JP2013540358A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 基板と、
   前記基板の上に配置される裏面電極層と、
   前記裏面電極層の上に配置される光吸収層と、
   前記光吸収層の上に配置されるウィンドウ層と、
   前記裏面電極層及び前記光吸収層の間に介され、第１導電型酸化物を含む導電層と、
   を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。
2. 前記第１導電型酸化物はｐ型酸化物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽光発電装置。
3. 前記導電層はナトリウムを含むことを特徴とする、請求項１から２のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
4. 前記導電層は、インジウムチンオキサイド、チンオキサイド、またはインジウムチンジンクオキサイドを含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
5. 前記光吸収層には前記導電層を露出する貫通溝が形成され、
   前記貫通溝の内側に配置され、前記ウィンドウ層から延びて、前記導電層に接続される接続部を含むことを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
6. 前記接続部は、前記導電層を通じて前記裏面電極層に接続されることを特徴とする、請求項５に記載の太陽光発電装置。
7. 前記導電層の厚さは１ｎｍ乃至２００ｎｍであることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
8. 前記光吸収層は前記第１導電型酸化物のような導電型を有する物質を含み、
   前記ウィンドウ層は第２導電型の物質を含むことを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
9. 裏面電極層と、
   前記裏面電極層の上に配置される第１導電型の酸化物層と、
   前記酸化物層の上に配置される第１導電型の光吸収層と、
   前記光吸収層の上に配置される第２導電型のウィンドウ層と、
   を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。
10. 前記酸化物層はＩ族元素がドーピングされた金属酸化物を含むことを特徴とする、請求項９に記載の太陽光発電装置。
11. 前記光吸収層はＩ族−ＩＩＩ族−ＶＩ族系化合物半導体を含み、
    前記ウィンドウ層はＩＩＩ族元素がドーピングされた金属酸化物を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の太陽光発電装置。
12. 前記Ｉ族元素はナトリウムであることを特徴とする、請求項１０から１１のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
13. 前記酸化物層の厚さは約１ｎｍ乃至約２００ｎｍであることを特徴とする、請求項９から１２のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
14. 前記ウィンドウ層及び前記光吸収層を貫通する第３貫通溝を含み、
    前記第３貫通溝は前記酸化物層の上面を露出させることを特徴とする、請求項９から１３のいずれか一項に記載の太陽光発電装置。
15. 基板の上に裏面電極層を形成するステップと、
    前記裏面電極の上に第１導電型酸化物を蒸着して導電層を形成するステップと、
    前記導電層の上に光吸収層を形成するステップと、
    前記光吸収層の上にウィンドウ層を形成するステップと、
    を含むことを特徴とする、太陽光発電装置の製造方法。
16. 前記第１導電型酸化物は、インジウムチンオキサイド、チンオキサイド、及びインジウムチンジンクオキサイドで構成されるグループから選択され、
    前記光吸収層はＩ−ＩＩＩ−ＩＶ族化合物を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の太陽光発電装置の製造方法。
17. 前記光吸収層に前記導電層の上面を露出する貫通溝を形成するステップを含み、
    前記ウィンドウ層を形成するステップで、前記貫通溝の内側に透明な導電物質を蒸着するステップを含むことを特徴とする、請求項１６に記載の太陽光発電装置の製造方法。