JP2013225059A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶層LQとを備える。第1基板は、第1絶縁膜と、シールド電極(H11)と、補助容量線と、第2絶縁膜と、ソース配線(S1)と、第3絶縁膜と、第1主共通電極(CAL1)と、主画素電極PAと、を備える。第2基板は、第2主共通電極(CAL2)を備える。第1主共通電極及び第2主共通電極は、等電位に設定される。
【選択図】図5
Description
第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に設けられ第1方向に沿って延出し前記第1方向に直交した第2方向に互いに間隔を置いて位置した第1シールド電極及び第2シールド電極と、前記第1絶縁膜上に設けられ前記第2方向に沿って延出し前記第1シールド電極及び第2シールド電極と一体に形成された補助容量線と、前記第1絶縁膜、第1シールド電極及び第2シールド電極上に設けられた第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に設けられ前記第1シールド電極と対向し前記第1方向に沿って延出した第1ソース配線と、前記第2絶縁膜上に設けられ前記第2シールド電極と対向し前記第1方向に沿って延出した第2ソース配線と、前記第2絶縁膜、第1ソース配線及び第2ソース配線上に設けられた第3絶縁膜と、前記第3絶縁膜上に設けられ前記第1ソース配線と対向し前記第1方向に沿って延出した第1主共通電極と、前記第3絶縁膜上に設けられ前記第2ソース配線と対向し前記第1方向に沿って延出した第2主共通電極と、前記第3絶縁膜上に設けられ前記第1主共通電極と前記第2主共通電極との間に位置し前記第1方向に沿って延出した主画素電極と、を備えた第1基板と、
前記第1主共通電極と対向し前記第1方向に沿って延出した第3主共通電極と、前記第2主共通電極と対向し前記第1方向に沿って延出した第4主共通電極と、を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された液晶層と、を備え、
前記第1主共通電極、第2主共通電極、第3主共通電極及び第4主共通電極は、等電位に設定される。
第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に設けられ第1方向に沿って延出したシールド電極と、前記第1絶縁膜上に設けられ前記第1方向に直交した第2方向に沿って延出し前記シールド電極と一体に形成された補助容量線と、前記第1絶縁膜、シールド電極上に設けられた第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に設けられ前記シールド電極と対向し前記第1方向に沿って延出したソース配線と、前記第2絶縁膜及びソース配線上に設けられた第3絶縁膜と、前記第3絶縁膜上に設けられ前記ソース配線と対向し前記第1方向に沿って延出した第1主共通電極と、前記第3絶縁膜上に設けられ前記第2方向に前記第1主共通電極と間隔を置いて位置し前記第1方向に沿って延出した主画素電極と、を備えた第1基板と、
前記第1主共通電極と対向し前記第1方向に沿って延出した第2主共通電極を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された液晶層と、を備え、
前記第1主共通電極及び第2主共通電極は、等電位に設定される。
図2に示すように、液晶表示パネルLPNは、アクティブエリアACTにおいて、n本のゲート配線G(G1〜Gn)、n本の補助容量線C(C1〜Cn)、m本のソース配線S(S1〜Sm)などを備えている。ゲート配線G及び補助容量線Cは、例えば、第1方向であるY方向に沿って交互に並列配置されている。これらのゲート配線G及び補助容量線Cは、第1方向Yに交差する第2方向であるX方向に沿ってそれぞれ延出しているが、必ずしも直線的に延出していなくてもよい。ここでは、第1方向Yと第2方向Xとは互いに略直交している。ソース配線Sは、ゲート配線G及び補助容量線Cと交差する。ソース配線Sは、第1方向Yに沿ってそれぞれ延出しているが、必ずしも直線的に延出していなくてもよい。なお、ゲート配線G、補助容量線C、及び、ソース配線Sは、それらの一部が屈曲していてもよい。
図3は、一画素PXにおける最小の単位構成体を概略的に示す平面図である。
半導体層SC10のソース領域SCSも、電気的に絶縁されている。なお、半導体層SC21なども、半導体層SC11と同様に形成されている。半導体層SC21は第2ソース配線S2と対向している。
補助容量電極F及び半導体層SCは、第1絶縁膜としてのゲート絶縁膜11によって覆われている。また、ゲート絶縁膜11は、第1絶縁基板10の上にも配置されている。
シールド電極H、補助容量線C及びゲート配線Gは、同一材料を用いて同一工程で形成可能である。
主共通電極CA2、例えば、ITOやIZOなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
図8に示すように、主共通電極CA2は、帯状に形成され、第1方向Yに沿って直線的に延出している。複数の主共通電極CA2は電気的に接続されている。図示した例では、対向基板CTにおいて、主共通電極CA2は、ストライプ状に形成されている。
まず、上記比較例の液晶表示装置を用いてクロストーク率を測定した。次に、本実施形態に係る液晶表示装置を用いてクロストーク率を測定した。
比較例のクロストーク率を1として規格化したところ、本実施形態のクロストーク率は0.34であった。クロストーク率が66%改善されたことが分かる。
比較例のクロストーク率を1として規格化したところ、本実施形態のクロストーク率は0.52であった。クロストーク率が48%改善されたことが分かる。
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位に優れた液晶表示装置を得ることが可能となる。
Claims (10)
- 第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に設けられ第1方向に沿って延出し前記第1方向に直交した第2方向に互いに間隔を置いて位置した第1シールド電極及び第2シールド電極と、前記第1絶縁膜上に設けられ前記第2方向に沿って延出し前記第1シールド電極及び第2シールド電極と一体に形成された補助容量線と、前記第1絶縁膜、第1シールド電極及び第2シールド電極上に設けられた第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に設けられ前記第1シールド電極と対向し前記第1方向に沿って延出した第1ソース配線と、前記第2絶縁膜上に設けられ前記第2シールド電極と対向し前記第1方向に沿って延出した第2ソース配線と、前記第2絶縁膜、第1ソース配線及び第2ソース配線上に設けられた第3絶縁膜と、前記第3絶縁膜上に設けられ前記第1ソース配線と対向し前記第1方向に沿って延出した第1主共通電極と、前記第3絶縁膜上に設けられ前記第2ソース配線と対向し前記第1方向に沿って延出した第2主共通電極と、前記第3絶縁膜上に設けられ前記第1主共通電極と前記第2主共通電極との間に位置し前記第1方向に沿って延出した主画素電極と、を備えた第1基板と、
前記第1主共通電極と対向し前記第1方向に沿って延出した第3主共通電極と、前記第2主共通電極と対向し前記第1方向に沿って延出した第4主共通電極と、を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された液晶層と、を備え、
前記第1主共通電極、第2主共通電極、第3主共通電極及び第4主共通電極は、等電位に設定される液晶表示装置。 - 前記第1シールド電極は、前記第1ソース配線の直下に配置され、前記第1ソース配線と略同等の幅を有し、
前記第2シールド電極は、前記第2ソース配線の直下に配置され、前記第2ソース配線と略同等の幅を有している請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1主共通電極は、前記第1ソース配線の直上に配置され、前記第1ソース配線と略同等の幅を有し、
前記第2主共通電極は、前記第2ソース配線の直上に配置され、前記第2ソース配線と略同等の幅を有している請求項2に記載の液晶表示装置。 - 前記第1基板は、前記第1絶縁膜で覆われ、前記第1シールド電極と前記補助容量線とに対向し、前記主画素電極に電気的に接続された補助容量電極をさらに備えている請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記補助容量電極の前記第1主共通電極と対向した領域は、前記第1シールド電極の直下に配置され、前記第1ソース配線と略同等の幅を有し、
前記補助容量電極の前記補助容量線と対向した領域は、前記補助容量線の直下に配置され、前記補助容量線と略同等の幅を有している請求項4に記載の液晶表示装置。 - 前記補助容量電極と同一層に設けられ、前記補助容量電極と同一材料で形成され、前記第1ソース配線と対向し、前記第1ソース配線に電気的に接続されたソース領域と、前記補助容量電極から連続的に形成されたドレイン領域と、チャネル領域と、を有した半導体層と、
前記第1シールド電極、第2シールド電極及び補助容量線と同一層に設けられ、前記第1絶縁膜を介して前記半導体層のチャネル領域と対向し、前記第2方向に沿って延出したゲート配線と、をさらに備えている請求項4に記載の液晶表示装置。 - 前記第2方向において、前記第1ソース配線と前記主画素電極との間隔は、前記第2ソース配線と前記主画素電極との間隔と略同等である請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶層の液晶分子の初期配向方向は、前記第1方向に略平行な方向、又は前記第1方向から傾斜した方向である請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板は、前記液晶層に接する第1配向膜をさらに備え、
前記第2基板は、前記液晶層に接する第2配向膜をさらに備え、
前記第1配向膜が前記液晶層の液晶分子を初期配向させる第1配向処理方向と、前記第2配向膜が前記液晶分子を初期配向させる第2配向処理方向とは、前記第1方向に略平行な方向、又は前記第1方向から傾斜した方向である請求項1に記載の液晶表示装置。 - 第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に設けられ第1方向に沿って延出したシールド電極と、前記第1絶縁膜上に設けられ前記第1方向に直交した第2方向に沿って延出し前記シールド電極と一体に形成された補助容量線と、前記第1絶縁膜、シールド電極上に設けられた第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に設けられ前記シールド電極と対向し前記第1方向に沿って延出したソース配線と、前記第2絶縁膜及びソース配線上に設けられた第3絶縁膜と、前記第3絶縁膜上に設けられ前記ソース配線と対向し前記第1方向に沿って延出した第1主共通電極と、前記第3絶縁膜上に設けられ前記第2方向に前記第1主共通電極と間隔を置いて位置し前記第1方向に沿って延出した主画素電極と、を備えた第1基板と、
前記第1主共通電極と対向し前記第1方向に沿って延出した第2主共通電極を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された液晶層と、を備え、
前記第1主共通電極及び第2主共通電極は、等電位に設定される液晶表示装置。
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