JP2013537581A - 金属表面を処理する方法と、この方法によって形成された装置 - Google Patents
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Abstract
Description
優れた紛体コーティング特性を有する表面処理用の成分であって、この成分は、アクリル系ウレタン樹脂、コロイド状合成体酸化物、分子状カップリング剤、シリカ及びイソシアネート架橋剤を備える成分、並びに、この成分でコーティングされたメッキされた鋼シートを生産する方法。
が記載されており、そこでは酸で安定化されたコロイド状シリカの分散が実質的に網状組織中に組み込まれている。
多くの実験が後述するように行われた。これら例は説明目的のためのみに示されており、多少なりとも本発明を限定しようとするものではない。
この実施例は、本発明のいくつかの実施形態に従って滑らかな銅基板を処理する1つの例示的方法を示す。上述したように、本発明の方法は、処理された滑らかな金属基板、すなわち前以て粗化されていない金属基板の使用を可能にする。1つの実施例において、金属表面は銅、特に滑らかな銅表面、すなわち前以て粗化されていない銅基板である。そのような銅基板は、様々な源から形成することができる。例えば、本発明の方法に使用するために好適な銅基板は、限定するわけではないが、電解銅若しくは電気メッキ銅、無電解銅、及び圧延銅を含み、これらを準備する方法に限定されることはない。この実施例1において、電解銅基板がまず、20〜40g/Lの水酸化ナトリウム溶液によって40〜60℃で2〜5分洗浄され、次いで水でリンスされた。銅基板は、1〜3重量%の過酸化水素溶液+2〜5重量%の硫酸によって室温で1〜5分さらに洗浄され、5〜20重量%の硫酸によって室温で1分洗浄され、次いで水によってリンスされた。基板は次いで、1%未満のSAMを含む10〜50g/Lの水酸化ナトリウムを有する140〜200g/Lの亜塩素酸塩中において、50〜80℃で2〜8分間、酸化することによって安定化され、次いで水によってリンスされた。サンプルは次いで、10.5〜12.5に調整されたpHを有するジメチルアミンボラン(DMAB)の還元浴中において、室温〜40℃で2〜5分、処理することができる。サンプルは次いで、リンスされ、熱風によって乾燥される。安定化層の表面モルフォロジーおよび厚みは、処理溶液の濃度、温度、及び処理時間を変化させることによって調整することができ、SEM、XRD、及びオージェ深さプロファイルによって明らかにすることができる。
この実施例は、滑らかな銅表面へのエポキシの接着強度を強化する1つの例示の方法を示す。上述の処理されたCu試験ストリップが、図7に示された一時的な裏打ち上に載置された。周囲条件において少なくとも3時間安定化された大量生産されている35μm厚みのビルドアップ(BU)エポキシ(又は誘電性)積層フィルムが、図8A〜8Dに示された図示のステップによって示されているように、銅ストリップの頂面に載置された。アセンブリが次いで、100℃で、30秒間の真空引き及び3Kg/cm2で30秒間プレスされて積層された。積層ステップが2回繰り返されて、合計で3プライのBUフィルムが形成された。
微細配線のパターニングが本発明の実施形態によって可能であることを示すためにデバイスが形成された。特に、同一の寸法を有する配線及びスペース(50/50、30/30、20/20、10/10、及び8/8μm)の櫛状パターンが実施例1及び実施例2に記載されたのと同じ手法に従って処理され、積層された。SEM断面図はこの場合もまた、本発明の方法が銅配線を粗化することがなかったこと、及びリフロー及びHAST試験の後に剥離がなかったことを確認した。電気的絶縁抵抗は、リフロー及びHASTの後において、2Vで1012オーム以上に維持され、この値は、PCB製造仕様の値より5オーダー高い。以下の表1はこの結果を要約したものである。これら構造のすべてに、従来技術への大きな発展である、本発明の処理が微細なスペースで銅配線をパターニングする能力を大幅に改善することを示す良好な結果が得られた。
レーザビアを有するデバイスが形成され、さらにプロセス互換性を示すためにプロセスされた。特に、滑らかな銅基板が、実施例1及び実施例2に記載されたのと同じ手法に従って処理され、積層された。30、40、50、75、100、150、及び200μmの直径のビア列が、CO2レーザ及びUVレーザのドリリングによって準備された。ビア構造は次いで、ソフトエッチ及び酸洗い、又はデスメアプロセスにかけられ、次いで無電解銅メッキ、次いで電解メッキにかけられた。図13は、本発明の実施形態に従って形成された、積層された滑らかな処理された銅表面に形成されたレーザビアのSEM断面を示し、デスメア及びメッキプロセス後にアンダーカット及び剥離が無いことを示している。
この実施例は、滑らかな銅基板上へのソルダーレジストの接着を強化するための1つの例示的方法を示している。滑らかな銅の試験ストリップが、実施例1に記載されたのと同じ手法に従って試験され、図7に示されたような一時的な裏打ち上に載置された。30μmの厚みの商業的に入手可能なソルダーレジスト(SR)積層フィルムが環境条件で3時間、安定された後、図8Aによって示されているように銅のストリップの頂面上に載置された。このアセンブリが次いで、75℃において30秒間の真空引き及び60秒間の1Kg/cm2の圧力によって真空積層された。このアセンブリは次いで、400mJ/cm2のUV露光にかけられ、その後、滞留式オーブン中において150℃で60分間硬化され、1000mJ/cm2で事後UV硬化された。
ビア列及び銅配線から成るデバイスが形成され、次いでさらにプロセスされて、プロセスの両立性を証明した。特に、滑らかな銅基板が、実施例5に記載されたのと同じ手法に従って処理され、積層された。80〜440μmに亘る底部径及び62〜500μm幅の銅配線から成るビア列がUV露光及び現像を介して形成された。図15Aは銅配線パターン及びビア列を示し、図15Bはボールグリッドアレイ(BGA)パターンを示している。パターニングされた構造は次いでソフトエッチ及び酸洗い、又はデスメアプロセスにかけられ、続いて無電解Niメッキが行われ、次いでAuエマージョンデポジション(emersion deposition)が行われた。図16は、デスメアおよびメッキプロセス後に剥離がないことを証明する、積層された滑らかな銅上に形成されたSRビアのSEM断面像である。これらすべての構造において、本発明の処理方法が、当業における大きな進歩である、微細スペースのSRをパターニングする能力を大幅に改善することを示唆する良好な結果が得られた。
Claims (100)
- 金属酸化物の層が金属表面上に形成され、前記金属酸化物の層の形成は、前記金属酸化物と表面改質化合物との間の自己制御式反応によって制御されることを特徴とする、前記金属表面を処理して、前記金属表面と有機材料との間の接着を促進する方法。
- 前記金属酸化物の層の形成は、前記金属酸化物の層が約200ナノメータ以下の厚みを有するように制御されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は、約100ナノメータ〜200ナノメータの厚みを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層の形成は、前記金属酸化物の層が、実質的にアモルファス構想を備えるモルフォロジーを有するように制御されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は、250ナノメータ以下のサイズの粒子を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は、200ナノメータ以下のサイズの粒子を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は、銅酸化物を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属酸化物は粒子を有し、調整後には前記粒子が実質的に不規則に配向していることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は、前記金属表面を酸化剤に暴露することによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記酸化剤は、亜塩素酸ナトリウム、過酸化水素、過マンガン酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、オゾン、又はこれら物質の混合物の1つ以上から選択されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記表面改質化合物は、金属酸化物表面と反応し、それによって前記金属酸化物が形成される際の反応速度を制御する化合物から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記表面改質化合物は、最終的には酸化反応を減速し停止させることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 室温〜約80℃の温度範囲で行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記自己制御式反応は、約2〜15分後に安定になることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 金属表面を処理して、前記金属表面と有機材料との間の接着を促進する方法であって、
前記金属表面を酸化するステップであって、前記金属表面上に金属酸化物の層を形成するステップと、
前記金属酸化物の層と表面改質化合物との間の自己制御式反応によって前記金属酸化物の層の成長を停止するステップと、
を備える方法。 - 前記表面改質化合物は、金属酸化物表面と反応し、それによって前記金属酸化物が形成される際の反応速度を制御する化合物から選択されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記表面改質化合物は、最終的には酸化反応を減速し、停止させることを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は、約200ナノメータ以下の厚みを有することを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は、実質的にアモルファス構造を備えることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は、250ナノメータ以下のサイズの粒子を有することを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は、200ナノメータ以下のサイズの粒子を有することを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は、銅酸化物からなることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記金属酸化物は、実質的に不規則に配向されている粒子を有することを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記金属層が、亜塩素酸ナトリウム、過酸化水素、過マンガン酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、オゾン、又はこれら物質の混合物の1つ以上から選択された酸化剤によって酸化されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 室温〜約80℃の温度範囲で行われることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記自己制御式反応は、約2〜15分後に安定になることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記酸化するステップと、前記酸化を停止するステップと、は前記金属表面を酸化剤と表面改質化合物とを備える溶液に暴露するステップをさらに備えることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記表面改質化合物は、酸化剤溶液中に存在することを特徴とする請求項27に記載の方法。
- 前記金属表面を、前記金属表面に結合するように構成された1つ以上の結合基及び有機材料に付着するように構成された1つ以上の付着基を有する熱安定性基部を備える1つ以上の有機分子と接触させるステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記1つ以上の有機分子が表面活性部分である、請求項29に記載の方法。
- 前記1つ以上の有機分子が、ポルフィリン、ポルフィリン大員環、拡張ポルフィリン、環縮小ポルフィリン、直鎖ポルフィリンポリマー、ポルフィリンサンドイッチ配位錯体、又はポルフィリン配列の群から選択される、請求項29に記載の方法。
- 前記前記表面活性部分が、大環状プロリガンド、大環状錯体、サンドイッチ配位錯体、及びそれらのポリマーから成る群から選択される、請求項30に記載の方法。
- 前記表面活性部分がポルフィリンである、請求項30に記載の方法。
- 前記1つ以上の付着基が、アリール官能基及び/又はアルキル付着基を含む、請求項29に記載の方法。
- 前記アリール官能基が、アセタート、アルキルアミノ、アリル、アミン、アミノ、ブロモ、ブロモメチル、カルボニル、カルボキシラート、カルボン酸、ジヒドロキシホスホリル、エポキシド、エステル、エーテル、エチニル、ホルミル、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ヨード、メルカプト、メルカプトメチル、Se−アセチルセレノ、Se−アセチルセレノメチル、S−アセチルチオ、S−アセチルチオメチル、セレニル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、2−(トリメチルシリル)エチニル、ビニル、及びそれらの組み合わせのうち任意の1つ以上から選択される官能基を含む、請求項34に記載の方法。
- 前記アルキル付着基が、アセタート、アルキルアミノ、アリル、アミン、アミノ、ブロモ、ブロモメチル、カルボニル、カルボキシラート、カルボン酸、ジヒドロキシホスホリル、エポキシド、エステル、エーテル、エチニル、ホルミル、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ヨード、メルカプト、メルカプトメチル、Se−アセチルセレノ、Se−アセチルセレノメチル、S−アセチルチオ、S−アセチルチオメチル、セレニル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、2−(トリメチルシリル)エチニル、ビニル、及びそれらの組み合わせのうち任意の1つ以上から選択される官能基を含む、請求項34に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの付着基が、アルコール又はホスホナートを含む、請求項29に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの付着基が、アミン、アルコール、エーテル、他の求核試薬、フェニルエチン、フェニルアリル基、ホスホナート、及びそれらの組み合わせのうち任意の1つ以上を含む、請求項29に記載の方法。
- 前記有機材料は、電子基板、PCB基板、半導体基板、光起電性基板、ポリマー、セラミック、炭素、エポキシ、ガラス強化エポキシ、フェノール、ポリイミド樹脂、ガラス強化ポリイミド、シアネート、エステル、テフロン(登録商標)、プラスチック、及びそれらの混合物のうち任意の1つ以上を含む有機基板である、請求項15に記載の方法。
- 少なくとも1つの金属層と、
少なくとも1つのエポキシ層と、
前記金属層と前記エポキシ層との間に形成された安定化層と、
を備えるプリント配線板。 - 前記安定化層は、約200ナノメータ以下の厚みを有する金属酸化物から成ることを特徴とする請求項40に記載のプリント配線板。
- 前記安定化層は、実質的にアモルファス構造を示す金属酸化物から成ることを特徴とする請求項40に記載のプリント配線板。
- 前記安定化層は、約200ナノメータ以下の厚みを有するとともに実質的にアモルファス構造を示す金属酸化物から成ることを特徴とする請求項40に記載のプリント配線板。
- 前記安定化層は、粒子を有する金属酸化物の層から成り、前記粒子は250ナノメータ以下の粒子サイズを有することを特徴とする請求項40に記載のプリント配線板。
- 前記安定化層は、粒子を有する金属酸化物の層から成り、前記粒子は200ナノメータ以下の粒子サイズを有することを特徴とする請求項40に記載のプリント配線板。
- 前記金属酸化物は、銅酸化物から成ることを特徴とする請求項41に記載のプリント配線板。
- 前記金属層は、約0.14μm Raまでの粗さを有することを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記金属酸化物は、約0.14μm Raまでの粗さを有することを特徴とする請求項41〜46のいずれか一項に記載のプリント配線板。
- 前記金属層は、該金属層上に形成されたパターニングされた金属配線をさらに備え、前記パターニングされた金属配線は、約25ミクロン以下の幅を有することを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記金属層は、該金属層上に形成されたパターニングされた金属配線をさらに備え、前記パターニングされた金属配線は、約15ミクロン以下の幅を有することを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記金属層は、該金属層上に形成されたパターニングされた金属配線をさらに備え、前記パターニングされた金属配線は、約10ミクロン以下の幅を有することを特徴とする請求項40に記載の方法。
- 前記金属層は、該金属層上に形成されたパターニングされた金属配線をさらに備え、前記パターニングされた金属配線は、約5ミクロン以下の幅を有することを特徴とする請求項40に記載の方法。
- アルカリ溶液及び/又は過酸化物溶液で銅表面を予備洗浄するステップと、
前記銅表面上に銅酸化物の層を形成することによって前記銅表面を安定化するステップと、
前記銅酸化物と1つ以上の表面改質化合物との間の自己制御式反応によって前記銅酸化物の形成を停止するステップと、
処理された前記銅表面を樹脂と接合するステップと、
を備える、プリント配線板を製造する方法。 - 1つ以上の分子を前記銅酸化物の層に結合するステップであって、
前記1つ以上の有機分子は、前記銅酸化物表面に結合するように構成された1つ以上の結合基と、前記樹脂に付着するように構成された1つ以上の付着基と、を担持する熱安定性基部を備える1つ以上の分子を前記銅酸化物の層に結合するステップをさらに備えることを特徴とする請求項53に記載の方法。 - 酸化物層と1つ以上の表面改質化合物との間の自己制御式反応によって前記酸化物層の成長を停止させるステップを備える、金属の表面上の前記酸化物層の成長を制御する方法。
- 1つ以上の酸化剤と、
1つ以上の表面改質化合物と、
を備える酸化剤組成。 - 金属表面を処理して、前記金属表面と有機材料との間の接着又は接合を促進する方法であって、
前記金属表面は、該金属表面上に金属酸化物の層を形成することによって安定化され、次いで前記金属酸化物の層が還元剤で調整されて、選択的な酸化物厚み及びモルフォロジーを達成する、方法。 - 調整後の前記金属酸化物の層は、約200ナノメータ以下の厚みを有することを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 前記金属酸化物は、実質的にアモルファス構造から成ることを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は粒子を有し、調整後には前記粒子は250ナノメータ以下のサイズを有することを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は粒子を有し、調整後には前記粒子は200ナノメータ以下のサイズを有することを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は銅酸化物から成ることを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 前記金属酸化物は粒子を有し、調整後には前記粒子は実質的に不規則に配向していることを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 前記金属表面は、前記金属表面を酸化剤に暴露することによって安定化されることを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 前記酸化剤は、亜塩素酸ナトリウム、過酸化水素、過マンガン酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、オゾン、又はこれら物質の混合物の1つ以上から選択されることを特徴とする請求項64に記載の方法。
- 前記還元剤は、環状ボラン、モルホリンボラン、ピリジウムボラン、ピペリジンボラン、又はジメチルアミンボラン(DMAB)のうちの1つ以上から選択されることを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 前記金属表面の安定化は、室温〜80℃の温度で行われることを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 前記金属酸化物層の調整は、室温〜50℃の温度で行われることを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 前記方法が約2〜20分で行われることを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 金属表面を処理して、前記金属表面と有機材料との間の接着を促進する方法であって、
前記金属表面を安定化するステップと、
安定化された前記金属表面を調整するステップと、
を備える方法。 - 前記金属表面を安定化するステップは、前記金属表面上に金属酸化物の層を形成するステップを備えることを特徴とする請求項70に記載の方法。
- 前記金属表面を調整するステップは、前記金属酸化物の層を還元剤で還元するステップを備えることを特徴とする請求項70に記載の方法。
- 調整後の前記金属酸化物の層は、約200ナノメータ以下の厚みを有することを特徴とする請求項72に記載の方法。
- 調整後の前記金属酸化物の層は、実質的にアモルファス構造を備えることを特徴とする請求項72に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は粒子を有し、調整後には前記粒子は250ナノメータ以下のサイズを有することを特徴とする請求項72に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は粒子を有し、調整後には前記粒子は200ナノメータ以下のサイズを有することを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は、銅酸化物から成ることを特徴とする請求項71に記載の方法。
- 前記金属酸化物の層は粒子を有し、調整後には前記粒子は実質的に不規則に配向されていることを特徴とする請求項72に記載の方法。
- 前記金属表面は、該金属表面を酸化物に暴露することによって安定化されることを特徴とする請求項70に記載の方法。
- 前記酸化剤は、亜塩素酸ナトリウム、過酸化水素、過マンガン酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、オゾン、又はこれら物質の混合物の1つ以上から選択されることを特徴とする請求項79に記載の方法。
- 還元剤が、ホルムアルデヒド、チオ硫酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、一般式BH3NHRR’によって表されるボラン還元剤であって、R及びR’はそれぞれ、H、CH3、及びCH2CH3から成る群から選択されるボラン還元剤、例えばジメチルアミンボラン(DMAB)、環状ボラン、モルホリンボラン、ピリジウムボラン、又はピペリジンボランなどのうちの任意の1つ以上から選択される、請求項72に記載の方法。
- 前記金属表面を安定化するステップは、室温〜80℃の温度で行われることを特徴とする請求項70に記載の方法。
- 前記金属表面を安定化するステップは、室温〜50℃の温度で行われることを特徴とする請求項70に記載の方法。
- 前記方法が約5〜20分で行われることを特徴とする請求項57に記載の方法。
- 調整後に、前記金属表面を、該金属表面に結合するように構成された1つ以上の結合基及び有機材料に付着するように構成された1つ以上の付着基を有する熱安定性基部を含む1つ以上の有機分子と接触させるステップをさらに含む、請求項70に記載の方法。
- 前記1つ以上の有機分子が表面活性部分である、請求項85に記載の方法。
- 前記1つ以上の有機分子が、ポルフィリン、ポルフィリン大員環、拡張ポルフィリン、環縮小ポルフィリン、直鎖ポルフィリンポリマー、ポルフィリンサンドイッチ配位錯体、又はポルフィリン配列の群から選択される、請求項85に記載の方法。
- 前記表面活性部分が、大環状プロリガンド、大環状錯体、サンドイッチ配位錯体、及びそれらのポリマーから成る群から選択される、請求項86に記載の方法。
- 前記表面活性部分がポルフィリンである、請求項86に記載の方法。
- 1つ以上の付着基が、アリール官能基及び/又はアルキル付着基を含む、請求項85に記載の方法。
- 前記アリール官能基が、アセタート、アルキルアミノ、アリル、アミン、アミノ、ブロモ、ブロモメチル、カルボニル、カルボキシラート、カルボン酸、ジヒドロキシホスホリル、エポキシド、エステル、エーテル、エチニル、ホルミル、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ヨード、メルカプト、メルカプトメチル、Se−アセチルセレノ、Se−アセチルセレノメチル、S−アセチルチオ、S−アセチルチオメチル、セレニル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、2−(トリメチルシリル)エチニル、ビニル、及びそれらの組み合わせのうち任意の1つ以上から選択される官能基を含む、請求項90に記載の方法。
- 前記アルキル付着基が、アセタート、アルキルアミノ、アリル、アミン、アミノ、ブロモ、ブロモメチル、カルボニル、カルボキシラート、カルボン酸、ジヒドロキシホスホリル、エポキシド、エステル、エーテル、エチニル、ホルミル、ヒドロキシ、ヒドロキシメチル、ヨード、メルカプト、メルカプトメチル、Se−アセチルセレノ、Se−アセチルセレノメチル、S−アセチルチオ、S−アセチルチオメチル、セレニル、4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル、2−(トリメチルシリル)エチニル、ビニル、及びそれらの組み合わせのうち任意の1つ以上から選択される官能基を含む、請求項90に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの付着基がアルコール又はホスホナートを含む、請求項85に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの付着基が、アミン、アルコール、エーテル、他の求核試薬、フェニルエチン、フェニルアリル基、ホスホナート、及びそれらの組み合わせのうち任意の1つ以上を含む、請求項85に記載の方法。
- 前記有機材料は、電子基板、PCB基板、半導体基板、光起電基板、ポリマー、セラミック、カーボン、エポキシ、ガラス強化エポキシ、フェノール、ポリイミド樹脂、ガラス強化ポリイミド、シアネート、エステル、テフロン(登録商標)、プラスティック、及びこれら物質の混合物の1つ以上から成ることを特徴とする請求項70に記載の方法。
- アルカリ溶液及び/又は過酸化物溶液で銅表面を予備洗浄するステップと、
銅酸化物層を前記銅表面上に形成することによって前記銅表面を安定化するステップと、
前記銅酸化物層を還元剤で調整するステップと、
処理された前記銅表面を樹脂に接合するステップと、
を備える、プリント回路板を製造する方法。 - 1つ以上の分子を前記銅酸化物層に結合するステップであって、前記1つ以上の有機分子は、前記銅酸化物表面に結合するように構成された1つ以上の結合基と、前記樹脂に付着するように構成された1つ以上の付着基とを担持する熱安定性基部を備える、前記1つ以上の分子を前記銅酸化物層に結合するステップをさらに備えることを特徴とする請求項96に記載の方法。
- 金属酸化物の層が金属表面上に形成され、前記金属酸化物の層は、前記金属酸化物と表面改質化合物との間の自己制御式反応によって制御されることを特徴とする、前記金属表面上にコーティングを形成する方法。
- 金属表面を酸化して前記金属表面上に金属酸化物の層を形成するステップと、
前記金属酸化物の層と表面改質化合物との間の自己制御式反応によって前記金属酸化物の層の成長を停止するステップと、
を備える、前記金属表面上にコーティングを形成する方法。 - 金属表面を安定化するステップと、
安定化された前記金属表面を調整するステップと、
を備える、前記金属表面上にコーティングを形成する方法。
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