JP2013537513A - セラミック - Google Patents

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Abstract

本発明は、圧電挙動を示す、Bi、K、TiおよびFe(ならびに任意選択的にPb)を含有する固溶体を含む(またはそれから本質的になる)セラミックに関する。

Description

本発明は、圧電挙動を示す、Bi、K、TiおよびFe(ならびに任意選択的にPb)を含有する固溶体を含む(またはそれから本質的になる)セラミックに関する。
圧電材料は、加えられた機械的歪みに応答して電界を発生する。この効果は、材料内の分極密度の変化に起因する。圧電効果は、電界が材料に印加されるときに応力または歪みが誘導されるという意味で可逆的である。これらの特性は、多数の特殊な用途および機器において幅広く使用される圧電センサーおよびアクチュエータに配備される。圧電材料の使用の例としては、医用超音波およびソナー、音響効果、防振、火花点火装置および(より最近では)ディーゼル燃料注入が挙げられる。
ペロブスカイトまたはタングステン−青銅構造のセラミックスの系統は、圧電挙動を示す。鉛を含有するペロブスカイト構造のセラミックスの例は多数ある。たとえば、PZTとしてより一般的に知られるチタン酸ジルコン酸鉛(Pb[ZrTi1−x]O 0<x<1)は、著しい圧電効果を示し、今日使用されている最も一般的な圧電セラミックである。しかし、それは、最高操作温度が約200℃でしかない。特許文献1は、圧電挙動を示す鉛含有ペロブスカイト化合物(BiFeO−(PbTiO1−xを開示している。
鉛含有デバイスの毒性に対する懸念が高まりつつあり、この懸念は、環境規制および政策に反映されている。結果として鉛を含まない圧電材料への関心が増大している。鉛を含まない公知の圧電材料は、NaNbO、BiFeO、(Bi1/2Na1/2)TiO、(Bi1/21/2)TiO、BaTiO、KNbOならびに(Bi1/2Na1/2)TiO−(Bi1/21/2)TiO−BaTiO、(Bi1/2Na1/2)TiO−(Bi1/21/2)TiO−BiFeO(非特許文献1を参照)、(Bi1/2Na1/2)TiO−(Bi1/21/2)TiO、(Bi1/21/2)TiO−BaTiO、(Bi1/2Na1/2)TiO−BaTiO、(Bi1/2Na1/2)TiO−BaTiO−BiFeO(非特許文献2を参照)などの固溶体および(K,Na)NbOである。
特許文献2は、x(Bi1−a)TiO−(1−x)BiFeOとかなりの割合のBiFeおよびBiTi12などの非ペロブスカイト三元酸化物とを含有する圧電セラミックを開示している。xが0.3であるセラミックについての最高キュリー点は480℃であると報告された。
国際公開第2006/032872号パンフレット 特開2008−069051号公報
Zhou et al,Mat.Chem.& Phys.,114,2009,832−836 Nagata et al,Ferroelectrics,229,Issue I May 1999,273−278
本発明は、圧電挙動を示す、Bi、K、TiおよびFe(ならびに任意選択的にPb)を含有する固溶体を含む(またはそれから本質的になる)セラミックに関する。
本発明は、非ペロブスカイト相を実質的に含まない式x(Bi1−a)TiO−yBiFeO−zPbTiO(x(Bi1−a)TiO−(1−x)BiFeO(本明細書において以下xKBT−1−xBF)など)の固溶体が、高いキュリー点および/または優れた圧電活性を典型的に示すという認識に基づく。
したがって第一態様から見れば本発明は、
化学式
x(Bi1−a)TiO−yBiFeO−zPbTiO
(式中、0.4≦a≦0.6;
0<x<1;
0<y<1;
0≦z≦0.5;および
x+y+z=1である)
の固溶体を含む(たとえばそれから本質的になるまたはそれからなる)セラミックであって、非ペロブスカイト相を実質的に含まないセラミックを提供する。
典型的には本発明のセラミックは有利には、350℃超の、しかし多くの場合700℃以上のキュリー点を示す。
本セラミックは、好適には概ね固溶体からなる。たとえば、固溶体は、50重量%以上(たとえば50〜99重量%の範囲)、好適には75重量%以上、より好適には90重量%以上、より好適には95重量%以上の量でセラミック中に存在してもよい。
本セラミックは、好適には1つ以上のペロブスカイト相をさらに含む。特に好ましくはこの(または各)ペロブスカイト相は、(Bi1−a)TiO、BiTiO、KTiO、BiFeOおよびPbTiOからなる群から選択される。この(または各)ペロブスカイト相は、75重量%以下、好適には50重量%以下、特に好適には25%以下、より好適には5重量%以下の量で存在することができる。このペロブスカイト相、または各ペロブスカイト相は、微量で存在してもよい。
非ペロブスカイト相は、Bi、K、Ti、FeまたはPbの2つ以上(たとえば3つ)の混合金属相であってもよい。例としては、Bi、KO、BiFeおよびBiTi12が挙げられる。
本セラミック中に存在する非ペロブスカイト相の量は、これらの相がX線回折パターンにおいて識別できないようなものであってもよい。セラミック中に存在する非ペロブスカイト相の量は、微量であってもよい。
本セラミック中に存在する非ペロブスカイト相の総量は好適には10重量%未満、特に好適には8重量%未満、より好適には5重量%未満、さらにより好適には2重量%未満、さらにその上より好適には1重量%未満、最適には0.1重量%未満である。
本固溶体は、部分固溶体であってもよい。固溶体は好適には完全固溶体である。
本固溶体は実質的に単相であってもよい。
本固溶体は二相であってもよい。固溶体は好適には、菱面体晶相、単斜相、斜方晶相お
よび正方相からなる群の2つを有する。固溶体は、菱面体晶相および単斜相を有してもよい。固溶体は、菱面体晶相および斜方晶相を有してもよい。固溶体は好適には正方相および菱面体晶相を有する。
好適には0≦z≦0.3である。
好適な実施形態においては、zは0である。この実施形態において本セラミックは好適には、化学式
x(Bi1−a)TiO−(1−x)BiFeO
(式中、aは0.4〜0.6の範囲にあり、xは0.01〜0.99の範囲にある)
の固溶体を含み(たとえばそれから本質的になる、またはそれからなり)、セラミックは、非ペロブスカイト相を実質的に含まない。
本固溶体は、BiFeO中の(Bi1−a)TiOの固溶体であってもよい。固溶体は、(Bi1−a)TiO中のBiFeOの固溶体であってもよい。
xは好適には0.1〜0.9の範囲にある。
特に好ましくはxは0.7〜0.9の範囲にある。正方相および菱面体晶相の二相固溶体は、この範囲において特に好ましい。
特に好ましくはxは0.1〜0.4の範囲にある。この範囲のセラミックは、意外にも高いキュリー点を示し、高温環境中で潜在的に有用である。
特に好ましくはxは0.5〜0.6の範囲にある。
好ましくはaは0.45〜0.55の範囲にある。特に好ましくはaは0.48〜0.52の範囲にある。より好ましくはaは0.50である。
本固溶体において、Bi、K、FeおよびTiの1つ以上が金属ドーパントで置換されてもよい。各置換のための金属ドーパントは、同じまたは異なるものであってもよい。金属ドーパントの存在は、固溶体の特性に著しくおよび予測できないほどに影響を及ぼすこともある。たとえば、キュリー点および/または圧電活性が向上することもある。
この(または各)金属ドーパントは、50原子%以下、好適には20原子%以下、特に好適には10原子%以下、より好適には5原子%以下、さらにより好適には3原子%以下、最適には1原子%以下の量で存在してもよい。
金属ドーパントは、A−サイト金属ドーパントであってもよい。たとえば、A−サイト金属ドーパントは、Biおよび/またはKを置換してもよい。A−サイト金属ドーパントは好適には、Li、Na、Ca、Sr、Baおよび希土類金属からなる群から選択される。
金属ドーパントは、B−サイト金属ドーパントであってもよい。たとえば、B−サイト金属ドーパントは、Feおよび/またはTiを置換してもよい。
好ましいA−サイト金属ドーパントはLiまたはNaである。A−サイト上でのLiまたはNaの置換は、キュリー点を修正する(たとえば上げる)および/または任意の二相固溶体(たとえば菱面体晶−正方晶固溶体)の相組成を有利に変えることもある。
好ましいA−サイト金属ドーパントはCa、SrまたはBaである。A−サイト上でのCa、SrまたはBaの置換は、誘電損失を減らす、キュリー点を修正する(たとえば上げる)および/または任意の二相固溶体(たとえば菱面体晶−正方固溶体)の相組成を有利に変える可能性がある。
好ましいA−サイト金属ドーパントは希土類金属である。特に好ましいA−サイト金属ドーパントはLaまたはNdである。典型的にはLaまたはNdはKを置換する。LaまたはNdによる置換は、キュリー点を犠牲にして圧電活性を高める可能性がある。例として(所与のBiFeO濃度について)、LaまたはNdによる置換は典型的には、キュリー点を約100〜200℃低下させ、圧電活性を50%高めるであろう。
特に好ましい実施形態においては、A−サイト金属ドーパントは、K(すなわちK)を置換するLa(たとえばLa3+)である。この置換は、固有抵抗を著しく改善することもある。
好ましいB−サイト金属ドーパントは、それが置換する金属の原子価よりも高い原子価を有する。ペロブスカイトにおける導電率は通常、電子ホールまたは酸素空孔に起因する。より高い原子価の金属ドーパントをB−サイト上へ置換することにより、固有抵抗がかなり高まる(すなわち導電率が抑えられる)こともあるある。
特に好ましい実施形態においては、B−サイト金属ドーパントは、IV〜VIIの範囲の原子価を有する。Ti、Zr、W、Nb、V、Ta、MoおよびMnからなる群から選択されるB−サイト金属ドーパントがより特に好ましい。Nb、Ta、Mo、W、ZrおよびVからなる群から選択されるB−サイト金属ドーパントがさらにより特に好ましい。
好ましいB−サイト金属ドーパントは、Ti、Fe、CoおよびNiからなる群から選択される。Fe(すなわちFe3+)を置換するTi(たとえばTi4+)が特に好ましい。
好ましい実施形態においては、B−サイト金属ドーパントは混合原子価を有する。混合原子価金属ドーパントをB−サイト上へ置換すると、固有抵抗を著しく改善することもある。
特に好ましい実施形態においては、B−サイト金属ドーパントはMnである。Mnの利点は、それが、様々なセラミックスの固有抵抗を改善することができる様々な酸化状態をとることができるという意味で緩衝剤として挙動することである。
特に好ましい実施形態においては、B−サイト金属ドーパントはCoである。典型的にはCoはFe(すなわちFe3+)を置換する。
本セラミックは、表面模様付きセラミック、単結晶、薄膜または複合体(たとえばセラミック/ガラスまたはセラミック/ポリマー複合体)の形態を取ってもよい。
好ましくは本セラミックのキュリー点は350℃以上、特に好ましくは400℃以上、より好ましくは700℃以上である。
好ましくは本セラミックは、実質的に図2または7に例示される通りのX線回折パターンを有する。
本セラミックは、Bi、K、FeおよびTi(ならびに任意選択的にPb)を含有する焼結性形態の混合金属酸化物を、セラミックを生成するために焼結することによって得られてもよい。
好ましくは本セラミックは、予備焼結添加剤をさらに含む。
この予備焼結添加剤は、75重量%以下、好ましくは50重量%以下、特に好ましくは25重量%以下、より好ましくは5重量%以下の量で存在してもよい。予備焼結添加剤は微量で存在してもよい。
予備焼結添加剤はペロブスカイトであってもよい。予備焼結添加剤は、BiTi12などの層状ペロブスカイトであってもよい。予備焼結添加剤は、鉛含有ペロブスカイトであってもよい。この鉛含有ペロブスカイトは、PbTiOまたはPbZrOであってもよい。
予備焼結添加剤は、Bi、K、FeおよびTi(ならびに任意選択的にPb)を含有する混合金属酸化物を形成するためにポスト反応(たとえばポストか焼)に添加されてもよい。予備焼結添加剤は、焼結助剤として役立つこともある。
好ましい実施形態においては、本セラミックは、
(A)Bi、K、TiおよびFe(ならびに任意選択的にPb)のそれぞれの実質的に化学量論量の化合物の均質混合物を調製する工程と;
(B)均質混合物を均質粉末へ変換する工程と;
(C)反応を均質粉末に誘発して混合金属酸化物を生成する工程と;
(D)混合金属酸化物を処理して焼結性形態にする工程と;
(E)焼結性形態の混合金属酸化物を、セラミックを生成するために焼結する工程と
を含む方法によって得られる。
その上さらなる態様から見れば本発明は、
(A)Bi、K、TiおよびFe(ならびに任意選択的にPb)のそれぞれの実質的に化学量論量の化合物の均質混合物を調製する工程と;
(B)均質混合物を均質粉末へ変換する工程と;
(C)反応を均質粉末に誘発して混合金属酸化物を生成する工程と;
(D)混合金属酸化物を処理して焼結性形態にする工程と;
(E)焼結性形態の混合金属酸化物を、セラミックを生成するために焼結する工程と
を含む本明細書において先に定義された通りのセラミックの製造方法を提供する。
工程(A)において、Fe、Ti、KおよびBi(ならびに任意選択的にPb)の化合物の1つ以上は化学量論量から逸脱することが有利である可能性がある。たとえば、Fe、Ti、KおよびBi(ならびに任意選択的にPb)の1つ以上は、化学量論量を上回って存在する。たとえば、原子%は、化学量論から±20%以下、好ましくは±10%以下、特に好ましくは±5%以下逸脱してもよい。化学量論から逸脱することによって、本セラミックは有利には、有用な酸化物相(たとえばペロブスカイト相)を備えることができる。
好ましくは工程(A)において、Bi、K、TiおよびFe(ならびに任意選択的にPb)のそれぞれの実質的に化学量論量の化合物は、組成式:
x(Bi)TiO−y(BiFe1−d)−zPbTiO
(式中:
Bは、本明細書において先に定義された通りのB−サイト金属ドーパントであり;
bは0.4〜0.6の範囲にあり;
cは0.4〜0.6の範囲にあり;
dは0〜0.5の範囲にあり;そして
x、yおよびzは、本明細書において先に定義された通りである)
によって表される。
特に好ましい実施形態においては、BはTiである。
特に好ましい実施形態においては、BはCoである。
特に好ましい実施形態においては、dは0〜0.2の範囲にある。より好ましくはdは
ゼロである。
特に好ましい実施形態においては、zはゼロである。
特に好ましい実施形態においては、bは、本明細書において先に定義された通りであり、cは(1−a)である。
工程(A)は、本明細書において先に定義された通りの金属ドーパントを与える金属ドーパント酸化物を含んでもよい。
Bi、K、TiおよびFe(ならびに任意選択的にPb)のそれぞれの化合物は独立して、酸化物、硝酸塩、水酸化物、炭酸水素塩、イソプロポキシド、ポリマーおよび炭酸塩、好ましくは酸化物および炭酸塩からなる群から選択されてもよい。例は、BiおよびKCOである。
均質混合物は、スラリー(たとえば粉砕スラリー)、溶液(たとえば水溶液)、懸濁液、分散液、ゾル−ゲルまたは溶融フラックスであってもよい。
工程(C)は、加熱(たとえばか焼)を含んでもよい。好ましくは工程(C)は、段階的加熱またはインターバル加熱を含む。工程(C)は、段階的冷却またはインターバル冷却を含んでもよい。
均質混合物が溶液である場合、化合物は塩(たとえば硝酸塩)であってもよい。
均質混合物がゾル−ゲルである場合、化合物はイソプロポキシドであってもよい。
均質混合物が溶融フラックスである場合、化合物は、塩フラックス中に溶解した酸化物であってもよい。工程(C)からの混合金属酸化物は、冷却時に沈澱してもよい。
好ましくは均質粉末は粉砕粉末である。工程(A)は、
(A1)Bi、K、TiおよびK(ならびに任意選択的にPb)のそれぞれの実質的に化学量論量の化合物のスラリーを調製する工程;
(A2)スラリーを粉砕する工程;
であってもよく;
そして工程(B)は、
(B1)スラリーを乾燥させて粉砕粉末を生成する工程
であってもよい。
工程(E)は、段階的焼結であってもインターバル焼結であってもよい。好ましくは工程(E)は、段階的加熱またはインターバル加熱および段階的冷却またはインターバル冷却を含む。
工程(E)は、焼結助剤の存在下に実施されてもよい。焼結助剤の存在は、緻密化を促進する。焼結助剤はCuOであってもよい。
工程(D)は、混合金属酸化物の粉砕を含んでもよい。工程(D)は、混合金属酸化物のペレット化を含んでもよい。
さらにその上さらなる態様から見れば本発明は、本明細書において先に定義された通りのセラミックの圧電デバイスでの使用を提供する。
好ましくは本発明に従った使用において、圧電デバイスは400℃超の温度で操作可能である。
圧電デバイスは、圧電アクチュエータ、センサーまたは変圧器であってもよい。たとえば圧電デバイスは、工業用水蒸気センサーであってもよい。
好ましくは本発明に従った使用において圧電デバイスは、航空エンジンに配備される。
本発明は、ここで、実施例および添付図に関連して非限定的な意味で説明される。
x=0.1〜0.9である固溶体xKBT−1−xBFの理論密度対測定密度のプロットを示すグラフ。 x=0.1〜0.6である固溶体xKBT−1−xBFのX線回折パターンを示すグラフ。 x=0.4、0.5および0.6である固溶体xKBT−1−xBFについての誘電率対温度プロットを示すグラフ。 組成の関数としての固溶体xKBT−1−xBFのキュリー点を示すグラフ。 様々な固溶体xKBT−1−xBFについての歪み−電界応答を示すグラフ。 組成の関数としての固溶体xKBT−1−xBFの室温誘電率を示すグラフ。 0.6BiFe0.9Co0.1−0.4Bi1/21/2TiOおよび0.6BiFe0.8Co0.2−0.4Bi1/21/2TiOについてのX線回折パターンを示すグラフ。 0.6BiFe0.8Co0.2−0.4Bi1/21/2TiOについての歪み−電界プロットを示すグラフ。 (a)0.475BF−0.45KBT−0.075PT、(b)0.55BF−0.3KBT−0.15PTおよび(c)0.625BF−0.15KBT−0.225PTについてのX線回折パターン。 0.1Hzおよび室温で集められた0.55BF−0.3KBT−0.15PTについての分極−電界ループ。 0.1Hzおよび室温で集められた0.55BF−0.3KBT−0.15PTについての双極歪み−電界ループ。 0.1Hzおよび室温で集められた0.55BF−0.3KBT−0.15PTについての単極歪み−電界ループ。 0.55BF−0.3KBT−0.15PT(0.15PTと表示)および0.625BF−0.15KBT−0.225PT(0.225PTと表示)についての誘電率対温度プロットを示すグラフ。
(実施例1)
実験手順
固溶体x(Bi1−a)TiO−(1−x)BiFeOの試料を、それぞれx=0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8および0.9である9つの組成物のそれぞれにおいて混合酸化物プロセスを用いて合成した。x=0およびx=1である終点組成物を、比較目的のために製造した。正式な組成物は、
x=0.1 0.9BiFeO−0.1(Bi0.50.5)TiO
x=0.2 0.8BiFeO−0.2(Bi0.50.5)TiO
x=0.3 0.7BiFeO−0.3(Bi0.50.5)TiO
x=0.4 0.6BiFeO−0.4(Bi0.50.5)TiO
x=0.5 0.5BiFeO−0.5(Bi0.50.5)TiO
x=0.6 0.4BiFeO−0.6(Bi0.50.5)TiO
x=0.7 0.3BiFeO−0.7(Bi0.50.5)TiO
x=0.8 0.2BiFeO−0.8(Bi0.50.5)TiO
x=0.9 0.1BiFeO−0.9(Bi0.50.5)TiO
であった。
前駆体粉末(Bi、Fe、TiOおよびKCO 99.9%純度、Sigma−Aldrich)を、任意の水分を除去するためにおよび正確な秤量を可能にするために130℃で24時間乾燥させた。粉末を、上にリストされたターゲット酸化物を製造するために正しい割合で秤量し(表1を参照されたい)、2−プロパノール中で17時間イットリア安定化ジルコニア・ビーズでボールミル粉砕した。生じたスラリーを、撹拌しながら加熱ランプ下に乾燥させ、300マイクロメートル・メッシュのナイロンガーゼによって篩分けした。
乾燥粉砕した粉末の混合物を、被覆アルミナ坩堝中でか焼し、化学反応を誘発して所望のペロブスカイト相を生成した。この工程についての温度プログラムは次の通りであった、すなわち、800℃まで150℃/時で加熱し、800℃で4時間留め、室温まで300℃/時で冷却する。
粉末を、300マイクロメートル・メッシュによって篩分けし、上記の通り粉砕した。粉末を次に、0.6gを50MPaでプレスされる10mmダイセットへ装填することによってペレットにした。
850℃、950℃、975℃、1000℃、1040℃および1050℃の焼結温度を、高密度セラミックスを実現するために試みた。加熱は、600℃まで50℃/時で、
次に所望の焼結温度まで300℃/時で実施した。焼結温度からの冷却は、600まで150℃/時で、次に室温まで300℃/時で実施した。より低い冷却速度を、熱衝撃を最小限にするために用いた。
密度、X線回折、電気分析および電気機械的解析の前に、焼結ペレットを平らに、そして名目上1mm厚さで平行にすり潰した。
結果
最適焼結温度および得られた密度を表2に示す。
密度はまた、x線回折分析から計算される理論密度に対してプロットされる図1にも示す。
X線回折分析は、結晶構造を確認するために焼結ペレットについて実施した。この分析の結果を図2に示す。図2の解釈により、組成物がすべて菱面体晶対称の単相であることが示される。第二の有害な非ペロブスカイト相はまったく存在しない。
キュリー点は、強誘電材料が常誘電体に転換する温度である。本発明のxKBT−1−xBF系では、これは、極性の菱面体晶構造から非極性の立方晶構造への遷移とともに起こり、相対的な誘電率対温度をプロットすることによって測定された(図3を参照されたい)。相対的な誘電率対温度曲線における最大値がキュリー点を表す。組成物x=0.1〜0.4のキュリー点は、ピークがこの技法を用いてまったく見いだされないだろう点である(すなわちキュリー点は>約600℃である)。
組成物x=0.3および0.4のキュリー点を測定するために、結晶構造を温度の関数として詳しく調べた。これは、組成物x=0.3が720℃のキュリー点を有し、そして組成物x=0.4が700℃のキュリー点を有することを示した。
BiFeOの公知のキュリー点から、組成物x=0.1および0.2についてのキュリー点は720〜820℃であると推測される。しかし、これらの温度では、KOおよびBiは揮発性になり、組成は部分的に変わる。データを図4に示す。
様々な組成物の圧電活性を図5に示す。組成物x=0.6が最適の圧電活性を示す。
同じ駆動電界(7.5kVmm−1)で駆動する場合の、各組成物についての圧電活性(最大歪み/最大電界と定義される)を表3に示す。歪みは、この電界で組成物x=0についてはまったく発生しなかった。
図6は、室温誘電率を組成の関数として示す。
(実施例2)
x=0.6 y=0.05 (1−x)Bi(Fe(1−y)Co)O−x(Bi0.50.5)TiO
x=0.6 y=0.1 (1−x)Bi(Fe(1−y)Co)O−x(Bi0.50.5)TiO
x=0.6 y=0.2 (1−x)Bi(Fe(1−y)Co)O−x(Bi0.50.5)TiO
前駆体粉末(Bi、Fe、TiO、KCOおよびCoO 99.9%純度、Sigma−Aldrich)を、任意の水分を除去するためにおよび正確な秤量を可能にするために130℃で24時間乾燥させた。粉末を、下にリストされるターゲット酸化物を製造するために正しい割合で秤量し(表4を参照されたい)、2−プロパノール中で17時間イットリア安定化ジルコニア・ビーズでボールミル粉砕した。生じたスラリーを、撹拌しながら加熱ランプ下に乾燥させ、300マイクロメートル・メッシュのナイロンガーゼによって篩分けした。
乾燥粉砕した粉末の混合物を、被覆アルミナ坩堝中でか焼し、化学反応を誘発して所望のペロブスカイト相を生成した。この工程についての温度プログラムは次の通りであった、すなわち、800℃まで150℃/時で4時間加熱し、室温まで300℃/時で冷却する。
粉末を、300μmメッシュによって再び篩分けし、1重量%Glascol HA4
0バインダーを使って上記の通り粉砕し、最後に篩分けした。粉末を次に、0.6gを10mm径ダイへ装填することによってペレットへ二次加工し、30MPaで5分間プレスした。ペレットを次に、350MPaで5分間冷間等方圧プレスした。
1000℃および1025℃の焼結温度を、高密度セラミックスを得るために試みた。焼結レジームは次の通りであった、すなわち、600℃まで50℃/時で、次に上に要約された焼結温度まで300℃/時で。焼結温度からの冷却は、600℃まで150℃/時で、次に室温まで300℃/時で実施した。冷却速度は、熱衝撃を最小限にするためにより低かった。
密度およびX線回折分析の前に、ペレットを平らに、そして厚さ1mmで平行にすり潰した。
歪み電界ループおよび誘電率対温度解析などの電気的試験の前に、ペレットを平らに、そして0.3ミリメートルで平行にすり潰した。
結果
図7は、0.6BiFe0.9Co0.1−0.4Bi1/21/2TiOおよび0.6BiFe0.8Co0.2−0.4Bi1/21/2TiOについてのX線回折パターンを示す。これらのパターンは、単相ペロブスカイトであり、第二の非ペロブスカイト相をまったく示さなかった。
組成物x=0.6、y=0.2についての歪み/電界応答を図8に示す。4kVmm−1の印加電界を用いると、0.44%の歪みが、PZTにおいて観察されるよりもはるかに高い高電界d33=1100pmV−1で発生した。
(実施例3)
固溶体x(Bi1−a)TiO−y(BiFeO)−(1−x−y)PbTiOの試料を、次の組成物のそれぞれにおいて先の実施例に記載された混合酸化物プロセスを用いて合成した。
0.475BF−0.45KBT−0.075PT
0.55BF−0.3KBT−0.15PT
0.625BF−0.15KBT−0.225PT
粉末を正しい割合で秤量してこれらのターゲット酸化物を製造した(表5を参照されたい)。
X線回折データを図9に示す。
結果
表6は、3つの組成物についての密度および焼結温度を示す。
図10は、0.1Hzおよび室温で集められた0.55BF−0.3KBT−0.15PTについての分極−電界ループである。残留分極および保磁場は、PZTにおいて観察されるものと似ている。
図11は、0.1Hzおよび室温で集められた0.55BF−0.3KBT−0.15PTについての双極歪み−電界ループである。全ピーク・ツー・ピーク歪みは>0.7%である。
図12は、0.1Hzおよび室温で集められた0.55BF−0.3KBT−0.15PTについての単極歪み−電界ループである。全歪みは、7.5kV/mmで0.43%を超える。高電界d33(最大歪み/最大電界)は575pmV−1である。
図13は、0.55BF−0.3KBT−0.15PT(0.15PTと表示)および0.625BF−0.15KBT−0.225PT(0.225PTと表示)についての誘電率対温度プロットを例示する。誘電率における最大値から、推定される強誘電体−常誘電体遷移温度は、それぞれ520℃および590℃である。これらのデータは、100kHzの周波数で高温からの冷却時に集められた。
要約
組成物0.55BF−0.3KBT−0.15PTは、ほとんどの市販のハード系PZT材料よりも高い575pmV−1の高電界d33および525のT(PZT最大=350)を示す。加えて、密度は、PZTのそれ(典型的には7700〜7900)よりも低く、それは、ある用途向けに有用であることもある。全歪み(双極および単極の両方)は従来のPZTベースの材料で示されるものを超える。

Claims (16)

  1. 化学式
    x(Bi1−a)TiO−yBiFeO−zPbTiO
    (式中、0.4≦a≦0.6、
    0<x<1、
    0<y<1、
    0≦z≦0.5、かつ
    x+y+z=1である)
    の固溶体を含み、非ペロブスカイト相を実質的に含まないセラミック。
  2. 0≦z≦0.3である請求項1に記載のセラミック。
  3. 化学式
    x(Bi1−a)TiO−(1−x)BiFeO
    (式中、aは0.4〜0.6の範囲にあり、xは0.01〜0.99の範囲にある)
    の固溶体を含み、非ペロブスカイト相を実質的に含まない請求項1または2に記載のセラミック。
  4. (Bi1−a)TiO、BiTiO、KTiO、BiFeOおよびPbTiOからなる群から選択される1つ以上のペロブスカイト相をさらに含む請求項1〜3のいずれか一項に記載のセラミック。
  5. 前記固溶体が、菱面体晶相、単斜相、斜方晶相および正方相からなる群の2つを有する請求項1〜4のいずれか一項に記載のセラミック。
  6. xが0.7〜0.9の範囲にある請求項1〜5のいずれか一項に記載のセラミック。
  7. xが0.1〜0.4の範囲にある請求項1〜5のいずれか一項に記載のセラミック。
  8. xが0.5〜0.6の範囲にある請求項1〜5のいずれか一項に記載のセラミック。
  9. aが0.50である請求項1〜8のいずれか一項に記載のセラミック。
  10. 前記固溶体において、Biおよび/またはKが、Li、Na、Ca、Sr、Baおよび希土類金属からなる群から選択されるA−サイト金属ドーパントで置換されている請求項1〜9のいずれか一項に記載のセラミック。
  11. 前記固溶体において、Feおよび/またはTiが、それが置換する金属の原子価よりも高い原子価を有するかまたは混合原子価を有するB−サイト金属ドーパントで置換されている請求項1〜10のいずれか一項に記載のセラミック。
  12. 前記固溶体において、Feおよび/またはTiが、Ti、Zr、W、Nb、V、Ta、MoおよびMnからなる群から選択されるB−サイト金属ドーパントで置換されている請求項1〜11のいずれか一項に記載のセラミック。
  13. 前記固溶体において、Feおよび/またはTiが、Ti、Fe、CoおよびNiからなる群から選択されるB−サイト金属ドーパントで置換されている請求項1〜12のいずれか一項に記載のセラミック。
  14. (A)Bi、K、TiおよびFe(ならびに任意選択的にPb)のそれぞれの実質的に化学量論量の化合物の均質混合物を調製する工程と、
    (B)前記均質混合物を均質粉末へ変換する工程と、
    (C)反応を前記均質粉末に誘発して混合金属酸化物を生成する工程と、
    (D)前記混合金属酸化物を処理して焼結性形態にする工程と、
    (E)前記焼結性形態の前記混合金属酸化物を、前記セラミックを生成するために焼結する工程とを備える方法によって得られる、請求項1〜13のいずれか一項に記載のセラミック。
  15. (A)Bi、K、TiおよびFe(ならびに任意選択的にPb)のそれぞれの実質的に化学量論量の化合物の均質混合物を調製する工程と、
    (B)前記均質混合物を均質粉末へ変換する工程と、
    (C)反応を前記均質粉末に誘発して混合金属酸化物を生成する工程と、
    (D)前記混合金属酸化物を処理して焼結性形態にする工程と、
    (E)前記焼結性形態の前記混合金属酸化物を、前記セラミックを生成するために焼結する工程とを備える、請求項1〜14のいずれか一項に記載のセラミックの製造方法。
  16. 前記工程(A)においてBi、K、TiおよびFe(ならびに任意選択的にPb)のそれぞれの実質的に化学量論量の前記化合物が、化学式
    x(Bi)TiO−y(BiFe1−d)−zPbTiO
    (式中:
    BはB−サイト金属ドーパントであり;
    bは0.4〜0.6の範囲にあり;
    cは0.4〜0.6の範囲にあり;
    dは0〜0.5の範囲にあり;そして
    x、yおよびzは、請求項1〜15のいずれか一項において定義された通りである)
    で表される請求項15に記載の方法。
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