JP2013510794A - 金属シリコンを精製する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、太陽電池の製造に適した金属級シリコンを精製する方法に関する。
太陽電池を製造するために使用するシリコンは、いわゆるシーメンス法から一般的には製造される。シーメンス法は、確立した方法であり、太陽電池の製造に一般的に用いられている。シーメンス法においては、シルグレン(silgrain)(>99.6%の純度)が使用される。シルグレンは、銅触媒の存在下で塩酸と反応する。主産物として得られるものは、トリクロロシラン(SiHC13)であり、これは分留によって精製される。分離されたSiHC13は、高純度シリコンロッド上で、高温により分解され減少する。ポリシリコンに変換されたSiの1モル毎に、3〜4モルのSiC14が生じ、大量の塩素と有益なシリコンとが結合している。得られるポリシリコンの不純物レベルは、典型的には10-9である。シーメンス法では、高品質のシリコンが製造される。しかしながら、シーメンス法は、ここ数年にわたって劇的に増加した低価格シリコンの需要を満たすには全く適していない。加えて、製造工程中には、危険な原料(例えばHC1、SiHC13及びH2)が伴い、そして有毒副産物であるSiC14が生産される。シーメンス法は、危険であり、従事者及び環境にとって有害である。
独立供給チューブは、プラズマアークヒーターによってルツボ内シリコン溶融物の表面中心に供給されるH2に向かって高圧O2ガスを供給し、水蒸気(H2O)が生じるようにしている。その結果生じる水蒸気が高圧噴出のO2によってシリコン溶融物に噴射され、不純物を除くのに必要な水蒸気がシリコン溶融物へと供給される。
ルツボ内シリコン溶融物に対してプラズマアークヒーター照射を間欠的に実行して、ルツボ内シリコン溶融物の表面温度が再現可能な温度勾配(例:シリコン溶融物の中心温度がルツボと接触する外側部分の温度より熱いも温度)となるように加熱する。これによって、ルツボ内シリコン溶融物全体に温度分布が形成され、ルツボの溶融が防止され、安定且つ同一の条件が金属シリコン精製にもたらされる。加えて、水蒸気を発生させる精製ガスを間欠的に供給して水蒸気の連続供給により引き起こされる圧力上昇を回避する。これによって、安全且つ安定な工程環境が金属シリコン精製にもたらされる。
化学物質(例えば、Ca、Si及びMg)は、シリコン原料に加えられ、その中の不純物と反応する。その結果生じる化合物は、金属シリコンよりも相対的に密度が低いため、不純物を除くのは容易である。実施態様において、方法には、可溶性化学物質を添加することが含まれており、そのガラス質構造物は、例えば、塩化カルシウム(CaC12)及び塩化マグネシウム(MgC12)を含む網目修飾成分と、例えば、メタケイ酸ナトリウム(Na2SiO3)を含む網目形成成分であってもよい。これらの可溶性化学物質をシリコン原料中の不純物と接触させるか混ぜ合わせるかしてシリコン溶解表面まで浮くスラグを形成させることで、容易に蒸発させることができる。
供給チューブを介して高圧精製ガスをルツボ内シリコン溶融物表面へ噴出させ、同時に、H2Oをシリコン溶融物に供給することによって、高圧の精製ガス流がシリコン溶融物表面にくぼみを形成する。これによって、H2Oの接触面が増加する。その間に、ルツボ内シリコン溶融物全体の温度勾配から生じる熱対流に起因して、ルツボ内シリコン溶融物の循環が促進される。これは、プラズマアークヒーターで溶融物を照射することによって起こる。
容器の真空度を変えることによって、シリコン原料における不純物の蒸発条件を制御可能にしつつ、シリコン溶融物の過剰加熱を回避している。このようにして、金属シリコンの精製工程における安全性を確保している。
ルツボは、容器の下に備わる操作機構により、例えば回転させること並びに/又は、垂直及び/若しくは水平にシフトさせることによってヒーターに対して相対的に移動する。ルツボを動かすことで、一方向冷却精製を実現するようにシリコン溶融物の固液界面を動かすことができる。これは、固相-液相線に対する、シリコン溶融物内残留不純物の濃度に関する温度偏析係数の管理を必要としない。
本発明は、金属シリコンの精製方法に関する。本(prevent)発明の一実施形態は、独立ガス供給ステップ、間欠加熱及びガス供給ステップ、化学物質添加ステップ、シリコン溶融物混合ステップ、減圧制御ステップ、そして、ルツボシフトステップを備える。実施態様によれば、これらのステップの複数又は全てを同じ装置において同時に実行して、任意の有毒化学物質を使用することなくソーラーグレードシリコンの大量生産を可能にする。本発明の様々な態様は、本願明細書に記載の実施形態として記載されている。当業者は、本願明細書に記載の実例及び実施形態が単に図示を目的とするものであり、その様々な修正形態又は変更形態が本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲で可能であると理解するだろう。
Al:2327℃
Sb:1617℃
B:3527℃
Ca:1482℃
Cu:2595℃
Mn:2097℃
Fe:2727℃
Ni:2837℃
Ti:1457℃
1.独立ガス供給:
独立供給チューブ60は、プラズマアークヒーターによってルツボ20内シリコン溶融物100の表面中心へ供給されるH2に向かって高圧O2ガスを供給して水蒸気(H2O)が生じるようにする。生じた水蒸気は、O2の高圧噴出を受けてシリコン溶融物に入り込み、不純物を除くのに用いる水蒸気をシリコン溶融物100へ効果的に供給する。
2.間欠加熱及びガスの供給:
プラズマアークヒーター50によるルツボ20内シリコン溶融物100への照射は、間欠的に実行される。その結果、図6に示されるような再現性のある温度勾配がルツボ20内シリコン溶融物表面100aに形成される。これにより、ルツボ20内シリコン溶融物100全体に温度分布が形成され、ルツボの溶融を防止しつつ、十分であり安定であり、そして一様な金属シリコン精製条件が提供される。図6は、プラズマ照射時の、ルツボ20内シリコン溶融物表面100a全体の瞬間的な温度分布を表しているグラフである。加えて、水蒸気を発生させる精製ガスは、間欠的に供給され、水蒸気の連続的供給により生じる圧力上昇が避けられる。さらに、H2Oが液体からガスへと蒸発して圧力が上昇する前に、圧力ポンプを使用して減圧排気管11を介した圧力調節が行われる。このようにして、金属シリコン精製の安全且つ安定な工程環境が提供される。
3.化学物質の添加:
化学物質(例えば、Ca、Si及びMg)をシリコン原材料に加え、その中の不純物と反応させる。その結果、化学物質とシリコンとの反応によって形成される化合物は、金属シリコンと比較して密度が低いため、容易に不純物を除くことができる。一実施形態による方法には、可溶性化学物質を添加することが含まれており、そのガラス質構造物は、例えば、塩化カルシウム(CaCl2)及び塩化マグネシウム(MgCl2)を含む網目修飾成分であってもよく、そしてそのガラス質構造物は、例えば、メタケイ酸ナトリウム(Na2SiO3)を含む網目形成成分であってもよい。これらの可溶性化学物質が金属シリコン原料と接触するか混ざるかしてシリコン原料中の不純物とスラグを形成する。上記スラグは、シリコン溶融物表面100aまで浮き上がり容易に蒸発することができる。
4.シリコン溶融物の混合:
供給チューブ60を介してルツボ20内シリコン溶融物表面100aに向かって高圧精製ガスを噴出することによって、高圧の精製ガス流が図7に示すようにシリコン溶融物表面100a上にくぼみ90を形成させるため、H2Oがシリコン溶融物に供給される際のH2Oの接触面が増加する。それと同時に、プラズマアークヒーター50によるプラズマ照射がくぼみ90を介して高温領域を増加させるため、ルツボ20内シリコン溶融物100にわたる種々の温度に起因する熱対流が伴い、ルツボ20内シリコン溶融物100の循環が促進される。
5.減圧の制御:
容器10中の真空度を変えることによって、シリコン原料における不純物の蒸発条件を制御でき、シリコン溶融物100の過剰な加熱を避けることができるため、金属シリコン精製工程の安全性が確保される。
6.ルツボのシフト:
ルツボ20は、容器10の下に備わる操作機構80により、例えばルツボ20を回転させるか、垂直又は水平にシフトさせることによってヒーター40と相対的にシフトする。これにより、シリコン溶融物100の固液界面を動かすことができるため一方向冷却精製が実現する。これは、固相-液相線に対する、シリコン溶融物100内残留不純物の濃度に関する温度偏析係数の管理を必要としない。ルツボ20の垂直シフトと回転は、偏析係数に基づく一方向冷却精製と連関するため、シリコン溶融物100をゆっくり冷却して凝固させると、固相側の不純物が除かれる。本発明の実施形態では、ヒーター40に対して相対的にルツボ20の位置を変えて固液界面をシフトさせることによる一方向精製の実行によってシリコン溶融物100を冷却させるため、温度管理の必要性が解消されている。この場合、固液界面のシフト速度は、ルツボ20内シリコン溶融物100の量に依存している。一実施形態において、所望の結果を得るために1.0mm/分未満の平均シフト速度が用いられる。
1.ルツボ20の底部をヒーター40の底部へ移動させることでその底部温度を下げ、そして、ヒーター40の中心をルツボ20の中央に合わせること;
2.くぼみ90をシリコン溶融物100の表面上に形成させて循環の転回半径を増加させることで、不純物の一様な精製を高めること;
3.くぼみ90を通じてプラズマ照射による高温領域を増加させて循環の転回半径を増加させることで、不純物の一様な精製を高めること;そして、
4.シリコン溶融物100全体の過剰な加熱を防止して、適切な温度勾配を維持するために間欠的にプラズマを照射すること。
Claims (20)
- 光起電分野用の材料に関するシリコンを精製する方法であって、
前記方法は、
金属シリコンをルツボ装置に提供することと、
前記金属シリコンに少なくとも熱工程を施して前記金属シリコンの状態を第一状態から摂氏1500℃を超えない溶融状態の第二状態へ変化させることと、
少なくとも不純物の一部が溶融状態において前記金属シリコンから除かれることと、
融解金属シリコンの下方領域から上方領域までを冷却して前記下方領域を凝固させる一方で残りの不純物の一部を分離させて液状領域に留めることと、
前記液状領域を凝固させることで精製領域と不純物領域を有するシリコン構造物を形成させること、を含み、
前記精製領域は、99.9999%を超える純度によって特徴づけられる、方法。 - 前記熱工程では、プラズマ銃又はアークヒーターが使用される、請求項1に記載の方法。
- 前記熱工程では、アークヒーターが使用される、請求項1に記載の方法。
- 前記るつぼ装置は、据付けの状態を維持する、請求項1に記載の方法。
- 前記熱工程には、約摂氏3000℃の発生源が備わる、請求項1に記載の方法。
- 前記溶融金属シリコンは、前記ルツボ装置における中心領域中のより高い温度領域とエッジ領域中のより低い温度領域によって特徴づけられる温度分布を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記熱工程には、1又は複数の熱パルスが含まれる、請求項1に記載の方法。
- 前記熱工程には、溶融状態の対流工程が含まれる、請求項1に記載の方法。
- 溶融状態では、前記溶融金属シリコンを循環させるための如何なる外部物体も実質的に存在しない、請求項1に記載の方法。
- 前記金属シリコンの溶融領域上方を不活性ガスの雰囲気にすることと、
前記溶融領域上方の一部に水素ガスを施すことで反応を引き起こし、前記水素ガスでホウ素不純物を除去して酸素不純物を除去すること、を更に含み、
前記金属シリコンの純度は、約99%である、請求項1に記載の方法。 - 前記溶融金属シリコンの領域に水素種を施し、B2O3、B2O3H2O、BH4、B2H6、BH3、H3BO3、HBO2、HBO3、H4B2O4、H3BO2、H3BO、H2B4O7、B2O2、B4O3又はB4O5の少なくとも1つから選択されるホウ素不純物をガスとして除くことが更に含まれる、請求項1に記載の方法。
- 前記水素種は、1又は複数のチャネル領域を用いて噴射される、請求項11に記載の方法。
- 前記ルツボは、外部汚染物質が存在しない状態に前記溶融金属シリコンが保たれるように減圧状態が維持される、請求項1に記載の方法。
- 所望の不純物を前記溶融金属シリコンから除く特性が得られるように前記減圧状態が選択される、請求項13に記載の方法。
- 光起電分野用シリコンを精製する方法であって、
前記方法は、
金属シリコンをルツボ装置に提供することと、
前記金属シリコンに少なくとも熱工程を施して前記金属シリコンの状態を第一状態から第二状態に変化させることと、
少なくとも不純物の一部が溶融状態において前記金属シリコンから除かれることと、
前記金属シリコンを減圧状態に維持して溶融状態の前記金属シリコンの温度を選択的に調節すること、を含む、方法。 - 前記ルツボ装置に1又は複数の冷却管を用いた冷却工程を施すことを更に含み、
前記金属シリコンの純度は、約99%である、請求項15に記載の方法。 - 光起電分野用の材料に関するシリコンを精製する方法であって、
前記方法は、
金属シリコンをルツボ装置に提供することと、
前記金属シリコンに少なくとも熱工程を施して前記金属シリコンの状態を第一状態から摂氏1500℃を超えない溶融状態の第二状態に変化させることと、
少なくとも不純物の一部が溶融状態において前記金属シリコンから除かれることと、
前記金属シリコンの溶融領域上方を不活性ガスの雰囲気にして外部の不純物が溶融状態の前記金属シリコンに接触するのを防止することと、
前記溶融領域上方の一部に水素ガスを施して前記水素ガスでホウ素不純物を除く反応を引き起こすこと、を含む、方法。 - ホウ素不純物は、B2O3、B2O3H2O、BH4、B2H6、BH3、H3BO3、HBO2、HBO3、H4B2O4、H3BO2、H3BO、H2B4O7、B2O2、B4O3又はB4O5の少なくとも一つから選択されるガスとして除かれる、請求項17に記載の方法。
- 前記水素種は、1又は複数のチャネル領域を用いて噴射される、請求項18に記載の方法。
- 光起電分野用の材料に関するシリコンを精製する方法であって、
前記方法は、
純度99%の金属シリコンをルツボ装置に提供することと、
前記金属シリコンに少なくとも熱工程を施して前記金属シリコンの状態を第一状態から第二状態に変化させることと、
前記金属シリコンの内側部と外側部との温度差から対流性の流れを引き起こすこと、が含まれ、
前記金属シリコンの前記第二状態は、温度が約摂氏2500から3000℃にわたる前記内側部と、温度が摂氏1500℃を超えない前記外側部を含む、方法。
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