KR101658494B1 - 반사성 요소의 어레이의 회전을 위한 마운팅 및 이를 포함하는 리소그래피 장치 - Google Patents

반사성 요소의 어레이의 회전을 위한 마운팅 및 이를 포함하는 리소그래피 장치 Download PDF

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Abstract

반사 요소의 어레이를 개시한다. 반사 요소 중의 하나 이상의 요소는 슬리브 내에 적어도 부분적으로 위치한 로드를 포함하는 마운팅 상에 설치된다. 로드의 제1 단부는 슬리브의 제1 단부에 고정되고, 로드의 제2 단부는 이동가능하게 되어 있다. 슬리브는 로드의 제2 단부가 이동가능하도록 휘어지게 구성된 제1 탄성 가요성 부분을 포함한다. 반사 요소는 슬리브가 휘어지는 것에 의해 반사 요소가 회전되도록 슬리브의 제1 단부에 설치된다.

Description

반사성 요소의 어레이의 회전을 위한 마운팅 및 이를 포함하는 리소그래피 장치{MOUNTINGS FOR ROTATION OF ARRAY OF REFLECTIVE ELEMENTS AND LITHOGRAPHIC APPARATUS INCORPORATING SAME}
본 발명은 리소그래피 장치 및 반사성 요소의 어레이에 관한 것이다.
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 2009년 6월 30일에 제출된 미국 가출원 61/213,659에 대하여 우선권을 주장하며, 그 전체 내용을 본원에 참조에 의해 원용한다.
리소그래피 장치(lithographic apparatus)는 소정의 패턴을 기판(substrate)의 타겟(target) 부분에 부여하는 기계 장치이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우, IC를 구성하는 각각의 층에 대응하는 회로 패턴을 만들기 위해, 마스크(mask) 또는 레티클(reticle)이라고도 하는 패터닝 디바이스(patterning device)를 사용할 수 있다. 이 패턴을 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼)상의 타겟 부분(예를 들어, 하나 또는 여러 개의 다이 중의 일부를 포함)에 전사할 수 있다. 패턴의 전사(transfer)는 기판상에 제공되는 방사선 감응 재료(radiation-sensitive material)를 포함하는 층(레지스트 층)상에 상을 형성(imaging)하는 것에 이루어지는 것이 전형적이다. 일반적으로, 하나의 기판에는 망(network)의 형태로 된 연속으로 패턴화되는 이웃하는 타겟 부분들이 포함될 것이다. 일반적인 리소그래피 장치는 소위 스테퍼(stepper)와 스캐너(scanner)를 포함한다. 스테퍼는 타겟 부분에 있는 패턴 전체를 일시에 노광하는 방식으로 각각의 타겟 부분을 조사(irradiate)한다. 스캐너는 패턴을 방사 빔으로 소정의 방향("스캐닝" 방향)으로 주사함으로써 각각의 타겟 부분을 조사하는데, 스캐닝 방향에 평행한 방향 또는 역-평행 방향으로 기판을 주사하면서 타겟 부분을 조사한다.
리소그래피 장치는 조명 시스템(illumination system)을 포함하는 것이 일반적이다. 조명 시스템은 레이저 등의 방사원으로부터 방사선(radiation)을 수광하고, 패터닝 디바이스에 방사 빔("투영" 빔이라고도 함)을 제공하여 패터닝 디바이스에 입사되도록 한다. 방사 빔(radiation beam)은 패터닝 디바이스에 의해 패턴화된 후, 투영 시스템(projection system)에 의해 기판에 투영된다.
리소그래피 기술 분야에서는, 방사 빔을 적절한 조명 모드(illumination mode)로 제공하는 것에 의해, 기판상에 투영된 패터닝 디바이스의 상(image)을 향상시킬 수 있다고 알려져 있다. 따라서, 리소그래피 장치의 조명 시스템이 전형적으로 포함하는 세기 분포 조절 장치는, 방사 빔이 조명 모드를 갖는 것처럼, 조명 시스템의 동공 면(pupil plane)에서의 방사 빔의 세기 분포(intensity distribution)를 유도(direct), 정형(shape) 및 제어(control)할 수 있다.
다양한 세기 분포 조절 장치는 조명 빔을 제어하여 원하는 조명 모드를 달성할 수 있다. 예를 들어, 줌 액시콘(zoon-axicon) 장치(줌 렌즈와 액시콘을 조합한 것)를 사용하여 환형(annular)의 조명 모드를 구성할 수 있다. 이러한 환형의 조명 모드에서는, 조명 모드의 내측 반경 범위[시그마 내측(σinner)] 및 외측 반경 범위[시그마 내측(σ outer)]를 제어할 수 있다. 줌 액시콘 장치는 독립적으로 이동가능한 다수의 굴절형 광학 컴포넌트를 포함하는 것이 일반적이다. 따라서, 줌 액시콘 장치는 극자외선(EUV: extreme ultrviolet) 방사(예를 들어, 대략 13.5nm의 방사선)를 사용하기에는 적합하지 않은데, 이 파장에서는 방사선이 굴절성 재료를 통과할 때에 많이 흡수되기 때문이다.
조명 모드를 구성하는 데에 공간 필터(spatial filter)가 사용될 수 있다. 예를 들어, 다이폴 조명 모드(dipole illumination mode)에 대응하는 구멍(opening)을 가진 공간 필터가 조명 시스템의 동공 면에 제공되어 다이폴 조명 모드를 구성할 수 있다. 이 공간 필터는 제거도 가능하고 다른 조명 모드가 필요할 때에는 다른 공간 필터로 대체할 수 있다. 그러나, 공간 필터는 방사 빔의 상당한 부분을 차단함으로써, 방사 빔이 패터닝 디바이스에 입사될 때에 방사 빔의 세기를 감소시킨다. 종래의 EUV 방사 소스는 리소그래피 장치가 효율적으로 동작할 수 있는 충분한 세기로 EUV 방사선을 제공하는 것이 어렵다. 따라서, 조명 모드를 형성할 때에는 방사 빔의 상당한 부분을 차단하는 것이 바람직하지 않다.
예를 들어, 본 명세서에서 설명한 또는 다른 하나 이상의 문제점을 극복 또는 경감하기 위해 사용될 수 있는 반사성 요소의 어레이를 제공하는 것이 바람직하다.
하나의 관점에서, 반사성 요소로 이루어진 어레이가 제공되는데, 반사성 요소 중의 하나 이상은 마운팅(mounting)에 설치되고, 마운팅은 슬리브(sleeve) 내에 적어도 부분적으로 위치한 로드(rod)를 포함한다. 로드의 제1 단부(end)는 슬리브의 제1 단부에 고정되고, 로드의 제2 단부는 이동이 가능하게 되어 있다. 슬리브는 로드의 제2 단부가 이동될 수 있도록 하기 위해 휘어지도록 구성된 탄성적으로 가요성을 갖는 제1 부분을 포함한다. 반사성 요소는 슬리브의 제1 단부에 설치되며, 슬리브의 휘어짐(bending)에 의해 반사성 요소가 회전하도록 되어 있다.
반사성 요소의 어레이는 리소그래피 장치의 일부를 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 도면에서 유사한 참조 부호는 유사한 부분을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다.
도 2는 도 1의 리소그래피 장치의 일부를 상세하게 나타낸다.
도 3은 리소그리피 장치의 조명 시스템의 이동가능한 반사성 요소의 동작을 나타낸다.
도 4는 리소그래피 장치의 조명 시스템의 제1 반사 컴포넌트의 주요 반사성 요소의 이동에 의한 효과를 나타낸다.
도 5의 (a) 및 (b)는 리소그래피 장치의 조명 시스템의 이동가능한 반사 요소의 동작과 그 결과로서의 y-다이폴 조명 모드를 나타낸다.
도 6의 (a) 및 (b)는 리소그래피 장치의 조명 시스템의 이동가능한 반사 요소의 동작과 그 결과로서의 x-다이폴 조명 모드를 나타낸다.
도 7은 동공 면의 제1 사분면을 나타낸다.
도 8의 (a)-(e)는 본 발명의 실시예를 사용하여 얻을 수 있는 5가지 조명 모드를 나타낸다.
도 9는 동공 면의 제1 사분면을 나타낸다.
도 10의 (a)-(g)는 본 발명의 실시예를 사용하여 얻을 수 있는 7가지 조명 모드를 나타낸다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 다수의 마운팅 및 반사 요소를 나타낸다.
도 12는 도 11의 마운팅 중의 하나를 더 구체적으로 나타낸다.
도 13은 도 11의 마운팅 중의 하나를 밑에서 본 것이다.
도 14는 도 11의 마운팅 및 반사 요소를 밑에서 본 것이다.
도 15는 인접한 반사 요소에 의해 생기는 반사 요소의 새도잉을 개략적으로 나타낸다.
본 명세서에서는 리소그래피 장치를 집적 회로(IC)를 제조하는 데에 사용하는 것과 관련해서 구체적으로 언급되어 있지만, 본 명세서에 설명하는 리소그래피 장치는 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등을 위한 집적 광학 시스템, 유도 패턴 및 검출 패턴의 제조와 같은 다른 용도가 있을 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이와 같은 대체 용도와 관련해서, 본 명세서에서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라고 하는 용어를 어떤 용도로 사용하든, 보다 일반적인 용어인 "기판" 또는 "타겟 부분"과 각각 동일한 의미를 갖는 것으로 이해하여야 한다. 본 명세서에서 언급하는 기판은 노광 이전 또는 노광 이후에, 예를 들어 트랙(일반적으로 기판에 레지스트 층을 도포하고 노출된 레지스트를 현상하는 도구), 계측 도구 및/또는 검사 도구로 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 본 설명은 이와 같은 도구 및 다른 기판 처리 도구에도 적용될 수 있다. 또한, 기판은, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위해 여러 번 처리해도 되고, 이를 위해 본 명세서에서 사용되는 기판이라는 용어는 다수의 처리 층을 포함하는 기판도 의미하는 것으로 할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "방사"(radiation) 및 "빔"(beam)이라는 용어는, 자외선(UV) 방사(예를 들어, 365nm, 248nm, 193nm, 157nm 또는 126nm의 파장을 갖는 것) 또는 극자외선(EUV) 방사(예를 들어, 5~20nm 범위의 파장을 갖는 것)와 이온 빔이나 전자 빔 등의 입자 빔을 포함하는 모든 타입의 전자기 방사를 포함하는 것으로 해석된다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟 부분 내에 패턴을 형성하는 것과 같이 그 횡단면 내에 패턴을 갖는 방사 빔을 부여하는 데에 사용될 수 있는 것이면 어떠한 디바이스도 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 방사 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟 부분의 원하는 패턴에 정확하게 대응하지 않을 수도 있다. 일반적으로, 방사 빔에 부여되는 패턴은 집적 회로 등의 타겟 부분에 형성되는 디바이스 내의 특정의 기능 층에 대응할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형으로도 할 수 있고 반사형으로도 할 수 있다. 전형적으로, EUV 리소그래피 장치에서, 패터닝 디바이스는 반사형이다. 패터닝 디바이스의 예로서는, 마스크(투과형), 프로그램가능 미러 어레이(반사형), 및 프로그램가능 LCD 패널을 들 수 있다. 마스크는 리소그래피 분야에서는 주지되어 있으며, 바이너리(binary), 교대형 위상 편이(alternating phase-shift), 및 감쇠형 위상 편이(attenuated phase-shift) 등의 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입이 있다. 프로그램가능 미러 어레이의 일례로서 소형의 미러(mirror)로 이루어진 매트릭스형 배치 구성을 채택한다. 이러한 소형의 미러는 입사하는 방사 빔을 여러 방향으로 각각 반사시키도록 개별적으로 경사지도록 될 수 있다. 이러한 구성으로, 반사된 빔이 패턴화된다.
지지 구조체(support structure)는 패터닝 디바이스를 지지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스의 방향, 리소그래피 장치의 설계, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되고 있는지 여부 등의 조건에 따라 그에 맞는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 기계적 클램핑, 진공 방식, 또는 그외 다른 클램핑 기술, 예를 들어 진공 조건하에서의 정전 클램핑(electrostatic clamping)을 사용하여 패터닝 디바이스를 유지할 수 있다. 지지 구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동가능한 프레임 또는 테이블이 될 수 있다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를, 예를 들면 투영 시스템에 대하여 원하는 위치에 정확하게 배치되도록 할 수 있게 한다. 본 명세서에서 사용되고 있는 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어는 모두 "패터닝 디바이스"라고 하는 더 일반적인 용어와 동일한 의미로서 사용될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"(projection system)이란 용어는, 사용되는 노광 방사에 적절한 또는 액침 액(immersion liquid)의 사용이나 진공의 사용 등과 같은 다른 요인에 적절한, 굴절형 광학 시스템, 반사형 광학 시스템 및 반사 굴절형(catadioptric) 광학 시스템을 포함하는 임의의 타입의 투영 시스템을 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 일반적으로, EUV 방사 리소그래피 장치에서, 투영 시스템의 광학 요소는 반사형이 될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 렌즈" (projection lens)라는 용어는, "투영 시스템"이라고 하는 더 일반적인 용어와 동일 의미로서 사용될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 조명 시스템(illumination system)은 방사 빔을 유도, 정형 또는 제어하기 위한, 반사 컴포넌트 및 광학적으로 다양한 종류의 광학 컴포넌트를 포함할 수 있다.
리소그래피 장치는 2개(이중 스테이지) 또는 그 이상의 기판 테이블(및/또는 둘 이상의 지지 구조체)을 갖는 타입으로 해도 된다. 이와 같은 "다수의 스테이지"(multiple stage)를 갖는 장치에서, 추가의 테이블을 병행해서 사용해도 되고, 또는 예비 공정을 하나 이상의 테이블에서 실행하면서, 다른 하나 이상의 테이블을 노광에 사용해도 된다.
리소그래피 장치는 둘 또는 셋 이상의 마스크 사이(또는 제어가능한 패터닝 디바이스 상에 제공된 패턴들 사이)에서 신속한 전환이 가능한 타입이 될 수 있으며, 그 예가 미국출원 공개번호 US 2007-0013890호에 개시되어 있다.
리소그래피 장치는 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해, 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물(water)에 기판을 액침한 타입이 될 수 있다. 액침 액은 리소그래피 장치의 다른 공간, 예를 들어, 패터닝 디바이스와 투영 시스템의 제1 요소 사이에 사용될 수 있다. 액침(immersion) 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 것으로서 본 기술 분야에 잘 알려져 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다. 이 리소그래피 장치는,
- 방사선(예를 들어, DUV 방사선 또는 EUV 방사선)의 방사 빔(B)을 제어하는 조명 시스템(IL);
- 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성되고 또한 투영 시스템(PL)에 대하여 패터닝 디바이스를 정확하게 위치 결정하도록 구성된 제1 위치 결정 장치(PM)에 연결된 지지 구조체(MT)(예를 들어, 마스크 테이블);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅 웨이퍼)을 유지하도록 구성되고 또한 투영 시스템(PL)에 대하여 기판을 정확하게 위치 결정하도록 구성된 제2 위치 결정 장치(PW)에 연결된 기판 테이블(WT)(예를 들어, 웨이퍼 테이블); 및
- 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟 부분(C)(예를 들어, 하나 또는 둘 이상의 다이를 포함)상에 결상하도록 구성된 투영 시스템(PL)(예를 들어, 반사형 투영 렌즈)을 포함한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 리소그래피 장치는 반사형의 장치(예를 들어, 반사형 마스크 또는 앞서 언급한 타입의 프로그램가능 미러 어레이를 사용하는)이다. 이와 달리, 리소그래피 장치는 투과형의 장치(예를 들어, 투과형 마스크를 채택)로 해도 된다.
조명 시스템(IL)은 방사 소스(radiation source: SO)로부터 방사 빔(B)을 수광한다. 예를 들어, 방사 소스가 엑시머(excimer) 레이저인 경우에는, 방사 소스와 리소그래피 장치를 별개의 구성 요소로 해도 된다. 별개의 구성 요소로 한 경우, 방사 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 보지 않으며, 방사 빔이 방사 소스(SO)로부터 조명 시스템(IL)까지 전달되는데, 예를 들어 적절한 유도 미러 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 구비하는 빔 전달 시스템(beam delivery system)에 의해 전달된다. 다른 경우로서, 예를 들어 방사 소스가 수은 램프(mercury lamp)인 경우에는, 방사 소스가 리소그래피 장치와 일체를 이루는 부분이 될 수 있다. 방사 소스(SO)와 조명 시스템(IL)은, 필요에 따라, 빔 전달 시스템과 함께 방사 시스템(radiation system)을 구성할 수 있다.
조명 시스템(IL)은 원하는 균일성과 원하는 조명 모드로 방사 빔을 제공하기 위해 방사 빔을 조절한다. 조명 시스템(IL)은 동공 면(pupil plane)에서의 방사 빔의 공간적 세기 분포(spatial intensity distribution)를 조절하도록(예를 들어, 원하는 조명 모드를 선택하기 위해) 구성된 세기 분포 조절 장치를 포함한다. 조명 시스템은 인테그레이터(integrator)와 결합용 광학기기 등의 다른 각종의 구성 요소를 포함할 수 있다.
방사 빔(B)은, 조명 시스템(IL)을 지나, 지지 구조체(MT) 상에 유지된 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크) 상에 입사한다. 방사 빔(B)은 패터닝 디바이스(MA)를 가로질러 투영 시스템(PL)을 통과하고, 기판(W)의 타겟 부분(C) 상에 집광(focus)된다.
기판 테이블(WT)은 제2 위치 결정 장치(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 부호화기 또는 용량 센서)를 사용하여, 예를 들어 방사 빔(B)의 경로 중의 여러 타겟 부분(C)을 위치 결정하도록 정확하게 이동될 수 있다. 마찬가지로, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터 기계적 인출 이후 또는 스캐닝 중에, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 방사 빔(B)의 경로에 대하여 정확하게 위치 결정하는 데에, 제1 위치 결정 장치(PM) 및 또 다른 하나의 위치 센서(IF1)를 사용할 수 있다.
일반적으로, 대상 테이블(MT, WT)의 이동은, 위치 결정 장치(PM, PW)의 일부를 형성하는, 장행정(long-stroke) 모듈(개략적인 위치 결정) 및 단행정(short-stroke) 모듈(미세한 위치 결정)을 사용하여 이루어질 수 있다.
스테퍼(stepper)의 경우에는(스캐너와는 대조적으로), 지지 구조체(MT)가 단행정 액추에이터(short-stroke actuator)에만 연결되도록 되거나 또는 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 사용하여 정렬될 수 있다. 도시한 기판 정렬 마크는 전용의 타겟 부분을 점유하지만, 타겟 부분들 사이의 공간에 배치될 수 있다[스크라이브 레인 정렬 마크(scribe-lane alignments mark)로 알려져 있음]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 하나 이상의 다이(die)가 제공되는 상황에서는, 패터닝 디바이스 정렬 마크가 다이와 다이 사이에 배치될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시한 리소그래피 장치는 이하의 바람직한 모드에서 사용될 수 있다.
1. 단계적 모드(step mode)에서는, 지지 구조체(MT)와 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지하면서, 방사 빔(PB)에 부여되는 패턴 전체를 일시에 타겟 부분(C)에 한번에 투영한다(즉, 단일의 정적 노광). 이후, 기판 테이블(WT)을 X방향 및/또는 Y방향으로 이동시켜, 다른 타겟 부분(C)을 노광할 수 있도록 한다. 이 단계적 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해 단일의 정적 노광에서 결상된 타겟 부분(C)의 크기가 제한된다.
2. 스캔 모드(scan mode)에서는, 지지 구조체(MT)와 기판 테이블(WT)을 동시에 스캐닝하면서, 방사 빔(PB)에 부여된 패턴이 타겟 부분(C)에 투영된다(즉, 단일의 동적 노광). 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도와 방향은 투영 시스템(PL)의 확대율(축소율) 특성 및 상 반전 특성에 의해 정해질 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해 단일 동적 노광에서의 타겟 부분의 폭(비-스캐닝 방향)이 제한되고, 스캐닝 이동의 길이에 의해 타겟 부분의 높이(스캐닝 방향)가 결정된다.
3. 그외 다른 모드의 경우, 지지 구조체(MT)가 실질적으로 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하는 고정 상태에서, 기판 테이블(TW)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사 빔(PB)에 부여된 패턴을 타겟 부분(C)에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사 소스(pulsed radiation source)를 채택하고, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 이동 후에 또는 스캔 중의 연속하는 방사 펄스 사이에서, 필요에 따라 업데이트된다. 이 동작 모드는 앞서 설명한 것과 같은 타입의 프로그램가능한 미러 어레이 등의 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 사용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용할 수 있다.
앞서 설명한 모드를 조합한 것 및/또는 변형한 것이나, 또는 전혀 다른 모드를 채택해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 조명 시스템(IL)은 세기 분포 조절 장치를 포함한다. 세기 분포 조절 장치는 패터닝 디바이스에 입사하는 방사 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 제어하기 위해, 조명 시스템 내의 동공 면에서의 방사 빔의 공간적 세기 분포를 조절하도록 되어 있다. 세기 분포 조절 장치는 조명 시스템의 동공 면에서 다른 조명 모드를 선택하는 데에도 사용될 수 있다. 조명 모드의 선택은, 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)로부터 기판(W)에 투영되는 패턴의 특성에 따라 달라질 수 있다.
조명 시스템의 동공 면에서의 방사 빔의 공간적 세기 분포는, 방사 빔이 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)에 입사되기 전에 각도 세기 분포로 변환된다. 다시 말하면, 조명 시스템과 패터닝 디바이스(MA)(패터닝 디바이스는 필드 면이다) 사이에 퓨리에(Fourier) 관계가 존재한다. 조명 시스템의 동공 면은 패터닝 디바이스(MA)가 위치하는 대상 면의 퓨리에 변환 면이며, 투영 시스템의 동공 면에 대하여 켤레(congugate)를 이룬다.
도 2는 도 1의 리소그래피 장치의 일부를 더 상세하게 나타낸 것이다. 방사 소스(SO)는 방사 빔(B)을 생성하고, 방사 빔은 조명 시스템(IL)의 입구 개구(entrance aperture)(20)에서 가상 소스 포인트 집광 포커스(virtual source point collection focus)(18)에 집광된다. 방사 빔(B)은, 조명 시스템(IL) 내에서, 지지 구조체(MT) 상에 유지된 패터닝 디바이스(MA) 상의 제1 반사 컴포넌트(22) 및 제2 반사 컴포넌트(24)를 통해 반사된다. 이후, 방사 빔(B)은 기판 테이블(WT) 상에 유지된 기판(W) 상의 제1 반사 컴포넌트(28) 및 제2 반사 컴포넌트(30)를 통해 투영 시스템(PL) 내에 결상된다.
일반적으로, 방사 소스(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PL) 내에는, 도 2에 나타낸 것보다 적은 수의 또는 많은 수의 요소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예에서, 리소그래피 장치는 하나 또는 둘 이상의 투과형 또는 반사형의 스펙트럼 순도 필터(spectral purity filter)를 포함할 수 있다. 리소그래피 장치에는 더 많은 수의 또는 더 적은 수의 반사 컴포넌트 부분이 있을 수 있다.
도 3은 조명 시스템의 제1 및 제2 반사 컴포넌트(22, 24)를 포함하는 리소그래피 장치의 일부를 더 상세하게 나타내고 있다. 제1 반사 컴포넌트(reflective component)(22)는 1차 반사 요소(primary reflective element)(22a-22d)[일반적으로 필드 면 미러(field facet mirror)로 알려져 있음]를 복수 개 포함한다. 제2 반사 컴포넌트(reflective component)(24)는 2차 반사 요소(secondary reflective element) (24a-24d, 24a'-24d')[일반적으로 동공 면 미러(pupil facet mirror)로 알려져 있음]를 복수 개 포함한다. 1차 반사 요소(22a-22d)는 방사선을 2차 반사 요소(24a-d, a'-d')로 향하도록(반사하도록) 구성되어 있다. 도면에는, 1차 반사 요소가 4개(22a-d)만 도시되어 있지만, 임의의 개수의 1차 반사 요소를 설치해도 된다. 1차 반사 요소는 2차원 어레이(또는 다른 2차원 배치) 형태로 배치될 수 있다. 도면에는, 2차 반사 요소가 8개(24a-d, a'-d')만 도시되어 있지만, 2차 반사 요소는 임의의 개수를 설치해도 된다. 2차 반사 요소는 2차원 어레이(또는 다른 2차원 배치) 형태로 배치될 수 있다.
1차 반사 요소(22a-d)는 조정가능한 방향(adjustable orientations)을 가지며, 방사선을 선택된 2차 반사 요소(24a-d, a'-d')로 향하도록 하는 데에 사용될 수 있다.
제2 반사 컴포넌트(24)는 조명 시스템(IL)의 동공 면(P)과 일치한다. 따라서, 제2 반사 컴포넌트(24)는 방사선을 패터닝 디바이스(MA)로 유도하는 가상의 방사 소스로서 작용한다. 제2 반사 컴포넌트(24)와 패터닝 디바이스(MA) 사이에는 집광기 미러(도시 안 됨)가 설치될 수 있다. 집광기 미러(condenser mirror)는 미러로 이루어진 시스템이 될 수 있다. 집광기 미러는 1차 반사 요소(22a-d)를 패터닝 디바이스(MA) 상에 결상하도록 구성될 수 있다.
제2 반사 컴포넌트(24)에서의 방사 빔(B)의 공간 세기 분포(spatial intensity distribution)에 의해, 방사 빔의 조명 모드가 정해진다. 1차 반사 요소(22a-d)는 조정가능한 방향을 갖기 때문에, 동공 면(P)에서 상이한 공간 세기 분포를 형성하여, 상이한 조명 모드를 제공하는 데에 사용될 수 있다.
사용 중에, 방사 빔(B)은 제1 반사 컴포넌트(22)의 1차 반사 요소(22a-d)에 입사한다. 1차 반사 요소(22a-d)는 방사선의 서브 빔(sub-beam)을 제2 반사 컴포넌트(24)의 상이한 2차 반사 요소(24a-d, a'-d')로 향하도록 반사한다. 제1 서브 빔(Ba)은 제1의 1차 반사 요소(22a)에 의해 제1의 2차 반사 요소(24a)로 향한다. 제2, 제3 및 제4 서브 빔(Bb, Bc, Bd)은 제2, 제3 및 제4의 1차 반사 요소(22b-d)에 의해 각각 제2, 제3 및 제4의 2차 반사 요소(24b-d)로 향하게 된다.
서브 빔(Ba-d)은 2차 반사 요소(24a-d)에 의해 패터닝 디바이스(MA) 쪽으로 반사된다. 이들 서브 빔은 함께 패터닝 디바이스(MA)의 노광 영역(exposure area)(E)을 조사(illuminate)하는 단일의 방사 빔(B)을 형성할 수 있다. 노광 영역(E)의 형태는 1차 반사 요소(22a-d)의 형태에 의해 정해진다. 노광 영역(E)은, 예를 들어 직사각형, 곡선형, 또는 다른 형태가 가능하다.
1차 반사 요소(22a-d)는 제2 반사 컴포넌트(24)의 상이한 2차 반사 요소(24a-d, a'-d')에서 가상의 소스 포인트 집광 포커스(virtual source point collection focus)(18)의 이미지를 각각 형성한다. 실제로, 포커스(18)는 실제로 존재하는 점이 아니며, 유한의 단면 치수(finite cross-sectional dimension)(예를 들어, 4-6mm의 직경)를 가진 가상의 소스일 것이다. 따라서, 1차 반사 요소(22a-d)는 2차 반사 요소(24a-d, a'-d')에서 유한 단면 치수(예를 들어, 3-5mm의 직경)를 갖는 가상 소스의 이미지를 형성할 것이다. 2차 반사 요소(24a-d, a'-d')는 이미지 단면 치수보다 큰 단면 치수(예를 들어, 직경)를 가질 수 있다(방사선이 2차 반사 요소들 사이로 들어가서 손실되는 것을 방지하기 위해). 포커스(18)와 포커스의 이미지는 설명을 쉽게 하기 위해 도면에서 포인트로서 나타내고 있다.
1차 및 2차 반사 요소는 광 파워(optical power)를 갖는다. 1차 반사 요소(22a-d)는 음의 광 파워(negative optical power)를 가지며, 가상 소스보다 작은 가상 소스(18)의 이미지를 형성한다. 2차 반사 요소(24a-d, a'-d')는 양의 광 파워(positive optical power)를 가지며, 1차 반사 요소보다 큰 1차 반사 요소(22a-d)의 이미지를 형성한다. 앞서 설명한 바와 같이, 1차 반사 요소(22a-d)의 이미지는 노광 영역(E)이다.
1차 반사 요소(22a-d)의 방향에 의해 동공 면(P)에 형성되는 조명 모드가 정해진다. 예를 들어, 1차 반사 요소(22a-d)는 방사 서브 빔이 가장 안쪽에 있는 4개의 2차 반사 요소(24c,d,a',b')로 향하도록 방향될 수 있다. 이에 의해, 표준(디스크형) 조명 모드와 1차원적으로 등가인 것으로 고려될 수 있는 조명 모드가 제공된다. 다른 예에서, 1차 반사 요소(22a-d)는, 방사 서브 빔이 제2 반사 컴포넌트(24)의 좌측 끝에 있는 2개의 2차 반사 요소(24a-b)와, 제2 반사 컴포넌트의 우측 끝에 있는 2개의 2차 반사 요소(24c'-d')로 향하도록 방향이 설정될 수 있다. 이에 의해, 환형의(annular) 조명 모드와 1차원적으로 등가가 되는 것으로 고려될 수 있는 조명 모드가 제공된다.
1차 반사 요소(22a-d)는 2개의 특정 방향, 즉 제1 방향과 제2 방향 중의 하나의 방향이 이루어지도록 구성된다. 제1 방향에서는, 1차 반사 요소가 방사선의 서브 빔을 제2 반사 컴포넌트(24) 상의 원하는 제1 위치 쪽으로 향하도록 반사한다. 제2 방향에서는, 1차 반사 요소가 방사선의 서브 빔을 제2 반사 컴포넌트(24) 상의 원하는 제2 위치로 향하도록 반사한다. 일실시예에서, 1차 반사 요소는 제3 방향으로 이동가능하도록 구성되어 있지 않고, 대신에 제1 방향과 제2 방향 사이에서만 이동가능하게 되어 있다.
도 4는 제1 반사 컴포넌트(22)의 제1의 1차 반사 요소(22a)를 사용하는, 제1 방향과 제2 방향 사이에서 1차 반사 요소의 이동을 나타낸다. 제1의 1차 반사 요소(22a)가 제1 방향이면, 방사 서브 빔(Ba)을 제2 반사 컴포넌트(24)의 제1의 2차 반사 요소(24a) 쪽으로 향하게 한다. 제1의 1차 반사 요소(22a)가 제2 방향이면, 방사 서브 빔(Ba')(점선으로 나타냄)을 제2 반사 컴포넌트(24)의 제2의 2차 반사 요소(24') 쪽으로 향하게 한다. 일실시예에서, 제1의 1차 반사 요소(22a)는 임의의 다른 방향으로 이동하도록 구성되어 있지 않기 때문에, 방사 서브 빔을 임의의 다른 2차 반사 요소(24b-d, b'-d')로 향하도록 할 수 없다.
상기 설명은 방사 서브 빔을 2차 반사 요소(24a-d, a'-d')로 향하게 하는 1차 반사 요소(22a-d)에 관한 것이다. 임의의 실시예에서, 소정의 서브 빔으로부터 조사된 2차 반사 요소는 동공 면 또는 제2 반사 컴포넌트 상의 단일의 위치 내에 모두 배치된 2차 요소의 그룹의 구성요소가 될 수 있다. 이 위치는 조명 모드와 관련되어 있다. 이 때문에, "위치"(location)라는 용어는 2차 반사 요소 대신에 사용될 수 있다("위치"라는 용어는 단일의 2차 반사 요소 또는 다수의 2차 반사 요소를 포함하는 것으로 사용됨).
1차 반사 요소(22a-d)는 방사 서브 빔을 2개의 상이한 위치로 향하도록 되어 있다. 1차 반사 요소(22a-d)와 관련된 제1 위치 및 제2 위치는, 다른 1차 반사 요소로부터 방사 서브 빔을 수광하는 위치에 대하여, 서로 상이하며 고유한 것이다. 1차 반사 요소(22a-d)를 적절하게 설정함으로써, 방사선이 원하는 조명 모드에 대응하는 공간 세기 분포를 생성하기 위해 제2 반사 컴포넌트(24)의 동공 면(P) 내의 필요한 위치로 향하게 될 수 있다.
도 3 및 도 4에는 1차 반사 요소가 4개(22a-d)만 도시되어 있지만, 제1 반사 컴포넌트(22)는 더 많은 반사 요소를 포함할 수 있다. 제1 반사 컴포넌트(22)는, 예를 들어 최대 100개, 200개 또는 400개의 1차 반사 요소를 포함할 수 있다. 제1 반사 컴포넌트(22)는, 예를 들어 1차 반사 요소를 100개 내지 800개 중의 임의의 개수를 포함할 수 있다. 반사 요소는 미러(mirror)가 될 수 있다. 제1 반사 컴포넌트(22)는 1024(예를 들어, 32x32)개의 미러, 4096(예를 들어, 64x64)개의 미러, 또는 임의의 적절한 개수의 미러로 이루어진 어레이를 포함할 수 있다. 1차 반사 요소는 2차원의 그리드형 형태로 배치될 수 있다. 1차 반사 요소는 방사 빔을 관통하여 지나가는 평면에 배치될 수 있다.
제1 반사 컴포넌트(22)는 1차 반사 요소로 된 하나 또는 둘 이상의 어레이를 포함할 수 있다. 예를 들어, 1차 반사 요소는 다수의 어레이를 형성하도록 배치되거나 그룹화될 수 있으며, 어레이의 각각은, 예를 들어 32x32개의 미러를 포함할 수 있다. 이와 관련해서, "어레이"(array)라는 용어는 단일의 어레이 또는 어레이 그룹을 의미할 수 있다.
2차 반사 요소(24a-d, a'-d')는 2차 반사 요소의 방향이 고정되도록 설치될 수 있다.
도 5 및 도 6은 동공 면(P)에서의 공간 세기 분포를 변화시키도록 방사선을 유도함으로써, 원하는 조명 모드를 얻는 원리를 개략적으로 나타낸다. 도 5의 (b) 및 도 6의 (b)의 도면의 평면은 도 5의 (a) 및 도 6의 (a)에 나타낸 동공 면(P)과 일치한다. 도면의 설명을 용이하게 하기 위해 도 5의 (b) 및 도 6의 (b)에서는 데카르트 좌표(Cartesian coordinate)로 나타내고 있다. 표시된 데카르트 좌표는 취득될 수 있는 공간 세기 분포의 방향을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 공간 세기 분포의 반경 범위(radial extent)는 내측 반경 범위(σinner)와 외측 반경 범위(σouter)로 정해진다. 이러한 내측 및 외측 반경 범위는 원형 또는 임의의 다른 형태가 될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 방사 빔의 동공 면(P)의 공간 세기 분포(즉, 조명 모드)는 1차 반사 요소(22a-d)의 방향에 의해 정해진다. 조명 모드는 1차 반사 요소(22a-d)를 선택하고, 필요에 따라 제1 방향 또는 제2 방향 중 하나의 방향으로 이동시킴으로써 제어된다.
본 예에서는, 1차 반사 요소가 16개 있지만, 도면에는 4개(22a-d)만 도시되어 있다. 1차 반사 요소(22a-d)가 제1 방향이 되면, 방사선의 서브 빔은, 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, 관련된 제1 위치(24a-d) 쪽으로 반사된다. 도 5의 (b)를 참조하면, 제1 위치(24a-d)는 도 5의 (b)에서 상부 또는 그 근방에 있다. 다른 1차 반사 요소(도시 안 됨)도 또한 제1 방향이고, 방사선의 서브 빔을 도 5의 (b) 중의 상부 또는 그 근방 및 도 5의 (b) 중의 하부 또는 그 근방에 있는 제1 위치로 유도한다. 방사선의 서브 빔을 수광하는 위치는 점선으로 빗금 표시되어 있다. 도 5의 (b)로부터 알 수 있는 바와 같이, 1차 반사 요소(22a-d)가 제1 방향이면, 자극(pole)이 y방향으로 분리되어 있는 다이폴 조명 모드(dipole illumination mode)가 구성된다.
1차 반사 요소(22a-d)가 제2 방향이면, 방사선의 서브 빔은, 도 6의 (a)에 나타낸 바와 같이, 관련된 제2 위치(24a'-d') 쪽으로 반사된다. 도 6의 (b)를 참조하면, 제2 위치(24a'-d')는 도 6의 (b) 중의 우측 또는 그 근방이다. 다른 1차 반사 요소(도시 안 됨)도 또한 제2 방향이고, 방사 선의 서브 빔을 도 6의 (b) 중의 우측 또는 그 근방 및 도 6의 (b)의 좌측 또는 그 근방인 제2 위치로 향하게 한다. 방사 선의 서브 빔을 수광하는 위치는 점선으로 빗금 표시되어 있다. 도 6의 (b)로부터 알 수 있는 바와 같이, 1차 반사 요소(22a-d)가 제2 방향이면, 자극이 x방향으로 분리되어 있는 다이폴 조명 모드가 구성된다.
y방향의 다이폴 조명 모드에서 x방향의 다이폴 조명 모드로의 전환은 1차 반사 요소(22a-d)를 제1 방향에서 제2 방향으로 이동시킴으로써 달성된다. 유사하게, x방향의 다이폴 조명 모드로부터 y방향의 다이폴 조명 모드로의 전환은 1차 반사 요소(22a-d)를 제2 방향에서 제1 방향으로 이동시킴으로써 달성된다.
1차 반사 요소(22a-d) 중의 일부를 제1 방향으로 이동시키고 다른 일부를 제2 방향으로 이동시킴으로써, 다른 모드를 구성할 수 있다. 이에 대하여 이하에 설명한다. 1차 반사 요소의 제1 방향 및 제2 방향(그리고 이에 따른 관련된 제1 및 제2 위치)은 생성될 수 있는 유용한 조명 모드의 수가 최대로 되도록 선택될 수 있다.
1차 반사 요소는 제1 방향과 제2 방향 사이에서 소정의 축을 중심으로 제1 반사 요소를 회전시킴으로써 이동이 가능하다. 1차 반사 요소는 하나 또는 둘 이상의 액추에이터(actuator)를 사용하여 이동되도록 할 수 있다.
하나 또는 둘 이상의 1차 반사 요소는 동일 축을 중심으로 회전되도록 구성될 수 있다. 하나 또는 둘 이상의 1차 반사 요소는 다른 축을 중심으로 회전되도록 구성될 수 있다.
일실시예에서, 1차 반사 요소는 제1 방향과 제2 방향 사이에서 1차 반사 요소를 회전시키도록 구성된 액추에이터를 포함한다. 액추에이터는, 예를 들어 모터(motor)가 될 수 있다. 제1 방향 및 제2 방향은 멈춤부(end stop)에 의해 한정될 수 있다. 제1 멈춤부는 1차 반사 요소가 제1 방향을 넘어 이동하지 않도록 하는 기계 장치를 포함할 수 있다. 제2 멈춤부는 1차 반사 요소가 제2 방향을 넘어 이동하지 않도록 하는 기계 장치를 포함할 수 있다. 1차 반사 요소를 위한 적절한 마운트(mount)는 멈춤부를 포함하며, 이에 대하여 이하, 도 11 내지 도 15와 관련해서 더 상세하게 설명한다.
1차 반사 요소의 이동은 멈춤부에 의해 제한될 수 있기 때문에, 1차 반사 요소는 이 1차 반사 요소의 위치를 모니터링하지 않고도(예를 들어, 위치 모니터링 센서 및 피드백 시스템을 사용하지 않고도), 제1 방향 또는 제2 방향으로 정확하게 이동될 수 있다. 1차 반사 요소는 패터닝 디바이스로부터의 패턴을 기판상에 리소그래픽으로 투영하는 데에 사용하기에 충분한 품질의 조명 모드를 형성할 수 있도록, 충분히 정확하게 방향이 설정될 수 있다.
액추에이터에 공급되는 드라이버 신호(driver signal)는 이진(binary) 신호가 될 수 있다. 액추에이터는 1차 반사 요소를 제1 멈춤부 또는 제2 멈춤부로 이동시키기만 하면 되기 때문에, 가변 아날로그 전압 또는 가변 디지털 전압 등과 같이 더 복잡한 신호를 사용하지 않아도 된다. 더 복잡한 시스템이 아니라, 액추에이터를 위한 이진(2개의 값을 갖는) 드라이버 신호를 사용함으로써, 그렇지 않은 경우에 비해 더 간단한 제어 시스템을 사용할 수 있게 된다.
도 5 및 도 6과 관련하여 앞서 설명한 장치는 16개의 반사 요소를 포함한다. 실제로, 더 많은 수의 1차 반사 요소를 설치해도 된다. 그러나, 1차 반사 요소의 개수가 16개이면, 여러 상이한 조명 모드를 얻을 수 있는 방식의 조명이 가능하기에 충분한 개수이다.
16개의 1차 반사 요소를 사용하여, 환형, 데카르트 4극형(c-quad), 쿼사(quasar), 다이폴-y 및 다이폴-x 등의 조명 모드를 얻을 수 있다. 이들 조명 모드는 방사선이 조명 시스템의 동공 면에서의 32개의 관련 위치를 적절하게 향하도록 하기 위해 16개의 1차 반사 요소를 구성함으로써 이루어진다.
도 7은 5개의 서로 다른 원하는 조명 모드를 생성하도록 구성된 조명 시스템 내의 동공 면(Q1)의 제1 사분면(quadrant)을 나타낸다. 이 사분면의 각각의 요소(24a-d, 24a'-d')는 조명 위치(즉, 1차 반사 요소로부터 방사 서브 빔을 수광하는 위치)에 대응한다. 일실시예에서, 조명 위치는 동공 면의 원주상으로 주위에 환형의 형태로 배치되어 있다. 조명 위치의 내측 반경 범위는 σinner로 표시되어 있고, 조명 위치의 외측 반경 범위는 σouter로 표시되어 있다.
각각의 조명 위치에는 다수의 2차 반사 요소가 제공될 수 있다. 예를 들어, 10개 내지 20개의 2차 반사 요소가 각각의 조명 위치에 제공될 수 있다. 이러한 경우, 그에 따라, 1차 반사 요소의 수가 변경된다. 예를 들어, 소정의 조명 위치에 10개의 2차 반사 요소가 있다면, 그 조명 위치로 방사선을 유도하도록 구성된 1차 반사 요소가 10개 존재(각각의 1차 반사 요소는 방사선을 다른 2차 반사 요소로 향하도록 구성됨)하게 된다. 이하의 설명에서, "1차 반사 요소"라는 용어가 사용되는 경우, 일제히 이동하도록 구성된 다수의 1차 반사 요소를 포함하는 의미로서 사용될 수 있다.
동공 면 전체의 조명 위치의 상대적인 표면 영역은 (σouter 2-σinner 2)/2 가 된다. 따라서, 에탕듀 율(etendue ratio) X는 X=2/(σouter 2-σinner 2)가 된다.
도 7에 나타낸 사분면(Q1)에는, 조명 위치가 8개(24a-d, 24a'-d')(전체 동공 면에 대한 32개의 조명 위치에 대응함)가 있다. 각각의 조명 위치는 1차 반사 요소에 의해 반사된 방사선의 서브 빔에 의해 조명되기 위한 사이즈와 형태를 갖는다. 각각의 1차 반사 요소는 동일 사분면의 서로 다른 부분으로부터 2개의 조명 위치를 개별적으로 조사하도록 구성된다. 더 구체적으로 말하면, 각각의 1차 반사 요소는 동일 사분면에 있는 제1 관련 조명 위치 또는 제2 관련 조명 위치 중 하나로 방사선을 유도하여 조사하기 위해, 제1 방향과 제2 방향 사이에서 이동되도록 구성된다.
도 7에는 동일 사분면(Q1)에 쌍을 이루는 조명 위치(24a, a')(및 다른 위치)가 제공되어 있지만, 이 경우에는 반드시 그럴 필요는 없다. 예를 들어, 제1 조명 위치를 하나의 사분면에 제공하고, 쌍을 다른 사분면에 제공해도 된다. 쌍을 이루는 조명 위치의 제1 및 제2 조명 위치 사이의 분리 거리가 증가하면, 방사선의 서브 빔을 이들 조명 위치로 향하도록 하기 위해 1차 반사 요소에 의해 필요한 회전량도 증가할 것이다. 조명 위치의 위치 결정은 1차 반사 요소의 필요한 회전이 최소가 되도록 선택되거나, 1차 반사 요소 중의 어느 것도 소정의 최대 회전보다 더 회전시킬 필요가 없도록 선택될 수 있다. 조명 위치의 위치 결정은 원하는 세트의 조명 모드를 얻을 수 있도록 될 수 있다(예를 들어, 도 8과 관련해서 이하에 설명된 것).
제1의 1차 반사 요소(22a)(도 5 및 도 6 참조)는, 제1 방향으로 방향이 설정될 때의 사분면(Q1)의 제1 관련 조명 위치(24a) 및 제2 방향으로 방향이 설정될 때의 사분면의 제2 관련 조명 위치(24a')를 조사하도록 구성된다. 제2의 1차 반사 요소(22b)는 제1 방향으로 방향이 설정될 때의 제1 관련 조명 위치(24b) 및 제2 방향으로 방향이 설정될 때의 제2 관련 조명 위치(24b')를 조사하도록 구성된다. 제3의 1차 반사 요소(22c)는 제1 방향으로 방향이 설정될 때의 제1 관련 조명 위치(24c) 및 제2 방향으로 방향이 설정될 때의 제2 관련 조명 위치(24c')를 조사하도록 구성된다. 제4의 1차 반사 요소(22d)는 제1 방향으로 방향이 설정될 때의 제1 관련 조명 위치(24d) 및 제2 방향으로 방향이 설정될 때의 제2 관련 조명 위치(24d')를 조사하도록 구성된다.
조명 위치 및 관련 1차 반사 영역의 대응하는 배치는 다른 사분면(도시하지 않음)에도 적용할 수 있다.
각각의 1차 반사 요소는 소정의 축을 중심으로 1차 반사 요소를 회전시킴으로써 제1 방향과 제2 방향 사이에서 이동한다. 다수의 1차 반사 요소는 동일 축을 중심으로 회전되도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 동공 면의 동일 사분면 내의 인접한 조명 위치와 연관된 1차 반사 요소는 동일 축을 중심으로 회전하도록 구성될 수 있다. 도시한 예에서, 제1 및 제2의 1차 반사 요소(22a, 22b)는 제1 축(AA)을 중심으로 회전하도록 구성되며, 제3 및 제4의 1차 반사 요소(22c, 22d)는 제2 축(BB)을 중심으로 회전하도록 구성된다. 제1 축(AA)은 사분면(Q1)의 x축에 대하여 56.25°의 각도를 이루도록 되어 있으며, 제2 축(BB)은 사분면(Q1)의 x축에 대하여 33.75°의 각도를 이루도록 되어 있다. 제1 축(AA) 및 제2 축(BB)은 도 7의 평면에 있는 것으로 도시되어 있지만, 이것은 예시에 불과하다. 축은 1차 반사 요소(22a-d)의 평면에 있게 될 것이다.
이에 추가로 또는 이와 달리, 동공 면의 반대편 사분면 내의 대응하는 조명 위치와 연관된 1차 반사 요소는 동일 축을 중심으로 회전하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 사분면(Q1)과 연관된 1차 반사 요소(22a,b) 및 제3 사분면과 연관된 대응하는 1차 반사 요소는 제1 축(AA)을 중심으로 회전하도록 구성될 수 있다. 마찬가지로, 제1 사분면(Q1)에 연관된 1차 반사 요소(22c,d) 및 제3 사분면과 연관된 대응하는 1차 반사 요소는 제2 축(BB)을 중심으로 회전하도록 구성될 수 있다.
제2 사분면과 연관된 1차 반사 요소와 제4 사분면과 연관된 1차 반사 요소는 제3 축(예를 들어, x축에 대하여 123.75°의 각도를 이룸)을 중심으로 회전될 수 있다. 또한, 제2 사분면과 연관된 1차 반사 요소 및 제4 사분면과 연관된 1차 반사 요소는 제4 축(예를 들어, x축에 대하여 146.25°의 각도를 이룸)을 중심으로 회전될 수 있다. 이들 사분면은 도 7에 도시되어 있지 않다.
1차 반사 요소는 동일 축을 중심으로 동일 방향으로 또는 반대 방향으로 회전하도록 구성될 수 있다.
1차 반사 요소를 동일 축을 중심으로 회전하도록 및 동일 방향으로 회전하도록 그룹화하면, 1차 반사 요소를 제1 방향과 제2 방향 사이에서 이동시키도록 구성된 액추에이터를 단순화할 수 있다. 예를 들어, 동일 축을 중심으로 회전하도록 그룹화한 1차 반사 요소와 연관된 액추에이터는 이들 1차 반사 요소를 일제히 이동시키도록 구성될 수 있다. 따라서, 회전 축이 4개 있는 실시예에서는, 4개의 액추에이터가 있을 수 있다.
도 8은 앞서 설명한 장치를 사용하여(즉, 16개의 1차 반사 요소 및 4개의 회전 축을 사용하여), 5개의 상이한 조명 모드를 조명 시스템의 동공 면에 구성하는 방법을 나타낸다. 5개의 조명 모드는, 환형 조명 모드[도 8의 (a)], 다이폴-x 조명 모드[도 8의 (b)], 다이폴-y 조명 모드[도 8의 (c)], 쿼사 조명 모드[도 8의 (d)], 및 데카르트 4극형 조명 모드[도 8의 (e)]이다.
도 8의 (a)에 나타낸 것과 같이 환형의 조명 모드를 구성하기 위해, 제1 사분면과 연관된 1차 반사 요소(22a-d)는 조명 위치(24b, 24d, 24a', 24c')가 조사되도록 방향이 설정된다. 이것은, 제1의 1차 반사 요소(22a)를 제1 축(AA)을 중심으로 제2 방향으로 회전시키고, 제2의 1차 반사 요소(22b)를 제1 축(AA)을 중심으로 제1 방향으로 회전시키고, 제3의 1차 반사 요소(22c)를 제2 축(BB)을 중심으로 제2 방향으로 회전시키고, 제4의 1차 반사 요소(22d)를 제2 축(BB)을 중심으로 제1 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 연관된 1차 반사 요소는 방향이 유사하게 설정된다.
다이폴-x 조명 모드를 구성하기 위해, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이[도 6의 (b) 참조], 제1 사분면과 연관된 1차 반사 요소를, 조명 위치(24b', 24a', 24d', 24c')가 조사되도록 방향이 설정된다. 이것은, 제1의 1차 반사 요소(22a)를 제1 축(AA)을 중심으로 제2 방향으로 회전시키고, 제2의 1차 반사 요소(22b)를 제1 축(AA)을 중심으로 제2 방향으로 회전시키고, 제3의 1차 반사 요소(22c)를 제2 축(BB)을 중심으로 제2 방향으로 회전시키고, 제4의 1차 반사 요소(22d)를 제2 축(BB)을 중심으로 제2 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 연관된 1차 반사 요소는 방향이 유사하게 설정된다.
다이폴-y 조명 모드를 구성하기 위해, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이[도 5의 (b) 참조], 제1 사분면과 연관된 1차 반사 요소를, 조명 위치(24a, 24b, 24c, 24d)가 조사되도록 방향이 설정된다. 이것은, 제1의 1차 반사 요소(22a)를 제1 축(AA)을 중심으로 제1 방향으로 회전시키고, 제2의 1차 반사 요소(22b)를 제1 축(AA)을 중심으로 제1 방향으로 회전시키고, 제3의 1차 반사 요소(22c)를 제2 축(BB)을 중심으로 제1 방향으로 회전시키고, 제4의 1차 반사 요소(22d)를 제2 축(BB)을 중심으로 제1 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 연관된 1차 반사 요소는 방향이 유사하게 설정된다.
쿼사 조명 모드를 구성하기 위해, 도 8의 (d)에 도시된 바와 같이, 제1 사분면과 연관된 1차 반사 요소를, 조명 위치(24c, 24d, 24b', 24a')가 조사되도록 방향이 설정된다. 이것은, 제1의 1차 반사 요소(22a)를 제1 축(AA)을 중심으로 제2 방향으로 회전시키고, 제2의 1차 반사 요소(22b)를 제1 축(AA)을 중심으로 제2 방향으로 회전시키고, 제3의 1차 반사 요소(22c)를 제2 축(BB)을 중심으로 제1 방향으로 회전시키고, 제4의 1차 반사 요소(22d)를 제2 축(BB)을 중심으로 제1 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 연관된 1차 반사 요소는 방향이 유사하게 설정된다.
데카르트 4극형(c-quad) 조명 모드를 구성하기 위해, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 사분면과 연관된 1차 반사 요소를, 조명 위치(24a, 24b, 24d', 24c')가 조사되도록 방향이 설정된다. 이것은, 제1의 1차 반사 요소(22a)를 제1 축(AA)을 중심으로 제1 방향으로 회전시키고, 제2의 1차 반사 요소(22b)를 제1 축(AA)을 중심으로 제1 방향으로 회전시키고, 제3의 1차 반사 요소(22c)를 제2 축(BB)을 중심으로 제2 방향으로 회전시키고, 제4의 1차 반사 요소(22d)를 제2 축(BB)을 중심으로 제2 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 연관된 1차 반사 요소는 방향이 유사하게 설정된다.
도 8에 나타낸 조명 모드의 상기 설명에서, 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 연관된 1차 반사 요소는 제1 사분면과 유사하게 방향이 설정되었다고 언급되어 있다. 이하에서는 이것이 이루어지는 방식을 설명한다. 도 8로부터 알 수 있는 바와 같이, 다이폴, 쿼사, 및 데카르트 4극형 모드는 x축 및 y축을 중심으로 대칭을 이룬다. 그러나, 도 8의 (a)의 환형 모드는 회전 방향에서 대칭을 이루고 있어도(90°의 회전 또는 그 정수 배의 회전), x축 및 y축에 대해서는 대칭을 이루지 않는다.
조명 모드는 동일 대칭을 함께 사용하지 않는다는 사실에 의해, 조명 위치의 위치 결정이 제한된다. 이러한 제한은 쌍을 이루는 각각의 조명 위치가 조명 위치의 관련된 쌍을 가지며, 2개의 쌍이 사분면을 양분하는(도 7 참조) 라인(SS)을 중심으로 대칭을 이룬다는 것이다. 예를 들어, 조명 위치의 제1 쌍(24a, 24a')은 조명 위치의 제3 쌍(24c, 24c')과 연관된다. 이들 2개의 쌍은 라인(SS)을 중심으로 대칭을 이룬다. 조명 위치의 제2 쌍(24b, 24b')은 조명 위치의 제4 쌍(24d, 24d')과 연관된다. 이들 2개의 쌍은 라인(SS)을 중심으로 대칭을 이룬다. 이러한 제한이 다른 사분면에도 동일하게 적용된다.
제2 사분면은 제1 사분면의 미러 이미지이다. 제3 및 제4 사분면은 제1 및 제2 사분면의 미러 이미지이다. 이러한 방식으로 조명 위치를 위치 결정함으로써, 도 8에 나타낸 모든 조명 모드가 달성될 수 있다. 도 8의 (b)-(d)에 나타낸 조명 모드의 어떠한 것을 구성하고자 하는 경우, 각각의 사분면에 대한 대응하는 1차 반사 요소의 방향이 동일하다. 도 8의 (a)의 환형 모드를 구성하고자 하는 경우, 제1 및 제3 사분면에 대한 1차 반사 요소의 방향은 제2 및 제4 사분면에 대한 1차 반사 요소에 적용되는 것과 반대이다.
일실시예에서, 방사 서브 빔에 의해 조사되는 조명 위치는, 예를 들어 디스크(disk) 및 링(ring)으로 제공될 수 있다(또는 2개의 링으로 제공될 수 있다). 링은 디스크에 인접해서 위치한다. 도 9는 이러한 조명 위치의 배치를 가진 동공 면(Q1)의 제1 사분면을 나타낸다. 사분면(Q1)에는 24개의 조명 위치(A1, A2~L1, L2)가 존재한다[동공 면 전체에는 96개의 조명 위치가 존재함]. 12개의 1차 반사 요소(A~L)(도시 안 됨)가 사분면(Q1)의 연관된 24개의 조명 위치를 조사하도록 구성되어 있다(48개의 1차 반사 요소가 모든 조명 위치를 조사하도록 구성됨).
2차 반사 요소(secondary reflective element)가 각각의 조명 위치에 다수 개 제공될 수 있다. 예를 들어, 10개 내지 20개의 2차 반사 요소가 각각의 조명 위치에 제공될 수 있다. 이 경우, 그에 따라, 1차 반사 요소의 수가 변경된다. 예를 들어, 소정의 조명 위치에 10개의 2차 반사 요소가 있다면, 그 조명 위치로 방사선을 유도하도록 구성된 1차 반사 요소가 10개 존재(각각의 1차 반사 요소는 방사선을 다른 2차 반사 요소로 향하도록 구성됨)하게 된다. 이하의 설명에서, "1차 반사 요소"라는 용어가 사용되는 경우, 일제히 이동하도록 구성된 다수의 1차 반사 요소를 포함하는 의미로서 사용될 수 있다.
조명 위치는 내측 조명 위치 그룹과 외측 조명 위치 그룹으로 나누어질 수 있다. 내측 조명 위치 그룹의 조명 위치는 관련 1차 반사 요소가 제1 방향에 있을 때에 조사된다. 외측 조명 위치 그룹 내의 조명 위치는 관련 1차 반사 요소가 2차 방향에 있을 때에 조사된다.
내측 조명 위치 그룹은 내측 반경 범위 σinner와 외측 반경 범위 σ2를 갖는다. 외측 조명 위치 그룹은 내측 반경 범위 σ2와 외측 반경 범위 σ3을 갖는다.
전체 동공 면의 조명 위치의 상대적인 표면 영역은 (σ3 2-σinner 2)/2 가 된다. 따라서, 에탕듀 율(etendue ratio) X는 X=2/(σ3 2-σinner 2)가 된다.
각각의 1차 반사 요소는 동일 사분면(예를 들어, Q1)의 서로 다른 부분으로부터 2개의 조명 위치를 개별적으로 조사하도록 구성된다. 더 구체적으로 말하면, 각각의 1차 반사 요소는 제1 방향과 제2 방향 사이에서 이동하도록 구성된다. 1차 반사 요소가 제1 위치에 있으면, 방사 서브 빔은 내측 조명 위치 그룹 내의 관련된 제1 조명 위치 쪽으로 향한다. 1차 반사 요소가 제2 위치에 있으면, 방사 서브 빔은 외측 조명 위치 그룹 내의 관련된 제2 조명 위치 쪽으로 향한다(이들 2개의 위치는 동일 사분면에 있다).
도 3 및 도 9를 참조하면, 1차 반사 요소(22a)는 제1 방향에 있을 때에 관련된 제1 조명 위치(A1)를 조사하도록 구성될 수 있으며, 제2 방향에 있을 때에 관련된 제2 조명 위치(A2)를 조사하도록 구성될 수 있다. 이와 다른 1차 반사 요소(22b)는 제1 방향에 있을 때에는 관련된 제1 조명 위치(B1)를 조사하고, 제2 방향에 있을 때에 관련된 제2 조명 위치(B2)를 조사하도록 구성될 수 있다. 다른 1차 반사 요소도 마찬가지의 방식으로 구성될 수 있다.
조명 위치의 위치 결정에 제한이 적용된다. 이 제한은 쌍을 이루는 각각의 조명 위치가 조명 위치의 관련된 쌍을 가지며, 2개의 쌍이 사분면을 양분하는 라인(SS)을 중심으로 대칭을 이룬다는 것이다. 예를 들어, 조명 위치의 제1 쌍(A1, A2)은 조명 위치의 제7 쌍(G1, G2)과 연관된다. 이들 2개의 쌍은 라인(SS)을 중심으로 대칭을 이룬다. 다른 예로서, 조명 위치의 제2 쌍(B1, B2)은 조명 위치의 제4 쌍(H1, H2)과 연관된다. 이들 2개의 쌍은 라인(SS)을 중심으로 대칭을 이룬다. 이러한 제한이 다른 조명 위치의 쌍에도 동일하게 적용된다. 또한, 이러한 제한이 다른 사분면에도 동일하게 적용된다.
조명 위치 및 관련된 1차 반사 요소의 구성은 동공 면의 각각의 사분면에 대해 동일할 수 있다. 예를 들어, 제2 사분면은 제1 사분면의 미러 이미지이다. 제3 및 제4 사분면은 제1 및 제2 사분면의 미러 이미지이다.
각각의 1차 반사 요소는 소정의 축을 중심으로 회전시킴으로써 제1 방향과 제2 방향 사이에서 이동될 수 있다. 회전은 하나 또는 둘 이상의 멈춤부에 의해 제한될 수 있다. 외측 조명 그룹 내의 조명 위치와 내측 조명 그룹 내의 조명 위치를 조사하기 위해, 축은 조명 시스템의 광학 축을 통과하지 않도록 할 수 있다.
도 3과 도 9를 참조하면, 관련된 제1 조명 위치(A1, A2)를 조사하는 제1의 1차 반사 요소(22a)는 제1 축(AA)을 중심으로 회전할 수 있다. 관련된 제2 조명 위치(L1, L2)를 조사하는 제2의 1차 반사 요소(22b)는 제2 축(BB)을 중심으로 회전할 수 있다. 다른 1차 반사 요소는 다른 축(도시 안 됨)을 중심으로 회전할 수 있다. 전체적으로, 제1 사분면(Q1)에 대해 회전 축이 12개 존재한다. 제3 사분면에 대한 회전 축은 제1 사분면에 대한 회전 축과 평행하다. 제2 사분면에 대하여 12개의 회전 축이 존재하고, 이 회전 축은 제4 사분면에 대한 회전 축과 평행하다. 전체적으로, 24개의 회전 축이 존재한다.
동공 면의 반대의 사분면 내의 대응하는 조명 위치와 관련된 1차 반사 요소는 동일 축을 중심으로 회전하도록 구성될 수 있다. 도 9에 나타낸 예에서, 전체적으로 12개의 회전 축이 존재할 수 있다. 이 12개의 회전 축은 사분면(Q1, Q3)에서 연장하는 6개의 축과 사분면(Q2, Q4)에서 연장하는 6개의 축을 포함한다.
1차 반사 요소는 7가지의 서로 다른 조명 모드를 구성하는데에 사용될 수 있다. 이러한 조명 모드를 도 10에 나타낸다. 조명 모드는 종래의(디스크) 모드, 환형 모드, 제2 디스크 모드, 다이폴 모드 및 4극자 모드이다.
도 10의 (a)에 나타낸 종래의(디스크) 모드를 구성하기 위해, 사분면(Q1)과 연관된 1차 반사 요소는 조명 위치(A1~L1)를 조사하도록 방향이 설정된다. 이것은 모든 1차 반사 요소를 그 축을 중심으로 제1 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 관련된 1차 반사 요소도 유사하게 방향이 설정된다. 내측 반경 범위 σinner가 제로가 아니고 대신에 유한 값이었다면, 이 모드는 종래의(디스크) 모드가 아닌 환형 모드가 될 것이다.
도 10의 (b)에 나타낸 환형 조명 모드를 구성하기 위해, 사분면(Q1)과 관련된 1차 반사 요소는 조명 위치(A2~L2)가 조사되도록 방향이 설정된다. 이것은 모든 1차 반사 요소를 그 축을 중심으로 제2 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 관련된 1차 반사 요소도 유사하게 방향이 설정된다.
도 10의 (c)에 나타낸 것과 같은 제2 디스크 조명 모드를 구성하기 위해, 사분면(Q1)과 관련된 1차 반사 요소는 조명 위치(A2, B1, C2, D1, E2, F1, G2, H1, I2, J1, K2, L1)가 조사되도록 방향이 설정된다. 이것은 조명 위치(A, C, E, G, I, K)와 관련된 1차 반사 요소를 축을 중심으로 제2 방향으로 회전시키고, 조명 위치(B, D, F, H, J, L)와 관련된 1차 반사 요소를 축을 중심으로 제1 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 관련된 1차 반사 요소도 유사하게 방향이 설정된다.
도 10의 (d)에 나타낸 y-다이폴 조명 모드를 구성하기 위해, 사분면(Q1)과 관련된 1차 반사 요소는 조명 위치(A2~F2, G1~L1)가 조사되도록 방향이 설정된다. 이것은 조명 위치(A~F)와 관련된 1차 반사 요소를 축을 중심으로 제2 방향으로 회전시키고, 조명 위치(G~L)와 관련된 1차 반사 요소를 축을 중심으로 제1 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 관련된 1차 반사 요소도 유사하게 방향이 설정된다.
도 10의 (e)에 나타낸 x-다이폴 조명 모드를 구성하기 위해, 사분면(Q1)과 관련된 1차 반사 요소는 조명 위치(A1~F1, G2~L2)가 조사되도록 방향이 설정된다. 이것은 조명 위치(A~F)와 관련된 1차 반사 요소를 축을 중심으로 제1 방향으로 회전시키고, 조명 위치(G~L)와 관련된 1차 반사 요소를 축을 중심으로 제2 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 관련된 1차 반사 요소도 유사하게 방향이 설정된다.
도 10의 (f)에 나타낸 4극자 조명 모드를 구성하기 위해, 사분면(Q1)과 관련된 1차 반사 요소는 조명 위치(D1~I1, J2~L2, A2~C2)가 조사되도록 방향이 설정된다. 이것은 조명 위치(D~I)와 관련된 1차 반사 요소를 축을 중심으로 제1 방향으로 회전시키고, 조명 위치(J~L, A~C)와 관련된 1차 반사 요소를 축을 중심으로 제2 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 관련된 1차 반사 요소도 유사하게 방향이 설정된다.
도 10의 (g)에 나타낸 다른 4극자 조명 모드를 구성하기 위해, 사분면(Q1)과 관련된 1차 반사 요소는 조명 위치(A1~C1, G2~I2, J1~L1, D2~F2)가 조사되도록 방향이 설정된다. 이것은 조명 위치(A~C, J~L)와 관련된 1차 반사 요소를 축을 중심으로 제1 방향으로 회전시키고, 조명 위치(G~I, D~F)와 관련된 1차 반사 요소를 축을 중심으로 제2 방향으로 회전시킴으로써 달성된다. 제2, 제3 및 제4 사분면의 조명 위치와 관련된 1차 반사 요소도 유사하게 방향이 설정된다.
1차 반사 요소는 동공 면에서 다른 원하는 조명 모드를 구성하도록 방향이 설정될 수 있다.
도 11은 여러 1차 반사 요소(이하, "미러"라고 함)를 각각 유지하는 8개의 마운팅(mounting)을 나타내는 사시도이다. 도면을 명확히 나타내기 위해, 제1 미러(22a)와 제1 마운팅(40)에만 표시를 하고 있다.
마운팅(40) 중의 하나를 도 12에 확대해서 나타낸다. 마운팅의 일부는 반투명으로 되어 있어서 마운팅의 구성을 볼 수 있도록 되어 있다. 마운팅(40)은 슬리브(sleeve)(42) 내에 포함된 로드(rod)(41)를 구비한다. 로드(41)는, 일실시예에서, 단면이 원통형이며, 최상단 단부(uppermost end)(41a)부터 최하단 단부(lowermost end)(41b)로 갈수록 폭이 감소된다. 로드(41)의 최상단 단부(41a)에는 플랫폼(원형)(43)이 제공되어 있다.
슬리브(42)는 도 11에 더 명확하게 도시되어 있는데, 도 11은 반투명으로 되어 있지 않기 때문이다. 슬리브(42)는 최상단 단부(환형)(42a)와 최하단 단부(환형)(42b)를 포함한다. 슬리브(42)의 최상단 단부(42a)와 최하단 단부(42b) 사이에는 2개의 탄성의 가요성 부분(resiliently flexible portion)(51, 44)이 제공된다. 이 탄성의 가요성 부분(51, 44)은 슬리브의 중간 부분(환형)(42c)에 의해 분리되어 있다. 탄성의 가요성 부분(51, 44)을 이하 제1 탄성 가요성 부분(51)과 제2 탄성 가요성 부분(44)이라고 한다.
제1 탄성 가요성 부분(51)은 슬리브의 최상단 단부(42a)과 슬리브의 중간 부분(42c) 사이에 연결된 2개의 강성의 중간 부분(rigid middle sectino)(45a, 45b)을 포함한다. 강성의 중간 부분(45a, 45b)의 상부 단부(upper end)는 탄성 커넥터(resilient connector)(46a, 46b)[이하, "최상단 탄성 커넥터"(46a, 46b)라고 함]에 의해 슬리브의 최상단 단부(42a)에 연결된다. 강성의 중간 부분의 하부 단부는 탄성 커넥터(47a, 47b)[이하, "최하단 탄성 커넥터"(47a, 47b)라고 함]에 의해 슬리브의 중간 부분(42c)에 연결된다. 강성의 중간 부분(45a, 45b)은 안쪽으로 각도를 이루며 휘어져 있어서, 강성의 중간 부분의 상부 단부들이 강성의 중간 부분의 하부 단부들보다 서로 더 가깝게 된다.
제2 탄성 가요성 부분(44)은 제1 탄성 가요성 부분(51)과 동일한 구성을 갖지만, 슬리브(42)의 중심 축을 중심으로 90도만큼 회전되어 있다. 따라서, 제1 및 제2 탄성 가요성 부분(51, 44)은 서로에 대해 횡단하도록 되어 있다.
제2 탄성 가요성 부분(44)은 슬리브의 중간 부분(42c)과 슬리브의 최하단 단부(42b) 사이에 탄성적으로 연결된 2개의 강성의 중간 부분(48a, 48b)을 포함한다. 강성의 중간 부분(48a, 48b)의 상부 단부는 탄성 커넥터(49a, 49b)[이하, "최상단 탄성 커넥터"(49a, 49b)라고 함]에 의해 중간 부분(42c)에 연결되어 있다. 강성의 중간 부분(48a, 48b)의 하부 단부는 탄성 커넥터(50a, 50b)[이하, "최하단 탄성 커넥터"(50a, 50b)라고 함]에 의해 최하단 단부(42b)에 연결되어 있다. 강성의 중간 부분(48a, 48b)은 안쪽으로 각도를 이루며 휘어져 있어서, 강성의 중간 부분의 상부 단부들이 강성의 중간 부분의 하부 단부들보다 서로 더 가깝게 된다.
본 명세서에서 사용되는 "상부"와 "하부"라는 용어는 도면을 설명하기 위한 것으로서만 사용되며, 마운팅(40), 미러(22a) 또는 다른 구성 요소의 방향을 제한하기 위한 것이 아니다. 도 3을 참조하면 알 수 있는 바와 같이, 미러(22a)의 반사 면이 아래쪽을 향하게 될 수 있으며, 이 경우, 마운팅(40)은 실질적으로 반전될 수 있다.
슬리브의 최하단 단부(42b)는 기판(도시 안 됨)에 고정될 수 있다.
슬리브(42)는 금속(또는 금속 합금)으로 이루어질 수 있다. 앞서 설명한 슬리브의 다양한 특징은 이러한 특징들이 이루어질 수 있는 방식으로 실린더를 기동시키고 실린더로부터 재료를 제거함으로써 이루어질 수 있다. 재료는, 예를 들어 와이어 이로젼(wire erosion)을 사용하여 제거될 수 있다.
탄성 커넥터(46, 47, 49, 50)는 슬리브 재료가 휘어질 수 있도록 충분히 얇은 부분을 포함한다. 탄성 커넥터는 직선형(linear)이다. 직선형 커넥터는 서로 실질적으로 병렬로 작동하는 쌍(예를 들어, 46a, 46b)으로 제공된다. 이러한 구성에 의하면, 로드(41)가 이동할 때에 탄성 커넥터가 휘어질 수 있다. 탄성 커넥터는 탄성도(degree of resilience)를 제공할 정도로 충분히 두껍기 때문에, 로드(41)에 힘이 가해지지 않으면, 원래의 위치로 되돌아간다.
제2 탄성 가요성 부분(44)의 탄성 커넥터는 제1 탄성 가요성 부분(51)의 탄성 커넥터보다 두껍다. 따라서, 제2 탄성 가요성 부분(44)은 제1 탄성 가요성 부분(51)보다 탄성이 약하다.
제1 탄성 가요성 부분(51)은 둘 이상의 강성의 중간 부분과 관련 탄성 커넥터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 4개 또는 그 이상의 강성의 중간 부분과 관련 탄성 커넥터를 제공할 수 있다. 제2 탄성 가요성 부분(44)에도 동일하게 적용된다.
제1 탄성 가요성 부분(51)에서의 로드(41)의 단면 치수(예를 들어, 직경)는 최상단 탄성 커넥터(46a, 46b) 사이의 거리보다 더 크다. 이 때문에, 최상단 탄성 커넥터(46a, 46b)의 일부가, 로드(41)를 수용하기 위해 절단된다. 로드(41)의 단면 치수도 또한 강성의 중간 부분(45a, 45b) 사이의 거리보다 크다. 이 때문에, 강성의 중간 부분(45a, 45b)의 일부가, 로드(41)를 수용하기 위해 절단된다. 제2 탄성 가요성 부분(44)의 최상단 탄성 커넥터(49a, 49b)는 동일한 이유로 부분적으로 절단된다.
슬리브(42)의 양쪽 면 상에 2개의 바이메탈 스트립(60a, 60b)(도 12 참조)이 제공된다. 우측 바이메탈 스트립은 도 12에서는 잘 보이지 않게 되어 있어서, 좌측 바이메탈 스트립에 대하여 설명한다. 바이메탈 스트립(60a)은 슬리브(42)의 중간 지점으로부터 슬리브의 최하단 단부에 가까운 위치까지 아래로 연장하는 만곡부(flexing portion)(61)를 포함한다. 바이메탈 스트립은 또한 만곡부(61)에 연결되고 슬리브(42)의 중간 위치부터 아래쪽으로 슬리브의 외측을 따라 연장하는 연결부(connection portion)(62)를 포함한다. 연결부(62)와 만곡부(61)는 자체적으로 휘어진 길게 연장된 U자형으로 형성되어 있다. 따라서, 연결부(62)는 제1 암(63a)과 제2 암(63b)을 포함한다. 각각의 암(63a, 63b)에는 구멍(opening)(64a, 64b)이 제공되어 있어서, 와이어(도시 안 됨) 또는 다른 전기적 커넥터를 수용하도록 되어 있다. 바이메탈 스트립(60a)은 서로 적층된 2개의 금속으로 이루어진다. 이들 금속은 상이한 열 팽창 계수를 갖기 때문에, 바이메탈 스트립을 가열하게 되면 바이메탈 스트립이 휘어질 것이다.
사용 중에, 전류가 제1 바이메탈 스트립(60a)을 통과함으로써 바이메탈 스트립이 가열된다. 이에 의해, 바이메탈 스트립의 만곡부(61)가 안쪽으로[즉, 로드(41) 쪽으로] 휘어진다. 만곡부(61)가 로드(41)를 밀어서, 로드의 최하단 단부(41b)가 제1 위치(70a)(원으로 표시)로 이동한다. 제1 탄성 가요성 부분(51)의 탄성 커넥터(46a, 46b, 47a, 47b)가 휘어지면, 최상단 단부(42a)와 플랫폼(43)이 회전가능하게 된다. 플랫폼(43)은 도 12의 바닥에 표시된 축(71)에 평행한 축을 중심으로 회전한다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 미러(22a)는 플랫폼(43)에 연결되어 있기 때문에, 미러는 축(71)에 평행한 축을 중심으로 회전한다. 도 12를 참조하면, 로드(41)는 워셔(washer)(52a, 52b)를 밀 때까지 이동한다. 워셔(52a, 52b)는 로드(41)의 이동을 제한하는 멈춤부로서 작용한다.
상기 설명한 제1 바이메탈 스트립(60a)의 동작은 미러(22a)를 제1 방향[미러(22a)의 제1 및 제2 방향은 앞서 설명되어 있음]으로 회전시킨다. 제2 바이메탈 스트립은 미러(22a)를 제2 방향으로 회전시키는데에 사용될 수 있다. 제1 바이메탈 스트립(60a)에 대한 전류의 공급이 중단되면, 제1 바이메탈 스트립이 냉각되고, 원래의 방향으로 되돌아간다. 전류는 제2 바이메탈 스트립(60b)을 통과한다. 제2 바이메탈 스트립(60b)의 만곡부가 로드(41)를 밀면, 로드의 최하단 단부(41b)가 제2 위치(70b)(원으로 표시됨)로 이동한다. 제1 탄성 가요성 부분(51)의 탄성 커넥터(46a, 46b, 47a, 47v)가 휘어지면, 최상단 단부(42)와 플랫폼(43)이 회전한다. 플랫폼(43)은 축(71)에 평행한 축을 중심으로 회전한다. 로드(41)는 워셔(52c, 52d)를 밀 때까지 이동한다. 워셔(52c, 52d)는 로드(41)의 이동을 제한하는 멈춤부로서 작용한다. 로드(41)가 제2 위치로 이동하게 되면, 미러(22a)가 제2 위치로 회전한다.
바이메탈 스트립(60a, 60b)은 로드(41)의 이동에 의해, 제1 방향과 제2 방향 사이에서 미러(22a)를 작동시키는 간단하고 견고한 액추에이터(actuator)를 제공한다. 다른 액추에이터를 사용해도 된다. 로드(41)의 이동 방향을 라인(72)으로 나타낸다.
상기 설명은 로드(41)가 이동할 때에 휘어지는 제1 탄성 가요성 부분(51)의 탄성 커넥터(46a, 46b, 47a, 47v)에 대하여 설명하고 있다. 이것은 로드(41)의 이동 방향(72)이 제1 탄성 가요성 부분(51)의 탄성 커넥터(46a, 46b, 47a, 47b)의 방향과 정확하게 횡단하게 될 때에 이루어진다. 그러나, 로드(41)의 이동 방향은 이것과 다르게 될 수 있다. 제2 탄성 가요성 부분(44)의 탄성 커넥터(49a, 49b, 50a, 50b)는, 로드(41)가 이동할 때에 휘어질 것이다. 제2 탄성 가요성 부분(44)의 탄성 커넥터(49a, 49b, 50a, 50b)가 휘어지는 범위는, 제1 탄성 가요성 부분(51)의 탄성 커넥터(46a, 46b, 47a, 47b)가 휘어지는 범위보다 작을 것이다. 이 때문에, 제2 탄성 가요성 부분(44)의 탄성 커넥터(49a, 49b, 50a, 50b)는 제1 탄성 가요성 부분(51)의 탄성 커넥터(46a, 46b, 47a, 47b)보다 탄성이 약하다.
도 9와 관련해서 상기 설명한 바와 같이, 여러 개의 미러를 여러 축을 중심으로 회전시키는 것이 바람직할 수 있다. 마운팅(40)에 의해, 선택된 여러 축을 중심으로 한 회전을 달성할 수 있으며, 이에 대하여, 도 13과 관련해서 설명한다. 도 13은 마운팅(40)을 아래에서 본 것이다. 로드(41)의 최하단 단부는 슬리브(42)의 최하단 단부인 것으로 보인다. 4개의 워셔(52a-52d)가 볼트(53)에 의해 제 위치에 고정되어 있다. 바이메탈 스트립(60a) 중의 하나가 도시되어 있다(나머지 바이메탈 스트립은 도시되어 있지 않다). 로드(41)의 이동 방향은 라인(72)으로 표시되어 있으며, 미러(22a)의 대응하는 회전 축은 라인(71)으로 표시되어 있다.
개략적인 수준에서, 로드(41)의 이동 방향(72)은 제1 탄성 가요성 부분(51)의 탄성 커넥터(46, 47)의 방향에 의해 정해진다. 이것은 제1 탄성 가요성 부분(51)의 탄성 커넥터(46, 47)가 제2 탄성 가요성 부분(44)의 탄성 커넥터(49, 50)보다 탄성이 강하기 때문이다. 더 미세한 수준에서 보면, 워셔(52a-52d)의 위치 결정에 의해 이동 방향이 정해지는데, 로드(41)의 이동의 끝 지점을 워셔가 정하기 때문이다(워셔는 멈춤부로서 작용함).
로드(41)의 바람직한 이동 방향을 얻기 위해, 그리고 미러(22a)의 바람직한 회전 축을 얻기 위해, 미러(22a)를 마운팅(40)에 고정시키기 전에 마운팅(40)을 적절한 방향으로 설정한다. 마운팅(40)의 방향은 마운팅을 유지하는 기판(도시 안 됨)에 마운팅을 고정시킴으로써 고정된다. 마운팅의 방향에 의해, 개략적인 수준에서 로드(41)의 이동 방향이 결정된다. 미러(22a)가 마운팅(40)에 고정되면, 워셔(52a-52d) 중의 하나 이상의 위치를 변경함으로써, 로드의 이동 방향에 대한 미세 조정을 달성한다.
각각의 워셔(52a-52d)는 워셔 내의 개구를 통해 슬리브(42)까지 통과하는 볼트(53)를 사용하여 마운팅에 고정된다. 각각의 워셔의 개구는 워셔의 중심과 동축이 아니며, 중심으로부터 오프셋 되어 있다. 개구가 오프셋 되어 있기 때문에, 워셔(52a-52d)의 회전에 의해, 워셔의 에지가 로드(41)에 더 가깝게 또는 더 멀리 이동하게 될 것이다. 따라서, 워셔의 방향을 조정함으로써, 로드(41)의 제1 위치(70a) 또는 제2 위치(70b)를 조정할 수 있다. 즉, 워셔(52a-52d)에 의해 로드(41)의 이동 방향을 미세하게 조정할 수 있다[이 이동 방향은 제1 로드 위치(70a)와 제2 로드 위치(70b)를 연결하는 직선이 될 수 있다].
도 11로부터 알 수 있는 바와 같이, 마운팅(40)의 폭은 미러(22a)보다 넓다. 마운팅(40)은, 예를 들어 10 밀리미터(mm) 이상의 폭을 가질 수 있으며, 20mm 이하의 폭을 가질 수 있다. 마운팅은 16mm의 폭을 가질 수 있다. 이에 대하여, 미러는, 예를 들어, 10mm 이하의 폭을 가질 수 있으며, 5mm 이하의 폭을 가질 수 있다. 미러(22a)보다 폭이 넓은 마운팅(40)을 설치함으로써, 마운팅이 미러와 동일한 폭을 갖는 경우보다 견고함(robustness)이 더 크다는 장점이 있다. 게다가, 마운팅(40)은 열을 미러(22a)로부터 더 멀리 더 효과적으로 전도시킬 수 있다. 마운팅(40)은 더 높은 정도의 기계적 및 열적 안정성을 제공할 수 있다.
미러를 서로에 대해 인접하도록 위치시킬 수 있도록 하기 위해, 마운팅(40)은 미러의 아래에 넓게 펴져 있을 수 있다. 도 14는 8개의 미러(22a-22h) 및 이와 관련된 8개의 마운팅(40a-40h)을 밑에서 본 것이다. 각각의 마운팅(40a-40h)은 미러(22a-22h)를 따라 서로 다른 위치에서 관련된 미러에 연결되어 있다는 것을 알 수 있다. 각각의 로드(41)의 이동 방향은 긴 화살표로 표시되어 있으며, 각각의 미러의 회전 축은 짧은 화살표로 표시되어 있다.
도 14에는 4개의 회전 축(A-D)이 도시되어 있다. 이들 회전 축 중의 2개의 회전 축(A, B)은 미러를 횡단하여 지나가는 축(y축으로 표시)에 가까이 있다. 다른 2개의 회전 축(C, D)은 직각의 축(x축으로 표시)에 가까이 있다. 도 14 및 도 15의 데카르트 좌표를 사용하면, 도면을 설명하는 데에 도움이 되지만, 미러(22a-22h) 또는 마운팅(40a-40h)의 방향을 제한하기 위한 것은 아니다.
y축에 가까운 회전 축(A, B)을 제공하는 마운팅(40b, 40c, 40g, 40f)은 미러(22b, 22c, 22g, 22f)의 중심 가까이에 위치한다. x축에 가까운 회전 축(C, D)을 제공하는 마운팅(40a, 40d, 40e, 40h)은 미러(22a, 22d, 22e, 22h)의 중심으로부터 더 멀리 위치해 있다. 이들 위치에 마운팅(40a-40h)을 설치함으로써, 미러로부터 생기는 새도잉(shadowing)에 관한 유리한 효과를 갖는다.
도 15는 두 쌍의 미러(122a-122d)를 위에서 본 것이다. 도시를 알기 쉽도록 하기 위해, 그리고 기하학적 분석을 용이하게 하기 위해, 미러는 휘어진 것이 아닌 사각형으로 도시되어 있다. 먼저, 도 15의 좌측을 보면, 좌측 미러(122a)는 미러를 횡단하여 연장하며(y방향으로 표시) 미러의 한쪽 끝 쪽에 위치한 회전 축(E)을 중심으로 회전한다. 우측 미러(122b)는 고정되어 있다. 미러(122a)는 미러의 상부 부분이 도면의 평면 안쪽으로 이동하고 미러의 하부 부분이 도면의 평면으로부터 밖으로 이동하도록 회전될 수 있다. 방사선은 도면의 평면으로부터 연장하는 법선의 좌측(음의 y축)에 대해 10도의 각도를 이루는 방향으로부터 미러(122a, 122b)에 입사될 수 있다. 이 경우, 좌측 미러(122a)에 의해 우측 미러(122b) 상에 음영(shadow)(123)이 생긴다. 이 음영은 리소그래피 장치의 패터닝 디바이스에 형성되는 노광 영역의 균일성을 감소시킬 수 있기 때문에 바람직하지 않다.
도 15의 우측 편을 보면, 회전 축(F)이 미러(122c)를 가로질러 연장되어 있으며, 미러의 중심에 위치해 있다. 미러(122c)의 회전에 의해 우측 미러(122d) 상에 훨씬 더 작은 음영(124)이 생긴다.
도 15의 좌측 편에 나타낸 미러는 사각형이며, 여러 치수를 표시하고 있다. 음영의 폭(Ws)을 판정하기 위해 기하학이 사용될 수 있다.
Figure 112011104365678-pct00001
상기 식에서 파이(φ)는 미러의 회전 각이며, L은 미러의 길이이고, R은 회전 축과 미러 중심 간의 거리이며, 세타(θ)는 법선에 대한 입사 방사선의 각도(이 방사선은 음의 y방향으로부터 나옴)이며, D는 미러들 간의 간격이다.
음영의 길이(Ls)를 판정하기 위해 기하학이 사용될 수 있다.
Figure 112011104365678-pct00002
음영의 영역(As)은 식 1과 식 2를 조합하여 판정해질 수 있다.
Figure 112011104365678-pct00003
R=L/2이고 D=0인 경우에 최대 크기의 음영 영역이 이루어지며, 식 3의 우변에 식이 산출된다.
도 15의 우측 편의 음영 영역(124)은 R=0인 경우에 생기며, 식 3으로부터 다음과 같이 직접 구할 수 있다.
Figure 112011104365678-pct00004
상기 식들은 미러들 간의 거리 D가 작은 경우에, 미러의 중심부터 끝까지 회전 축을 이동시킴으로써 음영 영역의 크기가 4배 증가하는 것을 나타낸다.
미러의 음영이 생기는 범위를 최소로 하기 위해, 미러를 횡단하도록 가까이 있는 축을 중심으로 회전하는 미러를 미러의 중심 부근에 위치한 마운팅 상에 유지되도록 한다. 미러를 횡단하도록 더 가까운 축을 중심으로 회전하는 미러는 미러의 중심으로부터 더 멀리 위치한 마운팅 상에 유지된다. 이러한 구성의 예를 도 14에 나타낸다.
상기 설명한 실시예는 16개의 1차 반사 요소 또는 48개의 1차 반사 요소를 갖는 것으로 설명했지만, 1차 반사 요소의 수는 임의의 적절한 개수로 할 수 있다. 마찬가지로, 2차 반사 요소의 개수도 임의의 적절한 개수로 할 수 있다. 2차 반사 요소의 수를 1차 반사 요소의 수의 2배로 할 수 있다.
이상의 설명은 반사성의 조명 시스템(예를 들어, EUV 리소그래피 장치의 일부를 포함)에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 실시예는 반사성 요소를 포함하는 조명 시스템 내에 제공될 수 있다. 본 발명의 실시예는, 예를 들어 DUV 리소그래피 장치에 제공될 수도 있다. 반사형 광학 컴포넌트의 대신에 또는 이에 추가로, 조명 시스템의 동공 면에 굴절형의 광학 컴포넌트를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 대하여 리소그래피 장치의 조명 시스템을 예로 들어 설명했지만, 본 발명의 실시예는 리소그래피 장치의 임의의 적절한 위치에 제공될 수 있다.
반사 요소의 어레이를 리소그래피 장치와 관련해서 설명했지만, 다른 장치에 제공될 수도 있다.
본 발명의 특정의 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 것 외의 다른 방식으로도 실시될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 이러한 설명은 본 발명을 제한하는 것이 아니다.
본 발명의 특징은 본 발명의 모든 관점에 적용될 수 있으며 임의의 조합에 사용될 수 있다.

Claims (13)

  1. 반사 요소(reflective element)의 어레이에 있어서,
    상기 반사 요소 중의 하나 이상의 요소는 마운팅(mounting) 상에 설치되며, 상기 마운팅은 슬리브(sleeve) 내에 적어도 부분적으로 위치한 로드(rod) 및 액추에이터를 포함하고,
    상기 로드의 제1 단부(end)는 상기 슬리브의 제1 단부에 고정되고, 상기 로드의 제2 단부는 이동가능하게 되어 있으며,
    상기 슬리브는 상기 로드의 제2 단부가 이동가능할 수 있도록 하기 위해 휘어지도록 구성된 제1 탄성 가요성 부분(resiliently flexible portion)을 포함하며,
    상기 반사 요소는 상기 슬리브의 제1 단부에 설치되어, 상기 슬리브가 휘어지는 것에 의해 상기 반사 요소가 회전되도록 되어 있으며,
    상기 액추에이터는 상기 로드를 직접 밀어서 상기 로드의 제2 단부의 이동과 상기 반사 요소의 회전을 일으키도록 구성되는, 반사 요소의 어레이.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 슬리브는 상기 로드가 이동할 수 있도록 하기 위해 휘어지도록 구성된 제2 탄성 가요성 부분을 포함하는, 반사 요소의 어레이.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 탄성 가요성 부분은 제1 방향으로 휘어지도록 구성되어 있고, 상기 제2 탄성 가요성 부분은 제2 방향으로 휘어지도록 구성되어 있으며, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 서로에 대해 실질적으로 가로지르도록 되어 있는, 반사 요소의 어레이.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 탄성 가요성 부분은 양쪽의 단부가 탄성 커넥터(resilient connector)에 의해 상기 슬리브의 다른 부분에 연결되는 둘 이상의 강성의 부분(rigid portion)을 포함하는, 반사 요소의 어레이.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 탄성 가요성 부분은 양쪽의 단부가 탄성 커넥터에 의해 상기 슬리브의 다른 부분에 연결되는 네 개 이상의 강성의 부분을 포함하는, 반사 요소의 어레이.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 탄성 커넥터 중의 하나 이상의 커넥터는 휘어지는 것이 가능하도록 충분히 얇은, 상기 슬리브의 직선형으로 연장하는 부분을 포함하는, 반사 요소의 어레이.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 강성의 부분 중의 하나 이상의 부분은 상기 슬리브의 중심 축에 대해 각도를 이루도록 방향이 설정된, 반사 요소의 어레이.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 슬리브는 전체적으로 원통형(cylindrical)인 것인, 반사 요소의 어레이.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마운팅에는 상기 로드의 이동 방향을 조절하도록 구성된 조절가능한 멈춤부(adjustable end stop)가 제공된, 반사 요소의 어레이.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 멈춤부는 상기 로드의 이동을 제한함으로써 상기 반사 요소의 제1 방향 및 제2 방향을 결정하는, 반사 요소의 어레이.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마운팅의 폭은 상기 마운팅 상에 설치된 반사 요소의 폭보다 큰 것인, 반사 요소의 어레이.
  12. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사 요소는 마운팅 상에 설치되는데, 제1 마운팅은 제1 반사 요소가 제1 축을 중심으로 회전이 가능하도록 배치되고, 제2 마운팅은 제2 반사 요소가 제2 축을 중심으로 회전이 가능하도록 배치되며,
    상기 제1 축은 상기 제2 축보다 상기 반사 요소를 가로질러 지나는 축에 더 가깝게 있으며, 상기 제1 마운팅으로부터 상기 제1 반사 요소의 중심까지의 거리는 상기 제2 마운팅으로부터 상기 제2 반사 요소의 중심까지의 거리보다 더 큰 값을 갖는, 반사 요소의 어레이.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 반사 요소의 어레이를 포함하는, 리소그래피 장치.
KR1020117031287A 2009-06-30 2010-06-08 반사성 요소의 어레이의 회전을 위한 마운팅 및 이를 포함하는 리소그래피 장치 KR101658494B1 (ko)

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