JP2013225654A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体レーザ装置100は、それぞれが出射側端部及び反射側端部を有する、基台10と、第1導電層21と、第2導電層22と、第3導電層23と、半導体レーザチップ30と、を順に備える。第1導電層21は、その出射側端部が基台10の出側端部と一致し、且つ、外部と電気的に接続するための外部接続領域21aを有する。第2導電層22は、第1導電層の外部接続領域21aと異なる領域に第1導電層21よりも厚く形成され、且つ、その出射側端部が第1導電層21の出射側端部の内側に位置するように形成されている。第3導電層23は、その出射側端部が第2導電層22の出射側端部と一致するように形成されている。さらに、半導体レーザチップ30は、その出射側端部が第3導電層23の出射側端部の外側に位置するように形成されている。
【選択図】図1
Description
基台10は、サブマウントとも称呼される部材であり、半導体レーザチップ30を載置するためのものである。基台10には、窒化アルミ、炭化ケイ素、ケイ素、ダイヤモンドなど、放熱性に優れた材料を選択することができる。
図1等に示すように、導電層20は、基台10側から順に、第1導電層21、第2導電層22、及び第3導電層23を有する。導電層20は、半導体レーザチップ30と外部とを電気的に接続するための層であると共に、半導体レーザチップ30を基台10上に機械的に固定するためのものである。なお、導電層20を構成する、第1導電層21、第2導電層22、第3導電層23のそれぞれは、単層に限られず複数の層で構成することもできる。
半導体レーザチップ30には、公知のものを用いることができ、例えば、窒化物半導体からなるものを用いることができる。図1に示すように、ここでは、半導体レーザチップ30は、基板31と、半導体構造32と、を有する。半導体レーザチップ30が窒化物半導体から構成される場合、基板31には、n型GaN基板が用いられることが多い。半導体構造31には、n型層、活性層、p型層などが含まれる。なお、図1では、半導体レーザチップ30の上方にn電極、下方にp電極が実際には存在するが、図示は省略してある。
ヒートシンク40は、ステム50とも称呼されるものであり、基台10を載置するためのものである。また、半導体レーザチップ30で生じた熱は、基台10を介して、ヒートシンク40に伝わるので、ヒートシンク40には銅などの放熱性に優れた金属材料が用いられることが多い。図3に示すように、ヒートシンク40上(図3の紙面手前方向)には、基台10と、半導体レーザチップ30と、が順に実装されている。
ステム50は、アイレットとも称呼されるものであり、その上方(図3の上方向)にヒートシンク40が固定されている。一般に、ステム50には、ヒートシンク40よりも放熱性が劣る鉄などの金属材料が用いられる。ステム50には後に気密封止のためのキャップ(図示せず)を溶接等により接続する必要があり、熱伝導率が高すぎると熱が拡散してしまい溶接できない等の理由による。
図3に示すように、半導体レーザ装置100は、半導体レーザチップ30を通電させるためにリード端子61、62を備える。ここでは、リード端子61、62は、それぞれがステム50を上下方向に貫通するように設けられている。各リード端子は、絶縁体を介してステム50に固定される。リード端子61は、ワイヤ71により、半導体レーザチップ30の上面側と電気的に接続されている。また、リード端子62は、ワイヤ72により、半導体レーザチップ30の下面側と電気的に接続されている。
窒化アルミ(多結晶)からなる基台10と、Ti/Pt/Au(Tiが基台10側)からなる第1導電層21と、Auからなる第2導電層22と、Ptからなる拡散防止層(図示せず)と、AuSn共晶からなる第3導電層23と、窒化物半導体からなる発振波長445nmの半導体レーザチップ30と、主成分として銅を含むヒートシンク40と、主成分として鉄を含むステム50と、を用いて半導体レーザ装置100を作製した。
第2導電層22を形成しない点以外は実施例1と同じようにして、比較例のための半導体レーザ装置を作製した。
実施例で作製した50個の半導体レーザ装置のうちの1個と、比較例で作製した50個の半導体レーザ装置のうちの1個と、のFFP形状(基台と垂直をなす方向のFFP形状)をそれぞれ観察した。図4に、実施例と比較例のFFP形状を比較して示す。比較例ではFFP形状に異常が見られたが、実施例ではFFP形状に異常は見られなかった。具体的には、比較例では角度が約7°のところでFFP形状が歪んでいる。これは、レーザ光が第1導電層21の表面に当たるためである。さらに、両者のI(電流)−V(電圧)特性を比較したところ、図5に示すとおりとなった。図5から、実施例は比較例よりも一定の電流値に対する電圧値が高いこと、つまり、実施例は比較例よりも放熱性に優れることが確認できた。なお、I−V特性については、実施例で得られた他の複数の半導体レーザ装置、比較例で得られた他の複数の半導体レーザ装置でも測定したが、同様の挙動を示した。
20・・・導電層
21・・・第1導電層
21a・・・外部接続領域
22・・・第2導電層
23・・・第3導電層
30・・・半導体レーザチップ
31・・・基板
32・・・半導体構造
Claims (4)
- それぞれが出射側端部及び反射側端部を有する、基台と、第1導電層と、第2導電層と、第3導電層と、半導体レーザチップと、を順に備える半導体レーザ装置であって、
前記第1導電層は、その出射側端部が前記基台の出射側端部と一致し、且つ、外部と電気的に接続するための外部接続領域を有し、
前記第2導電層は、前記第1導電層の外部接続領域と異なる領域上に前記第1導電層よりも厚く形成され、且つ、その出射側端部が前記第1導電層の出射側端部の内側にあり、
前記第3導電層は、その出射側端部が前記第2導電層の出射側端部と一致し、
前記半導体レーザチップは、その出射側端部が前記第3導電層の出射側端部の外側にある、ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザチップは、基板と、前記基板上に設けられた半導体構造と、を有し、
前記第3導電層は、前記半導体レーザチップと前記半導体構造の側で接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第2導電層は、前記基台よりも熱伝導率が高いことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第2導電層は、前記第3導電層よりも厚いことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
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