JP2013511844A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013511844A5 JP2013511844A5 JP2012539951A JP2012539951A JP2013511844A5 JP 2013511844 A5 JP2013511844 A5 JP 2013511844A5 JP 2012539951 A JP2012539951 A JP 2012539951A JP 2012539951 A JP2012539951 A JP 2012539951A JP 2013511844 A5 JP2013511844 A5 JP 2013511844A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- etchant
- liter
- etched
- mol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 12
- VZJVWSHVAAUDKD-UHFFFAOYSA-N Potassium permanganate Chemical compound [K+].[O-][Mn](=O)(=O)=O VZJVWSHVAAUDKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-N potassium;phosphoric acid Chemical compound [K+].OP(O)(O)=O GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
Claims (3)
- 半導体のエッチング方法において、
ＩＩ〜ＶＩ半導体の表面の少なくとも一部を、過マンガン酸カリウムとリン酸とを含むエッチング液と接触させることと、
前記ＩＩ〜ＶＩ半導体の少なくとも一部を前記エッチング液との接触から取り除いて、エッチングされたＩＩ〜ＶＩ半導体を形成することと、
前記エッチングされたＩＩ〜ＶＩ半導体をすすいで前記エッチング液を除去することと、を含む半導体のエッチング方法。 - 半導体のエッチング方法において、
ＩＩＩ〜Ｖ半導体の上に配置されるＩＩ〜ＶＩ半導体を用意することと、
前記ＩＩ〜ＶＩ半導体の表面の少なくとも一部を、過マンガン酸カリウムとリン酸とを含むエッチング液と接触させることと、
前記ＩＩ〜ＶＩ半導体の少なくとも一部を前記エッチング液との接触から取り除いて、エッチングされたＩＩ〜ＶＩ半導体を形成することと、
前記エッチングされたＩＩ〜ＶＩ半導体をすすいで前記エッチング液を除去することと、を含む半導体のエッチング方法。 - 過マンガン酸カリウムとリン酸とを含む水溶液を含むエッチング溶液であって、
前記過マンガン酸カリウムの濃度が、約０．０１モル／リットル〜約０．１モル／リットルであり、前記リン酸の濃度が、約１．５モル／リットル〜約４．５モル／リットルであり、
前記水溶液が室温で少なくとも１週間安定している、エッチング液。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US26234309P | 2009-11-18 | 2009-11-18 | |
| US61/262,343 | 2009-11-18 | ||
| PCT/US2010/056359 WO2011062835A2 (en) | 2009-11-18 | 2010-11-11 | Novel wet etching agent for ii-vi semiconductors and method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013511844A JP2013511844A (ja) | 2013-04-04 |
| JP2013511844A5 true JP2013511844A5 (ja) | 2013-08-08 |
Family
ID=44011599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012539951A Pending JP2013511844A (ja) | 2009-11-18 | 2010-11-11 | Ｉｉ〜ｖｉ半導体のための新規なウェットエッチング剤及び方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8324112B2 (ja) |
| EP (1) | EP2502263B1 (ja) |
| JP (1) | JP2013511844A (ja) |
| KR (1) | KR20120092673A (ja) |
| CN (1) | CN102668044A (ja) |
| TW (1) | TW201125033A (ja) |
| WO (1) | WO2011062835A2 (ja) |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3647699A (en) | 1967-12-22 | 1972-03-07 | Gen Motors Corp | Surface conditioner composition for abs resin |
| DE2447225C2 (de) * | 1974-10-03 | 1983-12-22 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum Ablösen von positiven Photolack |
| DE2808928A1 (de) * | 1978-03-02 | 1979-09-06 | Hoechst Ag | Korrekturmittel fuer lichtgehaertete kopierschichten |
| JPH0610355B2 (ja) * | 1988-03-24 | 1994-02-09 | 日本碍子株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎフェライト単結晶の化学エッチング方法 |
| US5137544A (en) * | 1990-04-10 | 1992-08-11 | Rockwell International Corporation | Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing |
| US5404027A (en) | 1991-05-15 | 1995-04-04 | Minnesota Mining & Manufacturing Compay | Buried ridge II-VI laser diode |
| JPH0834700A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶の表面清浄化方法及びエッチング液 |
| JP3661801B2 (ja) * | 1995-05-18 | 2005-06-22 | 同和鉱業株式会社 | Ｉｉ−ｖｉ 族化合物半導体単結晶体の転位密度測定方法 |
| EP0929921B1 (en) * | 1996-10-07 | 2003-06-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | A magnesium containing ii-vi semiconductor device and its fabrication method |
| US6712948B1 (en) * | 1998-11-13 | 2004-03-30 | Enthone Inc. | Process for metallizing a plastic surface |
| BR9915280A (pt) * | 1998-11-13 | 2001-08-07 | Enthone Omi Inc | Processo para metalizar uma superfìcie plástica |
| KR20030021183A (ko) * | 2000-06-30 | 2003-03-12 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 | 실리콘 웨이퍼 에칭 공정 |
| JP3830083B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2006-10-04 | スタンレー電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3660912B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2005-06-15 | 本田技研工業株式会社 | マグネシウム合金の化成処理方法及びマグネシウム合金製品 |
| US7045073B2 (en) * | 2002-12-18 | 2006-05-16 | Intel Corporation | Pre-etch implantation damage for the removal of thin film layers |
| JP2004315887A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Nagase Chemtex Corp | エッチング液組成物 |
| KR100560244B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2006-03-10 | 삼성코닝 주식회사 | 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출어레이 및 그 제조 방법 |
| US7402831B2 (en) | 2004-12-09 | 2008-07-22 | 3M Innovative Properties Company | Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission |
| US7745814B2 (en) | 2004-12-09 | 2010-06-29 | 3M Innovative Properties Company | Polychromatic LED's and related semiconductor devices |
| KR100685738B1 (ko) * | 2005-08-08 | 2007-02-26 | 삼성전자주식회사 | 절연 물질 제거용 조성물, 이를 이용한 절연막의 제거 방법및 기판의 재생 방법 |
| CN101939855B (zh) * | 2007-12-10 | 2013-10-30 | 3M创新有限公司 | 半导体发光装置及其制造方法 |
-
2010
- 2010-11-11 WO PCT/US2010/056359 patent/WO2011062835A2/en active Application Filing
- 2010-11-11 KR KR1020127015474A patent/KR20120092673A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-11-11 JP JP2012539951A patent/JP2013511844A/ja active Pending
- 2010-11-11 CN CN2010800523127A patent/CN102668044A/zh active Pending
- 2010-11-11 EP EP10832022.7A patent/EP2502263B1/en not_active Not-in-force
- 2010-11-15 US US12/945,985 patent/US8324112B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-17 TW TW099139557A patent/TW201125033A/zh unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012080140A5 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| MY158452A (en) | Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates | |
| JP2013110397A5 (ja) | ||
| JP2017510992A5 (ja) | ||
| TW200603262A (en) | Post-dry etching cleaning liquid composition and process for fabricating semiconductor device | |
| JP2014029994A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011029619A5 (ja) | 基板の処理方法 | |
| JP2010135770A5 (ja) | 半導体装置の作製方法及び半導体装置 | |
| MY145605A (en) | Electrochemical etching | |
| JP2011054812A5 (ja) | ||
| JP2013175718A5 (ja) | ||
| JP2014007381A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013110394A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| WO2012118847A3 (en) | Solution processible hardmarks for high resolusion lithography | |
| JP2014212312A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011096646A5 (ja) | ||
| EP2704214A3 (en) | Method for manufacturing solar cell | |
| JP2011066392A5 (ja) | Ｓｏｉ基板の作製方法 | |
| WO2012013965A9 (en) | Method of producing a light emitting device | |
| WO2010052541A3 (en) | Oxidation and cleaning process for silicon wafers | |
| WO2012165861A3 (en) | Substrate processing system and substrate processing method using the same | |
| JP2012238853A5 (ja) | ||
| TW201129497A (en) | silicon substrate having nanostructures and method for producing the same and application thereof | |
| JP2012004275A5 (ja) | ||
| JP2011009452A5 (ja) |