CN110453288A - 一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及晶体应力处理技术领域，尤其是一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，第一步，配置腐蚀溶液：将硫酸、硝酸、盐酸和水按照200:200:3:1000质量比配置，并加热到80‑100摄氏度；第二步，化学腐蚀，将晶体置入所述第一步配置的腐蚀溶液内，时间控制在1‑40小时；第三步，两道清水清洗：用清水洗去晶体表面的腐蚀溶液；第四步，去离子水清洗：将晶体在去离子水内浸泡3‑5分钟，清洗1‑2分钟；第五步，消光比测试仪测试：将所述第四步清洗后的晶体通过消光比测试仪进行测试。本发明通过市场上常见的三酸，通过优化配比形成腐蚀溶液，将晶体材料放置到配置好的腐蚀溶液内腐蚀即可完成对晶体的消除应力操作，本工艺操作简单，化学原料易于取得，适合大晶体制造企业内广泛推广使用。
Description
技术领域
本发明涉及晶体应力处理技术领域，尤其是一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺。
背景技术
应力的定于为：物体由于外因（受力、湿度、温度场变化等）而变形时，在物体内各部分之间产生相互作用的内力，以抵抗这种外因的作用，并试图使物体从变形后的位置恢复到变形前的位置。在晶体切割生产中也会晶体材质产生应力，不符合顾客要求应力参数的晶体就需要进行应力消除，现有技术中，如吕菲等( 吕菲，赵权，于妍等，VB-GaAs 晶片翘曲度的控制方法，工艺技术与材料，2008，11 ：1000) 通过比较不同体积配比的碱性腐蚀液，选用了40％左右的碱性腐蚀液，温度控制在80℃以上，同时控制腐蚀时间和操作过程中的温度变化，有效降低了晶体研磨片的翘曲度，提高了加工的综合成品率，但该方法效率较慢，不适合晶体材料的消应力的大批量生产。
发明内容
本发明的目的就是克服现有技术的不足，而提供一种高效率的适合大批量晶体取应力生产的化学腐蚀工艺。
为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案 ：
一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，所述化学腐蚀工艺，
第一步，配置腐蚀溶液：将硫酸、硝酸、盐酸和水按照200:200:3:1000质量比配置，并将配置好的腐蚀溶液加热到80-100摄氏度；
第二步，化学腐蚀，将晶体置入所述第一步配置的腐蚀溶液内，时间控制在1-40小时；
第三步，两道清水清洗：用清水洗去晶体表面的腐蚀溶液；
第四步，去离子水清洗：将晶体在去离子水内浸泡3-5分钟，然后使用流动的去离子水清洗1-2分钟；
第五步，消光比测试仪测试：将所述第四步清洗后的晶体通过消光比测试仪进行测试，消光比＞35dB则合格，如消光比≤35dB则返回到所述第二步继续化学腐蚀直到消光比测试合格。
为进一步优化本工艺，所述的第四步所使用的去离子水的PH值为6.5-7.5，电导率为1.0-2.0。
与已有技术相比，本发明的有益效果如下：
本发明一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，通过市场上常见的三酸，通过优化配比形成腐蚀溶液，将晶体材料放置到配置好的腐蚀溶液内腐蚀即可完成对晶体的消除应力操作，本工艺操作简单，化学原料易于取得，适合在晶体制造企业内广泛推广使用。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步的说明：
实施例1：
一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，所述化学腐蚀工艺，
第一步，配置腐蚀溶液：将硫酸、硝酸、盐酸和水按照200:200:3:1000质量比配置，并将配置好的腐蚀溶液加热到80摄氏度；
第二步，化学腐蚀，将5块晶体置入所述第一步配置的腐蚀溶液内，腐蚀时间为设定为1小时；
第三步，两道清水清洗：将所述第二步化学腐蚀1小时的5块晶体拿出并用清水洗去晶体表面的腐蚀溶液；
第四步，去离子水清洗：将上步5块晶体在去离子水内浸泡3分钟，然后使用流动的去离子水清洗1分钟；去离子水的PH值为6.5，电导率为1.0。
第五步，将所述第四步清洗后的5块晶体通过消光比测试仪进行测试
测试结果如下：
通过对按照上述工艺制备的晶体，经过消光比测试仪测试，消光比均＞35dB，合格。
实施例2：
一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，所述化学腐蚀工艺，
第一步，配置腐蚀溶液：将硫酸、硝酸、盐酸和水按照200:200:3:1000质量比配置，并将配置好的腐蚀溶液加热到90摄氏度；
第二步，化学腐蚀，将10块晶体置入所述第一步配置的腐蚀溶液内，腐蚀时间为设定为20小时；
第三步，两道清水清洗：将所述第二步化学腐蚀20小时的10块晶体拿出并用清水洗去晶体表面的腐蚀溶液；
第四步，去离子水清洗：将上步10块晶体在去离子水内浸泡4分钟，然后使用流动的去离子水清洗1.5分钟；去离子水的PH值为6.8，电导率为1.5。
第五步，将所述第四步清洗后的10块晶体通过消光比测试仪进行测试
测试结果如下：
通过对按照上述工艺制备的晶体，经过消光比测试仪测试，消光比均＞35dB，合格。
实施例3：
一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，所述化学腐蚀工艺，
第一步，配置腐蚀溶液：将硫酸、硝酸、盐酸和水按照200:200:3:1000质量比配置，并将配置好的腐蚀溶液加热到100摄氏度；
第二步，化学腐蚀，将15块晶体置入所述第一步配置的腐蚀溶液内，腐蚀时间为设定为40小时；
第三步，两道清水清洗：将所述第二步化学腐蚀40小时的15块晶体拿出并用清水洗去晶体表面的腐蚀溶液；
第四步，去离子水清洗：将上步15块晶体在去离子水内浸泡5分钟，然后使用流动的去离子水清洗2分钟；去离子水的PH值为7.5，电导率为2.0。
第五步，将所述第四步清洗后的15块晶体通过消光比测试仪进行测试
测试结果如下：
通过对按照上述工艺制备的晶体，经过消光比测试仪测试，消光比均＞35dB，合格。
本发明一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，通过市场上常见的三酸，通过优化配比形成腐蚀溶液，将晶体材料放置到配置好的腐蚀溶液内腐蚀即可完成对晶体的消除应力操作，本工艺操作简单，化学原料易于取得，适合大晶体制造企业内广泛推广使用。
以上所述，仅是对本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明做其他形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是，凡是未脱离本发明方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，其特征在于：所述化学腐蚀工艺，
第一步，配置腐蚀溶液：将硫酸、硝酸、盐酸和水按照200:200:3:1000质量比配置，并将配置好的腐蚀溶液加热到80-100摄氏度；
第二步，化学腐蚀，将晶体置入所述第一步配置的腐蚀溶液内，时间控制在1-40小时；
第三步，两道清水清洗：用清水洗去晶体表面的腐蚀溶液；
第四步，去离子水清洗：将晶体在去离子水内浸泡3-5分钟，然后使用流动的去离子水清洗1-2分钟；
第五步，消光比测试仪测试：将所述第四步清洗后的晶体通过消光比测试仪进行测试，消光比＞35dB则合格，如消光比≤35dB则返回到所述第二步继续化学腐蚀直到消光比测试合格。
2.根据权利要求1所述的一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，其特征在于：所述的第四步所使用的去离子水的PH值为6.5-7.5，电导率为1.0-2.0。
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| CN201810433760.XA CN110453288A (zh) | 2018-05-08 | 2018-05-08 | 一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺 |
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN86107119A (zh) * | 1985-10-23 | 1987-04-29 | 三菱金属株式会社 | 晶片的生产方法 |
| US20130276824A1 (en) * | 2010-10-15 | 2013-10-24 | Beijing Tongmei Xtal Technology Co., Ltd. | Process for cleaning a compound semiconductor wafer |
| CN104253033A (zh) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 半导体晶圆背面工艺和功率器件的形成方法 |
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2018
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