JP2013219265A5 - ジャイロセンサー、ジャイロセンサーの製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
［適用例１］ベース基板と、前記ベース基板上に互いに並んで配置された第１、第２の半導体配線と、を備え、前記ベース基板は、前記第１の半導体配線と前記第２の半導体配線との間で、前記第１、第２の半導体配線の延出方向に沿った開口部を備えたことを特徴とする半導体素子。
上記構成により、半導体配線から放出される電気力線が通過するベース基板内の領域に開口部を形成することになる。よって、ベース基板の電気力線が通過する部分の比誘電率を低減させることができるので、半導体配線間の寄生容量を低減した半導体素子となる。
また、本適用例に係るジャイロセンサーは、ベース基板と、前記ベース基板上に互いに並んで配置された第１、第２の半導体配線と、を備え、前記ベース基板は、前記第１の半導体配線と前記第２の半導体配線との間で、前記第１、第２の半導体配線の延出方向に沿った開口部を備えたことを特徴とする。

［適用例２］前記開口部の深さをＤとし、前記第１の半導体配線の幅の中央部と前記第２の半導体配線の幅の中央部との間の幅をＷとしたとき、Ｄ≧２Ｗの関係を満たすことを特徴とする適用例１に記載の半導体素子。
上記構成により、半導体配線間の寄生容量をより効果的に低減することができる。
また、本適用例に係るジャイロセンサーは、前記開口部の深さをＤとし、前記第１の半導体配線の幅の中央部と前記第２の半導体配線の幅の中央部との間の幅をＷとしたとき、Ｄ≧２Ｗ の関係を満たしていてもよい。

［適用例３］前記ベース基板の材料がガラスであり、前記半導体配線の材料がシリコンであることを特徴とする適用例１または２に記載の半導体素子。
上記構成により、簡易な構成で半導体素子を構築することができる。
また、本適用例に係るジャイロセンサーは、前記ベース基板の材料がガラスであり、前記半導体配線の材料がシリコンであってもよい。

[適用例４］前記開口部が有底であることを特徴とする適用例１乃至３のいずれか１例
に記載の半導体素子。
上記構成により、ベース基板上に半導体配線を覆うキャップを接合すると半導体配線を
気密封止することができ、半導体配線のコンタミネーションを防止することができる。
また、本適用例に係るジャイロセンサーは、前記開口部が有底であってもよい。

［適用例５］適用例１乃至４のいずれか１例に記載の半導体素子を搭載したことを特徴とする電子機器。
適用例１と同様の理由により、半導体配線間の寄生容量を低減した電子機器となる。
また、本適用例に係る電子機器は、ジャイロセンサーを搭載したことを特徴とする。

［適用例６］ガラス基板上に第１、第２の半導体配線を並べて配置し、前記ガラス基板を、前記第１の半導体配線及び前記第２の半導体配線をマスクパターンとして用いてエッチングして、前記第１の半導体配線と前記第２の半導体配線との間で前記第１、第２の半導体配線の延出方向に沿って延出する開口部を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
上記方法により、ベース基板に予め開口部を形成したのちに半導体配線をベース基板に配置する場合に起こりうるアライメント誤差が発生することはなく、半導体配線の間に開口部を確実に配置した半導体素子を製造することができる。
また、本適用例に係るジャイロセンサーの製造方法は、ガラス基板上に第１、第２の半導体配線を並べて配置し、前記ガラス基板を、前記第１の半導体配線及び前記第２の半導体配線をマスクパターンとして用いてエッチングして、前記第１の半導体配線と前記第２の半導体配線との間で前記第１、第２の半導体配線の延出方向に沿って延出する開口部を形成することを特徴とする。

モデルのさらなる単純化のため、ｉ番目（ｉ＜ｋ）番目の薄板１２ａの下面で折れ曲がる電気力線は、全て配線間溝５４内（真空中）を通過するとともにベース基板１２の材料中を通過しないものと考える。同様に、ｉ番目（ｉ＞ｋ）番目の薄板１２ａの下面で折れ曲がる電気力線は、全てベース基板１２の材料中を通過するとともに配線間溝５４内を通過しないものと考える。

本実施形態では、Ｙ軸方向の線（図７中の導電膜２２Ｃ）を中心線としてほぼ線対称な配置となっている。そこで、まず、図７の一点鎖線で囲まれた部分（図８）を用いて、本実施形態の構成について説明する。

駆動部は、駆動質量部２６ＡからＹ軸方向に延出した櫛歯状の可動電極４４と、ベース基板１２に接合され、可動電極４４をＸ軸方向から挟み込む櫛歯状の固定電極４６Ａ，４６Ｂと、を有する。可動電極４４からは電極指４４ａが固定電極４６Ａ，４６Ｂに向かってＸ軸方向に延出している。また固定電極４６Ａ，４６Ｂからも電極指４６Ａａ，４６Ｂａが可動電極４４に向かってＸ軸方向に延出している。そして、可動電極４４から延出した電極指４４ａと固定電極４６Ａ,４６Ｂから延出した電極指４６Ａａ，４６ＢａがＹ軸方向に交互に並ぶように配置されている。

Claims (6)

1. ベース基板と、
   前記ベース基板上に互いに並んで配置された第１、第２の半導体配線と、を備え、
   前記ベース基板は、前記第１の半導体配線と前記第２の半導体配線との間で、前記第１、第２の半導体配線の延出方向に沿った開口部を備えたことを特徴とするジャイロセンサー。
2. 前記開口部の深さをＤとし、
   前記第１の半導体配線の幅の中央部と前記第２の半導体配線の幅の中央部との間の幅をＷとしたとき、
   Ｄ≧２Ｗ
   の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載のジャイロセンサー。
3. 前記ベース基板の材料がガラスであり、
   前記半導体配線の材料がシリコンであることを特徴とする請求項１または２に記載のジャイロセンサー。
4. 前記開口部が有底であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のジャイロセンサー。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載のジャイロセンサーを搭載したことを特徴とする電子機器。
6. ガラス基板上に第１、第２の半導体配線を並べて配置し、
   前記ガラス基板を、前記第１の半導体配線及び前記第２の半導体配線をマスクパターンとして用いてエッチングして、前記第１の半導体配線と前記第２の半導体配線との間で前記第１、第２の半導体配線の延出方向に沿って延出する開口部を形成することを特徴とするジャイロセンサーの製造方法。