CN101414622B - 基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、源场板(8)、漏场板(10)和保护层(11)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，该漏场板(10)与漏极(5)电气连接，其中，源场板(8)与漏场板(10)之间的钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有成品率高、可靠性好和输出功率高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域，涉及半导体器件，特别是基于宽禁带化合物半导体材料异质结结构的复合场板异质结场效应晶体管，可作为功率系统的基本器件。
技术背景
当今世界，功率半导体器件如功率整流器和功率开关广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制、无线电通讯、电机控制等众多功率领域。功率半导体器件必须具备以下两个重要的性能，即高击穿电压和低导通电阻。Baliga优值特性反映了在功率半导体器件中存在击穿电压与导通电阻之间的折衷关系，为了满足高击穿电压和低导通电阻的需要，人们在材料研制、器件结构设计等方面不断进行探索。硅材料是人们用于制作功率半导体器件最常用的一种材料，然而随着科技的发展，硅基的功率半导体器件已经接近其理论上的极限性能。
为了进一步提高功率半导体器件的性能，人们采用了宽禁带化合物半导体材料代替传统的硅材料，这类材料，如氮化镓(GaN)等，往往具有较大的禁带宽度、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和速率等，因此在高频、高温、大功率等领域显示出极大的优越性，而采用这类宽禁带化合物半导体材料制作功率半导体器件，既可以确保器件的导通电阻进一步减小，又可以确保器件的击穿电压进一步得到提高，尤其是采用宽禁带化合物半导体材料异质结结构，如AlGaN和GaN形成的异质结结构，制作的异质结场效应晶体管，更以其优越的器件性能和巨大的发展潜力而倍受全世界众多研究者的关注。1980年，Mimura等人报道成功研制出了第一只AlGaAs/GaAs异质结场效应晶体管，参见A new field-effect transistor with selectively doped GaAs/n-AlXGa1-XAs heterostructures，Japanese Journal of Applied Physics，Vol.19，No.5，pp.L225-L227，May 1980。1993年，Khan等人报道成功研制出了第一只AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，也是一种异质结场效应晶体管，参见High electron mobility transistor based on a GaN-AlXGa1-XN heterojunction，Applied Physics Letters，Vol.63，No.9，pp.1214-1215，August 1993。随着器件研究的深入，人们对基于宽禁带化合物半导体材料异质结的异质结场效应晶体管的研究不断地取得突破。然而，功率系统所使用的异质结场效应晶体管在工作时，势垒层耗尽区中的电场线的分布并不均匀，靠近漏极一侧的栅极边缘往往会收集大部分的电场线，因此该处的电场相当高。此处的高电场会使得栅极泄漏电流增大，容易导致器件发生雪崩击穿，使其实际击穿电压偏小，从而导致该类器件的高击穿电压和大功率等优势不能充分发挥。另外，器件的栅极泄露电流增大会导致其可靠性变差。
为了提高异质结场效应晶体管的击穿电压，同时增强器件的可靠性，有研究者采用场板结构对其进行了改进，其结构如图1所示。该结构的基本原理是：利用场板增加了耗尽区的面积，提高了耗尽区可以承担的漏源电压，从而增大了器件的击穿电压；同时，利用场板对势垒层耗尽区中电场线的分布进行调制，减小了栅极泄露电流。在异质结场效应晶体管中采用场板结构后，会在场板下方形成新的耗尽区，即高阻区，增加了栅极与漏极之间势垒层中耗尽区的面积，使得耗尽区可以承担更大的漏源电压，从而增大了器件的击穿电压。在异质结场效应晶体管中采用场板结构，可以将部分原本收集在栅极靠近漏极一侧的边缘的电场线收集到场板上，尤其是场板靠近漏极一侧的边缘，结果在栅极靠近漏极一侧的边缘和场板靠近漏极一侧的边缘分别出现一个电场峰值，从而减少了栅极靠近漏极一侧的边缘所收集的电场线，降低了该处的电场，减小了栅极泄露电流。2003年，Wataru Saito等人报道了采用源场板的高电子迁移率晶体管，也是一种异质结场效应晶体管，通过对器件结构的优化设计获得了很高的击穿电压，参见High breakdownvoltage AlGaN-GaN power-HEMT design and high current density switching behavior，IEEETransactions on Electron Devices，Vol.50，No.12，pp.2528-2531，December 2003。为了进一步提高异质结场效应晶体管的击穿电压，一些研究者又提出了采用双场板的复合结构，如Wataru Saito等人于2005年提出的采用源场板和漏场板的高电子迁移率晶体管，也是一种异质结场效应晶体管，参见Design optimization of high breakdown voltage AlGaN-GaNpower HEMT on an insulating substrate for RONA-VB tradeoff characteristics，IEEETransactions on Electron Devices，Vol.52，No.1，pp.106-111，January 2005。由于双场板的复合结构在提高异质结场效应晶体管击穿电压方面的能力仍然有限，因此一些研究者在异质结场效应晶体管中采用了堆层场板的结构，这种结构通过增加堆层场板的个数可以持续地增加器件的击穿电压，如Wataru Saito等人于2007年提出的采用栅场板和源场板的双层场板高电子迁移率晶体管，也是一种异质结场效应晶体管，参见Suppression ofDynamic On-Resistance Increase and Gate Charge Measurements in High-VoltageGaN-HEMTs With Optimized Field-Plate Structure，IEEE Transactions on Electron Devices，Vol.54，No.8，pp.1825-1830，August 2007。但是采用堆层场板结构的异质结场效应晶体管制作工艺比较复杂，每增加一层场板都需要多加光刻、淀积金属、淀积绝缘介质材料、剥离、清洗等工艺步骤，而且要使各层场板下面所淀积的绝缘介质材料具有合适的厚度，必须进行繁琐的工艺调试，因此大大增加了器件制造的难度，降低了器件的成品率。
发明内容
本发明的目的在于克服上述已有技术的不足，提供一种制造工艺简单和击穿电压高的基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，以增强可靠性，实现高输出功率和高成品率。
为实现上述目的，本发明提供的器件结构采用任何宽禁带化合物半导体材料组合而成的异质结结构，该结构自下而上包括：衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层，该源场板与源极电气连接，该漏场板与漏极电气连接，其中，源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板，n≥1，构成源场板、漏场板和浮空场板的复合场板结构，以实现在工作时增大势垒层中耗尽区的面积。
所述的n个浮空场板与源场板和漏场板均位于钝化层上，这些场板厚度均相同。
所述的源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～3.5μm，漏场板与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.05～2.6μm。
所述的各浮空场板大小相同，相互独立，且按照相邻两浮空场板之间的间距均为0.08～4.1μm的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。
为实现上述目的，本发明提供的制作基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管的方法，包括如下过程：
在衬底上外延宽禁带化合物半导体材料的过渡层作为器件的工作区；
在过渡层上淀积宽禁带化合物半导体材料的势垒层；
在势垒层上第一次制作掩膜，并在势垒层的两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，分别制作源极和漏极；
在势垒层上第二次制作掩膜，在源极和漏极之间的势垒层上淀积金属，制作栅极；
淀积钝化层，即用绝缘介质材料分别覆盖源极、漏极和栅极，以及势垒层上的其它区域；
在钝化层上制作掩膜，利用该掩膜在源极与漏极之间的钝化层上淀积金属，以制作厚度均为0.2～10μm的源场板、各浮空场板及漏场板，并分别将源场板与源极电气连接，漏场板与漏极电气连接；
分别在源场板上部、各浮空场板上部和漏场板上部，以及钝化层上的其它区域淀积保护层。
本发明器件与采用传统源场板的异质结场效应晶体管比较具有以下优点：
1.进一步增大了高阻区的面积，提高了器件的击穿电压。
本发明由于采用浮空场板结构，使器件在处于工作状态尤其是处于关态的工作状态时，在源场板与其最邻近的浮空场板之间，在各个浮空场板彼此之间，以及在漏场板与其最邻近的浮空场板之间都存在电容耦合作用，于是电势从源场板到漏场板逐渐升高，从而极大地增加了栅极与漏极之间势垒层中的耗尽区，即高阻区的面积，使得此耗尽区能够承担更大的漏源电压，即大大提高了器件的击穿电压。
2.进一步减小了栅极泄漏电流，增强了器件的可靠性
本发明由于采用浮空场板结构，使器件势垒层耗尽区中电场线的分布得到了更强的调制，器件中栅极靠近漏极一侧的边缘、源场板与其最邻近的浮空场板之间、各个浮空场板彼此之间以及漏场板与其最邻近的浮空场板之间都会产生一个电场峰值，而且通过调整源场板与其最邻近的浮空场板之间距离、各个浮空场板彼此之间的距离，以及漏场板与其最邻近的浮空场板之间距离，能够使得上述各个电场峰值相等且小于宽禁带化合物半导体材料的击穿电场，从而最大限度地减少了栅极靠近漏极一侧的边缘所收集的电场线，有效地降低了该处的电场，大大减小了栅极泄露电流，显著增强了器件的可靠性。
3.工艺简单，易于实现，成品率高。
本发明器件结构中由于源场板、各浮空场板和漏场板位于同一层钝化层上，且只有一层，因此只需要一步工艺便能够同时实现源场板、各浮空场板和漏场板的制作，避免了传统的堆层场板结构所带来的工艺复杂化问题，大大提高了器件的成品率。
仿真结果表明，本发明器件的击穿电压远远大于采用传统源场板的异质结场效应晶体管的击穿电压。
以下结合附图和实施例进一步说明本发明的技术内容和效果。
附图说明
图1是采用传统源场板的异质结场效应晶体管的结构图；
图2是本发明基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管的结构图；
图3是本发明基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管的制作流程图；
图4是对传统器件及本发明器件仿真所得的势垒层中电场曲线图；
图5是对传统器件及本发明器件仿真所得的击穿曲线图。
具体实施方式
参照图2，本发明基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管是基于宽禁带化合物半导体材料异质结结构，其结构自下而上为：衬底1、过渡层2、势垒层3、钝化层7与保护层11。其中，势垒层3上的两端分别为源极4和漏极5，源极4和漏极5之间制作有栅极6。钝化层7位于源极4上部、漏极5上部和栅极6上部，以及势垒层3上的其它区域。在钝化层7上制作有源场板8、n个浮空场板9及漏场板10，n≥1，源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S1为0.07～3.5μm，漏场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S3为0.05～2.6μm，各浮空场板与源场板和漏场板位于同一层钝化层上，且各浮空场板按照相邻两浮空场板之间的间距S2均为0.08～4.1μm的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。各浮空场板9的大小相同，沿着平行于源场板宽度和漏场板宽度的方向放置，不与任何电极或者金属接触，处于相互独立的浮空状态。源场板的有效长度L0为0.2～5μm，每个浮空场板的长度L1均为0.25～6μm，漏场板的有效长度L2为0.35～7μm。保护层11位于源场板8上部、各浮空场板9上部和漏场板10上部，以及钝化层7上的其它区域。源场板8与源极4电气连接，漏场板10与漏极5电气连接。
上述器件的衬底1可以为蓝宝石、碳化硅、硅或其它外延衬底材料；过渡层2由若干层相同或不同的宽禁带化合物半导体材料组成，其厚度为1～5μm；势垒层3由若干层相同或不同的宽禁带化合物半导体材料组成，其厚度为10～50nm；钝化层7可以为SiO2、SiN、Al2O3、Sc2O3、HfO2、TiO2或其它绝缘介质材料，其厚度为0.05～0.8μm；保护层11可以为SiO2、SiN、Al2O3、Sc2O3、HfO2、TiO2或其它绝缘介质材料，其厚度为0.25～10.3μm；源场板8、n个浮空场板9及漏场板10采用两层或三层的金属层的组合，其厚度为0.2～10μm。
参照图3，本发明制作基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管的过程如下：
步骤1，在衬底1上外延过渡层2作为器件的工作区，如图3a。
选择一衬底1，该衬底材料可以为蓝宝石、碳化硅、硅或其它外延衬底材料，并在其上外延厚度为1～5μm的宽禁带化合物半导体材料过渡层2作为器件的工作区，该过渡层材料由若干层相同或不同的宽禁带化合物半导体材料组成，如仅由GaN材料组成，或自下而上由AlN和GaN两层材料组成，或仅由GaAs材料组成。外延过渡层的方法采用金属有机物化学气相淀积技术或分子束外延技术或氢化物气相外延技术或其它能够用于外延过渡层的技术。
步骤2，在过渡层2上淀积势垒层3，如图3b。
在过渡层2上淀积厚度为10～50nm的势垒层3，该势垒层材料由若干层相同或不同的宽禁带化合物半导体材料组成，如仅由AlXGa1-XN材料组成，或自下而上由AlXGa1-XN和GaN两层材料组成，或仅由AlXGa1-XAs材料组成，0<X<1，X表示Al组分的含量。淀积势垒层的方法采用金属有机物化学气相淀积技术或分子束外延技术或氢化物气相外延技术或其它能够用于淀积势垒层的技术。
步骤3，在势垒层3上分别制作源极4和漏极5，如图3c。
在势垒层3上第一次制作掩膜，分别在其两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，制作源极4和漏极5，其中所淀积的金属采用Ti/Al/Ni/Au组合或Ti/Al/Ti/Au组合或Ti/Al/Mo/Au组合，或采用其它金属组合，金属厚度为0.01～0.04μm/0.03～0.16μm/0.02～0.12μm/0.06～0.15μm。淀积金属的方法采用电子束蒸发技术或溅射技术或其它能够用于淀积金属的技术。
步骤4，在势垒层3上制作栅极6，如图3d。
在势垒层3上第二次制作掩膜，在源极和漏极之间的势垒层上淀积金属，制作栅极6，其中所淀积的金属采用Ni/Au金属组合，或采用其它金属组合，金属厚度为0.01～0.04μm/0.08～0.4μm。淀积金属的方法采用电子束蒸发技术或溅射技术或其它能够用于淀积金属的技术。
步骤5，淀积钝化层7，如图3e。
在源极4上部、漏极5上部和栅极6上部，以及势垒层3上的其它区域淀积钝化层7，该钝化层材料能够采用SiO2、SiN、Al2O3、Sc2O3、HfO2、TiO2或其它绝缘介质材料，其厚度为0.05～0.8μm。淀积钝化层的方法采用化学气相淀积技术或蒸发技术或原子层淀积技术或溅射技术或分子束外延技术或其它能够用于淀积钝化层的技术。
步骤6，制作源场板8、各浮空场板9及漏场板10，如图3f。
在钝化层7上制作掩膜，该掩膜是按照源场板8与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～3.5μm，漏场板10与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.05～2.6μm，且各浮空场板按照相邻两浮空场板之间的间距均相等的规律设置，该间距为0.08～4.1μm。利用该掩膜在钝化层上淀积金属厚度均为0.2～10μm的源场板8、n个浮空场板9及漏场板10，n≥1。该源场板、各浮空场板及漏场板的淀积均采用两层或三层的金属层组合，且下层金属厚度要小于上层金属厚度。对于两层金属组合采用Ti/Au或Ni/Au或Pt/Au，厚度为0.04～3.3μm/0.16～6.7μm；对于三层金属组合采用Ti/Mo/Au或Ti/Ni/Au或Ti/Pt/Au，厚度为0.015～2μm/0.055～3.2μm/0.13～4.8μm。源场板的有效长度L0为0.2～5μm，每个浮空场板的长度L1均为0.25～6μm，漏场板的有效长度L2为0.35～7μm。淀积金属的方法采用电子束蒸发技术或溅射技术或其它能够用于淀积金属的技术。
完成源场板8、n个浮空场板9及漏场板10的制作后，将源场板8与源极4电气连接，将漏场板10与漏极5电气连接。
步骤7，淀积保护层11，如图3g。
分别在源场板8上部、各浮空场板9上部和漏场板10上部，以及钝化层7上的其它区域淀积保护层11，其中保护层材料能够采用SiO2、SiN、Al2O3、Sc2O3、HfO2、TiO2或其它绝缘介质材料，其厚度为0.25～10.3μm。淀积保护层的方法采用化学气相淀积技术或蒸发技术或原子层淀积技术或溅射技术或分子束外延技术或其它能够用于淀积保护层的技术。
根据以上所述的器件结构和制作方法，本发明给出以下六种实施例，但并不限于这些实施例。
实施例一
制作衬底为蓝宝石、钝化层为SiO2、保护层为SiO2和各场板为Ti/Au金属组合的复合场板异质结场效应晶体管，其过程是：
1.使用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底1上外延厚度为1μm的未掺杂过渡层2，该过渡层自下而上由厚度为29nm的AlN材料和厚度为0.971μm的GaN材料构成。外延下层AlN材料采用的工艺条件为：温度为585℃，压力为100Torr，氢气流量为4600sccm，氨气流量为4600sccm，铝源流量为33μmol/min；外延上层GaN材料采用的工艺条件为：温度为1040℃，压力为100Torr，氢气流量为4600sccm，氨气流量为4600sccm，镓源流量为150μmol/min。
2.使用金属有机物化学气相淀积技术在GaN过渡层2上淀积厚度为50nm的未掺杂势垒层3，该势垒层自下而上由厚度为45nm、铝组分为0.15的Al0.15Ga0.85N材料和厚度为5nm的GaN材料构成。淀积下层Al0.15Ga0.85N材料采用的工艺条件为：温度为1070℃，压力为100Torr，氢气流量为4600sccm，氨气流量为4600sccm，镓源流量为16μmol/min，铝源流量为3μmol/min；淀积上层GaN材料采用的工艺条件为：温度为1070℃，压力为100Torr，氢气流量为4600sccm，氨气流量为4600sccm，镓源流量为8μmol/min。
3.在势垒层3上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在其两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，制作源极4和漏极5，其中所淀积的金属为Ti/Al/Ni/Au金属组合，金属层厚度为0.01μm/0.03μm/0.02μm/0.06μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于
快速热退火采用的工艺条件为：温度为830℃，时间为30s。
4.在势垒层3上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极和漏极之间的势垒层上淀积金属，制作栅极6，其中所淀积的金属为Ni/Au金属组合，金属厚度为0.01μm/0.08μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.2×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于
5.使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖源极4、漏极5和栅极6，以及势垒层3上的其它区域，完成淀积厚度为0.05μm的SiO2钝化层7。淀积钝化层采用的工艺条件为：气体为N2O及SiH4，气体流量分别为800sccm和150sccm，温度、RF功率和压力分别为250℃、25W和1000mT。
6.在SiO2钝化层7上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度均为0.04μm/0.16μm的Ti/Au金属组合，分别制作源场板8、两个浮空场板9及漏场板10，该源场板的有效长度L0为0.2μm，各浮空场板的长度L1为0.25μm，漏场板的有效长度L2为0.35μm，源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S1为0.07μm，两浮空场板之间的距离S2为0.08μm，漏场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S3为0.05μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于
将源场板8与源极4电气连接，将漏场板10与漏极5电气连接。
7.使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖源场板8、各浮空场板9和漏场板10，以及钝化层7上的其它区域，完成淀积厚度为0.25μm的SiO2保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：气体为N2O及SiH4，气体流量分别为800sccm和150sccm，温度、RF功率和压力分别为250℃、25W和1000mT。
实施例二
制作衬底为碳化硅、钝化层为SiN、保护层为SiN和各场板为Ni/Au金属组合的复合场板异质结场效应晶体管，其过程是：
1.使用金属有机物化学气相淀积技术在碳化硅衬底1上外延厚度为2.6μm的未掺杂过渡层2，该过渡层自下而上由厚度为85nm的AlN材料和厚度为2.515μm的GaN材料构成。外延下层AlN材料采用的工艺条件为：温度为1060℃，压力为115Torr，氢气流量为5200sccm，氨气流量为5200sccm，铝源流量为20μmol/min；外延上层GaN材料采用的工艺条件为：温度为1060℃，压力为115Torr，氢气流量为5200sccm，氨气流量为5200sccm，镓源流量为200μmol/min。
2.使用金属有机物化学气相淀积技术在GaN过渡层2上淀积厚度为25nm，且铝组分为0.3的未掺杂Al0.3Ga0.7N势垒层3。采用的工艺条件为：温度为1050℃，压力为115Torr，氢气流量为5200sccm，氨气流量为5200sccm，镓源流量为21μmol/min，铝源流量为9μmol/min。
3.在Al0.3Ga0.7N势垒层3上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在其两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，制作源极4和漏极5，其中所淀积的金属为Ti/Al/Ti/Au金属组合，金属层厚度为0.02μm/0.12μm/0.07μm/0.07μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于
快速热退火采用的工艺条件为：温度为850℃，时间为35s。
4.在Al0.3Ga0.7N势垒层3上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极和漏极之间的Al0.3Ga0.7N势垒层上淀积金属，制作栅极6，其中所淀积的金属为Ni/Au金属组合，金属厚度为0.025μm/0.25μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.2×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于
5.使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖源极4、漏极5和栅极6，以及势垒层3上的其它区域，完成淀积厚度为0.25μm的SiN钝化层7。淀积钝化层采用的工艺条件为：气体为NH3、N2及SiH4，气体流量分别为2.5sccm、900sccm和200sccm，温度、RF功率和压力分别为300℃、25W和900mT。
6.在SiN钝化层7上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度均为0.7μm/1.3μm的Ni/Au金属组合，分别制作源场板8、二十个浮空场板9及漏场板10，该源场板的有效长度L0为0.8μm，各浮空场板的长度L1均为1.0μm，漏场板的有效长度L2为0.5μm，源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S1为0.8μm，相邻两浮空场板之间的距离S2为0.79μm，漏场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S3为0.5μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于
将源场板8与源极4电气连接，将漏场板10与漏极5电气连接。
7.使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖源场板8、各浮空场板9和漏场板10，以及钝化层7上的其它区域，完成淀积厚度为2.3μm的SiN保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：气体为NH3、N2及SiH4，气体流量分别为2.5sccm、900sccm和200sccm，温度、RF功率和压力分别为300℃、25W和900mT。
实施例三
制作衬底为硅、钝化层为Al2O3、保护层为Al2O3和各场板为Pt/Au金属组合的复合场板异质结场效应晶体管，其过程是：
1.使用金属有机物化学气相淀积技术在硅衬底1上外延厚度为5μm的未掺杂过渡层2，该过渡层自下而上由厚度为145nm的AlN材料和厚度为4.855μm的GaN材料构成。外延下层AlN材料采用的工艺条件为：温度为900℃，压力为112Torr，氢气流量为5300sccm，氨气流量为5300sccm，铝源流量为50μmol/min；外延上层GaN材料采用的工艺条件为：温度为1090℃，压力为112Torr，氢气流量为5300sccm，氨气流量为5300sccm，镓源流量为200μmol/min。
2.使用金属有机物化学气相淀积技术在GaN过渡层2上淀积厚度为10nm，且铝组分为0.5的未掺杂Al0.5Ga0.5N势垒层3。采用的工艺条件为：温度为1060℃，压力为112Torr，氢气流量为5300sccm，氨气流量为5300sccm，镓源流量为8μmol/min，铝源流量为8μmol/min。
3.在Al0.5Ga0.5N势垒层3上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在其两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，制作源极4和漏极5，其中所淀积的金属为Ti/Al/Mo/Au金属组合，金属层厚度为0.04μm/0.16μm/0.12μm/0.15μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1800W，蒸发速率小于快速热退火采用的工艺条件为：温度为880℃，时间为45s。
4.在Al0.5Ga0.5N势垒层3上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极和漏极之间的Al0.5Ga0.5N势垒层上淀积金属，制作栅极6，其中所淀积的金属为Ni/Au金属组合，金属厚度为0.04μm/0.4μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.2×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于。
5.使用原子层淀积技术分别覆盖源极4、漏极5和栅极6，以及势垒层3上的其它区域，完成淀积厚度为0.8μm的Al2O3钝化层7。淀积钝化层采用的工艺条件为：以TMA和H2O为反应源，载气为N2，载气流量为200sccm，衬底温度为300℃，气压为700Pa。
6.在Al2O3钝化层7上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度均为3.3μm/6.7μm的Pt/Au金属组合，分别制作源场板8、三十个浮空场板9及漏场板10，该源场板的有效长度L0为5μm，各浮空场板的长度L1均为6μm，漏场板的有效长度L2为7μm，源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S1为3.5μm，相邻两浮空场板之间的距离S2为4.1μm，漏场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S3为2.6μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于
将源场板8与源极4电气连接，将漏场板10与漏极5电气连接。
7.使用原子层淀积技术分别覆盖源场板8、各浮空场板9和漏场板10，以及钝化层7上的其它区域，完成淀积厚度为10.3μm的Al2O3保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：以TMA和H2O为反应源，载气为N2，载气流量为200sccm，衬底温度为300℃，气压为700Pa。
实施例四
制作衬底为蓝宝石、钝化层为SiO2、保护层为Al2O3和各场板为Ti/Mo/Au金属组合的复合场板异质结场效应晶体管，其过程是：
1.与实施例一的过程1相同；
2.与实施例一的过程2相同；
3.与实施例一的过程3相同；
4.与实施例一的过程4相同；
5.与实施例一的过程5相同；
6.在SiO2钝化层7上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度均为0.015μm/0.055μm/0.13μm的Ti/Mo/Au金属组合，分别制作源场板8、五个浮空场板9及漏场板10，该源场板的有效长度L0为0.2μm，各浮空场板的长度L1均为0.25μm，漏场板的有效长度L2为0.35μm，源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S1为0.07μm，相邻两浮空场板之间的距离S2为0.08μm，漏场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S3为0.05μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1800W，蒸发速率小于
将源场板8与源极4电气连接，将漏场板10与漏极5电气连接。
7.使用原子层淀积技术分别覆盖源场板8、各浮空场板9和漏场板10，以及钝化层7上的其它区域，完成淀积厚度为0.25μm的Al2O3保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：以TMA和H2O为反应源，载气为N2，载气流量为200sccm，衬底温度为300℃，气压为700Pa。
实施例五
制作衬底为碳化硅、钝化层为SiN、保护层为SiO2和各场板为Ti/Ni/Au金属组合的复合场板异质结场效应晶体管，其过程是：
1.与实施例二的过程1相同；
2.与实施例二的过程2相同；
3.与实施例二的过程3相同；
4.与实施例二的过程4相同；
5.与实施例二的过程5相同；
6.在SiN钝化层7上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度均为0.8μm/2.2μm/3μm的Ti/Ni/Au金属组合，分别制作源场板8、十个浮空场板9及漏场板10，该源场板的有效长度L0为0.5μm，各浮空场板的长度L1均为0.4μm，漏场板的有效长度L2为0.6μm，源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S1为2μm，相邻两浮空场板之间的距离S2为2.5μm，漏场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S3为1.6μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～700W，蒸发速率小于将源场板8与源极4电气连接，将漏场板10与漏极5电气连接。
7.使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖源场板8、各浮空场板9和漏场板10，以及钝化层7上的其它区域，完成淀积厚度为6.5μm的SiO2保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：气体为N2O及SiH4，气体流量分别为800sccm和150sccm，温度、RF功率和压力分别为250℃、25W和1000mT。
实施例六
制作衬底为硅、钝化层为Al2O3、保护层为SiN和各场板为Ti/Pt/Au金属组合的复合场板异质结场效应晶体管，其过程是：
1.与实施例三的过程1相同；
2.与实施例三的过程2相同；
3.与实施例三的过程3相同；
4.与实施例三的过程4相同；
5.与实施例三的过程5相同；
6.在Al2O3钝化层7上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极与漏极之间的钝化层上淀积厚度均为2μm/3.2μm/4.8μm的Ti/Pt/Au金属组合，分别制作源场板8、十五个浮空场板9及漏场板10，该源场板的有效长度L0为5μm，各浮空场板的长度L1均为6μm，漏场板的有效长度L2为7μm，源场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S1为3.5μm，相邻两浮空场板之间的距离S2为4.1μm，漏场板与其最邻近的浮空场板之间的距离S3为2.6μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于将源场板8与源极4电气连接，将漏场板10与漏极5电气连接。
7.使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖源场板8、各浮空场板9和漏场板10，以及钝化层7上的其它区域，完成淀积厚度为10.3μm的SiN保护层11。淀积保护层采用的工艺条件为：气体为NH3、N2及SiH4，气体流量分别为2.5sccm、900sccm和200sccm，温度、RF功率和压力分别为300℃、25W和900mT。
本发明的效果可通过图4和图5进一步说明。
图4给出了采用Al0.24Ga0.76N/GaN异质结结构时，采用传统源场板的异质结场效应晶体管与本发明采用三个浮空场板的器件在Al0.24Ga0.76N势垒层中的电场仿真图，由该图可以看出，采用传统源场板的异质结场效应晶体管在势垒层中的电场曲线只形成了2个近似相等的电场峰值，其在势垒层中的电场曲线所覆盖的面积很小，而本发明器件在势垒层中的电场曲线形成了5个近似相等的电场峰值，使得本发明器件在势垒层中的电场曲线所覆盖的面积大大增加，由于在势垒层中的电场曲线所覆盖的面积近似等于器件的击穿电压，说明本发明器件的击穿电压远远大于采用传统源场板的异质结场效应晶体管的击穿电压。
图5给出了采用Al0.24Ga0.76N/GaN异质结结构时，采用传统源场板的异质结场效应晶体管与本发明采用三个浮空场板的器件的击穿仿真图，由该图可以看出，采用传统源场板的异质结场效应晶体管的击穿曲线中发生击穿，即漏极电流迅速增加时的漏源电压大约在605V，而本发明器件的击穿曲线中发生击穿时的漏源电压大约在1680V，证明本发明器件的击穿电压远远大于采用传统源场板的异质结场效应晶体管的击穿电压，该图5的结论与图4的结论相一致。
对于本领域的专业人员来说，在了解了本发明内容和原理后，能够在不背离本发明的原理和范围的情况下，根据本发明的方法进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些基于本发明的修正和改变仍在本发明的权利要求保护范围之内。
Claims (2)
1.一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、源场板(8)、漏场板(10)和保护层(11)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，该漏场板(10)与漏极(5)电气连接，其特征在于，源场板(8)与漏场板(10)之间的钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)，n≥1；源场板(8)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～3.5μm，漏场板(10)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.05～2.6μm；各浮空场板按照相邻两浮空场板之间的间距均为0.08～4.1μm的方式均匀分布于源场板与漏场板之间，各浮空场板的厚度均为0.2～10μm，各浮空场板的长度均为0.25～6μm，源场板的有效长度为0.2～5μm，漏场板的有效长度为0.35～7μm，构成相同厚度的源场板、漏场板和浮空场板的复合场板结构，以实现在工作时增大势垒层中耗尽区的面积。
2.一种制作基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管的方法，包括如下过程：
在衬底(1)上外延宽禁带化合物半导体材料的过渡层(2)作为器件的工作区；
在过渡层(2)上淀积宽禁带化合物半导体材料的势垒层(3)；
在势垒层(3)上第一次制作掩膜，并在势垒层(3)的两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，分别制作源极(4)和漏极(5)；
在势垒层(3)上第二次制作掩膜，在源极(4)和漏极(5)之间的势垒层上淀积金属，制作栅极(6)；
淀积钝化层(7)，即用绝缘介质材料分别覆盖源极(4)、漏极(5)和栅极(6)，以及势垒层(3)上的其它区域；
在钝化层(7)上制作掩膜，利用该掩膜在源极与漏极之间的钝化层上淀积金属，以制作厚度均为0.2～10μm的源场板(8)、各浮空场板(9)及漏场板(10)，源场板(8)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.07～3.5μm，漏场板(10)与其最邻近的浮空场板之间的距离为0.05～2.6μm，各浮空场板按照相邻两浮空场板之间的间距均为0.08～4.1μm的方式均匀分布于源场板与漏场板之间，各浮空场板的长度均为0.25～6μm，源场板的有效长度为0.2～5μm，漏场板的有效长度为0.35～7μm，并分别将源场板(8)与源极(4)电气连接，漏场板(10)与漏极(5)电气连接；
分别在源场板(8)上部、各浮空场板(9)上部和漏场板(10)上部，以及钝化层(7)上的其它区域淀积保护层(11)。
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