JP2013214659A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】接合用電極8の形成後に、ショットキー電極4よりも接合用電極8のバリアハイトが低くなる温度でアニール処理を行う。また、表面電極9の形成後にも、表面電極9の構成材料がマイグレーションを起こす温度でアニール処理を行う。これにより、将来的に素子破壊に至るか否かを製造段階において顕在化させることが可能となり、良不良判定の工程において、不良チップを取除き、良チップのみに選別することが可能となる。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態について説明する。まず、本実施形態にかかるSiC半導体装置の製造方法によって製造されるSiC半導体装置の構造について、図1および図2を参照して説明する。なお、図1は、図2のA−A断面図に相当している。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、SBD10にp型層を加えることでジャンクションバリアショットキーダイオード(以下、JBSという)としたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記各実施形態では、接合用電極8の形成後にショットキー電極4よりも接合用電極8のバリアハイトが低くなる温度で行うアニール処理と、表面電極9の形成後に表面電極9の構成材料がマイグレーションを起こす温度で行うアニール処理とを異なる工程として実施した。しかしながら、これらを表面電極9の形成後に同時に行うようにしても良い。ただし、この場合には、ショットキー電極4よりも接合用電極8のバリアハイトが低くなる温度以上、かつ、表面電極9の蒸発温度よりも低い温度となるようにする必要がある。
1a 主表面
1b 裏面
2 n-型層
3 絶縁膜
4 ショットキー電極
5 オーミック電極
6 p型リサーフ層
7 p型ガードリング層
8 接合用電極
9 表面電極
10 SBD
30 p型層
Claims (6)
- 主表面(1a)および裏面(1b)を有した第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)の前記主表面上に第1導電型層(2)が形成されることで炭化珪素半導体基板(1、2)が構成されていると共に、前記第1導電型層の表面に該第1導電型層に対してショットキー接触させられるショットキー電極(4)と、前記ショットキー電極の表面に形成されたバリア層としての接合用電極(8)と、前記接合用電極の表面に形成されたパッドを構成する表面電極(9)とが備えられ、さらに、前記基板の裏面に形成されたオーミック電極(5)と、を備えてなるショットキーバリアダイオード(10)を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記ショットキー電極の表面に前記接合用電極を形成する工程と、
前記接合用電極の形成後に、前記ショットキー電極よりも前記接合用電極のバリアハイトが低くなる温度で第1アニール処理を行う工程と、
前記接合用電極の表面に前記表面電極を形成する工程と、
前記表面電極の形成後に、表面電極9の構成材料がマイグレーションを起こす温度で行う第2アニール処理と、
前記第1、第2アニール処理の後に、ショットキーバリアダイオードの特性に基づいて良不良判定を行うことで、良チップと不良チップとを選別する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記接合用電極を形成する工程では、前記接合用電極をTiにて構成し、
前記第1アニール処理を行う工程では、該第1アニール処理の温度を500℃以上かつ1100℃以下とすることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記接合用電極を形成する工程では、前記接合用電極をNiにて構成し、
前記第1アニール処理を行う工程では、該第1アニール処理の温度を700℃以上かつ1100℃以下とすることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記表面電極を形成する工程では、前記表面電極をAlにて構成し、
前記第2アニール処理を行う工程では、該第2アニール処理の温度を100℃以上かつ650℃以下とすることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1アニール処理を行う工程を行った後で前記表面電極を形成する工程を行うことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記ショットキー電極を形成する前に、前記第1導電型層の表層部に、第2導電型層(30)を形成することで、ジャンクションバリアショットキーダイオードを構成することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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