JP3190718B2 - 半導体レーザ用サブマウント - Google Patents
半導体レーザ用サブマウントInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、はんだ材の膜厚・組成
の制御性、半導体レーザの信頼性、位置調整の容易性に
優れ、かつ、サブマウントと半導体レーザの連続蒸着及
び、マウント自動化を含めた作業効率を向上する半導体
レーザ用サブマウントに関する。
の制御性、半導体レーザの信頼性、位置調整の容易性に
優れ、かつ、サブマウントと半導体レーザの連続蒸着及
び、マウント自動化を含めた作業効率を向上する半導体
レーザ用サブマウントに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体レーザは、光情報処理や光
通信の分野での実用化が進んでおり、いずれの分野でも
素子の信頼性が極めて重要な要素である。このような半
導体レーザは、電流が数10mA〜数100mA の領域で使用す
るが、発熱量が大きいため通常は金属放熱体をヒートシ
ンクとして用いるのが一般的である。さらに、熱膨脹係
数の差がストレス／歪みなどを発生させ、信頼性に影響
を与えることを避けるために金属放熱体の上には、半導
体基板材料と比較的熱膨脹係数が近い材料をサブマウン
トとして配置し、その上にはんだ材料を介して半導体レ
ーザチップを固着する方法をよく用いる。また、オーミ
ック性、接着強度ならびに信頼性を考慮して半導体レー
ザチップの最上層には、Ａｕ層を形成する。
通信の分野での実用化が進んでおり、いずれの分野でも
素子の信頼性が極めて重要な要素である。このような半
導体レーザは、電流が数10mA〜数100mA の領域で使用す
るが、発熱量が大きいため通常は金属放熱体をヒートシ
ンクとして用いるのが一般的である。さらに、熱膨脹係
数の差がストレス／歪みなどを発生させ、信頼性に影響
を与えることを避けるために金属放熱体の上には、半導
体基板材料と比較的熱膨脹係数が近い材料をサブマウン
トとして配置し、その上にはんだ材料を介して半導体レ
ーザチップを固着する方法をよく用いる。また、オーミ
ック性、接着強度ならびに信頼性を考慮して半導体レー
ザチップの最上層には、Ａｕ層を形成する。
【０００３】本発明に記載する接着とは、いわゆる接着
剤を利用する技術を示すものでなく、比較的薄い金属膜
とはんだ層間または比較的薄い金属膜同士におきる固溶
状態を示すことを付記する。
剤を利用する技術を示すものでなく、比較的薄い金属膜
とはんだ層間または比較的薄い金属膜同士におきる固溶
状態を示すことを付記する。
【０００４】固着部の構造例には、特開平１−１３８７
７７号公報により示されたＳｉ半導体基板両面にＴｉ／
Ｐｔ／はんだから成る技術があり、この中Ｔｉ／Ｐｔ層
はバリア金属層として機能する。
７７号公報により示されたＳｉ半導体基板両面にＴｉ／
Ｐｔ／はんだから成る技術があり、この中Ｔｉ／Ｐｔ層
はバリア金属層として機能する。
【０００５】他の例としては、特公平１−４０５１４号
公報により明らかになった技術がある。即ち、Ｓｉ半導
体基板の両面にＡｕめっきを施し、金属放熱体側のＡｕ
層を10〜20μｍと厚くすることによりＡｕ−Ｓｉ共晶は
んだを形成し、半導体レーザチップ側のＡｕとサブマウ
ント側Ａｕの熱圧着を利用する（特開平１−４０５１４
号公報参照）。
公報により明らかになった技術がある。即ち、Ｓｉ半導
体基板の両面にＡｕめっきを施し、金属放熱体側のＡｕ
層を10〜20μｍと厚くすることによりＡｕ−Ｓｉ共晶は
んだを形成し、半導体レーザチップ側のＡｕとサブマウ
ント側Ａｕの熱圧着を利用する（特開平１−４０５１４
号公報参照）。
【０００６】更に、特開平２−１２８４８６号公報に明
らかにした構造を図３の断面図により説明すると、サブ
マウント１の両面にＴｉ層２／Ｐｔ層３／Ａｕ層４／は
んだ層５を設ける構造が知られている。
らかにした構造を図３の断面図により説明すると、サブ
マウント１の両面にＴｉ層２／Ｐｔ層３／Ａｕ層４／は
んだ層５を設ける構造が知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザチップ、
サブマウント及び金属製放熱体のマウントに際しては、
まず金属製放熱体上にサブマウントを接着してから、サ
ブマウントに半導体レーザチップを接着する。更に電流
を流すためにＡｕ細線をチップ上面及びサブマウント表
面に形成することが必要になる。
サブマウント及び金属製放熱体のマウントに際しては、
まず金属製放熱体上にサブマウントを接着してから、サ
ブマウントに半導体レーザチップを接着する。更に電流
を流すためにＡｕ細線をチップ上面及びサブマウント表
面に形成することが必要になる。
【０００８】特開平１−１３８７７７号公報の明らかに
した技術では、最上面全面にはんだ層が、あるいはこの
はんだ層を部分的に除去してもＰｔ層が露出するため
に、Ａｕ細線を接合することがてきない。
した技術では、最上面全面にはんだ層が、あるいはこの
はんだ層を部分的に除去してもＰｔ層が露出するため
に、Ａｕ細線を接合することがてきない。
【０００９】また、特開平１−４０５１４号公報に示し
た技術は、Ａｕ細線の接合にも支障がなく、その上連続
マウントも可能な構造であるが、サブマウントの半導体
レーザチップ側におけるＡｕ−Ａｕの熱圧着は、一度接
合すると温度を加えても容易に動かすことができない。
従って、半導体レーザチップの接着時の位置調整が極め
て難しくなる。
た技術は、Ａｕ細線の接合にも支障がなく、その上連続
マウントも可能な構造であるが、サブマウントの半導体
レーザチップ側におけるＡｕ−Ａｕの熱圧着は、一度接
合すると温度を加えても容易に動かすことができない。
従って、半導体レーザチップの接着時の位置調整が極め
て難しくなる。
【００１０】更にまた、特開平２−１２８４８６号公報
に明らかにした構造にあっては、サブマウントの両面に
はんだ層を設置するために、サブマウント及び半導体レ
ーザチップ各々の位置調整が容易にできるが、連続マウ
ントをする時に、一方を動かすと他方が動いてしまう可
能性がある。これに加えて、このような難点を防ぐに
は、上下のはんだの材質を即ち接着温度を変える方法も
よく使われる。しかし、Ａｕ層の上のはんだ層があるの
で、はんだ加熱時にＡｕとの反応か起り易く、サブマウ
ント上のＡｕ細線を接着できる領域を浸蝕する恐れがあ
る。
に明らかにした構造にあっては、サブマウントの両面に
はんだ層を設置するために、サブマウント及び半導体レ
ーザチップ各々の位置調整が容易にできるが、連続マウ
ントをする時に、一方を動かすと他方が動いてしまう可
能性がある。これに加えて、このような難点を防ぐに
は、上下のはんだの材質を即ち接着温度を変える方法も
よく使われる。しかし、Ａｕ層の上のはんだ層があるの
で、はんだ加熱時にＡｕとの反応か起り易く、サブマウ
ント上のＡｕ細線を接着できる領域を浸蝕する恐れがあ
る。
【００１１】本発明は、このような事情により成された
もので、特に、サブマウントと半導体レーザチップの連
続接着ならびにマウント自動化を含めた作業能率の向上
を可能にしたものである。
もので、特に、サブマウントと半導体レーザチップの連
続接着ならびにマウント自動化を含めた作業能率の向上
を可能にしたものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レ−
ザ用サブマウント基板の第１の発明は、半導体レ−ザチ
ップを被着するサブマウント基板と、前記サブマウント
基板の一面に接着する金属製放熱体と、前記サブマウン
ト基板と金属製放熱体間に以下の順に形成するＴｉ層、
Ｐｔ層、Ａｕ層及びはんだ層と、前記サブマウント基板
の半導体レ−ザチップ側の面に重ねて形成するＴｉ層、
Ｐｔ層、Ａｕ層と、前記半導体レ−ザチップに形成しか
つ前記サブマウント基板の半導体レ−ザチップ側の面に
形成するＡｕ層に重ねるＰｔ層と、前記Ｐｔ層に積層し
前記サブマウント基板の金属製放熱体側のはんだ層と同
成分から成りその厚さより大きい厚さのはんだに特徴が
あり、第２の発明は、前記サブマウント基板の半導体レ
−ザチップ側の面に形成するＡｕ層に、半導体レ−ザチ
ップに設置するＰｔ層を選択的に重ね、かつサブマウン
ト基板の金属製放熱体側のはんだ層と同成分から成りそ
の厚さより大きい厚さのはんだに特徴がある。
ザ用サブマウント基板の第１の発明は、半導体レ−ザチ
ップを被着するサブマウント基板と、前記サブマウント
基板の一面に接着する金属製放熱体と、前記サブマウン
ト基板と金属製放熱体間に以下の順に形成するＴｉ層、
Ｐｔ層、Ａｕ層及びはんだ層と、前記サブマウント基板
の半導体レ−ザチップ側の面に重ねて形成するＴｉ層、
Ｐｔ層、Ａｕ層と、前記半導体レ−ザチップに形成しか
つ前記サブマウント基板の半導体レ−ザチップ側の面に
形成するＡｕ層に重ねるＰｔ層と、前記Ｐｔ層に積層し
前記サブマウント基板の金属製放熱体側のはんだ層と同
成分から成りその厚さより大きい厚さのはんだに特徴が
あり、第２の発明は、前記サブマウント基板の半導体レ
−ザチップ側の面に形成するＡｕ層に、半導体レ−ザチ
ップに設置するＰｔ層を選択的に重ね、かつサブマウン
ト基板の金属製放熱体側のはんだ層と同成分から成りそ
の厚さより大きい厚さのはんだに特徴がある。
【００１３】前記サブマウント基板の半導体レーザチッ
プ側に形成するはんだ層の厚さを金属製放熱体側のはん
だ層のそれより大きくする点にも特徴がある。
プ側に形成するはんだ層の厚さを金属製放熱体側のはん
だ層のそれより大きくする点にも特徴がある。
【００１４】
【作用】サブマウントの両面には、はんだ層を形成する
ために、半導体レーザチップやサブマウントの位置調整
が容易に行うことができる。また、半導体レーザチップ
側には、接着用のはんだ層が部分的にあり、その下にバ
リア層として機能するＰｔ層を設置しているために接着
用の加熱時にもＡｕ細線の接着領域を浸蝕しないことに
なる。
ために、半導体レーザチップやサブマウントの位置調整
が容易に行うことができる。また、半導体レーザチップ
側には、接着用のはんだ層が部分的にあり、その下にバ
リア層として機能するＰｔ層を設置しているために接着
用の加熱時にもＡｕ細線の接着領域を浸蝕しないことに
なる。
【００１５】その上、大きな特徴は、金属製放熱体とサ
ブマウント基板間にＡｕとはんだ層を採用し、半導体チ
ップとサブマウント基板間には、はんだにＰｔ層で構成
するバリヤ層を重ねて設置する。両方のはんだの材質は
同じであるが、バリヤ層に重ねるはんだ層の厚さは、金
属製放熱体の一面に設置するはんだ層の厚さより大きい
厚さである。この結果上下のはんだ層とはんだにはんだ
付に要する時間に差が生まれて、一方を動かすと他方が
動いてしまう問題点を克服した点に大きな特徴がある。
更に上下面共、同一組成のはんだを使用するために、同
一温度制御ができ、連続的な接着工程が可能になる。
ブマウント基板間にＡｕとはんだ層を採用し、半導体チ
ップとサブマウント基板間には、はんだにＰｔ層で構成
するバリヤ層を重ねて設置する。両方のはんだの材質は
同じであるが、バリヤ層に重ねるはんだ層の厚さは、金
属製放熱体の一面に設置するはんだ層の厚さより大きい
厚さである。この結果上下のはんだ層とはんだにはんだ
付に要する時間に差が生まれて、一方を動かすと他方が
動いてしまう問題点を克服した点に大きな特徴がある。
更に上下面共、同一組成のはんだを使用するために、同
一温度制御ができ、連続的な接着工程が可能になる。
【００１６】
【実施例】本発明に係わる実施例を図１及び図２を参照
して説明すると、サブマウント１としては、熱伝導率の
良い厚さ400 μｍの窒化アルミニウムを用いる。サブマ
ウント１の半導体レーザチップ側（紙面サブマウント１
の上側）と逆の金属製放熱体側には、Ｔｉ層２〜１００
０オングストロ−ム、Ｐｔ層３〜１０００オングストロ
−ム、Ａｕ層４a とＡｕ層４b 共に〜５０００オングス
トロ−ムをこの順に夫々形成する。
して説明すると、サブマウント１としては、熱伝導率の
良い厚さ400 μｍの窒化アルミニウムを用いる。サブマ
ウント１の半導体レーザチップ側（紙面サブマウント１
の上側）と逆の金属製放熱体側には、Ｔｉ層２〜１００
０オングストロ−ム、Ｐｔ層３〜１０００オングストロ
−ム、Ａｕ層４a とＡｕ層４b 共に〜５０００オングス
トロ−ムをこの順に夫々形成する。
【００１７】また、半導体レーザチップ８（図２参照）
側のＡｕ層４a 最上層の一部または全面には、厚さ〜２
０００オングストロ−ムのＰｔ層６を重ねて設けてバリ
ヤ金属として機能させ、ここに厚さ〜５．２μｍのＡｕ
Ｓｎはんだ層７（以後ははんだパターニング層と記載す
る）を被覆する。本実施例に使用する半導体レーザチッ
プ８の寸法は、ほぼ４００×３００×１００μｍであ
る。
側のＡｕ層４a 最上層の一部または全面には、厚さ〜２
０００オングストロ−ムのＰｔ層６を重ねて設けてバリ
ヤ金属として機能させ、ここに厚さ〜５．２μｍのＡｕ
Ｓｎはんだ層７（以後ははんだパターニング層と記載す
る）を被覆する。本実施例に使用する半導体レーザチッ
プ８の寸法は、ほぼ４００×３００×１００μｍであ
る。
【００１８】なお、半導体レーザチップ側のＡｕ層４a
は、金属細線の接合領域として働くのに、金属製放熱体
側のＡｕ層４b は、はんだ層の一部として機能する。半
導体レーザチップ側のＡｕ層４a の一部もしくは全面に
Ｐｔ層６を形成するのは、半導体レーザチップを電気的
に浮かせるか否かにより決定する。電気的に浮かせるの
は、半導体レーザチップ及びサブマウント方向に電流を
流すか、それとも厚さ方向の途中から反転させて流すか
にかかっている。
は、金属細線の接合領域として働くのに、金属製放熱体
側のＡｕ層４b は、はんだ層の一部として機能する。半
導体レーザチップ側のＡｕ層４a の一部もしくは全面に
Ｐｔ層６を形成するのは、半導体レーザチップを電気的
に浮かせるか否かにより決定する。電気的に浮かせるの
は、半導体レーザチップ及びサブマウント方向に電流を
流すか、それとも厚さ方向の途中から反転させて流すか
にかかっている。
【００１９】図１や図２のように半導体レーザチップ８
側のＡｕ層４a 最上層の一部にＰｔ層６とＡｕＳｎはん
だ層７を被覆する時は、半導体レーザを含む電子回路用
の部品を、露出するＡｕ層４a 最上層の一部に例えば金
細線を熱圧着手段により設ける。
側のＡｕ層４a 最上層の一部にＰｔ層６とＡｕＳｎはん
だ層７を被覆する時は、半導体レーザを含む電子回路用
の部品を、露出するＡｕ層４a 最上層の一部に例えば金
細線を熱圧着手段により設ける。
【００２０】一方、放熱金属体側に設けるＡｕ層４ｂに
は、Ａｕ−Ｓｎはんだ層７を例えば４Αμｍに形成し
て、半導体レ−ザチップ側のそれより薄くする。即ち、
はんだの総量により決定する固化時間は、両層の差が
１．２μｍ程度あれば差が生じて、組立工程が有利にな
る。
は、Ａｕ−Ｓｎはんだ層７を例えば４Αμｍに形成し
て、半導体レ−ザチップ側のそれより薄くする。即ち、
はんだの総量により決定する固化時間は、両層の差が
１．２μｍ程度あれば差が生じて、組立工程が有利にな
る。
【００２１】組立工程としては、先ず前記の各層を積み
重ねたサブマウント１を図２に示す金属製放熱板９に金
属製放熱板側（以後金属製放熱板側を下側、半導体レー
ザチップ側を上側と記載する）のＡｕＳｎはんだ層７に
はんだ付けするが、金属製放熱板９を固定する支持台を
約３００℃に予め昇温しておく。この時、ＡｎＳｎはん
だ層７とＡｕ４b 層は、互いに反応してある時間経過す
ると最初の組成と異なるＡｕＳｎ層となりサブマウント
１と金属製放熱板９を強固に接着する。図２のＡｎＳｎ
はんだ層７は、反応後の状態を明らかにしており、Ａｕ
４b 層を省略した。なおはんだ付け時間は、１分程度が
目安であり、このはんだ付け工程に続く上側のＡｕＳｎ
はんだ付けに必要な位置合せに要するに足る時間であ
る。
重ねたサブマウント１を図２に示す金属製放熱板９に金
属製放熱板側（以後金属製放熱板側を下側、半導体レー
ザチップ側を上側と記載する）のＡｕＳｎはんだ層７に
はんだ付けするが、金属製放熱板９を固定する支持台を
約３００℃に予め昇温しておく。この時、ＡｎＳｎはん
だ層７とＡｕ４b 層は、互いに反応してある時間経過す
ると最初の組成と異なるＡｕＳｎ層となりサブマウント
１と金属製放熱板９を強固に接着する。図２のＡｎＳｎ
はんだ層７は、反応後の状態を明らかにしており、Ａｕ
４b 層を省略した。なおはんだ付け時間は、１分程度が
目安であり、このはんだ付け工程に続く上側のＡｕＳｎ
はんだ付けに必要な位置合せに要するに足る時間であ
る。
【００２２】次に例えばいわゆるマウンタに取付けた減
圧機構に連通する矢弦タイプの支持体（図示せず）に、
保持した半導体レーザチップ８は、マウンタの稼働によ
りサブマウント１に設置する溶融ＡｎＳｎはんだ層７に
限り無く接近させ、しかもサブマウント１の外面を基準
として位置合せしてから両者を接触してはんだ付けを行
う。なお、窒素ガスを吹付けることにより冷却する。
圧機構に連通する矢弦タイプの支持体（図示せず）に、
保持した半導体レーザチップ８は、マウンタの稼働によ
りサブマウント１に設置する溶融ＡｎＳｎはんだ層７に
限り無く接近させ、しかもサブマウント１の外面を基準
として位置合せしてから両者を接触してはんだ付けを行
う。なお、窒素ガスを吹付けることにより冷却する。
【００２３】この時、金属製放熱板側のＡｕＳｎはんだ
層７と金属製放熱板９のはんだ付けにより両者が固定状
態となっているために、後のはんだ付けが極めて容易に
進行する。このようなはんだ付け工程は、極めて円滑に
進行するので所要時間も少なく、一温度管理による工程
で連続的に接着することできるので、工程の短縮を図る
ことができる。
層７と金属製放熱板９のはんだ付けにより両者が固定状
態となっているために、後のはんだ付けが極めて容易に
進行する。このようなはんだ付け工程は、極めて円滑に
進行するので所要時間も少なく、一温度管理による工程
で連続的に接着することできるので、工程の短縮を図る
ことができる。
【００２４】上側のＡｕＳｎ半田７層の溶融に際して
は、バリア層であるＰｔ層６の存在によりＡｕ４a 層と
反応せずはんだとしての性質を保つことになり、金細線
を熱圧着するのに適した状態が維持できる。
は、バリア層であるＰｔ層６の存在によりＡｕ４a 層と
反応せずはんだとしての性質を保つことになり、金細線
を熱圧着するのに適した状態が維持できる。
【００２５】本実施例では、サブマウト１の材料として
ＡｌＮを用いたが、ＳｉＣやダイヤモンド、Ｓｉのよう
な熱伝導の良い材料も使用可能であり、ＳｉＣのように
比較的はんだ材料との反応が激しく、長時間放置すると
Ｐｔ層３、６を越えて反応が進むものに対しては、上側
のＡｕＳｎはんだ７の厚さ下側のそれより厚くすること
により同様な効果が得られる。
ＡｌＮを用いたが、ＳｉＣやダイヤモンド、Ｓｉのよう
な熱伝導の良い材料も使用可能であり、ＳｉＣのように
比較的はんだ材料との反応が激しく、長時間放置すると
Ｐｔ層３、６を越えて反応が進むものに対しては、上側
のＡｕＳｎはんだ７の厚さ下側のそれより厚くすること
により同様な効果が得られる。
【００２６】更に、はんだについては、Ａｕと反応し易
い材料ＡｕＧｅ、ＡｕＳｉ＆）及びＩｎＰｂなども十分
適用できる。
い材料ＡｕＧｅ、ＡｕＳｉ＆）及びＩｎＰｂなども十分
適用できる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によれは、位置調整
が容易で、Ａｕ細線の熱圧着領域が確保しつつ、一温度
制御によるサブマウント−金属製放熱板間、サブマウン
ト−半導体レーザチツプ間の連続接着ができるので、工
程の短縮が得られる。
が容易で、Ａｕ細線の熱圧着領域が確保しつつ、一温度
制御によるサブマウント−金属製放熱板間、サブマウン
ト−半導体レーザチツプ間の連続接着ができるので、工
程の短縮が得られる。
【図１】本発明に係わる半導体レーザ用サブマウントの
一実施例の断面図である。
一実施例の断面図である。
【図２】サブマウントに半導体レーザチップを本発明に
より接着後の要部の断面図である。
より接着後の要部の断面図である。
【図３】従来の半導体レーザチップ用サブマウントの断
面図である。
面図である。
１：サブマウント、 ２：Ｔｉ層、 ３、６：Ｐｔ層、 ４a,４b ：Ａｕ層、 ７：ＡｕＳｎはんだ層、 ８：半導体レーザチップ、 ９：金属製放熱板。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レ−ザチップを被着するサブマウ
ント基板と、前記サブマウント基板の一面に接着する金
属製放熱体と、前記サブマウント基板と金属製放熱体間
に以下の順に形成するＴｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層及びはん
だ層と、前記サブマウント基板の半導体レ−ザチップ側
の面に重ねて形成するＴｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層と、前記
半導体レ−ザチップに形成しかつサブマウント基板の半
導体レ−ザチップ側の面に形成するＡｕ層に重ねるＰｔ
層と、前記Ｐｔ層に積層し前記サブマウント基板の金属
製放熱体側のはんだ層と同成分から成りその厚さより大
きい厚さのはんだを具備することを特徴とする半導体レ
−ザ用サブマウント - 【請求項２】 前記サブマウント基板の半導体レ−ザチ
ップ側の面に形成するＡｕ層に、半導体レ−ザチップに
設置するＰｔ層を選択的に重ね、かつサブマウント基板
の金属製放熱体側のはんだ層と同成分から成りその厚さ
より大きい厚さのはんだを具備することを特徴とする前
記請求項１記載の半導体レ−ザ用サブマウント
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00432192A JP3190718B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体レーザ用サブマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00432192A JP3190718B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体レーザ用サブマウント |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190973A JPH05190973A (ja) | 1993-07-30 |
| JP3190718B2 true JP3190718B2 (ja) | 2001-07-23 |
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ID=11581202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP00432192A Expired - Fee Related JP3190718B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体レーザ用サブマウント |
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|---|---|---|---|---|
| JP4538920B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2010-09-08 | ソニー株式会社 | 半導体レーザおよび半導体装置 |
| JP3779218B2 (ja) * | 2002-02-18 | 2006-05-24 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
| JP3982284B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2007-09-26 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
| JP3509809B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2004-03-22 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
| JP3882712B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2007-02-21 | 住友電気工業株式会社 | サブマウントおよび半導体装置 |
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