JPH05291231A - 化合物半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
化合物半導体ウェーハの製造方法Info
- Publication number
- JPH05291231A JPH05291231A JP11403992A JP11403992A JPH05291231A JP H05291231 A JPH05291231 A JP H05291231A JP 11403992 A JP11403992 A JP 11403992A JP 11403992 A JP11403992 A JP 11403992A JP H05291231 A JPH05291231 A JP H05291231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- water
- washed
- semiconductor wafer
- polished
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＧａＡｓウェーハを鏡面研磨し、洗浄、水洗
した後すぐに、不活性ガスの吹付けまたは遠心力を利用
した脱水あるいは不活性ガスを吹付けながらウェーハを
回転させることによって表面の水分を除去するようにし
た。 【効果】 ＧａＡｓウェーハは洗浄後に表面の水分が速
やかに飛ばされるため、表面の付着水に二酸化炭素が吸
収されて炭酸に変化するのを防止することができ、ウェ
ーハ表面の付着水とウェーハとが反応して表面にＧａ2
Ｏ3、Ａｓ2Ｏ3やＡｓ2Ｏ5等の酸化物が生成されるのを
回避し、ウェーハ表面が、Ａｓが欠乏し、Ｇａ2Ｏ3、及
びＡｓ2Ｏ5が多い状態になるのを防止して製造されるデ
バイスの特性のバラツキを抑えかつ特性の向上を図るこ
とができる。
した後すぐに、不活性ガスの吹付けまたは遠心力を利用
した脱水あるいは不活性ガスを吹付けながらウェーハを
回転させることによって表面の水分を除去するようにし
た。 【効果】 ＧａＡｓウェーハは洗浄後に表面の水分が速
やかに飛ばされるため、表面の付着水に二酸化炭素が吸
収されて炭酸に変化するのを防止することができ、ウェ
ーハ表面の付着水とウェーハとが反応して表面にＧａ2
Ｏ3、Ａｓ2Ｏ3やＡｓ2Ｏ5等の酸化物が生成されるのを
回避し、ウェーハ表面が、Ａｓが欠乏し、Ｇａ2Ｏ3、及
びＡｓ2Ｏ5が多い状態になるのを防止して製造されるデ
バイスの特性のバラツキを抑えかつ特性の向上を図るこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの製造
方法に関し、特に鏡面加工後のＧａＡｓウェーハの乾燥
方法に関する。
方法に関し、特に鏡面加工後のＧａＡｓウェーハの乾燥
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ化合物半導体は、発光素子、超
高速演算素子あるいはマイクロ波素子用の材料として近
年脚光をあびている。こうしたデバイスや素子の基板と
して用いられるＧａＡｓウェーハは、ＧａＡｓ単結晶イ
ンゴットを薄板状に切断し、それをラッピングその他に
よる鏡面研磨後、洗浄、乾燥工程を経由して電子デバイ
スや光素子用のウェーハとして提供される。このように
して鏡面研磨されたＧａＡｓウェーハは、用途に応じて
その表面にエピタキシャル層が成長されることもある。
そのため、こうしたウェーハの表面には、付着物や酸化
物のない極めて高度な清浄度が要求される。
高速演算素子あるいはマイクロ波素子用の材料として近
年脚光をあびている。こうしたデバイスや素子の基板と
して用いられるＧａＡｓウェーハは、ＧａＡｓ単結晶イ
ンゴットを薄板状に切断し、それをラッピングその他に
よる鏡面研磨後、洗浄、乾燥工程を経由して電子デバイ
スや光素子用のウェーハとして提供される。このように
して鏡面研磨されたＧａＡｓウェーハは、用途に応じて
その表面にエピタキシャル層が成長されることもある。
そのため、こうしたウェーハの表面には、付着物や酸化
物のない極めて高度な清浄度が要求される。
【０００３】そこで、従来、鏡面研磨後のＧａＡｓウェ
ーハを、リン酸−過酸化水素−水、あるいはフッ化水素
酸−過酸化水素酸−水の混合液により洗浄することによ
り清浄な表面が得る方法が提案されている（特開昭６２
−２５２１４０）。さらに、一般にはエッチング液によ
る処理後に超純水による洗浄、乾燥が行なわれており、
乾燥方法としてはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を
用いた蒸気乾燥法が多用されている。このＩＰＡ蒸気乾
燥法は、水洗後のウェーハをＩＰＡ蒸気に晒すことによ
りウェーハの表面に付着している水分をＩＰＡで置換除
去するもので、ウェーハの大量処理には好適な方法であ
る。
ーハを、リン酸−過酸化水素−水、あるいはフッ化水素
酸−過酸化水素酸−水の混合液により洗浄することによ
り清浄な表面が得る方法が提案されている（特開昭６２
−２５２１４０）。さらに、一般にはエッチング液によ
る処理後に超純水による洗浄、乾燥が行なわれており、
乾燥方法としてはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を
用いた蒸気乾燥法が多用されている。このＩＰＡ蒸気乾
燥法は、水洗後のウェーハをＩＰＡ蒸気に晒すことによ
りウェーハの表面に付着している水分をＩＰＡで置換除
去するもので、ウェーハの大量処理には好適な方法であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＩＰＡ蒸気
により乾燥されたＧａＡｓウェーハを用いてその表面に
イオン注入を行なってシート抵抗を測定したり、ＦＥＴ
等のデバイスを作成してそのピンチオフ電圧等の素子の
特性を評価したところバッチ内及びバッチ間のバラツキ
が大きいことが分かった。本発明は上記のような問題点
を解決すべくなされたもので、その目的とするところ
は、製造されるデバイスの特性のバラツキが小さくかつ
特性の向上を図ることが可能なウェーハの製造方法を提
供することにある。
により乾燥されたＧａＡｓウェーハを用いてその表面に
イオン注入を行なってシート抵抗を測定したり、ＦＥＴ
等のデバイスを作成してそのピンチオフ電圧等の素子の
特性を評価したところバッチ内及びバッチ間のバラツキ
が大きいことが分かった。本発明は上記のような問題点
を解決すべくなされたもので、その目的とするところ
は、製造されるデバイスの特性のバラツキが小さくかつ
特性の向上を図ることが可能なウェーハの製造方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等はＩＰＡ蒸気
乾燥されたＧａＡｓウェーハを用いて作成されたデバイ
スの特性のバラツキが大きくなる原因について詳細に考
察した結果、ＩＰＡ蒸気乾燥に問題があるとの結論に達
した。すなわち、水洗後のウェーハをＩＰＡ蒸気乾燥室
へ搬送する過程は勿論ＩＰＡ蒸気に晒している過程にお
いてもウェーハの表面には僅かに水が付着しており、こ
の付着水に空気中の二酸化炭素が吸収されて炭酸が生成
され、表面の付着水の乾燥に伴って炭酸の濃度が高くな
ってウェーハのＧａＡｓと反応してＧａ2Ｏ3，Ａｓ
2Ｏ3，Ａｓ2Ｏ5等の酸化物が生成されてしまう。しか
も、上記乾燥工程ではウェーハ表面の水が一様に乾燥す
るのではなく、表面のあちこちに斑点のように残りそれ
らがしだいに小さくなって消滅するという経過を経て乾
燥状態に至るため、局所的に酸化物が多くなる。そし
て、これらの酸化物のうち特にＡｓ2Ｏ3は極めて昇華性
が高い（昇華温度＝８０℃）ため、ＩＰＡ蒸気雰囲気
（８２．５℃以上）において容易に昇華してウェーハ表
面から揮発してしまうのである。
乾燥されたＧａＡｓウェーハを用いて作成されたデバイ
スの特性のバラツキが大きくなる原因について詳細に考
察した結果、ＩＰＡ蒸気乾燥に問題があるとの結論に達
した。すなわち、水洗後のウェーハをＩＰＡ蒸気乾燥室
へ搬送する過程は勿論ＩＰＡ蒸気に晒している過程にお
いてもウェーハの表面には僅かに水が付着しており、こ
の付着水に空気中の二酸化炭素が吸収されて炭酸が生成
され、表面の付着水の乾燥に伴って炭酸の濃度が高くな
ってウェーハのＧａＡｓと反応してＧａ2Ｏ3，Ａｓ
2Ｏ3，Ａｓ2Ｏ5等の酸化物が生成されてしまう。しか
も、上記乾燥工程ではウェーハ表面の水が一様に乾燥す
るのではなく、表面のあちこちに斑点のように残りそれ
らがしだいに小さくなって消滅するという経過を経て乾
燥状態に至るため、局所的に酸化物が多くなる。そし
て、これらの酸化物のうち特にＡｓ2Ｏ3は極めて昇華性
が高い（昇華温度＝８０℃）ため、ＩＰＡ蒸気雰囲気
（８２．５℃以上）において容易に昇華してウェーハ表
面から揮発してしまうのである。
【０００６】このようにＡｓ2Ｏ3の生成と昇華が同時に
進行したウェーハ表面は、生成したＡｓ2Ｏ3が揮発した
ことによりＡｓの欠乏した状態となる。本発明者等がＩ
ＰＡ蒸気乾燥したウェーハをＸＰＳ法（Ｘ線光電子分光
法）により分析したところ、Ｇａ2Ｏ3やＡｓ2Ｏ5の多い
表面状態になっていることが分かった。そして、このよ
うな酸化物が多くＧａの過剰な表面状態のウェーハはデ
バイス作成直前にエッチングを行なってもなかなかＧ
ａ：Ａｓの比が１：１とならないとともに、エッチング
によってウェーハ表面に凹凸が発生したり平坦度が劣化
してデバイスの特性のバラツキや低下の原因となってい
ることを見出した。
進行したウェーハ表面は、生成したＡｓ2Ｏ3が揮発した
ことによりＡｓの欠乏した状態となる。本発明者等がＩ
ＰＡ蒸気乾燥したウェーハをＸＰＳ法（Ｘ線光電子分光
法）により分析したところ、Ｇａ2Ｏ3やＡｓ2Ｏ5の多い
表面状態になっていることが分かった。そして、このよ
うな酸化物が多くＧａの過剰な表面状態のウェーハはデ
バイス作成直前にエッチングを行なってもなかなかＧ
ａ：Ａｓの比が１：１とならないとともに、エッチング
によってウェーハ表面に凹凸が発生したり平坦度が劣化
してデバイスの特性のバラツキや低下の原因となってい
ることを見出した。
【０００７】本発明は上記のような知見に基づいてなさ
れたもので、ＧａＡｓウェーハを鏡面研磨し、洗浄、水
洗した後すぐに、不活性ガスの吹付けまたは遠心力を利
用した脱水あるいは不活性ガスを吹付けながらウェーハ
を回転させることによって表面の水分を除去する方法を
提案するものである。なお、水洗した後、１０秒以内好
ましくは５秒以内にウェーハ表面の水分を除去させる。
れたもので、ＧａＡｓウェーハを鏡面研磨し、洗浄、水
洗した後すぐに、不活性ガスの吹付けまたは遠心力を利
用した脱水あるいは不活性ガスを吹付けながらウェーハ
を回転させることによって表面の水分を除去する方法を
提案するものである。なお、水洗した後、１０秒以内好
ましくは５秒以内にウェーハ表面の水分を除去させる。
【０００８】
【作用】上記した手段によれば、ＧａＡｓウェーハは洗
浄後に表面の水分が速やかに飛ばされるため、表面の付
着水に二酸化炭素が吸収された炭酸に変化するのを防止
することができ、ウェーハ表面の付着水とウェーハとが
反応して表面にＧａ2Ｏ3、Ａｓ2Ｏ3やＡｓ2Ｏ5等の酸化
物が生成されるのを回避することができる。その結果、
このウェーハを用いて清楚背牛他デバイスの特性のバラ
ツキを小さくすることができる。
浄後に表面の水分が速やかに飛ばされるため、表面の付
着水に二酸化炭素が吸収された炭酸に変化するのを防止
することができ、ウェーハ表面の付着水とウェーハとが
反応して表面にＧａ2Ｏ3、Ａｓ2Ｏ3やＡｓ2Ｏ5等の酸化
物が生成されるのを回避することができる。その結果、
このウェーハを用いて清楚背牛他デバイスの特性のバラ
ツキを小さくすることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を用いて説明
する。先ず、液体封止チョクラルスキー法により引き上
げた直径４インチのノンドープＧａＡｓ単結晶を、厚さ
１ｍｍで面方位が（１００）のウェーハに切り出し、ラ
ッピング、ポリシングで表面研磨を行なって、トリクレ
ン、アセトン、メタノールにより有機洗浄した後、水洗
を行なってから乾燥させた（ステップＳ１〜Ｓ４）。
する。先ず、液体封止チョクラルスキー法により引き上
げた直径４インチのノンドープＧａＡｓ単結晶を、厚さ
１ｍｍで面方位が（１００）のウェーハに切り出し、ラ
ッピング、ポリシングで表面研磨を行なって、トリクレ
ン、アセトン、メタノールにより有機洗浄した後、水洗
を行なってから乾燥させた（ステップＳ１〜Ｓ４）。
【００１０】上記乾燥処理（ステップＳ４）は、水洗後
直ちに上記ウェーハに窒素ガスを吹き付けかつウェーハ
をマガジンに入れたまま遠心脱水機で回転させて付着水
を除去させることによって行なった。比較のため、上記
処理（ステップＳ１〜Ｓ３）後のウェーハを、従来のＩ
ＰＡ蒸気乾燥法で乾燥させた。これらのウェーハの表面
を、ＸＰＳ法（Ｘ線光電子分光法）で分析した。分析条
件は、Ａｌの特性Ｘ線Ｋα１（エネルギ１４８６．６ｅ
Ｖ）を用い、入射角２０度で測定を行ない、ＧａＡｓウ
ェーハ表面から約１０Åの深さの情報を得た。その結果
を、表１に示す。
直ちに上記ウェーハに窒素ガスを吹き付けかつウェーハ
をマガジンに入れたまま遠心脱水機で回転させて付着水
を除去させることによって行なった。比較のため、上記
処理（ステップＳ１〜Ｓ３）後のウェーハを、従来のＩ
ＰＡ蒸気乾燥法で乾燥させた。これらのウェーハの表面
を、ＸＰＳ法（Ｘ線光電子分光法）で分析した。分析条
件は、Ａｌの特性Ｘ線Ｋα１（エネルギ１４８６．６ｅ
Ｖ）を用い、入射角２０度で測定を行ない、ＧａＡｓウ
ェーハ表面から約１０Åの深さの情報を得た。その結果
を、表１に示す。
【表１】
【００１１】表１より従来のＩＰＡ蒸気乾燥法で乾燥さ
せたウェーハは表面のＧａとＡｓの組成比が１９：１１
（Ａｓ／Ｇａ＝０．５８）とＧａが過剰であり、Ｇａ原
子の６５ａｔ％がＧａ2Ｏ3に、またＡｓ原子の２１％が
Ａｓ2Ｏ5に酸化されているのに対し、本発明法により乾
燥させたウェーハは表面のＧａとＡｓの組成比が１７：
２０（Ａｓ／Ｇａ＝１．１８）とほぼストイキメトリに
近くなっており、Ｇａ原子中のＧａ2Ｏ3の比率が４０ａ
ｔ％に、またＡｓ原子中のＡｓ2Ｏ5の比率が３ａｔ％に
低減されていることが分かる。
せたウェーハは表面のＧａとＡｓの組成比が１９：１１
（Ａｓ／Ｇａ＝０．５８）とＧａが過剰であり、Ｇａ原
子の６５ａｔ％がＧａ2Ｏ3に、またＡｓ原子の２１％が
Ａｓ2Ｏ5に酸化されているのに対し、本発明法により乾
燥させたウェーハは表面のＧａとＡｓの組成比が１７：
２０（Ａｓ／Ｇａ＝１．１８）とほぼストイキメトリに
近くなっており、Ｇａ原子中のＧａ2Ｏ3の比率が４０ａ
ｔ％に、またＡｓ原子中のＡｓ2Ｏ5の比率が３ａｔ％に
低減されていることが分かる。
【００１２】さらに、本発明方法と従来のＩＰＡ蒸気乾
燥法で乾燥させたウェーハ表面に、１２０ｅＶでＳｉを
イオン注入して活性層を形成し、シート抵抗およびピン
チオフ電圧を測定した。その結果を、図２に示す。同図
において○印が本発明方法と従来のＩＰＡ蒸気乾燥法で
乾燥させたウェーハについての測定結果を示す。また、
同図に△印および□印で示されているのは、上記乾燥後
のウェーハをそれぞれアンモニア系（ＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ
2−Ｈ2Ｏ）のエッチャントと硫酸系（Ｈ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2
−Ｈ2Ｏ）のエッチャントで２〜３μｍエッチングした
後、イオン注入して活性層を形成し、シート抵抗および
ピンチオフ電圧を測定した結果を示す。
燥法で乾燥させたウェーハ表面に、１２０ｅＶでＳｉを
イオン注入して活性層を形成し、シート抵抗およびピン
チオフ電圧を測定した。その結果を、図２に示す。同図
において○印が本発明方法と従来のＩＰＡ蒸気乾燥法で
乾燥させたウェーハについての測定結果を示す。また、
同図に△印および□印で示されているのは、上記乾燥後
のウェーハをそれぞれアンモニア系（ＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ
2−Ｈ2Ｏ）のエッチャントと硫酸系（Ｈ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2
−Ｈ2Ｏ）のエッチャントで２〜３μｍエッチングした
後、イオン注入して活性層を形成し、シート抵抗および
ピンチオフ電圧を測定した結果を示す。
【００１３】図２よりシート抵抗は、従来のＩＰＡ蒸気
乾燥法で乾燥させたウェーハを用いた場合、前処理の有
無により抵抗値に大きな差が生じるが、本発明方法で乾
燥させたウェーハを用いた場合、前処理の有無により抵
抗値に差が生じないとともに全体としてシート抵抗が小
さくなることが分かる。一方、ピンチオフ電圧について
も従来のＩＰＡ蒸気乾燥法で乾燥させたウェーハを用い
た場合、前処理の有無により０．５Ｖもの差が生じる
が、本発明方法で乾燥させたウェーハを用いた場合、前
処理の有無により差が生じないとともに全体としてピン
チオフ電圧が高くなることが分かる。
乾燥法で乾燥させたウェーハを用いた場合、前処理の有
無により抵抗値に大きな差が生じるが、本発明方法で乾
燥させたウェーハを用いた場合、前処理の有無により抵
抗値に差が生じないとともに全体としてシート抵抗が小
さくなることが分かる。一方、ピンチオフ電圧について
も従来のＩＰＡ蒸気乾燥法で乾燥させたウェーハを用い
た場合、前処理の有無により０．５Ｖもの差が生じる
が、本発明方法で乾燥させたウェーハを用いた場合、前
処理の有無により差が生じないとともに全体としてピン
チオフ電圧が高くなることが分かる。
【００１４】なお、上記実施例では、吹き付けガスとし
て窒素ガスを用いたが、窒素ガスの代わりにアルゴンガ
スその他の不活性ガスを用いても良い。さらに、上記実
施例では、ＧａＡｓウェーハの乾燥方法について説明し
たが、この発明はそれに限定されるものでなく、ＩｎＰ
ウェーハその他化合物半導体ウェーハ一般の乾燥に適用
することができる。
て窒素ガスを用いたが、窒素ガスの代わりにアルゴンガ
スその他の不活性ガスを用いても良い。さらに、上記実
施例では、ＧａＡｓウェーハの乾燥方法について説明し
たが、この発明はそれに限定されるものでなく、ＩｎＰ
ウェーハその他化合物半導体ウェーハ一般の乾燥に適用
することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＧａＡｓ
ウェーハを鏡面研磨し、洗浄、水洗した後すぐに、不活
性ガスの吹付けまたは遠心力を利用した脱水あるいは不
活性ガスを吹付けながらウェーハを回転させることによ
って表面の水分を除去するようにしたので、ＧａＡｓウ
ェーハの表面の水分が速やかに飛ばされるため、表面の
付着水に二酸化炭素が吸収されて炭酸に変化するのを防
止することができ、ウェーハ表面の付着水とウェーハと
が反応して表面にＧａ2Ｏ3、Ａｓ2Ｏ3やＡｓ2Ｏ5等の酸
化物が生成されるのを回避し、これによってウェーハ表
面がＡｓの欠乏した状態になるのを防止して、これを用
いて製造されるデバイスの特性のバラツキを抑えかつ特
性の向上を図ることができるという効果がある。
ウェーハを鏡面研磨し、洗浄、水洗した後すぐに、不活
性ガスの吹付けまたは遠心力を利用した脱水あるいは不
活性ガスを吹付けながらウェーハを回転させることによ
って表面の水分を除去するようにしたので、ＧａＡｓウ
ェーハの表面の水分が速やかに飛ばされるため、表面の
付着水に二酸化炭素が吸収されて炭酸に変化するのを防
止することができ、ウェーハ表面の付着水とウェーハと
が反応して表面にＧａ2Ｏ3、Ａｓ2Ｏ3やＡｓ2Ｏ5等の酸
化物が生成されるのを回避し、これによってウェーハ表
面がＡｓの欠乏した状態になるのを防止して、これを用
いて製造されるデバイスの特性のバラツキを抑えかつ特
性の向上を図ることができるという効果がある。
【図１】本発明に係るウェーハ乾燥方法の手順の一例を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図２】本発明方法と従来のＩＰＡ蒸気乾燥法で乾燥さ
せたウェーハ表面にイオン注入して活性層を形成してシ
ート抵抗を測定した結果を示すグラフである。
せたウェーハ表面にイオン注入して活性層を形成してシ
ート抵抗を測定した結果を示すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】 化合物半導体ウェーハを鏡面研磨し、洗
浄、水洗した後、すぐに表面の水分を除去するようにし
たことを特徴とする化合物半導体ウェーハの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１の水分除去方法が、不活性ガス
を吹き付けることによって表面の水分を除去することを
特徴とする化合物半導体ウェーハの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１の水分除去方法が、遠心力を利
用して表面の水分を除去することを特徴とする化合物半
導体ウェーハの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１の水分除去方法が、不活性ガス
を吹付けながらウェーハを回転させることによって表面
の水分を除去することを特徴とする化合物半導体ウェー
ハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11403992A JPH05291231A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 化合物半導体ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11403992A JPH05291231A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 化合物半導体ウェーハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291231A true JPH05291231A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14627506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11403992A Pending JPH05291231A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | 化合物半導体ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291231A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100366743B1 (ko) * | 1993-11-09 | 2003-02-26 | 소니 가부시끼 가이샤 | 기판의연마후처리방법및이것에이용하는연마장치 |
| EP1950800A2 (en) | 2007-01-23 | 2008-07-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | III-V compound semiconductor substrate manufacturing method |
| JP2013093632A (ja) * | 2013-02-21 | 2013-05-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-04-06 JP JP11403992A patent/JPH05291231A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100366743B1 (ko) * | 1993-11-09 | 2003-02-26 | 소니 가부시끼 가이샤 | 기판의연마후처리방법및이것에이용하는연마장치 |
| EP1950800A2 (en) | 2007-01-23 | 2008-07-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | III-V compound semiconductor substrate manufacturing method |
| EP1950800A3 (en) * | 2007-01-23 | 2010-05-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | III-V compound semiconductor substrate manufacturing method |
| US7960284B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-06-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | III-V compound semiconductor substrate manufacturing method |
| JP2013093632A (ja) * | 2013-02-21 | 2013-05-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2629319B1 (en) | Process for cleaning compound semiconductor wafer | |
| CA2279786C (en) | A composition and method for selectively etching a silicon nitride film | |
| US4361461A (en) | Hydrogen etching of semiconductors and oxides | |
| EP1737026B1 (en) | Method of surface treating III-V semiconductor compound based substrates and method of manufacturing III-V compound semiconductors | |
| US3969164A (en) | Native oxide technique for preparing clean substrate surfaces | |
| JPH08264500A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| KR20060128679A (ko) | 화합물 반도체 기판, 에피택시얼 기판, 화합물 반도체기판의 제조 방법 및 에피택시얼 기판의 제조 방법 | |
| JPH0574751A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6173720B1 (en) | Process for treating a semiconductor substrate | |
| JPH05291231A (ja) | 化合物半導体ウェーハの製造方法 | |
| US8076219B2 (en) | Reduction of watermarks in HF treatments of semiconducting substrates | |
| US4256520A (en) | Etching of gallium stains in liquid phase epitoxy | |
| JPH10256215A (ja) | 半導体被処理面の調製方法 | |
| JP3080860B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| US6136667A (en) | Method for bonding two crystalline substrates together | |
| JPH07211688A (ja) | 化合物半導体基板の製造方法 | |
| JPH05291233A (ja) | 化合物半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2970236B2 (ja) | ＧａＡｓウェハ及びその製造方法 | |
| JPH1079363A (ja) | 化合物半導体ウエハの表面処理方法 | |
| JP2917900B2 (ja) | Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体基板の表面処理方法 | |
| JP2000174325A (ja) | 異なる結晶格子を持つ結晶性基板を接着するためのプロセス | |
| Kadhim et al. | Chemical Etching of group III-V semiconductors | |
| JP2813790B2 (ja) | 化合物半導体単結晶基板の洗浄、乾燥方法 | |
| JPH05175182A (ja) | ウェーハ洗浄方法 | |
| US20070048980A1 (en) | Method for post-rie passivation of semiconductor surfaces for epitaxial growth |