JP2013541212A - 化合物半導体ウエハーのクリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、化合物半導体ウエハーのクリーニング方法に係り、特にガリウムヒ素のような第III‐V族化合物半導体ウエハーのクリーニング方法に係る。
[背景技術]
ヒ化ガリウム(ガリウムヒ素)に代表される第III−V族化合物(即ち、第III族および第V族元素からなる化合物)半導体材料は、固有の電子特性を有するために衛星通信、マイクロ波装置、レーザー装置および発光ダイオードなどの分野において広く使用されている。異種接合双極トランジスタ(HBT)、高電子移動度トランジスタ(HEMT)およびLEDのような装置の製造においては、分子線エピタキシ(MBE)技術または有機金属気相成長(MOCVD)装置の技術により基板表面上に量子井戸構造を成長させるために高品質な表面を持った基板が必要とされている。半導体装置の製造技術の進歩とともに、装置の大きさは益々小さくなり続け、使用に際しては益々効率的になってきている。即ち、装置は信頼性と安定性の見地から一層半導体基板の品質、特にウエハー表面品質に依存するようになってきている。
[発明の内容]
本発明は第III−V族化合物半導体ウエハーのクリーニング方法を提供することを目的とするものであり、その方法は以下のステップを含む。
2.ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ、
3.ウエハーを、オキシダントを用いて処理するステップ、
4.ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ、
5.ウエハーを、希釈酸溶液または希釈アルカリ溶液を用いて処理するステップ、
6.ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ、および
7.得られたウエハーを乾燥するステップ。
[具体的実施方式]
本発明は第III−V族化合物半導体ウエハーのクリーニング方法を提供するものであり、その方法は以下のステップを含む。
2.ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ、
3.ウエハーを、オキシダントを用いて処理するステップ、
4.ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ、
5.ウエハーを、希釈酸溶液または希釈アルカリ溶液を用いて処理するステップ;
6.ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ、および
7.得られたウエハーを乾燥するステップ。
1.ウエハーを、希釈アンモニア、過酸化水素および水の混合物を用いて、20℃より高くない温度において処理するステップ、
2.ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ、
3.ウエハーを、オキシダントを用いて、30℃より高くない温度で処理するステップ;
4.ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ、
5.ウエハーを、希釈酸溶液または希釈アルカリ溶液を用いて、30℃より高くない温度で処理する工ステップ、
6.ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ、および、
7.得られたウエハーを乾燥するステップ。
本発明の方法による第1ステップ(ウエハーを、希釈アンモニア、過酸化水素、および水の混合物を用いて20℃を超えない温度で処理するステップ)では、処理を、20℃を超えない温度、好ましくは15度を超えない温度、より好ましくは5度乃至15度の温度で行う。処理は通常2乃至25分、好ましくは3乃至20分、より好ましくは、5乃至18分続けて行われる。前記の希釈アンモニア、過酸化水素、および水の混合物においては、アンモニアと過酸化水素は(重量%で)それぞれ、0.2乃至10.0%および0.2乃至3.0%、好ましくは0.2乃至5.0%および0.2乃至2.5%、より好ましくは0.25乃至3.5%および0.25乃至2.0%とする。本発明ではアンモニアと過酸化水素の濃度を選択することによって、ウエハーの腐食速度を有利に減速させることができる。その上さらに低温を採用することで溶液によるウエハーの腐食をさらに減少させることができ、それによってウエハー表面の微小強靭性が改善される。さらに、処理手順においては選択的にメガソニック波を用いることができ、それによって異物の除去について改善することができ、従ってウエハーの表面を均一かつ清浄にすることができる。このステップにおいて、メガソニック波は480乃至1000KHz、好ましくは600乃至850KHzの波長を持つ。採用されたメガソニック波はウエハーの片面の面積を基準にして0.001乃至0.003W/mm2、好ましくは0.0012乃至0.0022W/mm2のエネルギー密度を持つ。メガソニック波を用いて処理する時間は、ウエハーを希釈アンモニア、過酸化水素および水の混合物を用いて処理する時間に等しくするか、長くまたは短くすることができる。例えば、ウエハーを希釈アンモニア、過酸化水素および水の混合物を用いて処理している間にメガソニック波を断続的に与えることができる。
本発明に係る方法は、第III−V族化合物半導体ウエハー、とりわけガリウムヒ素半導体ウエハーのクリーニングに特に好適である。
[実施例]
実験機器:メガソニック・ジェネレータ(PCT社製、米国、9400型)
ウエット・クリーニング・スタンド(エッチング・タンクおよび急速方法ですすぎ水を放出することができるすすぎタンクを含む)
回転式ウエハー乾燥機(セミツール社製、米国、101型SRD)
水質テスト方法:
ヤマダ・ブライトライト(光度は100,000ルクスよりも大きい);
ウエハー表面分析器(ケーエルエー・テンコール社製、米国、6220型);および
原子間力顕微鏡(AFM)(デジタル・インスメント社製、米国、ナノスコープIIIa型)(垂直分解能0.03nmおよび分析領域5μmx5μm)
被洗浄ウエハー:150.04mm(6インチ)のガリウムヒ素ウエハー、厚さ650μm、粗く研磨され且つ細かく研磨されたもの。
TENCOR6220による検査で、0.3μmより大きい粒子の数は1000個より多く、曇り価度は13ppmであることが確認された。
実施例1
ウエハーは、0.3%のNH3および1.3%のH2O2を含む、メガソニック波が与えられた水溶液中に10℃で5分間浸され、全工程の間、メガソニック波(周波数780KHzでエネルギー密度は0.00125W/mm2)が適用された。
乾燥されたウエハーの表面は、ブライトライト、TENCOR6220および原子間力顕微鏡を使って検査された。
TENCOR6220による検査で、粒子のうちの38個は0.3μmより大きく、曇り価度は0.3ppmであることが確認された。
実施例2
ウエハーは、0.5%のNH3および0.3%のH2O2を含む水溶液中に20℃で10分間浸された。
次にウエハーはすすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ω・cmの純水を用いて20℃で5分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。
次にウエハーはすすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ω・cmの純水を用いて20℃で3分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。
乾燥されたウエハーの表面は、ブライトライト、TENCOR6220および原子間力顕微鏡を使って検査された。
TENCOR6220による検査で、粒子のうちの106個は0.3μmより大きく、曇り価度は3.1ppmであることが確認された。
実施例3
ウエハーは、3.5%のNH3および2.0%のH2O2を含むメガソニック波が与えられた水溶液中に15℃で5分間浸され、全工程の間、メガソニック波(周波数700KHzでエネルギー密度は0.0014W/mm2)が適用された。
乾燥されたウエハーの表面は、ブライトライト、TENCOR6220および原子間力顕微鏡を使って検査された。
TENCOR6220による検査で、粒子のうちの51個は0.3μmより大きく、曇り価度は3.49ppmであることが確認された。
実施例4
ウエハーは、0.4%のNH3および0.8%のH2O2を含むメガソニック波が与えられた水溶液中に8℃で10分間浸され、全工程の間、メガソニック波(周波数680KHzでエネルギー密度は0.0015W/mm2)が適用された。
乾燥されたウエハーの表面は、ブライトライト、TENCOR6220および原子間力顕微鏡を使って検査された。
TENCOR6220による検査で、粒子のうちの46個は0.3μmより大きく、曇り価度は0.31ppmであることが確認された。
実施例5
ウエハーは、0.5%のNH3および0.5%のH2O2を含むメガソニック波が与えられた水溶液中に10℃で15分間浸され、全工程の間、メガソニック波(周波数800KHzでエネルギー密度は0.0014W/mm2)が適用された。
次にウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ω・cmの純水を用いて15℃で3分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。
乾燥されたウエハーの表面は、ブライトライト、TENCOR6220および原子間力顕微鏡を使って検査された。
TENCOR6220による検査で、粒子のうちの45個は0.3μmより大きく、曇り価度は0.27ppmであることが確認された。
Claims (10)
- 第III−V族化合物半導体ウエハーのクリーニング方法であって、
1)ウエハーを、希釈アンモニア、過酸化水素および水の混合物を用いて、20℃より高くない温度において処理するステップ;
2)ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ;
3)ウエハーを、オキシダントを用いて処理するステップ;
4)ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ;
5)ウエハーを、希釈酸溶液または希釈アルカリ溶液を用いて処理するステップ;
6)ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ;および
7)得られたウエハーを乾燥するステップ
を含む、クリーニング方法。 - ステップ1)は、15℃より高くない温度、好ましくは5℃乃至15℃で実施される請求項1に記載のクリーニング方法。
- ステップ1)の処理に要する時間は、2乃至25分間、好ましくは3乃至20分間、より好ましくは5乃至18分間である請求項1又は2に記載のクリーニング方法。
- 前記希釈アンモニア、過酸化水素および水の混合物は、前記アンモニアと過酸化水素が、(重量%で)それぞれ0.2乃至10.0%および0.2乃至3.0%、好ましくはそれぞれ0.2乃至5.0%および0.2乃至2.5%の量を含む請求項1又は2に記載のクリーニング方法。
- ステップ3)で使用される前記オキシダントは、過酸化水素、有機過酸化物または水含有オゾンである請求項1又は2に記載のクリーニング方法。
- ステップ3)の処理に要する時間は、1乃至45分間、好ましくは3乃至30分間、より好ましくは5乃至15分間である請求項1又は2に記載のクリーニング方法。
- ステップ5)における前記希釈酸溶液または希釈アルカリ溶液は、塩酸、フッ化水素酸または硝酸の希釈溶液、またはアンモニア、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムの希釈溶液である請求項1又は2に記載のクリーニング方法。
- ステップ1)乃至ステップ6)の全部または一部がメガソニック波の助けを借りて実施される請求項1または2に記載のクリーニング方法。
- 第III−V族化合物はヒ化ガリウムである請求項1又は2に記載のクリーニング方法。
- ステップ1)において、表面活性剤、HFおよびキレート化剤からなる群から選ばれた添加剤を前記混合物中に添加する請求項1又は2に記載のクリーニング方法。
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