JP2013534045A - ビア孔により接続された導体のネットワークを生成するリソグラフィ方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、マイクロ電子集積回路内でビア孔により接続された導体の２個のネットワークを加工するリソグラフィに関する。本方法は、絶縁層（１０８）の下側における埋め込み導体（１０２）の第１のネットワークを形成した後で、
−基板への犠牲層の堆積およびエッチングするステップと、
−このようにエッチングされた犠牲層の要素の全ての縁に沿ってスペーサを形成し、次いで当該層の除去するステップと、
−マスキング層のエッチングを実行するステップとを含んでいる。
次いで、一方が第２のネットワークの導体の深さを画定し、他方がビア孔の所望の位置で必要とされる補完的な深さを画定する連続する２段の深さまで、絶縁層のエッチングを２回連続的に実行する。一方のエッチングはマスキング層（１１０）により画定されて第２のネットワークの導体の位置に対応し、他方はスペーサ、およびリソグラフィによりエッチングされた層内の開口部の両方により画定され、ビア孔の位置に対応している。エッチングの順序は重要でない。最後に、２回のエッチングに続いて、基板の絶縁材料内へエッチングされた領域が、導体とビア孔を同時に形成する導電材料（１３０）で埋められる。

Description

本発明は、基板上に超高密度パターンをエッチングするリソグラフィ、より正確にはマイクロ電子集積回路内における導体のネットワークの加工に関する。

高密度パターンは、いくつかの要素が極めて狭く、且つ極めて狭い間隔で配置されているパターンを意味するものと理解される。フォトリソグラフィにより、感光層が、例えばマスクを通して、例えば紫外線ビームに、通常は１９３ナノメートルの波長で露光される。パターンの密度、換言すればパターンのエッチングで実現される解像度は、いくつかのパラメータに関係するが、第一義的には使用する波長に依存し、波長が短いほど密度が高い。パターンの密度は、（特に１３．５ナノメートルの）極紫外線を用いることにより増大させることができる。密度はまた、直径が極めて小さい電子ビームへの露光を用いて増大させることができるが、パターンの書込みがパターンを画定する大域的マスクではなく１点づつ実行されるため、エッチングの処理が極めて遅くなる。更に、電子ビームが狭いため、電子の分散および後方散乱現象が生じて解像度が低下する。

メモリ分野において、メモリの製造に必要とされるラインの可能な密度を増大させる公知の解決策は以下のステップを実行する、すなわち、
−基板上に犠牲層を形成するステップと、
−第１の細片に沿って犠牲層のエッチングを行なうステップと、
−このようにエッチングされた犠牲層の縁の全てに沿ってスペーサを形成するステップと、
−求める高密度ラインを形成すべくスペーサだけを残すように犠牲層を除去するステップと、である。

本発明はこの種の方法を改良するものであり、絶縁層により分離され、当該絶縁層を介した導電ビア孔により接続された導体が重なり合うネットワークの加工に適している。

従って、２個の導電ネットワークのうち少なくとも１個に関するビア孔の整列配置という問題が生じるが、本発明は、第２の導電ネットワークおよびビア孔の形成に共通のステップを用いると共に、ビア孔については、導体の画定に用いるスペーサによる整列配置を用いて、第２のネットワークが極めて高密度である場合でもビア孔が第２のネットワークと完全に整列配置されるような解決策を提供する。

本発明によれば、スペーサを形成するステップは、絶縁材料および鉱物層（ハードマスク）で覆われた導体の第１のネットワークを既に含んでいる基板上の犠牲層から始められ、鉱物層はスペーサにより画定される自由領域のパターンに従いエッチングされ、当該パターンは第２のネットワークの導体のパターンである。次いで、一方が第２のネットワークの導体の深さを画定し、他方がビア孔の所望の位置で必要とされる補完的な深さを画定する連続する２段の深さまで、基板の絶縁材料のエッチングを２回連続的に実行する。一方のエッチングはハードマスクにより画定されて第２のネットワークの導体の位置に対応し、他方はリソグラフィフォトレジスト内の開口部およびハードマスクのエッチングに用いたのと同じスペーサにより画定され、ビア孔の位置に対応している。エッチングの順序は重要でない。最後に、２回のエッチングの後で、基板の絶縁材料内へエッチングされた領域が、導体とビア孔を同時に形成する導電材料で埋められる。

要約するに、本発明は、絶縁層により分離された導体の２個の重なり合うネットワークを、当該絶縁層内で当該導体が互いに交差する位置において第１のネットワークの導体を第２のネットワークの導体に接続する導電ビア孔と共に、基板内に形成するリソグラフィ方法を提供するものであり、本方法は、
−基板上に第１のネットワークの導体を形成するステップと、
−第１のネットワークの導体を覆う絶縁材料を堆積するステップと、
−絶縁材料の上に鉱物マスク層を堆積するステップと、
−犠牲層を堆積して第１の部分パターンに従い当該層をエッチングするステップと、
−このようにエッチングした犠牲層の要素の縁にスペーサを形成して、当該スペーサが第２の部分パターンを画定する自由領域を残すステップと、
−スペーサだけを残すように犠牲層を除去するステップと、
−スペーサにより保護された鉱物マスク層をエッチングし、当該エッチングにより第２のネットワークの導体の位置を画定するステップと、
−絶縁材料の第１の深さまでの第１のエッチングを行なうステップと、
−絶縁材料の第２の深さまでの第２のエッチングを行なうステップとを含んでいて、
−一方のエッチングは、鉱物マスクの構成により画定されると共に第２のネットワークの導体の位置に対応し、他方のエッチングは、リソグラフィによりエッチングされた層内に形成された開口部およびスペーサにより画定された第２の部分パターンの両方に囲まれていて、開口部は、導電ビア孔の位置を画定すると共に少なくとも２個の対向する縁上でスペーサに囲まれ、
−最後に、絶縁材料内にエッチングされた領域の導電材料による埋め込みが、エッチング除去された領域から溢れ出すことなく、材料の表面と同一平面となって、当該材料が第２のネットワークの導体および導電ビア孔の両方を形成する。

絶縁材料は好適にはシリコンウェハ上に配置された低誘電率の誘電材料であり、導電材料は好適には銅であって、エッチング除去された領域から溢れ出すことなく、絶縁材料の表面と同一平面である。

フォトレジスト層に囲まれたエッチングは好適には電子ビームによるエッチングであり、フォトレジスト層の厚さは好適にはスペーサの高さより薄い。

犠牲層の除去のステップと鉱物マスク層のエッチングとの間に、スペーサの位置以外の追加的な領域がエッチングされるのを防止すべく、好適には電子ビームによる追加的なリソグラフィステップが好適には実行される。当該リソグラフィステップを実行する間に用いる感光層の厚さは好適にはスペーサの高さ以下である。

本発明の他の特徴および利点は、添付の図面を参照しながら以下に記述する詳細説明を精査することにより明らかになろう。

基板上に形成することが求められる導体の２重ネットワークの一例を、２個のネットワークの導体間のビア孔と共に模式的に示す。 本発明を実施する第１のステップを示す。 本方法の第１の変型例における後続ステップを示す。 本方法の第２の変型例における後続ステップを示す。

本発明は、絶縁基板に埋め込み導体の第１のネットワーク、および第１のネットワーク上に重ね合わされて当該基板上に穿設された導電ビア孔を介して後者に接続された導体の第２のネットワークを含み、２個のネットワークが高密度パターンに従い設計される「デュアルダマシン」と呼ばれる構造の形成に関して記述する。

図１に、所望の構造を上面図として示す。下側のネットワークは導体を垂直な細片として含み、上側のネットワークは導体を水平細片として含んでいる。垂直導体と水平導体の間で交差位置において２個の接触ビア孔を示す。他の交差位置は、接触のない交差位置である。

第１の（下側）ネットワークは、本例では、図面で垂直方向を向く２個の導体Ｃ１、Ｃ２を含んでいる。第２の、上側ネットワークは、図面で水平方向を向く３列の平行な導体を含んでいる。これらのうち２列は１箇所で中断され、換言すれば、各々が隙間により分離された２個の切片に分けられている。これらの切片は、第１列ではＬ１ａ、Ｌ１ｂ、第２列ではＬ２ａ、Ｌ２ｂである。第３列Ｌ３は連続的である。水平および垂直導体は互いに交差し、切片Ｌ１ａと導体Ｃ２の交差位置および切片Ｌ２ａと導体Ｃ１の交差位置に電気接続用の２個のビア孔Ｖａ、Ｖｂが各々設けられている。他の交差位置は接続ビア孔が無い交差位置である。導体間または切片間の間隔は、２０〜３０ナノメートル程度と小さくてよい。

導体の第１のネットワークは、所与の任意の方法により作成されていてよく、以下に記述するのは基本的に第２のネットワークおよび接続ビア孔の加工についてである。当該加工について、本方法の各種ステップを示す図２〜１５を参照しながら記述する。各図において、３個の図面要素を示し、その各々は、右側に当該構造の上面図、左側に当該構造の上面図の線ＡＡに沿った断面図、および中央に上面図の線ＢＢに沿った断面図である。図を見易くするために、断面図上では、断面となる平面に位置する要素だけを示し、第１のネットワーク（図１に見ることができる）に埋め込まれた導体は当該上面図に示さない。

従って、出発点は例えばシリコン製の基板１００であると考えられ（図２）、その内部に埋め込み導体１０２、例えば側壁が窒化タンタル１０４により絶縁された溝に埋め込まれた銅導体が形成されている。これらの導体が第１のネットワークを形成する。基板およびその埋め込み導体は、導体の２個のネットワーク間を絶縁する絶縁層または誘電層１０８で覆われている。基板１００と誘電層１０８の間に絶縁適合層１０６が設けられていてよい。ビア孔が、第２のネットワークの導体が第１のネットワークの導体と交差して後者に接続されるべき位置に誘電層１０８（および層１０６）を介して形成される。誘電層は好適には、炭素またはフッ素がドープされたシリコン酸化物等の低誘電率の層（低ｋ誘電体）である。

誘電層は、導体の第２のネットワークおよび導電ビア孔をエッチングするためのマスクを形成する表面境界層１１０で覆われている。エッチングマスクは、（有機材料製のマスクであるフォトレジストマスクとは対照的に）鉱物マスクであり、窒化チタンマスクとすることもできる。

犠牲層１１２は、スピンオンプロセスにより堆積した炭素（スピンオン炭素）の層であってよく、窒化層１１０を覆う。これは、後段階で除去される。

紫外線照射に感光するフォトレジスト層１１４が堆積され、フォトレジストの第１のパターンを画定すべく紫外線フォトリソグラフィによりエッチングされる。このパターンは、導体の第２のネットワークの画定に用いられている第１の部分パターンである。フォトレジストが現像されると、犠牲層を保護する位置を画定する。フォトリソグラフィを容易にする、図示されていない中間反射防止層を犠牲層１１２とフォトレジスト層１１４の間に挿入することができる。

犠牲層はフォトレジストにより保護されていない箇所でエッチング除去され、フォトレジストが除去される（図３）。この結果、犠牲層１１２の要素で覆われていない自由領域の第１の部分パターンを含んでいる構造が得られる。

次いでスペーサ１１６が犠牲層（図４）の切片の縁に沿って形成される。当該スペーサは、シリコン酸化物または窒化ケイ素または酸窒化ケイ素ＳｉＯｘＮｙで作成されていても、あるいは有機材料で作成されていてもよい。スペーサは、層の共形堆積により形成され、続いて限られた厚さにわたり垂直異方性エッチングが行なわれて犠牲層の上面を露出させるのと同時に層１１０を露出させるが、犠牲層の要素の全ての側壁に沿って残った部分はそのままにしておく。これらの部分は、共形堆積を行なう間にこれらの側壁に沿って蓄積する層厚が過剰なために残るものであり、これらがスペーサ１１６を構成する。

第１の部分パターンが画定された後で他のフォトリソグラフィ動作が一切行なわれていないため、第１の部分パターンから直接に推論される第２の部分パターンをスペーサおよび犠牲層で覆われていない領域により画定する。

この段階で、犠牲層１１２が除去され、残りのスペーサ１１６だけが残る（図５）。従って自由領域のパターンは第１および第２の部分パターンの組合せである。

次いで層１１８が、スペーサ（自身が今は消滅した犠牲層の高さを有する）の高さより薄い厚さに堆積されるが（図６）、これは光子またはイオンまたは電子ビームで感光する層であることが有利である。感光層１１８の高さをスペーサの高さを超えない程度に下げるべく全面エッチングを実行する必要がある場合、当該エッチングはこの段階で行なわれる。

適当な種類の照射による層１１８のエッチングが次いで実行される。現像された感光層が第３の部分パターン（図７）を画定する。このリソグラフィ動作を用いて、第２のネットワークの導体のパターンの画定、より厳密には例えば線Ｌ１ａ、Ｌ１ｂの切片間の中断箇所の画定を完了する。これらの中断箇所は感光層１１８によりマスキングされる。

変型例として、層１１８は、ある種の照射に感光する層で覆われた、スペーサの高さより薄い厚さを有する非感光の下側層を含んでいてよい。感光層は非感光層内のパターンを画定し、非感光層は次いで窒化層１１０のリソグラフィマスクとして用いることができる。

感光層は電子ビームによりエッチングされる点が有利である。

感光層のエッチングが例えば紫外線等の光照射により行なわれる場合、スペーサ間に存在する層の光学指数は好適にはスペーサの光学指数にほぼ等しい（通常は１％未満の差）。

上述の動作の後で、自由領域の最終的なパターンが、スペーサまたは感光層１１８のいずれかによりマスキングされない基板上に存続する。このパターンは、第１、第２および第３の部分パターンの組合せであって、導電ビア孔の位置を含む第２のネットワークの導体のパターンを構成する。

次いでエッチングマスク層１１０は、自身に最終的なパターンを（図８）に転写すべく、感光層またはスペーサのいずれにも覆われていない位置でエッチングされる。従ってマスクは第２のネットワークの導体のパターンに対応している。最後に、感光層１１８が除去される（図９）。

図９〜１９において、垂直断面線Ｒ−Ｒが先行図面と同じ位置ではなく、図１の右上にあるビア孔Ｖａ（この段階ではビア孔は未画定）を貫通している点に注意されたい。

ビア孔を画定するために、光子またはイオンまたは電子照射に感光する点が有利な新たな層を使用し、この場合も当該層の厚さはスペーサ１１６の高さより薄い。簡便のため「感光層」と称する当該層は、上記と同様に、単一の感光層または重ね合わされた２層で構成されていてよい。下側の非感光層は厚さがスペーサの高さより薄く、ある種の照射に感光する上側層で覆われている。この場合、上側感光層を用いて非感光層内のパターンを画定し、非感光層をビア孔のエッチングマスクとして用いることができる。

感光層がビームの照射に露出されて現像された後で、存続している単一感光層または下側非感光層の一部が所望の領域をマスキングする。リソグラフィにより画定される当該層、および以前に形成されたスペーサの全体がビア孔の所望のパターンを画定する。

層１１８を除去した直後、またはその深さの一部にわたり基板の事前エッチングを実行した後で、当該単一または２重感光層を堆積させることが可能である。新たな感光層を直ちに堆積する場合について最初に詳述し、次いで、後段階でのみ堆積させる可能性について記述する。簡便のため感光層は単一の層であると仮定する。

新たな感光層１２０は従って、スペーサの高さより薄い厚さに堆積される（図１０）。

この場合も、電子ビームに感光するフォトレジストを感光層１２０として用いる点が有利である。

光子照射に感光するフォトレジストの場合、スペーサ間に存在する層（そのいずれかの寸法が波長より短い）のフォトリソグラフィを行なうために、スペーサおよびスペーサ間に堆積される層のために指数がほぼ等しい材料（通常は１％未満での差）が好適には選択される。

形成したい導電ビア孔を囲むために用いるパターンに従い、感光層内に開口部１２２が開かれる（図１１）。開口部１２２は、互いに交差する２個の導体間に接点を設ける必要がある箇所で、２個のネットワークの導体の交差位置に形成される。感光層のエッチングは電子ビームにより実行される。その解像度は、感光層の高さがスペーサの高さより低いため向上しており、これはスペーサが、電子ビームに露出される間、横方向に分散される電子をより多く吸収できる比較的重い材料で作成されている場合に、更に良好である。

感光層内の開口部１２２のエッチングのパターンはエッチングマスク１１０（図１１の左側部分を参照）の領域にわたる部分に溢れ出る場合がある。この場合、エッチングマスクがビア孔の縁を画定する。他の位置（再度図１１の左側部分を参照）では、感光層の縁は誘電層１０８の上に直接乗っており、この場合、感光層がビア孔の縁を画定する。最後に、更に他の位置、およびビア孔の少なくとも２個の縁で、感光層の縁がスペーサで停止すると共に、この場合、スペーサがビア孔の縁を画定する（図１１の中央部、第１のネットワークの導体上方のビア孔を参照）。

次いで、誘電層が窒化物マスク１１０または感光層１２０（図１２）のいずれにも保護されていない箇所で、層１０８の厚さを下回る第１の深さＰ１までビア孔１２４が誘電層１０８内にエッチングされる。次いで、感光層およびスペーサ（図１３）が除去される。

誘電層のエッチングは、第２の深さＰ２（図１４）まで続けられる。今回エッチングは、第２のネットワークの導体のパターンに正確に対応している窒化物マスク１１０だけにより画定される。深さＰ２は、第２のネットワークの導体の所望の厚さに対応している。ビア孔１２４が存在する箇所では、エッチングは２個の深さＰ１およびＰ２を足し合わせて、ビア孔が導体の第１のネットワークに到達する深さの合計にする。深さＰ１は従って、第１のネットワークの導体に到達するのに必要なエッチングの深さを補完するものである。

当該構造内に適合層１０６が設けられている場合、ビア孔の底部で第１のネットワークの導体を露出させるべくこの段階でビア孔の底部で除去される。次いで導体金属１３０が、ビア孔の底部を含む、層１０８内でエッチングされた開口部に配置される。当該金属が２個のネットワーク間のビア孔と共に第２の導体ネットワークを形成する（図１５）。

導体金属は銅であってよく、これらのエッチング除去された位置から溢れ出ないように後で同じ高さにされる。このダマシン法による銅の堆積は、層１０８内にエッチングされた開口部の底部における窒化タンタルの初期堆積等のステップを含んでいてよい。これらのステップについては詳述しない。

処理終了時点で窒化物マスクが除去される。

この段階での導体の２重ネットワークの構造は実際に図１に示した所望の構造である。

上述のように、誘電層１０８のエッチングの順序を逆にして、電子ビームに感光する新たな層１２０を堆積させる前に第１のエッチングステップを実行してもよい。これはすなわち、図１４のステップを図１０〜１２のステップより前に実行することになる。深さＰ１、Ｐ２まで行なうエッチングの順序は従って逆転して、Ｐ２が導体形成のためにエッチング除去される第１の深さになり、Ｐ１がビア孔形成のためにエッチング除去される第２の深さになる。

その結果、鉱物マスク１１０のエッチング後に（図８）、絶縁材料が、鉱物マスクで覆われていない領域の基板から第１の深さ（Ｐ２と表記された第２のネットワークの導体形成に必要な深さ）までエッチング除去される。次いで、電子ビームに感光する新たな層１２０がスペーサの高さ以下の厚さに堆積され、当該感光層は電子ビームによりエッチングされ、基板の絶縁材料は、感光層またはマスクで覆われていない位置の第２の深さ（Ｐ１と表記し得る）までエッチングされ、感光層およびスペーサが除去されて、最後に、絶縁材料内でエッチングされた位置に導電金属が埋め込まれる。

深さの合計Ｐ１＋Ｐ２は導体の第１のネットワークの深さである。

絶縁材料内にエッチングされた基板の位置に導体金属が埋め込まれ、これらの位置のうち、第１の深さ（Ｐ２）までしかエッチングされていない位置が導体の第２のネットワークを形成し、第１（Ｐ２）と第２の深さ（Ｐ１）の合計までエッチングされた位置が第１のネットワークと第２のネットワークの間の接続ビア孔を形成する。

従って、図９のステップの後で、この場合は上述の実施形態における図１０〜１４の一連のステップに代替して図１６〜１９の一連のステップが実行される。

図１６において、図９に見られるように、スペーサで覆われた窒化物マスクの形成の後、絶縁層１０８の深さＰ２までの第１のエッチングが実行される。

次いで、電子ビームに感光する層１２０が、導電ビア孔（図１７）のリソグラフィを目的として堆積される。

層１２０が開口部１２２のパターンに従い電子ビームに露出されることによりビア孔を画定することができ、これについて感光層における当該開口部１２２の囲い込みに関する図１１と同じことが言える（図１８）。

次いで絶縁層１０８の第２のエッチングが、窒化物、感光層またはスペーサにより保護されていない箇所で実行される。当該層は、ビア孔１２４だけで深さＰ２に加えられる深さＰ１までエッチングされる（図１９）。

ビア孔の底部に存在し得る層１０６が除去されてビア孔の底部で第１のネットワークの導体を露出させる。感光層１２０およびスペーサ１１６はその後除去される。

最後に、図１５に関して説明したように、図１５と同一構造で終了すべく、導電材料がダマシン処理により堆積され、次いで窒化物マスク１１０が除去される。

Claims (10)

1. 絶縁層（１０８）により分離された導体の２個の重なり合うネットワークを、前記絶縁層内で前記導体が互いに交差する位置において第１のネットワークの導体を第２のネットワークの導体に接続する導電ビア孔（Ｖａ，Ｖｂ）と共に、基板内に形成するリソグラフィ方法であって、
   −前記基板上に前記第１のネットワークの導体（１０２）を形成するステップと、
   −前記第１のネットワークの前記導体を覆う絶縁材料を堆積して前記絶縁層（１０８）を形成するステップと、
   −前記絶縁材料の上に鉱物マスク層（１１０）を堆積するステップと、
   −犠牲層（１１２）を堆積して第１の部分パターンに従い前記層をエッチングを行なうステップと、
   −このようにエッチングした前記犠牲層の要素の縁にスペーサ（１１６）を形成して、前記スペーサが第２の部分パターンを画定する自由領域を残すステップと、
   −前記スペーサだけを残すように前記犠牲層（１１２）を除去するステップと、
   −前記スペーサにより保護されていない箇所で前記鉱物マスク層をエッチングし、前記エッチングにより前記第２のネットワークの前記導体の位置を画定するステップと、
   −前記絶縁材料の第１の深さまでの第１のエッチングを行なうステップと、
   −前記絶縁材料の第２の深さまでの第２のエッチングを行なうステップとを含み、
   −一方のエッチングが、前記鉱物マスク（１１０）の構成により画定されると共に前記第２のネットワークの前記導体の位置に対応し、他方のエッチングが、リソグラフィ（１２０）によりエッチングされた層内に形成された開口部（１２２）および前記スペーサ（１１６）により画定された前記第２の部分パターンの両方に囲まれていて、前記開口部が、導電ビア孔の位置を画定すると共に少なくとも２個の対向する縁上でスペーサに囲まれ、
   −前記絶縁材料内にエッチングされた領域の導電材料（１３０）による埋め込みが、エッチング除去された領域から溢れ出すことなく、前記材料の表面と同一平面となり、前記材料が前記第２のネットワークの前記導体および前記導電ビア孔の両方を形成する方法。
2. リソグラフィ（１２０）によりエッチングされた層が、前記絶縁材料の２回のエッチングの前に堆積され、開口部のパターンに従い露出され、続いて導電ビア孔の位置を画定すべく前記絶縁材料の前記第１のエッチングが実行され、リソグラフィによりエッチングされた前記層が除去され、前記第２のネットワークの前記導体の位置を画定すべく前記第２のエッチングが実行されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記スペーサが前記第２のエッチングの前に除去されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
4. 前記絶縁材料の前記第１のエッチングが、前記第２のネットワークの前記導体の位置を画定すべく鉱物マスクのエッチングの後で実行され、次いでリソグラフィ（１２０）によりエッチングされた前記層が堆積されて開口部（１２２）のパターンに従いエッチングされ、次いで前記導体ビア孔の位置を画定すべく前記絶縁材料の前記第２のエッチングが実行され、これに続いて前記フォトレジストおよび前記スペーサが除去されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
5. リソグラフィによりエッチングされた前記層が、イオンまたは電子または光子照射に感光するフォトレジストであり、その厚さが前記スペーサの高さより薄いことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
6. リソグラフィによりエッチングされた前記層が、非感光層と感光層の重ね合せからなり、前記非感光層の厚さが前記スペーサの高さより薄いことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
7. 前記絶縁材料がシリコンウェハ上に堆積された低誘電率の誘電材料であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
8. 前記導電材料（１３０）が銅であり、エッチング除去された領域から溢れ出すことなく、前記絶縁材料の表面層と同一平面上であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
9. 前記犠牲層（１１２）を除去する前記ステップと、前記鉱物マスク層（１１０）の前記エッチングとの間に、前記スペーサの位置以外の追加的な領域内で前記マスクを保護すべく追加的なリソグラフィステップが提供されることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
10. 前記追加的なリソグラフィステップが、前記スペーサの高さ以下の厚さを有する電子ビームに感光する層を用いることを特徴とする、請求項９に記載の方法。

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