知である。従って、部分ビーム経路の選択のための上述のシャッター配列との組合せにより、各部分ビーム経路における収差及び歪曲を測定することができる。
c)に記載の作業、すなわち、少なくとも2つの部分ビーム経路によってウェーハ平面に生成される像の重ね合わせを測定する段階の実施は、本発明による選択的作動シャッター配列が、像の重ね合わせのための更に別の測定配列と組み合わされる段階を含む。
部分ビーム経路によって生成される像の重ね合わせのための測定配列は、重ね合わせに関する情報を提供することができるように、少なくとも1つの面要素を像平面において位置分解方式で評価すべきである。この目的のために、上述のUS 7 019 824 B2による歪曲測定のためのモアレ原理に基づく装置は、図4に略示すように適切に拡大することができる。
図4を参照すると、物体平面OPに配置された第1のパターン402は、像平面IPに配置された第2のパターン435上に結像され、重ね合わせによってモアレパターンを形成し、次に、このモアレパターンは、その後の光学結像系445によって結像され、位置分解カメラ455によって記録することができる。上述の実施形態と同様に、図4に限って示す光学投影系400は、少なくとも1つのミラーセグメント配列410を含み、簡略化のために、1つの更に別の(非セグメント分割)ミラー420しか示していない。第1のパターン402及び第2のパターン435は、可能な最低限の測定段階数で異なる空間方向の情報を取得するために、特に「寄せ木細工様の」方式に実施することができる。重ね合わせによって形成されるモアレパターンの評価は、光学的に生成される像と第2のパターンとの間の差、特に像位置の変化に対応する歪曲を認識することを可能にする。段階的な手順で像を構成するために、1つ又はそれよりも多くの部分ビーム経路を用いて光学結像を系統的に行うことができ、この点に関して、異なる部分ビーム経路の効果を互いに比較することができ、その協働性を検査することができる。
上述の測定配列を用いて部分ビーム経路を互いに対して方向付けて、これらの経路を調節する可能な方法は、以下の通りに実施することができる。
最初にシャッター配列415を用いて第1の部分ビーム経路が選択され、物体平面OPに配置された第1のマスク402の像と、像平面に配置された第2のマスク403との重ね合わせが、この第1の部分ビーム経路に対して観察され、この時マスク402、403は、互いに対して方向付けられる。この場合に生成される第1のモアレパターンから第1の部分ビーム経路における歪曲を推測することができる。次に、マスク位置を変更せずに、シャッター配列415を用いて第2の部分ビーム経路が選択され、第2の部分ビーム経路は、第2のモアレパターンを生成し、第1の部分ビーム経路からのこの第2の部分ビーム経路の逸脱は、第2のモアレパターンと第1のモアレパターンの間の差をもたらす。2つのモアレパターンの間の逸脱から、第1の部分ビーム経路からの第2の部分ビーム経路の光学特性逸脱を推測することができる。更に、上述の情報を使用すると、第2の部分ビーム経路を第1の部分ビーム経路に対して像の位置及び歪曲に関して適切なマニピュレータ系を用いて最適化することができる。この段階は、結果として全ての部分ビーム経路が互いに対して方向付けられるように、全ての部分ビーム経路に対して繰り返される。
更に別の実施形態により、シャッター配列415の位置は、1つよりも多い部分ビーム経路が結像に同時に寄与するように変更することができる。この場合、個別の部分像は、像平面内で非コヒーレントに重ね合わされ、同じく説明する通りに評価することができる複数の部分像が形成される。この組合せは、全ての部分ビーム経路の開口部が、結果として全体としての投影対物系が全てのミラーセグメント配列で調節されるように発生するまで同時に実施することができる。
図5は、本発明の更に別の実施形態を例示する概略図を示している。この目的のために、図5は、一例として、瞳の近くにあり、かつビームが通過するためのミラー開口部又はミラー孔を有する(比較的大きい)回転対称ミラーのセグメント分割を示している。射出瞳は中心で掩蔽される。ミラーセグメント配列500は、最初は上述の実施形態と類似の方式でミラーのセグメント分割によって与えられる。
この場合、ミラーセグメント配列500におけるセグメント分割は、それぞれ設定される照明設定に依存して行われる。言い換えれば、適切なセグメント分割を選択する前に、使用される照明設定が最初に確立される。個々のミラーセグメントの間の移行領域又は「切れ目」は、この場合、回折次数がこれらの移行領域上に入射しないように選択される。
図5の特定の例では、照明設定は、y軸に対してそれぞれ45°だけ回転された4つの照明極501〜504を有し、それぞれの回折次数を水平及び垂直に向けられた密な線それぞれで例示している。
この照明設定に関連して、図5に示すように、図示の座標系におけるy軸に対して45°だけ回転された対応する4つのセグメント内にそれぞれ配置された4つのミラーセグメント510〜540へのミラーセグメント配列500のセグメント分割又は分割が使用される。
図5の配列は、一方で視野一定の低次数瞳誤差、例えば、非点収差及びコマ収差を補償することを可能にする。この配列における更に別の利点は、ミラーセグメント510〜540のうちで同じ構造の回折像に寄与するものを互いに対して調節することのみが必要であるということである。水平及び垂直の密な線の特定的な実施形態において、2つのそれぞれのミラーセグメント対のみが互いに対して調節されることになり、より具体的には一方でミラーセグメント520と540とが互いに対して調節され、他方でミラーセグメント510と530とが互いに対して調節されることになる。それとは対照的に、例えば、ミラーセグメント530又はミラーセグメント510に対するミラーセグメント520の相対配列は重要ではない。それによって全表面積にわたって使用される適応可能ミラーと比較すると、半数のパラメータしか共同制御しなくてもよいので、調節に対する要求が大きく軽減する。
更に、原理的に、投影露光装置の設計に関して、「光学面」を提供し、かつ機械的な安定性をもたらす機能を異なる構成要素(「ミラーセグメント」及び「担体構造」)に分散させることができるという利点がある。
図6は、ミラーセグメントの間のミラーセグメント中間空間が、少なくとも領域毎に環形状又は環セグメント形状である幾何学形状のものであるように(又は個々のミラーセグメントの間にそのような「仕切り」を有するように)設計されたミラーセグメント配列600の実施形態を示している。
図6に略示するミラーセグメント配列600は、生産工学に関する態様に関して適切に選択することができるサイズを有する「主ミラー」として中心ミラーセグメント610を含み、従って、主ミラー610は、比較的問題なく製造することができる。更に、図示の実施形態にある(本発明がこの実施形態に限定されることなく)ミラーセグメント配列600は、主ミラーを形成する中心ミラーセグメント610の回りに、中心ミラーセグメント610に対してある一定の半径方向間隔で配置されるように実質的に半径方向に延びるセグメント中間空間を有するリングセグメントの形態にある「2次ミラー」として4つのミラーセグメント620、630、640、及び650を有する。この半径方向間隔は、例えば、ホルダ要素、センサ手段、及び/又はアクチュエータ手段に向けて使用することができる。
更に、ミラーセグメント620、630、640、及び650は、互いに対して(すなわち、図示の座標系においてz方向に延びる光学系軸に関して方位角方向に)可能な最小間隔であり、従って、方位角方向には取り立てて説明する程の構造的空間を必要としない。その結果、方位角ミラーセグメント中間空間の存在に関連する上述の影響、すなわち、異なる向きにある等しい構造が異なる結像特性を有するという影響は、少なくとも実質的に回避される。
図7a及び図7bは、本発明により好ましくは瞳平面又はその近く(以下に図9を参照して定義する)に配置されたそれぞれの掩蔽シャッター配列710及び720の例を例示する概略図を示している。この点に関して、図7aの掩蔽シャッター配列710は、中心瞳掩蔽を持たない光学系に向けて定義され、図7bの掩蔽シャッター配列720は、中心瞳掩蔽を有する光学系に向けて設計される。
掩蔽シャッター配列710及び720によってそれぞれ遮光される領域をそれぞれ710a、720a、及び720bに示している。掩蔽シャッター配列710及び720は、以下に説明するように、各場合にシャッター配列710及び720がミラーセグメント配列600上に投射する遮光部が、半径方向に延びるミラーセグメント中間空間の上を覆うように設計される。従って、それぞれの掩蔽シャッター配列710及び720のねらい及び目的は、結像特性における視野依存の影響又は視野依存の変化が回避されるように、掩蔽シャッター配列710及び720がない場合に主ミラー610と2次ミラー620〜650の間の環状間隙A内に入射することになる光を予め遮断することである。
図8は、レチクルRの構造をウェーハW上に結像するために合計で8つのミラー810〜880を有し、像平面側でビーム経路に関して最後のものであるミラー880を別々のミラーセグメントを含むミラーセグメント配列の形態にあるとすることができ、NA=0.6の開口数を有し、EUV放射線に向けて設計された投影対物系800の実施形態を示している。ビーム経路内で第2のミラー820は、瞳近接ミラーを形成する。「瞳近接性」及び同じく視野近接性の基準の定義のために図9を参照されたい。
図9を参照して、瞳近接性又は視野近接性は、それぞれ、パラメータP(M)を用いて定量的に説明することができ(例えば、US 2008/0165415 A1に説明されているように)、この場合、パラメータP(M)は次式で定義される(1)。
Figure 2013543274
ここで、D(SA)は、当該平面内の光学面M上の部分開口直径を表し、D(CR)は、最大主光線間隔(光学的使用視野の全ての視野点からの又は全ての視野点にわたって定義される)を表している。従って、視野ミラーには、P(M)=0が適用され(部分開口直径は0)、瞳ミラーには、P(M)=1が適用される(主光線間隔は0)。上述のミラー820は、掩蔽シャッター配列と同様に、好ましくは、パラメータP(M)が少なくとも0.8、特に少なくとも0.9である投影対物系の平面に配置される。
掩蔽シャッター配列890(図8には示していない)も、上述の定義による瞳近接に配置される。図10aに示す掩蔽シャッター配列890は、環形掩蔽シャッター891と中心掩蔽シャッター892とを有する。図10bは、像平面側の最後のミラー880の場所にある掩蔽シャッター配列890の作用からもたらされるそれぞれの遮光領域を示しており、参照名891は、環形掩蔽シャッター891の遮光部を表し、参照名892aは、中心掩蔽シャッター892の遮光部を表している。
図11は、掩蔽シャッター配列910、920、930、及び940の更に別の可能な実施形態を略示している。これらの掩蔽シャッター配列910〜940に共通なことは、各々が4重対称性を含むことである。
図11a及び図11bを参照すると、掩蔽シャッター配列910及び920を形成するのに適する掩蔽シャッター911〜914及び921〜924は、それぞれ、外周方向又は方位角方向に(図示の座標系におけるz方向に延びる光学系軸に関して)、より具体的には(それぞれの中心軸又は対称軸に関して)y軸に対して45°、135°、225°、及び315°それぞれの角度で配置される。この場合、掩蔽シャッター911〜914の幾何学形状は、非遮光領域の十字形の幾何学形状が与えられるように選択され、それに対して掩蔽シャッター921〜924の幾何学形状は、非遮光領域の星形の幾何学形状が与えられるように選択される。
ミラーセグメント中間空間を掩蔽シャッターの遮光部内に収めるという本発明による概念は、図11に図示の実施形態によって実施することができることに注意されたい。しかし、この場合、環又は環セグメントの形状にあるミラーセグメント中間空間を有する上述の有利な構成は、これらの実施形態において照明設定の限られた選択しか許されないように与えられるわけではないことに注意されたい。
図11c及び図11dを参照すると、掩蔽シャッター配列930及び940を提供するのに適する掩蔽シャッター931〜934及び941〜944は、それぞれ、外周方向又は方位角方向に(図示の座標系におけるz方向に延びる光軸に関して)、より具体的には(それぞれの中心軸又は対称軸に関して)y軸に対して0°、90°、180°、及び270°それぞれの角度で配置される。この場合、図11cの掩蔽シャッター931〜934の幾何学形状は、図11aと同じく非遮光領域の十字形の幾何学形状が与えられるように選択され、それに対して図11dの掩蔽シャッター941〜944の幾何学形状は、非遮光領域の星形の幾何学形状を含むように選択される。
本発明を特定的な実施形態を参照して説明したが、当業者には、例えば、個々の実施形態の特徴の組合せ及び/又は交換によって多くの変形及び別の実施形態が明らかであろう。従って、当業者により、そのような変形及び別の実施形態が同じく本発明によって包含され、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及びその均等物の意味においてのみ限定されることが認められるであろう。
100 投影対物系
170 測定配列
IP 像平面
OA 光軸
OP 物体平面
R マスク(レチクル)

Claims (24)

  1. 投影露光装置の作動中に照明される物体平面を像平面に結像するためのEUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系であって、
    投影対物系が、複数の別々のミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)を含む少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)を有し、
    互いに異なり、かつ物体平面(OP)の像平面(IP)内への結像をそれぞれもたらす部分ビーム経路は、同じミラーセグメント配列の前記ミラーセグメントに関連付けられ、該部分ビーム経路は、該像平面(IP)内で重ね合わされ、該像平面(IP)内の同じ点において重ね合わされる少なくとも2つの部分ビームは、同じミラーセグメント配列の異なるミラーセグメントによって反射されたものである、
    ことを特徴とする投影対物系。
  2. 前記少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)は、前記像平面側で前記ビーム経路に関して最後のものである投影対物系の反射配列であることを特徴とする請求項1に記載の投影対物系。
  3. 前記少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)は、最大の大きさの合計光学的有効面を有する投影対物系の反射配列であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影対物系。
  4. 前記少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)は、少なくとも3つのミラーセグメント(161,162,163;261〜266,281〜284;411,412;510〜540)、特に、少なくとも4つのミラーセグメント(261〜266,281〜284;510〜540)を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の投影対物系。
  5. 前記同じミラーセグメント配列(160,260,280,410,500)の前記ミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)は、それぞれ、隣接するミラーセグメントの間に任意的に存在する移行領域によってのみ中断される連続反射面を互いに形成することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の投影対物系。
  6. 各々が少なくとも2つの別々のミラーセグメント(261〜266,281〜284)を有する少なくとも2つのミラーセグメント配列(260,280)が設けられ、互いに異なり、前記物体平面(OP)の前記像平面(IP)内への結像をそれぞれもたらす、かつ該像平面(IP)内で重ね合わされるビーム経路は、前記同じミラーセグメント配列(260,280)の前記ミラーセグメント(161〜266,281〜284)に関連付けられることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の投影対物系。
  7. 一方のミラーセグメント配列(260)の前記ミラーセグメント(261〜266)のうちのそれぞれ1つが、他方のミラーセグメント配列(280)の前記ミラーセグメント(281〜284)のうちの1つに同じ部分ビーム経路との対毎の関係で関連付けられることを特徴とする請求項6に記載の投影対物系。
  8. 前記少なくとも1つのミラーセグメント配列(310,410)の照明を該ミラーセグメント配列の異なるミラーセグメント(311,312,411,412)に選択的に制限することができるように設計されたシャッター配列(315,316,317,415)が更に設けられることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の投影対物系。
  9. 前記ミラーセグメント配列の少なくとも2つのミラーセグメントが、互いに対して移動可能であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の投影対物系。
  10. 投影露光装置の作動中に照明される物体平面を像平面に結像するためのEUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系であって、
    投影対物系が、複数のミラーを含み、
    前記複数のミラーのうちで最大の大きさを有するミラーが、複数の別々のミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)を含むミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)として形成される、
    ことを特徴とする投影対物系。
  11. 掩蔽シャッター配列が更に設けられ、前記ミラーセグメント配列のミラーセグメントの間に残る少なくとも1つのミラーセグメント中間空間が、該掩蔽シャッター配列の遮光部に少なくとも部分的に配置されることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の投影対物系。
  12. 投影露光装置の作動において照明される物体平面を像平面に結像するためのEUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系であって、
    複数の別々のミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540;610〜650)を含む少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500,600)と、
    前記ミラーセグメント配列のミラーセグメントの間に残る少なくとも1つのミラーセグメント中間空間が、掩蔽シャッター配列(710,720,910,920,930,940)の遮光部に少なくとも部分的に配置される掩蔽シャッター配列(710,720,910,920,930,940)と、
    を含むことを特徴とする投影対物系。
  13. 前記ミラーセグメント配列のミラーセグメントの間に残る前記少なくとも1つのミラーセグメント中間空間は、回転対称、特に、環状幾何学形状のものであることを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の投影対物系。
  14. 前記掩蔽シャッター配列は、回転対称、特に、環状幾何学形状のものであることを特徴とする請求項11から請求項13のいずれか1項に記載の投影対物系。
  15. 前記掩蔽シャッター配列(710,720,910,920,930,940)は、
    Figure 2013543274
    として定義されるパラメータP(M)が、少なくとも0.8、特に、少なくとも0.9であり、D(SA)が、部分開口直径を表し、D(CR)が、当該平面内の光学面M上の光学的使用視野の全ての視野点にわたって定められる最大主光線間隔を表す投影対物系の平面に配置されることを特徴とする請求項11から請求項14のいずれか1項に記載の投影対物系。
  16. 前記掩蔽シャッター配列(710,720,910,920,930,940)は、nがゼロよりも大きい自然数である場合に、光学系軸線に関してn重対称性、特に、4重対称性のものであることを特徴とする請求項11から請求項15のいずれか1項に記載の投影対物系。
  17. 投影露光装置の作動において照明される物体平面(OP)を像平面(IP)に結像するためのEUVに向けて設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系を製造する方法であって、
    投影対物系が、複数のミラーを有し、
    前記ミラーのうちの少なくとも1つが、複数の別々のミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)から構成される、
    ことを特徴とする方法。
  18. 前記像平面(IP)内の同じ点において重ね合わされる少なくとも2つの部分ビームが、前記複数の別々のミラーセグメント(161〜163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)の異なるミラーセグメントによって反射されたものであることを特徴とする請求項17に記載の方法。
  19. 複数の別々のミラーセグメントで構成された前記ミラーは、前記像平面側でビーム経路に関して最後のものであることを特徴とする請求項17又は請求項18に記載の方法。
  20. 複数の別々のミラーセグメントで構成された前記ミラーは、最大の大きさの合計光学的有効面を有するミラーであることを特徴とする請求項17から請求項19のいずれか1項に記載の方法。
  21. 前記ミラーセグメントのうちの少なくとも2つが、光学的に途切れることなく互いに結合されることを特徴とする請求項17から請求項20のいずれか1項に記載の方法。
  22. 前記ミラーセグメントのうちの少なくとも2つが、互いに対して有限の間隔で固定されることを特徴とする請求項17から請求項21のいずれか1項に記載の方法。
  23. マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系を光学的に調節する方法であって、
    投影対物系が、調節作動中にリソグラフィ工程のためにそれらの作動位置に向けられた複数のミラーを有し、
    前記投影対物系は、複数の別々のミラーセグメント(161,162,163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)を含む少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)を有し、
    調節が、それぞれの調節段階において物体平面(OP)の像平面(IP)内への結像に寄与する前記ミラーセグメントに関して互いに異なる少なくとも2つの調節段階においてなされる、
    ことを特徴とする方法。
  24. マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系を光学的に調節するための配列であって、
    投影対物系が、調節作動中にリソグラフィ工程のためにそれらの作動位置に向けられる複数のミラーを有し、
    前記投影対物系は、複数の別々のミラーセグメント(161,162,163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)を含む少なくとも1つのミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)を有し、
    配列が、前記ミラーセグメント配列(160,260,280,310,410,500)の照明を前記ミラーセグメント(161,162,163;261〜266,281〜284;311,312;411,412;510〜540)のうちの1つ又はそれよりも多くに選択的に制限することができる少なくとも1つの可変シャッター配列(315,316,317,415)を有する、
    ことを特徴とする配列。
JP2013537130A 2010-11-05 2011-11-03 マイクロリソグラフィ露光装置の投影対物系 Active JP5950129B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41052110P 2010-11-05 2010-11-05
DE201010043498 DE102010043498A1 (de) 2010-11-05 2010-11-05 Projektionsobjektiv einer für EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum optischen Justieren eines Projektionsobjektives
DE102010043498.1 2010-11-05
US61/410,521 2010-11-05
PCT/EP2011/069308 WO2012059537A1 (en) 2010-11-05 2011-11-03 Projection objective of a microlithographic exposure apparatus

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013543274A true JP2013543274A (ja) 2013-11-28
JP2013543274A5 JP2013543274A5 (ja) 2014-12-18
JP5950129B2 JP5950129B2 (ja) 2016-07-13

Family

ID=45970908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013537130A Active JP5950129B2 (ja) 2010-11-05 2011-11-03 マイクロリソグラフィ露光装置の投影対物系

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20130242278A1 (ja)
EP (1) EP2635937B1 (ja)
JP (1) JP5950129B2 (ja)
KR (1) KR101909301B1 (ja)
CN (1) CN103189800B (ja)
DE (1) DE102010043498A1 (ja)
TW (1) TWI579648B (ja)
WO (1) WO2012059537A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017513060A (ja) * 2014-04-04 2017-05-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーを位置合わせする方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010041623A1 (de) * 2010-09-29 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel
DE102010043498A1 (de) 2010-11-05 2012-05-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv einer für EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum optischen Justieren eines Projektionsobjektives
DE102011076549A1 (de) 2011-05-26 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012212064A1 (de) * 2012-07-11 2014-01-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographianlage mit segmentiertem Spiegel
US9448343B2 (en) * 2013-03-15 2016-09-20 Kla-Tencor Corporation Segmented mirror apparatus for imaging and method of using the same
GB2513927A (en) * 2013-05-10 2014-11-12 Zeiss Carl Smt Gmbh Optical element arrangement with an optical element split into optical sub-elements
CN103488061B (zh) * 2013-10-09 2015-01-21 北京理工大学 极紫外光刻机中匹配多个物镜的照明系统调整与设计方法
DE102014220203A1 (de) 2013-11-21 2015-05-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102014210609A1 (de) 2014-06-04 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102017215664A1 (de) * 2017-09-06 2019-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003329820A (ja) * 2002-05-17 2003-11-19 Canon Inc 光学素子、当該光学素子を有する光源装置及び露光装置
JP2004031954A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Nikon Corp 収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック及びeuv露光装置
JP2005524237A (ja) * 2002-04-29 2005-08-11 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー ひとみフィルタリングを含む投影方法及びそのための投影レンズ
JP2006352140A (ja) * 2005-06-18 2006-12-28 Samsung Electronics Co Ltd 非軸上プロジェクション光学系及びこれを適用した極紫外線リソグラフィ装置
JP2008518454A (ja) * 2004-10-27 2008-05-29 サジェム デファンス セキュリテ イメージング装置又は露光装置、特に電子マイクロ回路を作成するための装置
JP2009032938A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Canon Inc 照明光学系及びそれを有する露光装置
WO2009052932A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Carl Zeiss Smt Ag Imaging optical system and projection exposure installation for micro-lithography with an imaging optical system of this type
DE102008041801A1 (de) * 2008-09-03 2010-03-04 Carl Zeiss Smt Ag Spektralfilter für die EUV-Mikrolithographie
JP2011501446A (ja) * 2007-10-26 2011-01-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系、この種の結像光学系を含むマイクロリソグラフィのための投影露光装置、及びこの種の投影露光装置を用いて微細構造構成要素を生成する方法
JP2011108974A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Nikon Corp 波面計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3934546A1 (de) * 1989-10-17 1991-04-18 Zeiss Carl Fa Verfahren zum verbinden von segmenten eines koerpers, vorrichtungen zur durchfuehrung des verfahrens sowie ein mittels des verfahrens hergestellter spiegel
US5136413A (en) * 1990-11-05 1992-08-04 Litel Instruments Imaging and illumination system with aspherization and aberration correction by phase steps
JPH09199390A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Hitachi Ltd パターン形成方法、投影露光装置および半導体装置の製造方法
DE50014428D1 (de) 1999-07-30 2007-08-02 Zeiss Carl Smt Ag Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems
TW550377B (en) 2000-02-23 2003-09-01 Zeiss Stiftung Apparatus for wave-front detection
TW519574B (en) 2000-10-20 2003-02-01 Nikon Corp Multilayer mirror and method for making the same, and EUV optical system comprising the same, and EUV microlithography system comprising the same
US7843632B2 (en) 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
DE10208854A1 (de) * 2002-03-01 2003-09-04 Zeiss Carl Semiconductor Mfg Beleuchtungssystem mit genestetem Kollektor zur annularen Ausleuchtung einer Austrittspupille
JP2005519299A (ja) 2002-03-08 2005-06-30 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 光学画像形成システムのゆがみを測定するモアレ方法及び測定システム
DE102005056914A1 (de) 2005-11-29 2007-05-31 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsystem
EP1930771A1 (en) 2006-12-04 2008-06-11 Carl Zeiss SMT AG Projection objectives having mirror elements with reflective coatings
DE102010043498A1 (de) 2010-11-05 2012-05-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv einer für EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum optischen Justieren eines Projektionsobjektives

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005524237A (ja) * 2002-04-29 2005-08-11 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー ひとみフィルタリングを含む投影方法及びそのための投影レンズ
JP2003329820A (ja) * 2002-05-17 2003-11-19 Canon Inc 光学素子、当該光学素子を有する光源装置及び露光装置
JP2004031954A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Nikon Corp 収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック及びeuv露光装置
JP2008518454A (ja) * 2004-10-27 2008-05-29 サジェム デファンス セキュリテ イメージング装置又は露光装置、特に電子マイクロ回路を作成するための装置
JP2006352140A (ja) * 2005-06-18 2006-12-28 Samsung Electronics Co Ltd 非軸上プロジェクション光学系及びこれを適用した極紫外線リソグラフィ装置
JP2009032938A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Canon Inc 照明光学系及びそれを有する露光装置
WO2009052932A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Carl Zeiss Smt Ag Imaging optical system and projection exposure installation for micro-lithography with an imaging optical system of this type
JP2011501446A (ja) * 2007-10-26 2011-01-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系、この種の結像光学系を含むマイクロリソグラフィのための投影露光装置、及びこの種の投影露光装置を用いて微細構造構成要素を生成する方法
DE102008041801A1 (de) * 2008-09-03 2010-03-04 Carl Zeiss Smt Ag Spektralfilter für die EUV-Mikrolithographie
JP2011108974A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Nikon Corp 波面計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017513060A (ja) * 2014-04-04 2017-05-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーを位置合わせする方法
US10359703B2 (en) 2014-04-04 2019-07-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for aligning a mirror of a microlithographic projection exposure apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN103189800A (zh) 2013-07-03
EP2635937A1 (en) 2013-09-11
US20160195817A1 (en) 2016-07-07
TWI579648B (zh) 2017-04-21
EP2635937B1 (en) 2015-08-19
WO2012059537A1 (en) 2012-05-10
CN103189800B (zh) 2016-08-10
US9720329B2 (en) 2017-08-01
DE102010043498A1 (de) 2012-05-10
KR20130102093A (ko) 2013-09-16
JP5950129B2 (ja) 2016-07-13
TW201239542A (en) 2012-10-01
KR101909301B1 (ko) 2018-12-10
US20130242278A1 (en) 2013-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5950129B2 (ja) マイクロリソグラフィ露光装置の投影対物系
JP5159027B2 (ja) 照明光学系及び露光装置
CN102804072B (zh) 用于在微光刻中使用的分面反射镜
KR100654784B1 (ko) 레티클과 광학특성의 측정방법
KR101944122B1 (ko) Euv 투영 노광 시스템용 미러, 광학 시스템 및 부품을 생산하는 방법
KR101309880B1 (ko) 낮은 입사각을 갖는 육-미러 euv 프로젝션 시스템
JP5232927B2 (ja) 投影露光装置の照明光学ユニットの瞳ファセットミラーの瞳ファセットを照明光学ユニットの視野ファセットミラーの視野ファセットに割り当てる方法
KR102514883B1 (ko) 파면 측정 장치 및 광학 파면 조작기를 갖는 투영 노광 장치
JP2008544531A (ja) 瞳ファセットミラー上に減衰素子を備えた二重ファセット照明光学系
US20080079924A1 (en) Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JPWO2006082738A1 (ja) オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、および露光方法
US8488104B2 (en) Projection objective with diaphragms
KR101658494B1 (ko) 반사성 요소의 어레이의 회전을 위한 마운팅 및 이를 포함하는 리소그래피 장치
TWI443474B (zh) 光學系統、包含此類型光學系統之用於微蝕刻的投影曝光裝置、以及以此類型投影曝光裝置製造微結構組件之方法
TW200844672A (en) Exposure apparatus and device fabrication method
US7352475B2 (en) Measuring method and apparatus using shearing interferometry, exposure method and apparatus using the same, and device manufacturing method
JP2013540349A (ja) 投影露光システム及び投影露光方法
KR20170114976A (ko) 투영 노광 방법 및 투영 노광 장치
CN110531587B (zh) 评估方法、曝光方法和用于制造物品的方法
KR20110059721A (ko) 적어도 두 작동 상태를 가지는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치
TWI835940B (zh) 用於更換投射曝光設備的反射鏡的方法以及用於執行此方法的位置與指向資料量測裝置
JP7336922B2 (ja) 露光装置及び物品の製造方法
WO2012137699A1 (ja) 光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2008139196A (ja) 光学素子の特性評価方法、光学素子の製造方法、照明光学系、及び露光装置
JP3298585B2 (ja) 投影露光装置及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141029

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141029

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150914

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20151211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160413

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160513

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160524

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5950129

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250