JP2013243275A - GaN系半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaN系半導体素子の製造方法は、GaN系半導体成長用基板上にGaN系半導体からなる素子層(16〜18)を形成する工程と、GaN系半導体成長用基板をその裏面側から薄化することによりGaN系半導体成長用基層(13)を形成する工程と、熱伝導性および/または電気伝導性の基板(11)上に形成された誘電体層(12)とGaN系半導体成長用基層(13)とを互いに接合する工程とを有する。
【選択図】図1
Description
(1)基板の反りやクラックが発生し、歩留まりが著しく低下する。
(2)GaN系半導体層(AlN膜102、バッファ層103、GaN層104、AlGaN層105およびGaNキャップ層106)の厚さは現実には3〜5μmであるが、この厚さでは、ドレイン電極112とSi(111)基板101との間の耐圧が不足しており、耐圧確保のためにGaN系半導体層の厚さをより大きくすると、(1)の問題が生じる。
(1)バッファ層103の厚膜化(非特許文献1〜3参照)
(2)素子直下のSi基板のエッチング(非特許文献4参照)
(3)SOI(Silicon on Insulator)基板上の結晶成長(非特許文献5参照)
(4)絶縁基板の貼り合わせ(非特許文献6、7参照)
GaN系半導体成長用基板上にGaN系半導体からなる素子層を形成する工程と、
上記GaN系半導体成長用基板をその裏面側から薄化することによりGaN系半導体成長用基層を形成する工程と、
熱伝導性および/または電気伝導性の基板上に形成された誘電体層と上記GaN系半導体成長用基層とを互いに接合する工程とを有するGaN系半導体素子の製造方法である。
熱伝導性および/または電気伝導性の基板と、
上記基板上の誘電体層と、
上記誘電体層上のGaN系半導体成長用基層と、
上記GaN系半導体成長用基層上のGaN系半導体からなる素子層とを有するGaN系半導体素子である。
Ps =b1 x+b2 y−b3 /t≧2×1012
Ns =b1 x+b2 z−b3 /t≧2×1012
b1 =5.66×1013(cm-2)
b2 =9.81×1013(cm-2)
b3 =1.89×107 (cm-1)
Ps =b1 x+b2 y−b3 /t≧5×1012
Ns =b1 x+b2 z−b3 /t≧5×1012
b1 =5.66×1013(cm-2)
b2 =9.81×1013(cm-2)
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x>0.08
t>15nm
q>0nm
r>8.0nm
NA >1×1016cm-3
ND <4×1018cm-3
が成立する。これらの条件を満たすことにより、Ps ≧2×1012cm-2、Ns ≧2×1012cm-2とすることができる。
x>0.13
t>25nm
q>1nm
r>10nm
NA >8×1017cm-3
ND <3×1018cm-3
が成立する。これらの条件を満たすことにより、Ps ≧5×1012cm-2、Ns ≧5×1012cm-2とすることができる。
〈第1の実施の形態〉
第1の実施の形態によるGaN系HFETについて説明する。
図1に示すように、このGaN系HFETにおいては、熱伝導性および/または電気伝導性の基板11上に誘電体層12が積層され、この誘電体層12上にSi層13が積層されている。このSi層13上に反応防止層14、バッファ層15、GaN層16、AlGaN層17およびGaNキャップ層18が順次積層されている。ここで、歪による分極効果により、AlGaN層17とGaN層16との間のAlGaN/GaN界面に2DEG(図示せず)が自動的に発生し、それが電子チャネルとして用いられる。これらのSi層13、反応防止層14、バッファ層15、GaN層16、AlGaN層17およびGaNキャップ層18には、高抵抗層からなる素子分離領域19が誘電体層12に達する深さまで設けられている。GaNキャップ層18上には、表面保護膜となる絶縁膜20が積層されている。GaNキャップ層18および絶縁膜20の所定部分には開口21、22が設けられている。そして、それぞれ開口21、22を通じてソース電極23およびドレイン電極24がAlGaN層17とオーミック接触している。ソース電極23とドレイン電極24との間の部分における絶縁膜20上にゲート電極25が設けられている。
図2に示すように、Si基板26上にAlN膜などのGaN系半導体膜からなる反応防止層14、バッファ層15、GaN層16、AlGaN層17およびGaNキャップ層18を例えばMOCVD法などにより順次成長させる。
以上により、目的とするGaN系HFETが製造される。
Si基板26としてp型Si(111)基板を用いた。このp型Si(111)基板上に、MOCVD法により、反応防止層14として厚さ50nmのAlN膜、バッファ層15としてAlN(5nm)/AlGaN(20nm)ペアを40ペア(総厚約2μm)、GaN層16として厚さ約1μmのGaN層、AlGaN層17としてAl組成比が0.25で厚さが25nmのAlGaN層、GaNキャップ層18として厚さ5nmのGaN層を順次成長させた。このGaN系半導体層の成長においては、Al原料ガスとしてTMA(トリメチルアルミニムウム)、Ga原料ガスとしてTMG(トリメチルガリウム)、N原料ガスとしてアンモニア(NH3 )、キャリアガスとして窒素(N2 )と水素(H2 )とを用いた。成長温度は概ね1100℃から1150℃とした。GaN系半導体層の総厚は約3.2μmであった。
まず、Si層13を介しての電流リークパスについて説明する。ここでは、Si層13がp型Si層であるとする。
第2の実施の形態によるGaN系HFETについて説明する。
図10に示すように、このGaN系HFETにおいては、熱伝導性および/または電気伝導性の基板11上に誘電体層12が積層され、この誘電体層12上に例えば半絶縁性のSiC層51が積層されている。そして、このSiC層51上に反応防止層14、バッファ層15、GaN層16、AlGaN層17およびGaNキャップ層18が順次積層されている。
図11に示すように、Si基板52上にSiC層51を形成した基板を用い、この基板上に第1の実施の形態と同様にしてGaN系半導体層を成長させる。
Si基板52上にSiC層51を形成した基板として、Si(111)基板上に厚さ3μmの3C−SiC層をエピタキシャル成長させた基板を用いた。この基板上に、MOCVD法により、実施例1と同様にしてGaN系半導体層を成長させた。この後、実施例1と同様にして、保護膜27の形成まで終え、さらにその上にキャリー基板としてSi基板を貼り合わせた。次に、研削および強アルカリ溶液を用いたウエットエッチングによりSi(111)基板を除去した。このとき、3C−SiC層は強アルカリ溶液に対して耐エッチング性を有するため、このウエットエッチングによってもエッチングされず、選択的に残された。
第3の実施の形態によるGaN系HFETについて説明する。
図13に示すように、このGaN系HFETにおいては、ドレイン電極24、素子分離領域19およびSiC層51を貫通する貫通ビアホール53が形成され、この貫通ビアホール53の内部に例えばCuやAuなどの金属などからなる導電材料54が埋められている。また、誘電体層12を貫通するコンタクトホール55が形成され、このコンタクトホール55の内部に例えばCuやAuなどの金属などからなる導電材料56が埋められている。導電材料54と導電材料56とは互いに電気的に接続されている。ここで、基板11としては、電気伝導性を有し、好適には更に熱伝導性、特に良熱伝導性を有するものが用いられる。
Si基板52上にSiC層51を形成した基板を用い、この基板上に第1の実施の形態と同様にしてGaN系半導体層を成長させる。
Si基板52上にSiC層51を形成した基板として、Si(111)基板上に厚さ3μmの3C−SiC層をエピタキシャル成長させた基板を用いた。この基板上に、MOCVD法により、実施例1と同様にしてGaN系半導体層を成長させた。この後、実施例1と同様にして、ゲート電極25の形成まで終えた。
Claims (17)
- GaN系半導体成長用基板上にGaN系半導体からなる素子層を形成する工程と、
上記GaN系半導体成長用基板をその裏面側から薄化することによりGaN系半導体成長用基層を形成する工程と、
熱伝導性および/または電気伝導性の基板上に形成された誘電体層と上記GaN系半導体成長用基層とを互いに接合する工程とを有するGaN系半導体素子の製造方法。 - 上記GaN系半導体成長用基板はSi基板またはSi基板上にSiC層を形成したものである請求項1記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 上記GaN系半導体成長用基層は、上記Si基板を薄化することにより形成されたSi層または上記Si基板上にSiC層を形成したものから上記Si基板を除去した後に残された上記SiC層である請求項1または2記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 上記Si層または上記SiC層の厚さは10nm以上100μm以下である請求項3記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 上記Si層はp型である請求項3または4記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 上記素子層は、GaN層とこのGaN層上のAlGaN層とのヘテロ接合を含む請求項1〜5のいずれか一項記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 上記基板は、金属、金属多層膜、半導体、誘電体、炭素系複合材料または導電性ポリマーからなる請求項1〜6のいずれか一項記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 上記基板は、Au、Ni、Fe、Cr、Al、Cu、Mo、Ti、MgおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の金属、Au、Ni、Fe、Cr、Al、Cu、Mo、Ti、MgおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の金属からなる互いに異なる二種類以上の金属膜を積層した金属多層膜、ステンレス鋼、Si、SiNまたはAlNからなる請求項1〜6のいずれか一項記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 上記誘電体層の厚さは0.1μm以上30μm以下である請求項1〜8のいずれか一項記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 上記誘電体層は、AlN膜、SiN膜、SiO2 膜、Al2 O3 膜、SiC膜、ポリイミド膜、ポリカーボネート膜、エポキシ樹脂膜またはこれらの中から選ばれた二種類以上の膜を積層した多層膜である請求項1〜9のいずれか一項記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 上記誘電体層の表面と上記GaN系半導体成長用基層の表面とをそれぞれ粒子線照射により清浄化および活性化した後、上記誘電体層と上記GaN系半導体成長用基層とを互いに接合する請求項1〜10のいずれか一項記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 上記粒子線はArイオンビームである請求項11記載のGaN系半導体素子の製造方法。
- 熱伝導性および/または電気伝導性の基板と、
上記基板上の誘電体層と、
上記誘電体層上のGaN系半導体成長用基層と、
上記GaN系半導体成長用基層上のGaN系半導体からなる素子層とを有するGaN系半導体素子。 - 上記GaN系半導体成長用基層はSi層またはSiC層である請求項13記載のGaN系半導体素子。
- 上記Si層はp型である請求項14記載のGaN系半導体素子。
- 上記基板は、金属、金属多層膜、半導体、誘電体、炭素系複合材料または導電性ポリマーからなる請求項13〜15のいずれか一項記載のGaN系半導体素子。
- 上記基板は、Au、Ni、Fe、Cr、Al、Cu、Mo、Ti、MgおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の金属、Au、Ni、Fe、Cr、Al、Cu、Mo、Ti、MgおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の金属からなる互いに異なる二種類以上の金属膜を積層した金属多層膜、ステンレス鋼、Si、SiNまたはAlNからなる請求項13〜15のいずれか一項記載のGaN系半導体素子。
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