JP2012238853A5

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Info

Publication number: JP2012238853A5
Application number: JP2012100752A
Authority: JP
Filing date: 2012-04-26
Publication date: 2015-05-28

Claims

一対の電極間に、
一導電型を有する単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の一方の面に設けられた前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有する第１の領域と、
前記第１の領域上に設けられた絶縁膜と、
前記単結晶シリコンの他方の面に設けられた前記単結晶シリコン基板と同じ導電型で、前記単結晶シリコン基板よりもキャリア密度の高い第２の領域と、を有し、
前記単結晶シリコン基板表面は、微細な略四角錐状の複数の凸部、及び隣接する前記凸部間で構成される凹部からなる凹凸形状であり、前記凸部の頂点を含み、前記凸部の一面及び該一面と対向する面を二等分する断面において、前記頂点は鈍角をなして形成されており、前記凹部の底は曲面をなして形成されていることを特徴とする光電変換装置。
一対の電極間に、
一導電型を有する単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の一方の面に接する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層に接し、前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有する第２のシリコン半導体層と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に接する第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層に接し、前記単結晶シリコン基板と同じ導電型で、前記単結晶シリコン基板よりもキャリア密度の高い第４のシリコン半導体層と、を有し、
前記単結晶シリコン基板表面は、微細な略四角錐状の複数の凸部、及び隣接する前記凸部間で構成される凹部からなる凹凸形状であり、前記凸部の頂点を含み、前記凸部の一面及び該一面と対向する面を二等分する断面において、前記頂点は鈍角をなして形成されており、前記凹部の底は曲面をなして形成されていることを特徴とする光電変換装置。
請求項２において、
前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層は、ｉ型の導電型を有する非晶質シリコン層であることを特徴とする光電変換装置。
請求項２または３において、
前記第２のシリコン半導体層及び前記第４のシリコン半導体層は、微結晶シリコン層であることを特徴とする光電変換装置。
一導電型を有する単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の一方の面上に設けられた第１の絶縁層と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に設けられた前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有する第１の領域と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に設けられた前記単結晶シリコン基板と同じ導電型で、前記単結晶シリコン基板よりもキャリア密度の高い第２の領域と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に接する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の開口部において前記第１の領域と接する第１の電極と、
前記第２の絶縁層の開口部において前記第２の領域と接する第２の電極と、を有し、
前記単結晶シリコン基板表面は、微細な略四角錐状の複数の凸部、及び隣接する前記凸部間で構成される凹部からなる凹凸形状であり、前記凸部の頂点を含み、前記凸部の一面及び該一面と対向する面を二等分する断面において、前記頂点は鈍角をなして形成されており、前記凹部の底は曲面をなして形成されていることを特徴とする光電変換装置。
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記頂点の角度は、９０°より大きく、１２０°以下であることを特徴とする光電変換装置。
表面に（１００）面を有する単結晶シリコン基板の表面をアルカリ溶液に浸漬させてエッチングすることにより、微細な略四角錐状の複数の凸部、及び隣接する前記凸部間で構成される凹部からなる凹凸形状とし、
前記凹凸形状を有する前記単結晶シリコン基板を混酸液に浸漬させてエッチングすることにより、前記凸部の頂点を含み、前記凸部の一面及び該一面と対向する面を二等分する断面において、前記頂点は鈍角をなすように形成し、かつ、前記凹部の底が曲面をなすように形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
請求項７において、
前記アルカリ溶液は、水酸化カリウム、または水酸化ナトリウムを含む水溶液であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
請求項７または８において、
前記混酸液は、フッ酸、硝酸、及び酢酸を含むことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
請求項７乃至９のいずれか一項において、
前記頂点の角度は、９０°より大きく、１２０°以下であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。