JP2013228743A - 液晶表示装置用基板、液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画像を表示する多数の画素電極と半導体素子とを有している透明な絶縁の第1基板と、前記第1基板上に形成され前記半導体素子と連結された配線と、隣接した前記配線との間に連結され、前記第1基板から発生される静電気を消耗させる多数のスパーク誘導回路とを含む。
【選択図】図21
Description
多数のゲート線、多数のデータ線及び前記ゲート線と前記データ線とが交差して生じる多数の画素領域が集まって区切られる活性領域の外側で、前記ゲート線と平行に形成されている少なくとも一つのダミーゲート線を含む液晶表示装置において、
前記データ線と前記ダミーゲート線との間に直列に連結されている第1抵抗及びキャパシタと、
前記キャパシタと連結され、前記データ線と隣接した前記データ線と連結されている第2抵抗とを含む液晶表示装置を提供する。
基板上に形成されている多数のゲート線と、
前記ゲート線の外側に形成されている少なくとも一つのダミーゲート線と、
前記ゲート線及び前記ダミーゲート線を覆っているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線及び前記ダミーゲート線と交差するように形成されている多数のデータ線と、
前記データ線と連結されており、前記ゲート絶縁膜上に形成されている第1半導体パターンと、
前記データ線の隣接したデータ線と連結されており、前記ゲート絶縁膜上に形成されている第2半導体パターンと、
前記データ線及び前記第1及び第2半導体パターンを覆っている保護膜と、
前記ダミーゲート線と重畳して前記第1及び第2半導体パターンと電気的に連結されるように前記保護膜上に形成されているキャパシタ用パターンとを含む液晶表示装置を提供する。
図3は本発明による液晶表示基板を概略的に示した平面図である。図3に示したように透明な絶縁基板10上に横方向に多数のゲート線100が形成されており、ゲート線100の一端にはゲートパッド101が形成されている。また、ゲート線100と交差するように縦方向に多数のデータ線200が形成されており、データ線200の一端にはデータパッド201が形成されており、データ線200とゲート線100とが交差して定義される画素領域PX内にはスイッチング素子であるTFTが形成されている。このような多数の画素領域PXからなる領域が、画像が具現される活性領域41となる。
図である。図13及び図14に示すように、第4スパーク誘導回路は、複数のダミーゲート線111、ゲート絶縁膜3、ダミーゲート線111の上部ゲート絶縁膜3上に形成されている半導体パターン700、半導体パターン700の両端部とそれぞれ重畳するデータ線200及び金属パターン103で構成されたTFTパターン、そして金属パターン103と連結されてダミーゲート線111とは層間絶縁膜4及びゲート絶縁膜3を間において重畳して保持容量を形成する透明導電パターン6からなる。また、このような第4スパーク誘導回路の外側にはダミーデータ線112が縦方向に形成されており、このダミーデータ線112はすべてのダミーデータ線111と連結パターン5を通じて連結されている。
面図であって、キャパシタ用透明導電パターン(図14の図面符号6)を別途に置かない代わりに金属パタン104がダミーゲート線111と一定の面積だけ重畳するように延長されているため、金属パターン104とダミーゲート線111との間に充分な保持容量が形成される。
上に横方向にゲート線またはダミーゲート線100が形成されている。この時、ゲート線またはダミーゲート線100の一部がダミーゲート電極となる。
る蓄電器を示す斜視図である。基板10上のゲート絶縁膜3上にデータ線またはダミーデータ線110が形成されており、放電用非晶質珪素パターン704がゲート絶縁膜3上に形成されている。データ線またはダミーデータ線110からその一部が伸びている部分が第1電極パターン118となるが、第1電極パターン118は非晶質珪素パターン704の一端と重畳するように形成されており、反対側には第2電極パターン128が重畳している。この時、第1及び第2電極パターン118、128の端部は尖った形態に形成されており、第1及び第2電極パターン118、128と非晶質珪素パターン704が接触する部分にはオーミック接触層であるn+非晶質珪素パターン710が形成されている。ダミーデータ線110、第1及び第2電極パターン118、128の上部には保護膜4が形成されており、保護膜4には第2電極パターン128を露出する接触口C8が形成されており、保護膜4には第2電極パターン128と重畳する蓄電器用ITOパターン302が形成されている。この蓄電器用ITOパターン302は、第2電極パターン128と接触口C8を通じて連結されている。
それ以外の他の構造は前述の第3実施例と同一である。
4 保護膜
10 基板
41 活性領域
110、112 ダミーデータ線
111 ダミーゲート線
120 ダイオード
130 スパーク誘導回路
140、150 静電気充電回路
118、128、119、129 第1〜第4電極パターン
C8、C9 接触口
302 ITOパターン
704、705 第1及び2非晶質珪素パターン
Claims (11)
- 多数のゲート線、多数のデータ線及び前記ゲート線と前記データ線とが交差して生じる多数の画素領域が集まって区切られる活性領域の外側で、前記ゲート線と平行に形成されている少なくとも一つのダミーゲート線を含む液晶表示装置において、
前記データ線と前記ダミーゲート線との間に直列に連結されている第1抵抗及びキャパシタと、
前記キャパシタと連結され、前記データ線と隣接した前記データ線と連結されている第2抵抗とを含む液晶表示装置。 - 前記活性領域の外側で前記データ線と平行に形成されている少なくとも一つのダミーデータ線をさらに含み、前記ダミーデータ線は前記ダミーゲート線と電気的に連結されている請求項1に記載の液晶表示装置。
- 基板上に形成されている多数のゲート線と、
前記ゲート線の外側に形成されている少なくとも一つのダミーゲート線と、
前記ゲート線及び前記ダミーゲート線を覆っているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート線及び前記ダミーゲート線と交差するように形成されている多数のデータ線と、
前記データ線と連結されており、前記ゲート絶縁膜上に形成されている第1半導体パターンと、
前記データ線の隣接したデータ線と連結されており、前記ゲート絶縁膜上に形成されている第2半導体パターンと、
前記データ線及び前記第1及び第2半導体パターンを覆っている保護膜と、
前記ダミーゲート線と重畳して前記第1及び第2半導体パターンと電気的に連結されるように前記保護膜上に形成されているキャパシタ用パターンとを含む液晶表示装置。 - 前記基板上に前記データ線と平行に少なくとも一つ形成され、前記ダミーゲート線とは電気的に連結されるダミーデータ線をさらに含む請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記ダミーゲート線の端部及び前記ダミーデータ線と重畳するように前記保護膜上に形成されており、前記保護膜に開いている接触口を通じて前記ダミーゲート線と前記ダミーデータ線とを連結する連結パターンをさらに含む請求項4に記載の液晶表示装置。
- 前記ダミーゲート線は前記データ線を基準として分離された多数のパターン形態に形成されており、前記ダミーゲート線の前記各パターンは前記データ線間で多数個の前記キャパシタ用パターンと重畳している請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記ダミーゲート線のパターンはフローティングされている請求項6に記載の液晶表示装置。
- 前記ゲート絶縁膜上に形成されており、前記第1半導体パターンと前記キャパシタ用パターン及び前記第1半導体パターンと前記キャパシタ用パターンとをそれぞれ連結する第1及び第2連結パターンをさらに含む請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記キャパシタ用パターンはITOで形成されている請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2半導体パターンは非晶質珪素で形成されている請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記ゲート絶縁膜を間において前記第1及び第2半導体パターンの下部の前記基板上にそれぞれ形成されている電極パターンをさらに含む請求項3に記載の液晶表示装置。
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